專利名稱：：用集成機械微懸臂通過垂直應力梯度控制來減輕靜摩擦的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及微機電系統(tǒng)。更明確地說，一些實施例涉及用于改進干涉式調(diào)制器的微機電操作的系統(tǒng)和方法。
背景技術：
：機電系統(tǒng)包含具有電和機械元件、致動器、變換器、傳感器、光學組件(例如鏡面)和電子器件的裝置。機電系統(tǒng)可以多種標度來制造，包含(但不限于)微標度和納米標度。舉例來說，微機電系統(tǒng)(MEMS)裝置可包含具有介于約一微米到數(shù)百微米或以上的大小的結構。納米機電系統(tǒng)(NEMS)裝置可包含具有小于一微米的大小(舉例來說，包含小于數(shù)百納米的大小)的結構?？墒褂贸练e、蝕刻、平版印刷和/或其它蝕刻掉襯底和/或已沉積材料層的部分或者添加層以形成電裝置和機電裝置的微加工工藝來產(chǎn)生機電元件。一種類型的機電系統(tǒng)裝置稱為干涉式調(diào)制器。如本文所使用，術語干涉式調(diào)制器或干涉式光調(diào)制器指的是一種使用光學干涉原理選擇性地吸收且/或反射光的裝置。在某些實施例中，干涉式調(diào)制器可包括一對導電板，其中之一或兩者可能整體或部分透明且/或具有反射性，且能夠在施加適當電信號后即刻進行相對運動。在特定實施例中，一個板可包括沉積在襯底上的固定層，且另一個板可包括通過氣隙與固定層分離的金屬薄膜。如本文更詳細描述，一個板相對于另一個板的位置可改變?nèi)肷湓诟缮媸秸{(diào)制器上的光的光學干涉。這些裝置具有廣范圍的應用，且在此項技術中，利用且/或修改這些類型的裝置的特性使得其特征可被發(fā)掘用于改進現(xiàn)有產(chǎn)品和創(chuàng)造尚未開發(fā)的新產(chǎn)品，將是有益的。
發(fā)明內(nèi)容在一個實施例中，一種機電裝置包含第一組件、第二組件和至少一個回復部分。所述第二組件可在第一方向上相對于第一組件移動。所述至少一個回復部分可位于第二組件上，且可在與第一方向相反的第二方向上向第二組件施加回復力。所述至少一個回復部分包括至少一個偏轉(zhuǎn)部分，其與穿過第二組件的開口毗接，且在第一組件和第二組件彼此分開時朝第一組件延伸。在另一實施例中，一種機電設備包含用于部分地反射光的裝置；用于發(fā)射光的裝置，其中所述反射裝置可在第一方向上相對于所述部分反射裝置移動；以及用于向所述反射裝置施加回復力的裝置，所述回復裝置位于所述反射裝置上，所述回復力是在與第一方向相反的第二方向上，所述回復裝置與穿過反射裝置的開口毗接，且在部分反射裝置和反射裝置彼此分開時朝部分反射裝置延伸。在另一實施例中，一種制造機電系統(tǒng)裝置的方法包括在襯底上形成電極層；在電極層上沉積犧牲層；在犧牲層上沉積反射層；形成多個支撐結構，所述支撐結構延伸穿過犧牲層；在多個支撐結構上沉積機械層；以及使機械層圖案化以從機械層中的蝕刻孔形成至少一個回復部分。圖1是描繪干涉式調(diào)制器顯示器的一個實施例的一部分的等角視圖，其中第一干涉式調(diào)制器的可移動反射層處于松弛位置，且第二干涉式調(diào)制器的可移動反射層處于致動位置。圖2是說明并入有3X3干涉式調(diào)制器顯示器的電子裝置的一個實施例的系統(tǒng)框圖。圖3是圖1的干涉式調(diào)制器的一個示范性實施例的可移動鏡位置對所施加電壓的圖。圖4是可用于驅(qū)動干涉式調(diào)制器顯示器的一組行和列電壓的說明。圖5A說明圖2的3X3干涉式調(diào)制器顯示器中的一個示范性顯示數(shù)據(jù)幀。圖5B說明可用以寫入圖5A的幀的行信號和列信號的一個示范性時序圖。圖6A和圖6B是說明包括多個干涉式調(diào)制器的視覺顯示裝置的實施例的系統(tǒng)框圖。圖7A是圖1的裝置的橫截面。圖7B是干涉式調(diào)制器的替代實施例的橫截面。圖7C是干涉式調(diào)制器的另一替代實施例的橫截面。圖7D是干涉式調(diào)制器的又一替代實施例的橫截面。圖7E是干涉式調(diào)制器的額外替代實施例的橫截面。圖8A是包含回復部分的干涉式調(diào)制器的實施例的橫截面?zhèn)纫晥D，其中所述調(diào)制器被展示為處于未驅(qū)動狀態(tài)。圖8B是圖9A的實施例處于驅(qū)動狀態(tài)的橫截面?zhèn)纫晥D。圖8C到圖8F展示包含回復部分的干涉式調(diào)制器的各種實施例的橫截面?zhèn)纫晥D，其中所述調(diào)制器被展示為處于未驅(qū)動狀態(tài)。圖8G到圖8J展示回復部分的各種實施例的橫截面俯視圖。圖8K說明根據(jù)本文中所描述的特定實施例的大體上圓形的回復部分的透視圖。圖9A到圖9H是描繪在制造機電裝置陣列時的特定步驟的示意性橫截面。圖IOA到圖IOD展示回復部分中的一部分處于驅(qū)動狀態(tài)和未驅(qū)動狀態(tài)的示范性模擬模型。具體實施例方式本發(fā)明涉及減輕MEMS裝置中的靜摩擦。在MEMS裝置中，靜摩擦可致使裝置中的可移動組件暫時或永久地卡住，且因此可致使裝置發(fā)生故障或者不當操作。在本文所描述的特定實施例中，一種機電裝置可具備一個或一個以上回復部分，其提供用于減輕靜摩擦的輔助機械力。舉例來說，在一些實施例中，回復部分是懸臂，其在至少一個組件與另一組件接觸或靠近另一組件時偏轉(zhuǎn)?；貜筒糠值拇似D(zhuǎn)產(chǎn)生在大體上與所述至少一個組件的移動方向相反的方向上施加的回復力。所述回復部分可實施為一個或一個以上可偏轉(zhuǎn)元件，其中所述可偏轉(zhuǎn)元件可具有各種配置或形狀，例如人字形、十字形等等。還可使用多個回復部分，且戰(zhàn)略上將其放置于機電裝置內(nèi)，以使其在減輕靜摩擦方面的有效性增至最大。此外，所述回復部分可具有除減輕靜摩擦以外的益處。舉例來說，形成于所述至少一個組件中以產(chǎn)生回復部分的孔或狹槽可在制造期間為蝕刻劑以及為犧牲層的移除提供導管。如此，回復部分可提供不限于減輕靜摩擦的功能的組合。舉例來說，回復部分可用于減少咬接(snapin)，并修改滯后行為。這可用于例如提供對裝置的所顯示色彩的額外控制等特性。作為另一實例，回復部分可提供用于通過抑制裝置的致動并增強裝置的釋放來減少或增加響應時間的機制。在一些實施例中，可使用各種技術將一個或一個以上回復部分制造到機電裝置的一個或一個以上組件中。舉例來說，可通過在大體上垂直于組件的方向上包含應力梯度和選擇性地使組件中的釋放結構(例如，孔或狹槽)圖案化來制造回復部分，使得回復部分的元件的一部分在大體上垂直于所述組件的方向上偏轉(zhuǎn)。可使用不同的材料層以獲得所要的回復力和形狀。出于說明性目的，可在對光學干涉式調(diào)制器(IMOD)裝置的應用中描述這些回復部分的特定實施例。以下詳細描述是針對特定具體實施例。然而，本發(fā)明的教示可用多種多樣的不同方式來實施。在此描述中參參考圖式，其中通篇以相同數(shù)字表示相同部分?？稍谌魏谓?jīng)配置以顯示圖像(無論是動態(tài)的(例如視頻)還是靜態(tài)的(例如，靜止圖像)，且無論是文本的還是圖片的)的裝置中實施所述實施例。