專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
這里描述的實(shí)施方式大致涉及半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
近年來，半導(dǎo)體裝置已經(jīng)使用于多種領(lǐng)域。特別地，隨著半導(dǎo)體裝置安裝于其上的設(shè)備的小型化的推進(jìn)，也需要半導(dǎo)體裝置小型化。為了滿足這一要求，芯片不再放置于平面上，而是被疊放成層，并且因而形成為一個(gè)半導(dǎo)體裝置。在如上所述的這種所謂的集成電路中，必須實(shí)現(xiàn)彼此堆疊放置的芯片之間的導(dǎo)電。例如，半導(dǎo)體裝置封裝結(jié)構(gòu)已經(jīng)被建議了，其中提供了直通電極(through electrode) 以實(shí)現(xiàn)被堆疊的芯片之間的導(dǎo)電。近年來，各種微型機(jī)械(micro machine)已經(jīng)用于很多領(lǐng)域。緊跟此趨勢(shì)，被稱為微機(jī)電系統(tǒng)(MEMQ技術(shù)的微加工技術(shù)已經(jīng)得到發(fā)展。而且，其中通過使用MEMS技術(shù)制造的MEMS裝置被連接到基板上的半導(dǎo)體裝置也已經(jīng)被開發(fā)了。在如上所述的半導(dǎo)體裝置的實(shí)例中，在用于驅(qū)動(dòng)MEMS裝置的驅(qū)動(dòng)器IC形成于其上的基板上形成夾層絕緣膜，并且MEMS 裝置形成于所述夾層絕緣膜上。然而，特別地，在包括處理高頻信號(hào)的MEMS裝置的半導(dǎo)體裝置的實(shí)例中，必須保證基板(驅(qū)動(dòng)器IC)和MEMS裝置之間的足夠的距離，以保持MEMS裝置的高頻特性。因此，例如，在硅酸乙酯(TEOS)被用作夾層絕緣膜的實(shí)例中，此TEOS膜被形成得很厚，以得到10 μ m 或更大的厚度，并且基板和MEMS裝置之間的距離得以保證。然而，雖然必須在盡可能得遠(yuǎn)離基板的位置形成MEMS裝置，以允許MEMS裝置發(fā)揮其特性，但沉積所需的夾層絕緣膜需要時(shí)間。而且，雖然必須提供直通電極以實(shí)現(xiàn)基板和 MEMS裝置之間的導(dǎo)電，但在此夾層絕緣膜中形成貫通孔可能導(dǎo)致這種不利情形增加制作成本和制作步驟以及制作時(shí)間。附圖描述

圖1是示出了根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的整體結(jié)構(gòu)的斷面圖；圖2至7是用于描述根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制作方法的斷面圖；圖8是示出了根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的整體結(jié)構(gòu)的斷面圖；圖9至15是用于描述根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的制作方法的斷面圖。
具體實(shí)施例方式總體而言，根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置包括基板；設(shè)置于基板上的有機(jī)絕緣膜；無機(jī)絕緣膜，其形成于此有機(jī)絕緣膜上并比此有機(jī)絕緣膜薄；中空密封結(jié)構(gòu)，其形成于無機(jī)絕緣膜上并且將MEMS元件密封在里面，同時(shí)保證中空密封結(jié)構(gòu)自身和MEMS元件之間的空間；形成用以貫通有機(jī)絕緣膜和無機(jī)絕緣膜的貫通孔；以及導(dǎo)電構(gòu)件，其被充填入貫通孔內(nèi)，并且電連接MEMS元件和通過被充填入貫通孔內(nèi)而形成的電極。下面將參照附圖詳細(xì)描述第一和第二實(shí)施例。(第一實(shí)施例)圖1是示出了根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置1的整體結(jié)構(gòu)的斷面圖。在半導(dǎo)體裝置1中，有機(jī)絕緣膜3和無機(jī)絕緣膜4被單獨(dú)形成于基板2上，并且另外，在無機(jī)絕緣膜4 上，形成有中空密封結(jié)構(gòu)6，其將MEMS元件5密封在里面，同時(shí)保證中空密封結(jié)構(gòu)6和MEMS 元件5之間的空間。在有機(jī)絕緣膜3和無機(jī)絕緣膜4中，貫通孔7被形成以貫通有機(jī)絕緣膜3和無機(jī)絕緣膜4。