更明確地說，預期所述實施例可實施在多種電子裝置中或與多種電子裝置相關聯(lián)，所述多種電子裝置例如(但不限于)移動電話、無線裝置、個人數(shù)據(jù)助理(PDA)、手持式或便攜式計算機、GPS接收器/導航儀、相機、MP3播放器、攝像機、游戲控制臺、手表、時鐘、計算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、計算機監(jiān)視器、汽車顯示器(例如，里程表顯示器等)、座艙控制器和/或顯示器、相機視圖的顯示器(例如，車輛中后視相機的顯示器)、電子相片、電子廣告牌或指示牌、投影儀、建筑結構、包裝和美學結構(例如，一件珠寶的圖像顯示)。具有與本文中所描述的裝置類似的結構的MEMS裝置也可用于例如電子切換裝置等非顯示器應用中。提供各圖是為了說明各種實施例。明確地說，圖1到圖7說明干涉式調(diào)制器顯示器和顯示系統(tǒng)的各個方面。接著提供圖8A到圖8K以說明可在各種干涉式調(diào)制器中使用的一個或一個以上回復部分的各種實施例。圖9A到圖9H說明包含回復部分的干涉式調(diào)制器的制造過程?，F(xiàn)在將在下文中進一步描述這些圖?，F(xiàn)在參看圖1，其說明包括干涉式MEMS顯示元件的干涉式調(diào)制器顯示器的實施例。在這些裝置中，像素處于明亮狀態(tài)或黑暗狀態(tài)。在明亮(接通或開啟)狀態(tài)下，顯示元件將入射可見光的大部分反射到用戶。當在黑暗(斷開或關閉)狀態(tài)下時，顯示元件將極少的入射可見光反射到用戶。依據(jù)實施例而定，可顛倒接通和斷開狀態(tài)的光反射性質(zhì)。MEMS像素可經(jīng)配置以主要在所選顏色下反射，從而除了黑白顯示以外還允許彩色顯示。圖1是描繪視覺顯示器的一系列像素中的兩個相鄰像素的等角視圖，其中每一像素包括MEMS干涉式調(diào)制器。在一些實施例中，干涉式調(diào)制器顯示器包括這些干涉式調(diào)制器的一行/列陣列。每一干涉式調(diào)制器包含一對反射層，其定位成彼此相距可變且可控制的距離以形成具有至少一個可變尺寸的諧振光學間隙。在一個實施例中，可在兩個位置之間移動所述反射層之一。在第一位置(本文中稱為松弛位置)中，可移動反射層定位成距固定部分反射層相對較大的距離。在第二位置(本文中稱為致動位置)中，可移動反射層定位成更緊密鄰近所述部分反射層。視可移動反射層的位置而定，從所述兩個層反射的入射光相長地或相消地進行干涉，從而針對每一像素產(chǎn)生全反射狀態(tài)或非反射狀態(tài)。圖1中像素陣列的所描繪部分包含兩個相鄰干涉式調(diào)制器1和12b。在左側干涉式調(diào)制器12a中，說明可移動反射層Ha處于距包含部分反射層的光學堆疊16a預定距離處的松弛位置中。在右側干涉式調(diào)制器12b中，說明可移動反射層14b處于鄰近于光學堆疊16b的致動位置中。如本文所引用的光學堆疊16a和16b(統(tǒng)稱為光學堆疊16)通常包括若干熔合層(fusedlayer)，所述熔合層可包含例如氧化銦錫(ITO)的電極層、例如鉻的部分反射層和透明電介質(zhì)。因此，光學堆疊16是導電的、部分透明且部分反射的，且可通過(例如)將上述層的一者或一者以上沉積到透明襯底20上來制造。部分反射層可由例如各種金屬、半導體和電介質(zhì)等部分反射的多種材料形成。部分反射層可由一個或一個以上材料層形成，且所述層的每一者可由單一材料或材料的組合形成。在一些實施例中，光學堆疊16的層經(jīng)圖案化成為多個平行條帶，且如下文中進一步描述，可在顯示裝置中形成行電極?？梢苿臃瓷鋵?4a、14b可形成為沉積金屬層(一層或多層)的一系列平行條帶(與行電極16a、16b垂直)，所述金屬層沉積在柱18和沉積于柱18之間的介入犧牲材料的頂部上。當蝕刻去除犧牲材料時，可移動反射層14a、14b通過所界定的間隙19而與光學堆疊16a、16b分離。例如鋁的高度導電且反射的材料可用于反射層14，且這些條帶可在顯示裝置中形成列電極。在不施加電壓的情況下，間隙19保留在可移動反射層1與光學堆疊16a之間，其中可移動反射層Ha處于機械松弛狀態(tài)，如圖1中像素1所說明。然而，當將電位差施加到選定的行和列時，形成在相應像素處的行電極與列電極的交叉處的電容器變得帶電，且靜電力將所述電極拉在一起。如果電壓足夠高，那么可移動反射層14變形且被迫抵靠光學堆疊16。光學堆疊16內(nèi)的電介質(zhì)層(在此圖中未圖示)可防止短路并控制層14與16之間的分離距離，如圖1中右側的像素12b所說明。不管所施加的電位差的極性如何，表現(xiàn)均相同。以此方式，可控制反射像素狀態(tài)對非反射像素狀態(tài)的行/列致動在許多方面類似于常規(guī)LCD和其它顯示技術中所使用的行/列致動。圖2到圖5B說明在顯示器應用中使用干涉式調(diào)制器陣列的一個示范性工藝和系統(tǒng)。圖2是說明可并入有本發(fā)明各方面的電子裝置的一個實施例的系統(tǒng)框圖。在示范性實施例中，所述電子裝置包含處理器21，其可為任何通用單芯片或多芯片微處理器(例如ARM、Pentium、Pentiumu、Pentiumni、Pentiumrv、PentiumPro>8051>MIPS、PowerPC、ALPHA)，或任何專用微處理器(例如數(shù)字信號處理器、微控制器或可編程門陣列)。如此項技術中常規(guī)的做法，處理器21可經(jīng)配置以執(zhí)行一個或一個以上軟件模塊。除了執(zhí)行操作系統(tǒng)外，所述處理器可經(jīng)配置以執(zhí)行一個或一個以上軟件應用程序，包含網(wǎng)絡瀏覽器、電話應用程序、電子郵件程序或任何其它軟件應用程序。在一個實施例中，處理器21還經(jīng)配置以與陣列驅(qū)動器22通信。在一個實施例中，所述陣列驅(qū)動器22包含將信號提供到顯示器陣列或面板30的行驅(qū)動器電路M和列驅(qū)動器電路沈。在圖2中以線1-1展示圖1中說明的陣列的橫截面。對于MEMS干涉式調(diào)制器來說，行/列致動協(xié)議可利用圖3中說明的這些裝置的滯后性質(zhì)?？赡苄枰?例如)10伏的電位差來促使可移動層從松弛狀態(tài)變形為致動狀態(tài)。然而，當電壓從所述值減小時，可移動層在電壓降回10伏以下時維持其狀態(tài)。在圖3的示范性實施例中，可移動層直到電壓降到2伏以下時才完全松弛。因此，在圖3中所說明的實例中，存在約3V到7V的所施加電壓窗口，在所述窗口內(nèi)，裝置在松弛狀態(tài)或致動狀態(tài)中均是穩(wěn)定的。此窗口在本文中稱為滯后窗口或穩(wěn)定窗口。對于具有圖3的滯后特性的顯示器陣列來說，可設計行/列致動協(xié)議使得在行選通期間，已選通行中待致動的像素暴露于約10伏的電壓差，且待松弛的像素暴露于接近零伏的電壓差。在選通之后，所述像素暴露于約5伏的穩(wěn)態(tài)電壓差使得其維持在行選通使其所處的任何狀態(tài)中。在此實例中，每一像素在被寫入之后經(jīng)歷3伏到7伏的“穩(wěn)定窗口”內(nèi)的電位差。此特征使圖1中說明的像素設計在相同的施加電壓條件下在致動或松弛預存在狀態(tài)下均是穩(wěn)定的。因為干涉式調(diào)制器的每一像素(不論處于致動還是松弛狀態(tài))本質(zhì)上是由固定反射層和移動反射層形成的電容器，所以可在滯后窗口內(nèi)的一電壓下維持此穩(wěn)定狀態(tài)而幾乎無功率消耗。本質(zhì)上，如果所施加的電壓是固定的，那么沒有電流流入像素中。在典型應用中，可通過根據(jù)第一行中所需組的致動像素斷言所述組列電極來產(chǎn)生顯示幀。接著將行脈沖施加到行1電極，從而致動對應于所斷言的列線的像素。接著改變所述組已斷言列電極以對應于第二行中所需組的致動像素。接著將脈沖施加到行2電極，從而根據(jù)已斷言的列電極而致動行2中的適當像素。行1像素不受行2脈沖影響，且維持在其在行1脈沖期間被設定的狀態(tài)中?？梢赃B續(xù)方式對整個系列的行重復此過程以產(chǎn)生幀。通常，通過以每秒某一所需數(shù)目的幀的速度連續(xù)地重復此過程來用新的顯示數(shù)據(jù)刷新且/或更新所述幀。用于驅(qū)動像素陣列的行和列電極以產(chǎn)生顯示幀的各種各樣的協(xié)議也是眾所周知的且可結合本發(fā)明使用。圖4、圖5A和圖5B說明用于在圖2的3X3陣列上形成顯示幀的一個可能的致動協(xié)議。圖4說明可用于使像素展示出圖3的滯后曲線的一組可能的列和行電壓電平。在圖4的實施例中，致動像素涉及將適當列設定為-Vbias，且將適當行設定為+ΔV，其分別可對應于-5伏和+5伏。松弛像素是通過將適當列設定為+Vbias，且將適當行設定為相同的+AV，從而在像素上產(chǎn)生零伏電位差而實現(xiàn)的。在行電壓維持在零伏的那些行中，不管列處于+Vbias還是-Vbias，像素在任何其最初所處的狀態(tài)中均是穩(wěn)定的。同樣如圖4中所說明，將了解，可使用具有與上述電壓的極性相反的極性的電壓，例如，致動像素可涉及將適當列設定為+Vbias，且將適當行設定為_Δν。在此實施例中，釋放像素是通過將適當列設定為-Vbias，且將適當行設定為相同的_Δν，從而在像素上產(chǎn)生零伏電位差而實現(xiàn)的。圖5Β是展示施加到圖2的3X3陣列的一系列行和列信號的時序圖，所述系列的行和列信號將產(chǎn)生圖5Α中說明的顯示器布置，其中被致動像素為非反射的。在對圖5Α中說明的幀進行寫入之前，像素可處于任何狀態(tài)，且在本實例中所有行均處于0伏，且所有列均處于+5伏。在這些所施加的電壓的情況下，所有像素在其既有的致動或松弛狀態(tài)中均是穩(wěn)定的。在圖5A的幀中，像素(1，1)、(1,2),(2,2),(3,2)和(3,3)被致動。為了實現(xiàn)此目的，在行1的“線時間(linetime)”期間，將列1和2設定為-5伏，且將列3設定為+5伏。因為所有像素均保留在3-7伏的穩(wěn)定窗口中，所以這并不改變?nèi)魏蜗袼氐臓顟B(tài)。接著用從0升到5伏且返回零的脈沖選通行1。這致動了(1，1)和(1,像素且松弛了(1，3)像素。陣列中其它像素均不受影響。為了視需要設定行2，將列2設定為-5伏，且將列1和3設定為+5伏。施加到行2的相同選通接著將致動像素(2,且松弛像素(2，1)和0，3)。同樣，陣列中其它像素均不受影響。通過將列2和3設定為-5伏且將列1設定為+5伏來類似地設定行3。行3選通設定行3像素，如圖5A中所示。在對幀進行寫入之后，行電位為零，且列電位可維持在+5或-5伏，且接著顯示器在圖5A的布置中是穩(wěn)定的。將了解，可將相同程序用于數(shù)十或數(shù)百個行和列的陣列。將了解，用于執(zhí)行行和列致動的電壓的時序、序列和電平可在上文所概述的一般原理內(nèi)廣泛變化，且上文的實例僅為示范性的，且任何致動電壓方法均可與本文描述的系統(tǒng)和方法一起使用。圖6A和6B是說明顯示裝置40的實施例的系統(tǒng)框圖。顯示裝置40可為(例如)蜂窩式電話或移動電話。然而，顯示裝置40的相同組件或其稍微變化形式也說明例如電視和便攜式媒體播放器的各種類型的顯示裝置。顯示裝置40包含外殼41、顯示器30、天線43、揚聲器45、輸入裝置48和麥克風46。外殼41通常由所屬領域的技術人員眾所周知的多種制造工藝的任一者形成，所述工藝包含注射模制和真空成形。此外，外殼41可由多種材料中的任一者制成，包括(但不限于)塑料、金屬、玻璃、橡膠和陶瓷，或其組合。在一個實施例中，外殼41包含可去除部分(未圖示)，所述可去除部分可與其它具有不同顏色或含有不同標記、圖畫或符號的可去除部分互換。如本文中所描述，示范性顯示裝置40的顯示器30可為包含雙穩(wěn)態(tài)顯示器(bi-stabledisplay)在內(nèi)的多種顯示器的任一者。在其它實施例中，如所屬領域的技術人員眾所周知，顯示器30包含例如如上所述的等離子、EL、OLED,STNIXD或TFTIXD的平板顯示器，或例如CRT或其它電子管裝置的非平板顯示器。然而，出于描述本實施例的目的，如本文中所描述，顯示器30包含干涉式調(diào)制器顯示器。圖6B中示意性地說明示范性顯示裝置40的一個實施例的組件。所說明的示范性顯示裝置40包含外殼41且可包含至少部分封圍在所述外殼41中的額外組件。舉例來說，在一個實施例中，示范性顯示裝置40包含網(wǎng)絡接口27，所述網(wǎng)絡接口27包含耦合到收發(fā)器47的天線43。收發(fā)器47連接到處理器21，處理器21連接到調(diào)節(jié)硬件52。調(diào)節(jié)硬件52可經(jīng)配置以調(diào)整信號(例如，對信號進行濾波)。調(diào)節(jié)硬件52連接到揚聲器45和麥克風46。處理器21也連接到輸入裝置48和驅(qū)動器控制器四。驅(qū)動器控制器四耦合到幀緩沖器28且耦合到陣列驅(qū)動器22，所述陣列驅(qū)動器22進而耦合到顯示器陣列30。根據(jù)特定示范性顯示裝置40設計的要求，電源50將功率提供到所有組件。網(wǎng)絡接口27包含天線43和收發(fā)器47，使得示范性顯示裝置40可經(jīng)由網(wǎng)絡與一個或一個以上裝置通信。在一個實施例中，網(wǎng)絡接口27也可具有某些處理能力以減輕對處理器21的要求。天線43是所屬領域的技術人員已知的用于發(fā)射和接收信號的任何天線。在一個實施例中，所述天線根據(jù)IEEE802.11標準(包含IEEE802.11(a)、(b)或(g))來9發(fā)射和接收RF信號。在另一實施例中，所述天線根據(jù)藍牙(BLUETOOTH)標準來發(fā)射和接收RF信號。在蜂窩式電話的情況下，所述天線經(jīng)設計以接收CDMA、GSM、AMPS或其它用于在無線手機網(wǎng)絡內(nèi)通信的已知信號。收發(fā)器47預處理從天線43接收到的信號，使得處理器21可接收所述信號并進一步對所述信號進行處理。收發(fā)器47還處理從處理器21接收到的信號使得可經(jīng)由天線43從示范性顯示裝置40發(fā)射所述信號。在一替代實施例中，收發(fā)器47可由接收器代替。在又一替代實施例中，網(wǎng)絡接口27可由可存儲或產(chǎn)生待發(fā)送到處理器21的圖像數(shù)據(jù)的圖像源代替。舉例來說，所述圖像源可為數(shù)字視頻光盤(DVD)或含有圖像數(shù)據(jù)的硬盤驅(qū)動器，或產(chǎn)生圖像數(shù)據(jù)的軟件模塊。處理器21大體上控制示范性顯示裝置40的全部操作。處理器21接收例如來自網(wǎng)絡接口27或圖像源的壓縮圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)，并將所述數(shù)據(jù)處理成原始圖像數(shù)據(jù)或處理成易被處理成原始圖像數(shù)據(jù)的格式。處理器21接著將已處理的數(shù)據(jù)發(fā)送到驅(qū)動器控制器四或發(fā)送到幀緩沖器觀以供存儲。