貫通孔7被用導(dǎo)電構(gòu)件8充填，因而形成于基板2上的電極和MEMS 元件5被相互電連接。而且，外部電極9被連接至導(dǎo)電構(gòu)件8，并且通過外部電極9，半導(dǎo)體裝置1被電連接至另一設(shè)備。中空密封結(jié)構(gòu)6或?qū)щ姌?gòu)件8與外部電極9之間的連接部分被用阻焊層(solderresist)lO密封。基板2主要由基材加形成，例如，基材加由單晶硅構(gòu)成。在基材加的主表面上， 布置有諸如晶體管、電阻器和電容器的元件，以及另外，布置有相互連接這些元件的線材， 因此，集成電路被構(gòu)造而成。在圖1中，這些集成電路被全體地示出為配線層2b。在配線層 2b的主表面上，形成有多個(gè)信號(hào)電極2c，信號(hào)電極2c被電連接至配線層2b并且將被連接至外部?；?具有上述結(jié)構(gòu)，并且總體上行使驅(qū)動(dòng)器IC的功能。有機(jī)絕緣膜3形成于基板2上(基板2的主表面?zhèn)?。如上所述，因?yàn)橄旅鎸⒁枋龅幕? (驅(qū)動(dòng)器IC)和MEMS元件5之間的距離更大，所以將MEMS元件5的高頻特性保持于更好的狀態(tài)中成為可能。同時(shí)，為了形成包括MEMS元件5的中空密封結(jié)構(gòu)6，無機(jī)絕緣膜4是必不可少的。因此，迄今，此無機(jī)絕緣膜都形成得很厚，因而，基板2 (驅(qū)動(dòng)器IC)和 MEMS元件5之間的距離得以保證了。然而，如上所述，形成很厚的無機(jī)絕緣膜需要花費(fèi)時(shí)間和成本。因此，在制造半導(dǎo)體裝置時(shí)，考慮到半導(dǎo)體裝置的制造效率、生產(chǎn)時(shí)間以及類似因素，形成很厚的無機(jī)絕緣膜不太實(shí)際。關(guān)于這一點(diǎn)，在第一實(shí)施例中，為了保證基板2 (驅(qū)動(dòng)器IC)和MEMS元件5之間的距離，不使用形成其需要花費(fèi)時(shí)間和成本的無機(jī)絕緣膜，而是使用可在更短時(shí)間內(nèi)更低的成本下形成的有機(jī)絕緣膜。同時(shí)，具有所需厚度的無機(jī)絕緣膜4形成于此有機(jī)絕緣膜3上。 由此，對(duì)于形成包括MEMS元件5的中空密封結(jié)構(gòu)6來說無機(jī)絕緣膜4必不可少的情況下， 可滿足這種條件。下面將要描述的貫通孔7形成于有機(jī)絕緣膜3中。因此，對(duì)于有機(jī)絕緣膜3來說， 適合使用光敏聚合物，通過其很容易形成貫通孔7，并且例如，通過光刻技術(shù)可以對(duì)有機(jī)絕緣膜3制成圖案。例如，作為光敏聚合物，可以提及具有低介電常數(shù)(例如，介電常數(shù)3或更小)的聚酰亞胺樹脂、聚對(duì)苯撐苯并二惡唑(PBO)樹脂，以及氟樹脂(fluorine resin) 0 而且，中空密封結(jié)構(gòu)6形成于有機(jī)絕緣膜3上方，同時(shí)在有機(jī)絕緣膜3和中空密封結(jié)構(gòu)6之間插入無機(jī)絕緣膜4，并且要求有機(jī)絕緣膜3具有足夠高的耐熱性，以承受中空密封結(jié)構(gòu)6 形成時(shí)所產(chǎn)生的熱負(fù)荷。另外，更優(yōu)選釋放的氣體更少并且吸濕性更低的光敏聚合物。通過使用旋涂、噴涂或印刷方法，有機(jī)絕緣膜3形成于基板2(驅(qū)動(dòng)器IC)上。考慮到MEMS元件5的特性，將要形成的有機(jī)絕緣膜3的厚度為例如5 μ m或更大，優(yōu)選10 μ m 或更大。無機(jī)絕緣膜4形成于有機(jī)絕緣膜3上。例如，作為無機(jī)絕緣膜4，除上述的TEOS膜之外，適合使用加氟氧化硅膜(SiOF膜)和含碳氧化硅膜(SiOC膜)。通過使用化學(xué)氣相沉積(CVD)方法、等離子增強(qiáng)的化學(xué)蒸發(fā)沉積(PE-CVD)方法、物理氣相沉積(PVD)方法或類似方法，無機(jī)絕緣膜4被沉積。此無機(jī)絕緣膜4是形成中空密封結(jié)構(gòu)6所必須的膜，并且被形成為例如1 μ m至3 μ m的厚度。通過一般的MEMS工藝，MEMS元件5形成于無機(jī)絕緣膜4上，并且被中空密封結(jié)構(gòu) 6密封，同時(shí)保證中空密封結(jié)構(gòu)6和MEMS元件5之間的空間。請(qǐng)注意，例如，MEMS元件5的形成過程包括這些步驟，例如，通過使用光刻技術(shù)對(duì)抗蝕膜(resist film)進(jìn)行氧電漿灰化制程(oxygenplasma ashing)步驟，以及剝離液處理(peeling liquid treatment)步驟。 