原始數(shù)據(jù)通常是指識別圖像內(nèi)每一位置處的圖像特性的信息。舉例來說，這些圖像特性可包含顏色、飽和度和灰度級。在一個實施例中，處理器21包含微控制器、CPU或邏輯單元以控制示范性顯示裝置40的操作。調(diào)節(jié)硬件52通常包含放大器和濾波器，以用于將信號發(fā)射到揚聲器45，且用于從麥克風46接收信號。調(diào)節(jié)硬件52可為示范性顯示裝置40內(nèi)的離散組件，或可并入在處理器21或其它組件內(nèi)。驅(qū)動器控制器四直接從處理器21或從幀緩沖器28取得由處理器21產(chǎn)生的原始圖像數(shù)據(jù)，并適當?shù)刂匦赂袷交鲈紙D像數(shù)據(jù)以供高速發(fā)射到陣列驅(qū)動器22。具體來說，驅(qū)動器控制器四將原始圖像數(shù)據(jù)重新格式化為具有類似光柵的格式的數(shù)據(jù)流，使得其具有適于在顯示器陣列30上進行掃描的時間次序。接著，驅(qū)動器控制器四將已格式化的信息發(fā)送到陣列驅(qū)動器22。盡管驅(qū)動器控制器四(例如IXD控制器)通常與系統(tǒng)處理器21關聯(lián)而作為獨立的集成電路(IC)，但可以許多方式實施這些控制器。其可作為硬件嵌入處理器21中，作為軟件嵌入處理器21中，或與陣列驅(qū)動器22完全集成在硬件中。通常，陣列驅(qū)動器22從驅(qū)動器控制器四接收已格式化的信息且將視頻數(shù)據(jù)重新格式化為一組平行波形，所述波形以每秒多次的速度被施加到來自顯示器的x_y像素矩陣的數(shù)百且有時數(shù)千個引線。在一個實施例中，驅(qū)動器控制器四、陣列驅(qū)動器22和顯示器陣列30適用于本文描述的任意類型的顯示器。舉例來說，在一個實施例中，驅(qū)動器控制器四是常規(guī)顯示器控制器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器控制器(例如，干涉式調(diào)制器控制器)。在另一實施例中，陣列驅(qū)動器22是常規(guī)驅(qū)動器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器驅(qū)動器(例如，干涉式調(diào)制器顯示器)。在一個實施例中，驅(qū)動器控制器四與陣列驅(qū)動器22集成。此實施例在例如蜂窩式電話、手表和其它小面積顯示器的高度集成系統(tǒng)中是普遍的。在又一實施例中，顯示器陣列30是典型的顯示器陣列或雙穩(wěn)態(tài)顯示器陣列(例如，包含干涉式調(diào)制器陣列的顯示器)。輸入裝置48允許用戶控制示范性顯示裝置40的操作。在一個實施例中，輸入裝置48包含例如QWERTY鍵盤或電話鍵區(qū)的鍵區(qū)、按鈕、開關、觸敏屏幕或壓敏或熱敏薄膜。在一個實施例中，麥克風46是用于示范性顯示裝置40的輸入裝置。當使用麥克風46將數(shù)據(jù)輸入到所述裝置時，用戶可提供聲音命令以便控制示范性顯示裝置40的操作。電源50可包含此項技術中眾所周知的多種能量儲存裝置。舉例來說，在一個實施例中，電源50是例如鎳鎘電池或鋰離子電池的可再充電電池。在另一實施例中，電源50為可再生能源、電容器或太陽能電池，包括塑料太陽能電池和太陽能電池涂料。在另一實施例中，電源50經(jīng)配置以從壁式插座接收功率。在某些實施例中，如上文中所描述，控制可編程性駐存在驅(qū)動器控制器中，所述驅(qū)動器控制器可位于電子顯示器系統(tǒng)中的若干位置中。在某些實施例中，控制可編程性駐存在陣列驅(qū)動器22中。所屬領域的技術人員將認識到，上述優(yōu)化可實施在任何數(shù)目的硬件和/或軟件組件中且可以各種配置實施。根據(jù)上文陳述的原理而操作的干涉式調(diào)制器的結構的細節(jié)可廣泛變化。舉例來說，圖7A到圖7E說明可移動反射層14及其支撐結構的五個不同實施例。圖7A是圖1的實施例的橫截面，其中金屬材料條帶14沉積在垂直延伸的支撐件18上。在圖7B中，可移動反射層14在系鏈(tether)32上僅在隅角處附接到支撐件。在圖7C中，可移動反射層14從可包括柔性金屬的可變形層34懸置下來。所述可變形層34直接或間接地連接到圍繞可變形層34的周邊的襯底20。這些連接在本文中稱為支柱。圖7D中說明的實施例具有支柱插塞42，可變形層34擱置在所述支柱插塞42上。如圖7A到圖7C所示，可移動反射層14保持懸置在間隙上方，但可變形層34并不通過填充可變形層34與光學堆疊16之間的孔而形成所述支柱。而是，支柱由平坦化材料形成，其用于形成支柱插塞42。圖7E中所說明的實施例是基于圖7D中所示的實施例，但也可適于與圖7A到圖7C中所說明的實施例以及未圖示的額外實施例中的任一者一起發(fā)揮作用。在圖7E中所示的實施例中，已使用金屬或其它導電材料的額外層來形成總線結構44。這允許信號沿著干涉式調(diào)制器的背面進行路由，從而消除許多原本可能必須形成在襯底20上的電極。在例如圖7中所示的那些實施例的實施例中，干涉式調(diào)制器充當直接觀看裝置，其中從透明襯底20的前側觀看圖像，所述側與上面布置有調(diào)制器的一側相對。在這些實施例中，反射層14以光學方式遮蔽在反射層的與襯底20相對側上的干涉式調(diào)制器的若干部分，其包含可變形層34。這允許對遮蔽區(qū)域進行配置和操作而不會消極地影響圖像質(zhì)量。這種遮蔽允許實現(xiàn)圖7E中的總線結構44，所述總線結構44提供使調(diào)制器的光學性質(zhì)與調(diào)制器的機電性質(zhì)(例如，尋址與由所述尋址導致的移動)分離的能力。這種可分離的調(diào)制器結構允許選擇用于調(diào)制器的機電方面和光學方面的結構設計和材料且使其彼此獨立地發(fā)揮作用。此外，圖7C到圖7E中所示的實施例具有源自反射層14的光學性質(zhì)與其機械性質(zhì)脫離的額外益處，所述益處由可變形層34執(zhí)行。這允許用于反射層14的結構設計和材料在光學性質(zhì)方面得以優(yōu)化，且用于可變形層34的結構設計和材料在所要的機械性質(zhì)方面得以優(yōu)化?；貜筒糠?13尤其可提供額外的力，以使可變形層506與固定層502分離，且此額外力可減輕或克服粘附力。如下文將更詳細地描述，提供回復部分513，以通過在遠離固定層502的方向上將額外力施加到可變形層506上，來幫助可變形層506從其驅(qū)動狀態(tài)回復到未驅(qū)動狀態(tài)。舉例來說，在圖8A中展示的所說明的實施例中，在未驅(qū)動狀態(tài)下，回復部分513的一部分可朝固定層502卷曲或彎曲，且因此延伸到可變形層506與固定層502之間的氣隙中。如下文將更完整地描述，此部分可起因于可制造到可變形層506和/或固定層502的至少部分中的應力梯度，此部分包括偏轉(zhuǎn)部分515。當未被驅(qū)動時，可變形層506可與固定層502分開，且回復部分513的偏轉(zhuǎn)部分515可朝固定層502延伸(例如，延伸到固定層502與可變形層506之間的區(qū)中)。當被驅(qū)動時，可變形層506變形成圖8B中所說明的驅(qū)動狀態(tài)。回復部分513的偏轉(zhuǎn)部分515通過與可變形層506接觸而變形，且因此順應與回復部分513接觸的固定層502的形狀。舉例來說，在特定實施例中，回復部分513可偏轉(zhuǎn)成圖8B所示的大致平坦的配置。在特定實施例中，回復部分513可偏轉(zhuǎn)成其它配置，例如彎曲或弓形形狀，這取決于可變形層506的接觸面積。在回復部分513的偏轉(zhuǎn)狀態(tài)下，回復部分513可提供可減輕或防止靜摩擦的潛在輔助力。在特定實施例中，當可變形層506處于驅(qū)動狀態(tài)時，偏轉(zhuǎn)部分515并不完全封閉開口517。在其它實施例中，當可變形層506處于驅(qū)動狀態(tài)時，偏轉(zhuǎn)部分515變形以幾乎封閉或完全封閉開口517。即使是在平坦配置中，偏轉(zhuǎn)的回復部分513也將趨向于返回到其正常通偏轉(zhuǎn)配置，例如其一部分趨向于延伸回到如圖8A所示的干涉腔中。此趨勢可產(chǎn)生趨向于輔助可變形層506返回到其未驅(qū)動狀態(tài)的力。因此，當變形的層506開始從變形狀態(tài)移動回到其未驅(qū)動狀態(tài)時，回復部分513的力可幫助減輕靜摩擦和/或減小可變形層506的回復速度?；貜筒糠?13可用各種大小來配置。舉例來說，如圖所示，偏轉(zhuǎn)部分515可為具有部分地跨越可變形層506與固定層502之間的間隙的長度的懸臂。在其它實施例中，偏轉(zhuǎn)部分515可為足夠長以即使在其未驅(qū)動狀態(tài)下也接觸固定層502或幾乎與固定層502接觸的懸臂。偏轉(zhuǎn)部分515的這些不同大小可用于減少咬接，且控制裝置的滯后行為?；蛘撸衫闷D(zhuǎn)部分515的不同長度，以便修改裝置在操作期間的致動時間和釋放時間。為了使對光學或色彩性能的影響減到最小，可將回復部分513定位于不在裝置的可查看區(qū)域內(nèi)的區(qū)中。所屬領域的技術人員將認識到，回復部分513可不具有如圖8A到圖8K中說明的確切配置?？墒褂迷S多不同類型的結構作為回復部分513。此外，也可使用不同材料。術語“回復部分”可指代具有施加輔助已變形層506返回到其未驅(qū)動狀態(tài)的回復力(舉例來說，如本文中的實施例中所述)的功能的結構。盡管圖8A到圖8D中說明兩個回復部分513，但可使用單個回復部分(例如在圖8E到圖8F中)或任何數(shù)目的回復部分。舉例來說，可在可變形層506的各個區(qū)域上布置多個回復部分513。明確地說，可將回復部分513放置于可變形層506上的特定區(qū)域中，或者可放置回復部分513以在可變形層506上的較寬區(qū)域上提供相對均勻的回復力。此外，回復部分513可經(jīng)配置以依據(jù)其在可變形層506上的位置而提供不同強度的回復力?；貜筒糠?13的大小、放置和強度全部可根據(jù)干涉式調(diào)制器501的所要特性而改變。在特定實施例中，可調(diào)整初始電壓輸入，以便將干涉式調(diào)制器501驅(qū)動到其完全驅(qū)動狀態(tài)，因為回復部分513可產(chǎn)生對調(diào)制器501的驅(qū)動狀態(tài)的增加的抵抗量。此外，回復部分513可包含由抗靜摩擦聚合物涂層涂覆的一個或一個以上層，所述涂層可減少可變形層506與固定層502在彼此接觸時其之間的粘附程度。回復部分513還可帶有紋理，或者具有粗糙的表面，以減小可變形層506與固定層502在接觸時其之間的接觸面積，且因此減少其之間的粘附量。為了說明回復部分513的各種實施例，現(xiàn)在將進一步描述圖8A到圖8K。圖8A和圖8B說明干涉式調(diào)制器501的實施例，其包含回復部分513。回復部分513可從可變形層506延伸。因此，當干涉式調(diào)制器501從其未驅(qū)動狀態(tài)(圖8A)驅(qū)動到驅(qū)動狀態(tài)(圖8B)時，回復部分513從其正常配置偏轉(zhuǎn)成相對平坦的配置。在一些實施例中，回復部分513可經(jīng)配置以僅部分偏轉(zhuǎn)(而非完全平坦)，且因此界定固定層502與可變形層506的在干涉式調(diào)制器501處于驅(qū)動狀態(tài)時不與固定層502接觸的部分之間的間隙或最小距離(未圖示)。在圖8C中說明的另一實施例中，回復部分513可形成于固定層502的頂表面上。在圖8D中說明的另一實施例中，回復部分513可位于可變形層506與固定層502兩者上。盡管未說明，但回復部分513可從可變形層506的各種子層(如果存在的話)或從固定層502或襯底500的各種子層延伸。如圖8E到圖8F中所示，回復部分513可位于各種位置中，例如位于可變形層506或固定層502的中心部分中。舉例來說，在一些實施例中，回復部分513可位于可變形層506的中心部分中，因為與更靠近可變形層506的鄰近支柱504的邊緣的回復力相比，已變形層506中的回復力在中心可為最小?；貜筒糠?13可位于固定層502或可變形層506或所述兩者上的多種位置中。圖8G到圖8J展示回復部分513的各種實施例的橫截面俯視圖，且圖8K展示另一實施例的透視圖。在圖8G到圖8J所說明的實施例中，回復部分513可大體上定位于可變形層506上，在可變形層506的與入射光相互作用的部分上的支撐支柱504(為清楚起見，僅在圖上標記了一個支柱504)之間。舉例來說，如圖8G所示，回復部分513可位于可變形層506的中心部分上，在支撐支柱504之間。任選的是，回復部分513可位于可變形層506的不與入射光顯著相互作用的其它部分上，使得回復部分513的存在不會影響干涉式調(diào)制器501的光學特性。舉例來說，回復部分513可位于可變形層506的靠近支撐支柱504的外圍部分上。在又一實施例(未說明)中，回復部分513可位于可變形層506的相對于支撐支柱504的中心部分和外圍部分兩者上?；貜筒糠?13的表面可大體上是平滑或平面的，或者回復部分513的表面可以是粗糙的、起伏不平的或有凸起的。在特定實施例中，回復部分513的形狀可經(jīng)設計以在偏轉(zhuǎn)時維持傾斜或圓形形狀，且因此，回復部分513在其驅(qū)動狀態(tài)下可能不一定變平。在特定實施例中，回復部分513可經(jīng)配置以提供可變形層506與固定層502之間的減小的接觸面積。在特定實施例中，回復部分513可包括與由之形成回復部分513的可變形層506或固定層502相同的材料。回復部分513可由各種材料制成，所述材料包含(但不限于)金屬、合金、電介質(zhì)材料和彈性材料。舉例來說，所述材料可包含金屬(包含鋁)、半導體、金屬或半導體的氧化物、金屬或半導體的氮化物和金屬或半導體的氮氧化物?；貜筒糠?13可為任何大致并不影響或僅不顯著地影響例如干涉式調(diào)制器501等MEMS裝置的電或光學特性的材料。此外，可對固定層502上的回復部分513下方和周圍的區(qū)域進行各種掩蔽或色彩調(diào)整。舉例來說，可對固定層502的多個部分著色或使其變暗，以幫助補償回復部分513的任何光學效應。在一個實施例中，回復部分513在光學上可對于干涉式調(diào)制器501所調(diào)制的光透明。舉例來說，在回復部分513位于干涉式調(diào)制器501的固定層502上的特定實施例中，回復部分513可對于正被調(diào)制的光是透明的。任選的是，在所調(diào)制的光包含可見光的情況下，可用于回復部分513的透明材料包含(例如)金屬或半導體的氧化物、金屬或半導體的氮化物和金屬或半導體的氮氧化物。在特定實施例中，回復部分513大體上與形成其的材料一樣操作。舉例來說，干涉式調(diào)制器501的可變形層506b上的回復部分可對正被調(diào)制的光反射。在回復部分513的光學性質(zhì)有破壞性或以其它方式干擾干涉式調(diào)制器501的光學性能的某些實施例中，回復部分可經(jīng)配置或大小經(jīng)設計以對干涉式調(diào)制器501的操作具有最小的影響。在另一實施例中，回復部分513可由吸收由干涉式調(diào)制器501調(diào)制的光的材料制成。在另一實施例中，回復部分513可覆蓋有此吸光材料。任選的是，在所調(diào)制的光包含可見光的情況下，可用于回復部分513的吸光材料包含(例如)聚合物材料或金屬，例如鉻、、、銀等O在又一實施例中，回復部分513可由反射由干涉式調(diào)制器501調(diào)制的光的材料制成。回復部分513可覆蓋有此反光材料。任選的是，在所調(diào)制的光包含可見光的情況下，可用于回復部分513的反光材料包含(例如)聚合物材料或金屬，例如銀、鋁、金、鉬等。可使用多個回復部分513。因此，可制造所述回復部分513中的若干回復部分，以提供干涉式調(diào)制器501的層的連接表面(landingsurface)0可將多個回復部分513布置為處于至少一個位置，以便使(例如，可變形層506與固定層502之間的)靜摩擦的概率減到最小。舉例來說，可使回復部分513在可變形層506上彼此盡可能遠地隔開，或者可位于同可變形層506與固定層502之間的支撐結構中的一者或一者以上相距至少閾值距離處。回復部分513可具有任何橫截面形狀。如圖8G到圖8K所示，回復部分513的橫截面形狀可具有一個或一個以上形狀，其實例包含(但不限于)大體上半三角形、大體上半人字形、大體上半拉環(huán)形、大體上半圓形、大體上半橢圓形、大體上半矩形、大體上半五邊形、大體上X形等等。圖8G展示在可變形層506的與支柱504隔開的區(qū)中大體上成對分組的多個回復部分513的俯視圖。每一回復部分513的開口517(可相對于可變形層506自由移動的部分)是大體上半人字形或V形的，且回復部分513的偏轉(zhuǎn)部分515a、5Mb大體上是半三角形的。雖然圖8G展示回復部分513的開口517通過可變形層506的部分519而彼此分離，但其它實施例具有與同一開口517毗接的兩個或兩個以上偏轉(zhuǎn)部分515。舉例來說，特定實施例可具有大體上X形的開口517(例如，沒有部分519的圖8G的開口517)，其由兩個偏轉(zhuǎn)部分515a、5Mb毗接。在圖8H中，開口517具有大體上十字形形狀，且四個偏轉(zhuǎn)部分515a、515b、515c、515d與開口517毗接。在圖81中，回復部分513包括大體上U形的開口517，其具有大體上矩形的偏轉(zhuǎn)部分51fe、515b。在某些其它實施例中，開口517可大體上為H形，其中兩個偏轉(zhuǎn)部分515a、515b與開口517毗接。如所述，偏轉(zhuǎn)部分515a、515b可配置有可跨越可變形層506與固定層502之間的間隙的全部或一部分的不同長度。因此，偏轉(zhuǎn)部分51fe、515b的此長度變化可用于配置所施加的力的量和這些部分施加力的時序。此長度變化可用于修改裝置的色彩控制和/或修改裝置在操作期間的致動時間和釋放時間。在圖8J中，開口517具有大體上彎曲的形狀，且偏轉(zhuǎn)部分515a、5Mb具有彎曲的邊緣(例如，大體上半圓形)。在圖8K中，開口517具有大體上圓形形狀，且偏轉(zhuǎn)部分515是可變形層506的與開口517毗接的大體上圓形區(qū)。如下文中更完整地描述，在穿過可變形層506形成開口517后，可變形層506的與開口517毗接的部分中的應力梯度即刻朝固定層502卷曲，因而形成偏轉(zhuǎn)部分515?；貜筒糠?13可用各種配置制造，且舉例來說，通過利用現(xiàn)存的沉積和選擇性地蝕刻材料的技術而由如上所述的各種化合物制成。舉例來說，回復部分513還可由干涉式調(diào)制器301的層的變形而產(chǎn)生。在另一實施例中，可使用常規(guī)的半導體制造技術來產(chǎn)生回復部分513。可使用各種技術將回復部分513制造到MEMS裝置的一個或一個以上組件中。一般來說，可基于配置到可變形層506的至少若干部分中的應力梯度來制造回復部分513，所述至少若干部分包括偏轉(zhuǎn)部分515和/或固定層502。在一些實施例中，可通過選擇性地使可變形層506和/或固定層502中的釋放結構(例如，形成開口517的孔或狹槽)圖案化來形成回復部分513，使得回復部分513的一個或一個以上偏轉(zhuǎn)部分515經(jīng)歷在大體上遠離與回復部分513接觸的層的方向(例如，大體上垂直于形成回復部分513的層的方向)上具有分量的偏轉(zhuǎn)?？墒褂糜靡垣@得所要的回復力和形狀的不同材料層。回復部分513可具有除減輕靜摩擦以外的益處。舉例來說，形成于至少一個組件(例.如，可變形層506)中以產(chǎn)生回復部分513的孔或狹槽可在制造期間為蝕刻劑以及為犧牲層的移除提供導管?，F(xiàn)在將參看圖9A到圖9H來描述MEMS裝置的處理流程的實施例。在制造工藝中可使用半導體制造技術，例如光刻、沉積、掩蔽、蝕刻(例如，如等離子蝕刻的干式方法和濕式方法)等。沉積包含例如化學氣相沉積(CVD，包含等離子增強CVD和熱CVD)和濺鍍涂覆等干式方法以及例如旋涂等濕式方法。在一個實施例中，相對于圖9A到圖9H描述制造例如上文所述的干涉式調(diào)制器的方法。在圖9A中，已在襯底50上沉積電極層52，且已在電極層52上沉積部分反射層54。接著使部分反射層討和電極層52圖案化并對其進行蝕刻以形成間隙56，其可界定由電極層52形成的條形電極。此外，間隙56可包括(如其在所說明的實施例中一樣)已從將形成支撐結構的位置下方移除電極層52和部分反射層M的區(qū)域。在其它實施例中，僅使部分反射層討和電極層52圖案化并對其進行蝕刻以形成條形電極，且部分反射層M和電極層52可因此在所述支撐結構中的一些或全部支撐結構下方延伸。在一個實施例中，電極層52包括氧化銦錫(ITO)。在一個實施例中，部分反射層M包括鉻(Cr)層。在其它實施例中，層52和M的放置可顛倒，使得部分反射層M位于電極層52下方。在另一實施例中，單個層(未圖示)可充當電極層和部分反射層兩者。在其它實施例中，可僅形成電極層52或部分反射層M中的一者。在圖9B中，已在經(jīng)圖案化的電極層52和部分反射層M上沉積電介質(zhì)層58。在一個實施例中，電介質(zhì)層58可包括SiO2。在其它實施例中，可在電介質(zhì)層上沉積一個或一個以上蝕刻終止層(未圖示)。這些蝕刻終止層可在上覆層的圖案化期間保護電介質(zhì)層。在一個實施例中，可在電介質(zhì)層58上沉積包括Al2O3的蝕刻終止層。在另一實施例中，可在蝕刻終止層上沉積額外的SW2層。在圖9C中，已在電介質(zhì)層58上沉積犧牲層60。在一個實施例中，犧牲層60包括鉬(Mo)或硅(Si)，但其它材料可能是合適的。有利的是，犧牲層60可相對于圍繞犧牲層60的層而選擇性地蝕刻。在圖9C中說明的實施例中，可移動層62(其采用反射層62的形式)已沉積在犧牲層60上，且經(jīng)配置以可在犧牲層60被移除后即刻相對于部分反射層M而移動。在特定實施例中，此可移動層將包括傳導材料。在所說明的實施例中，不同于部分反射層M，層62無需使任何光透射穿過所述層，且因此有利地包括具有高反射率的材料。在一個實施例中，層62包括鋁(Al)，因為鋁既具有非常高的反射率又具有可接受的機械性質(zhì)。在其它實施例中，可在層62中使用例如銀和金等反射材料。在其它實施例中，特別是在層62無需具有反射性的非光學MEMS裝置中，可在層62中使用其它材料，例如鎳和銅。在圖9D中，已使犧牲層60和層62圖案化并對其進行蝕刻以形成延伸穿過犧牲層62和反射層60的孔口64。在所說明的實施例中，這些孔口64優(yōu)選是錐形的，以便于連續(xù)和共形地沉積上覆層。相對于圖9E，可在經(jīng)圖案化的層62和犧牲層60上沉積層70。可使用此層70來形成位于MEMS裝置陣列各處的支撐支柱。在正制造的MEMS裝置包括干涉式調(diào)制器元件(例如圖1的調(diào)制器元件1和12b)的實施例中，所述支撐支柱中的一些支撐支柱(例如圖1的支撐結構18)將位于那些干涉式調(diào)制器元件的上部可移動電極(例如，圖1的可移動反射層14)的邊緣處。此外，這些支撐支柱還可形成于所得的干涉式調(diào)制器元件的遠離上部可移動電極的邊緣的內(nèi)部，使得所述支撐支柱支撐上部可移動電極的中心或內(nèi)部區(qū)段。在圖9F中，已圖案化和蝕刻支柱層70以形成支柱結構72。此外，所說明的支柱結構72具有在上覆層上水平延伸的外圍部分；此水平延伸的外圍部分在本文中將稱為翼形部分74。與犧牲層60的圖案化和蝕刻一樣，支柱結構72的邊緣75優(yōu)選是錐形或有斜面，以便于沉積上覆層。因為層62是在沉積支柱層70之前沉積的，所以層62可在蝕刻工藝期間充當用于形成支柱結構72的蝕刻終止物，因為即使支柱層70的其它部分與犧牲層60接觸，支柱結構的正被蝕刻的部分也通過層62與下伏犧牲層60隔離。因此，也可使用蝕刻工藝來形成支柱結構72，所述工藝原本將蝕刻犧牲層60。也可對上述工藝進行改變。在一個實施例中，可在圖案化和蝕刻犧牲層60之后沉積層62，使得即使沿著犧牲層60中的孔口的傾斜側壁，支柱層70也可與犧牲層60完全隔離。此實施例提供在用以移除犧牲層60的釋放蝕刻期間保護支柱結構72的蝕刻終止物。在另一實施例中，可在沉積層62之前在經(jīng)圖案化的犧牲層60上沉積支柱層70。如果犧牲層60在對支柱結構72的蝕刻期間不會被過度消耗，那么即使沒有蝕刻終止物也可使用此實施例。在圖9G中，已在支柱結構72和層62的暴露部分上沉積機械層78。在層62提供干涉式調(diào)制器元件的反射部分的特定實施例中，可針對機械層78的機械性質(zhì)而不管反射性而有利地選擇機械層78。在一個實施例中，機械層78有利地包括鎳(Ni)，但例如Al等各種其它材料可能是合適的。為了方便起見，可將機械層78與層62的組合統(tǒng)稱為可變形電極或可變形反射層80。在沉積機械層78之后，使機械層78圖案化并對其進行蝕刻以形成所要結構。明確地說，可使機械層78圖案化并對其進行蝕刻以形成間隙，所述間隙界定電極，所述電極是機械層的彼此電隔離的條帶。也可使下伏層62圖案化并對其進行蝕刻以移除層62的暴露部分。在一個實施例中，可經(jīng)由單個圖案化和蝕刻工藝來進行此步驟。在其它實施例中，可連續(xù)執(zhí)行兩個不同蝕刻，但用于圖案化和蝕刻機械層78的同一掩?？杀Ａ粼诤线m位置，且用于選擇性地蝕刻層62。在機械層78包括Ni且層62包括Al的一個特定實施例中，可通過鎳蝕刻(其大體上包括硝酸，以及其它成份)來蝕刻Ni，且可通過磷酸/醋酸蝕刻或PAN(磷酸/醋酸/硝酸)蝕刻來蝕刻Al。在此實施例中，雖然PAN蝕刻也可蝕刻下伏犧牲層60，但可使用PAN蝕刻來蝕刻Al，因為可變形反射層80已經(jīng)形成于犧牲層60上，且已因此獲得了可變形反射層80與下伏層之間的所要間距。在此蝕刻期間對犧牲層60的任何額外蝕刻將對完成的干涉式調(diào)制器沒有不利影響。在圖9H中，可看出，包括機械層78和層62的可變形電極或反射層80已經(jīng)被圖案化和蝕刻以形成蝕刻孔82。接著執(zhí)行釋放蝕刻以選擇性地移除犧牲層60，從而形成腔84，其準許可變形反射層80在施加適當電壓后即刻朝電極層52變形。在一個實施例中，釋放蝕刻包括XeF2蝕刻，其將選擇性地移除例如Mo、W或多晶硅等犧牲材料，同時不會顯著攻擊周圍的例如Al、Si02、Ni或Al2O3等材料。蝕刻孔82以及由機械層78形成的條形電極之間的間隙有利地準許犧牲層60暴露于釋放蝕刻。如上所述，可通過使蝕刻孔82圖案化成合適形狀和尺寸以形成開口517和偏轉(zhuǎn)部分515(例如圖8A到圖8K所示的那些開口和部分)來制造回復部分513。因此，在一些實施例中，可將回復部分蝕刻到機械層78中，且機械層78的經(jīng)蝕刻部分可充當在此制造工藝中作為釋放蝕刻的一部分使用的蝕刻孔。上述修改可幫助消除工藝可變性，且產(chǎn)生更穩(wěn)健的設計和制造。此外，雖然已依據(jù)干涉式調(diào)制器的選定實施例描述了上述方面，但所屬領域的技術人員將了解，干涉式調(diào)制器的許多不同實施例可得益于上述方面。當然，如所屬領域的技術人員將了解，也可使用干涉式調(diào)制器的額外替代實施例。干涉式調(diào)制器的各個層可由半導體和機電裝置制造領域中通常眾所周知的各種各樣的導電和非導電材料制成?，F(xiàn)在參看圖IOA到圖10D，這些圖說明回復部分513和可變形層506的示范性模擬模型。在所示的模擬中，由于像素的對稱性而使用了回復部分513和可變形層506的四分之一模型。在所示的實例中，已將回復部分513建模為具有大約6微米長的支腿的十字形或X形部分(例如，類似于圖8G和圖8H所示的部分)，且開口517的寬度可大約為2微米。在圖IOA到圖IOB中，展示處于未驅(qū)動、未致動的狀態(tài)下的回復部分513的四分之一。為了幫助說明處于未驅(qū)動狀態(tài)下的回復部分513的偏轉(zhuǎn)，在圖IOA到圖IOB中打上陰影以指示回復部分513的各個部分的不同垂直高度。在圖IOA中，模擬假定可變形層506不包含在回復部分513周圍的次級局部層。在圖IOB中，模擬假定可變形層506包含次級局部層，例如氧化物，其在回復部分513周圍以同心方式圖案化，因而與圖IOA所示的模擬相比，致使回復部分513在其未驅(qū)動或未致動狀態(tài)下進一步變形或偏轉(zhuǎn)。在圖IOC到圖IOD中，展示處于其驅(qū)動或致動狀態(tài)的回復的四分之一。如所述，在致動下，在回復部分513中引發(fā)應變能。圖IOC到圖IOD中通過陰影的差異來指示應變能的量值。應變能儲存在回復部分513中，且在施加到像素的Vbias電壓減小時釋放。當釋放時，應變能可因此輔助使可變形層506和回復部分513回復到未致動或未驅(qū)動狀態(tài)。因此，在一些實施例中，可能需要使可變形層506和回復部分513的特定區(qū)域中的應變能增至最大以增加所施加的回復力。圖IOC展示來自圖IOA的可變形層506和回復部分513，但其處于致動或驅(qū)動狀態(tài)。圖IOD展示來自圖IOB的可變形層506和回復部分513，但其處于致動或驅(qū)動狀態(tài)。如圖IOD所示，添加次級氧化物層可增強回復部分的效應，因為回復部分的變形程度更大，因而使得儲存更高的應變能。這些模型只是示范性的，且其它配置屬于本發(fā)明的實施例內(nèi)。盡管以上詳細描述已展示、描述并指出本發(fā)明在應用于各種實施例時的新穎特征，但應了解，所屬領域的技術人員可在不背離本發(fā)明的精神的情況下，在所說明的裝置或工藝的形式和細節(jié)方面進行各種省略、替代和改變。如將認識到的，本發(fā)明可在不提供本文中所陳述的所有特征和益處的形式內(nèi)體現(xiàn)，因為某些特征可與其它特征分開使用或?qū)嵺`。權利要求1.一種機電裝置，所述裝置包括第一組件；第二組件，其可在第一方向上相對于所述第一組件移動；以及至少一個回復部分，其位于所述第二組件上，在與所述第一方向相反的第二方向上向所述第二組件施加回復力，所述至少一個回復部分包括至少一個偏轉(zhuǎn)部分，所述偏轉(zhuǎn)部分與穿過所述第二組件的開口毗接，且在所述第一和第二組件彼此分開時朝所述第一組件延伸。2.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述至少一個偏轉(zhuǎn)部分包括懸臂。3.根據(jù)權利要求2所述的裝置，其中所述懸臂在所述第二組件和所述第一組件彼此分開時朝所述第一組件卷曲。4.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述至少一個偏轉(zhuǎn)部分包括朝所述第一組件延伸的多個葉片。5.根據(jù)權利要求4所述的裝置，其中所述多個葉片在所述第二組件和所述第一組件彼此分開時朝所述第一組件卷曲。6.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中穿過所述第二組件的所述開口包括大體上人字形的形狀。7.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中穿過所述第二組件的所述開口包括大體上十字形的形狀。8.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述至少一個偏轉(zhuǎn)部分包括大體上矩形的形狀。9.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述至少一個偏轉(zhuǎn)部分具有彎曲邊緣。10.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其進一步包括至少一個回復部分，其位于所述第一組件上，在所述第二方向上向所述第二組件施加第二回復力。11.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述至少一個回復部分包括位于所述第二組件上的多個回復部分。12.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述至少一個回復部分是使所述第一與第二組件之間的靜摩擦的概率減到最小的至少一個位置。13.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述MEMS裝置是干涉式調(diào)制器。14.根據(jù)權利要求13所述的裝置，其中所述第一組件包括具有部分反射層的襯底，且所述第二組件包括反射層。15.根據(jù)權利要求14所述的裝置，其中所述反射層可變形以在所述第一方向上移動。16.根據(jù)權利要求14所述的裝置，其中所述第二組件進一步包括耦合到所述反射層的可變形層，所述可變形層經(jīng)配置以在所述第一方向上移動。17.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述開口包括穿過所述第二組件的蝕刻孔。18.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述第二組件通過一個或一個以上支撐結構耦合到所述第一組件，且其中所述至少一個回復部分位于所述第二組件上，與所述一個或一個以上支撐結構相距至少閾值距離。19.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其進一步包含顯不器；處理器，其經(jīng)配置以與所述顯示器通信，所述處理器經(jīng)配置以處理圖像數(shù)據(jù)；以及存儲器裝置，其經(jīng)配置以與所述處理器通信。20.根據(jù)權利要求19所述的裝置，其進一步包含經(jīng)配置以向所述顯示器發(fā)送至少一個信號的驅(qū)動器電路。21.根據(jù)權利要求20所述的裝置，其進一步包含經(jīng)配置以向所述驅(qū)動器電路發(fā)送所述圖像數(shù)據(jù)的至少一部分的控制器。22.根據(jù)權利要求19所述的裝置，其進一步包括經(jīng)配置以向所述處理器發(fā)送所述圖像數(shù)據(jù)的圖像源模塊。23.根據(jù)權利要求22所述的裝置，其中所述圖像源模塊包含接收器、收發(fā)器和發(fā)射器中的至少一者。24.根據(jù)權利要求19所述的裝置，其進一步包括輸入裝置，所述輸入裝置經(jīng)配置以接收輸入數(shù)據(jù)且將所述輸入數(shù)據(jù)傳送到所述處理器。25.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述至少一個回復部分經(jīng)放置以使所述第二組件與所述MEMS裝置的其它部分之間的靜摩擦減到最小。26.一種機電設備，其包括用于部分反射光的裝置；用于反射光的裝置，其中所述反射裝置可相對于所述部分反射裝置在第一方向上移動；以及用于向所述反射裝置施加回復力的裝置，所述回復裝置位于所述反射裝置上，所述回復力在與所述第一方向相反的第二方向上，所述回復裝置與穿過所述反射裝置的開口毗接，且在所述部分反射裝置和所述反射裝置彼此分開時朝所述部分反射裝置延伸。27.根據(jù)權利要求沈所述的設備，其中所述部分反射裝置包括襯底。28.根據(jù)權利要求沈所述的設備，其中所述反射裝置包括反射層。29.根據(jù)權利要求沈所述的設備，其中所述回復裝置包括朝所述部分反射裝置卷曲的懸臂。30.根據(jù)權利要求沈所述的設備，其中所述回復裝置包括多個朝所述部分反射裝置卷曲的懸臂。31.根據(jù)權利要求沈所述的設備，其中所述回復裝置使所述部分反射裝置與所述反射裝置之間的靜摩擦減到最小。32.—種制造機電系統(tǒng)裝置的方法，其包括在襯底上形成電極層；在所述電極層上沉積犧牲層；在所述犧牲層上沉積反射層；形成多個支撐結構，所述支撐結構延伸穿過所述犧牲層；在所述多個支撐結構上沉積機械層；以及使所述機械層圖案化，以在所述機械層中的蝕刻孔處形成至少一個回復部分。33.根據(jù)權利要求32所述的方法，其中沉積所述機械層包括在大體上垂直于所述機械層的方向上以應力梯度沉積所述機械層。全文摘要本發(fā)明涉及減輕機電裝置中的靜摩擦。在一些實施例中，機電裝置可具備一個或一個以上提供用于減輕靜摩擦的輔助機械力的回復部分。所述回復部分可實施為一個或一個以上可偏轉(zhuǎn)元件，其中所述可偏轉(zhuǎn)元件可具有各種配置或形狀，例如人字形、十字形等等。舉例來說，所述回復部分可為懸臂，其在至少一個組件接觸或靠近另一組件時偏轉(zhuǎn)。也可使用多個回復部分，且戰(zhàn)略上將其放置于所述機電裝置內(nèi)，以使其在減輕靜摩擦方面的有效性增至最大。文檔編號B81B3/00GK102089700SQ200980126630公開日2011年6月8日申請日期2009年7月9日優(yōu)先權日2008年7月11日發(fā)明者童葉俊申請人:高通Mems科技公司