然而，因?yàn)橛袡C(jī)絕緣膜3被無機(jī)絕緣膜4覆蓋，所以有機(jī)絕緣膜3不會(huì)被損壞，即使MEMS元件5形成于其上面。貫通孔7被形成以貫通有機(jī)絕緣膜3和無機(jī)絕緣膜4。貫通孔7被用導(dǎo)電構(gòu)件8 充填，因此，基板2(驅(qū)動(dòng)器IC)、MEMS裝置5以及外部電極9被相互電連接。因此，貫通孔 7包括有機(jī)絕緣膜3和無機(jī)絕緣膜4中各自的開口，它們位于基板2 (驅(qū)動(dòng)器IC) 一側(cè)。這些開口被形成為有機(jī)絕緣膜3的開口小于無機(jī)絕緣膜4的開口，并且它們的形狀被形成為從無機(jī)絕緣膜4的開口朝向有機(jī)絕緣膜3的開口變窄。請(qǐng)注意，在第一實(shí)施例中，無機(jī)絕緣膜4還形成于貫通孔7的表面上。作為導(dǎo)電構(gòu)件8，例如，適合使用銅(Cu)。對(duì)于外部電極9，例如，適合使用錫-銀(Sn-Ag)焊料。請(qǐng)注意，外部電極9的材料并不限制于此錫-銀焊料，并且可以使用除錫-銀焊料之外的二元系統(tǒng)合金(binary system alloys)以及三元系統(tǒng)合金(ternary systemalloys)或無鉛輝料(lead-free solder)。下一步，將關(guān)于圖2至圖7描述上述半導(dǎo)體裝置1的制作方法。首先，準(zhǔn)備如圖2 中所示的基板2。此基板2 (驅(qū)動(dòng)器IC)處于如下狀態(tài)集成電路、配線層2b例如相互連接集成電路的元件的線材，以及信號(hào)電極2c已經(jīng)制作于基材加的主表面上。特別地，基板 2(驅(qū)動(dòng)器IC)是硅晶圓(silicon wafer)的狀態(tài)，已經(jīng)在半導(dǎo)體制作過程中對(duì)其幾乎完成了切割步驟之前的預(yù)處理過程。請(qǐng)注意，在切割步驟之后，基板2 (驅(qū)動(dòng)器IC)被精細(xì)分割， 形成半導(dǎo)體裝置1。隨后，如圖3中所示，例如，通過旋涂方法在基板2 (驅(qū)動(dòng)器IC)上形成有機(jī)絕緣膜 3。如上所述，有機(jī)絕緣膜3的沉積厚度例如是5μπι或更大，優(yōu)選ΙΟμπι或更大。然而，為了抑制硅晶圓的翹曲(warp)，有機(jī)絕緣膜3不沉積在硅晶圓的整個(gè)表面上，而是制成圖案， 同時(shí)排除切割跡道(dicing streets)的部分，因?yàn)檫@些區(qū)域?qū)⒈磺袎K機(jī)(dicer)切割。其后，通過光刻技術(shù)形成貫通孔7。如圖4中所示，在貫通孔7形成于其中的有機(jī)絕緣膜3上，例如，通過PE-CVD方法形成無機(jī)絕緣膜4。如上所述，無機(jī)絕緣膜4的沉積厚度例如是約3 μ m。然而，此無機(jī)絕緣膜4被形成，因?yàn)樗峒暗臒o機(jī)絕緣膜4是形成中空密封結(jié)構(gòu)6所必須的，并且因此，無機(jī)絕緣膜4只需要被至少形成有形成中空密封結(jié)構(gòu)6所需的厚度。在形成無機(jī)絕緣膜4的狀態(tài)下，無機(jī)絕緣膜4也被沉積到貫通孔7的表面上。而
5且，無機(jī)絕緣膜4也被沉積到形成于有機(jī)絕緣膜3與基板2 (驅(qū)動(dòng)器IC)接觸的部分上的開口上。在這種狀態(tài)下，包括MEMS元件5的中空密封結(jié)構(gòu)6形成于無機(jī)絕緣膜4上(參考圖5)。因此，在中空密封結(jié)構(gòu)6形成于其上的區(qū)域的外圍，存在被無機(jī)絕緣膜4覆蓋的貫通孔7。請(qǐng)注意，中空密封結(jié)構(gòu)6的形成步驟已經(jīng)已知，所以，這里省略關(guān)于它的描述。然后，如圖6所示，形成于貫通孔7底部上的無機(jī)絕緣膜4被切掉，而暴露基板 2(驅(qū)動(dòng)器IC)的信號(hào)電極2c。這是因?yàn)椋绻@些部分仍保持被無機(jī)絕緣膜4覆蓋，那么就不能保證基板2(驅(qū)動(dòng)器IC)、MEMS元件5和外部電極9之間的導(dǎo)電，即使貫通孔7被用導(dǎo)電構(gòu)件8充填。而且，與MEMS元件5連通的開口也同時(shí)被形成。在貫通孔7被用導(dǎo)電構(gòu)件8充填后，如圖7所示，阻焊10被涂敷到其上面，例如通過旋涂方法。通過本步驟，中空密封結(jié)構(gòu)6以及類似元件被密封。而且，阻焊10被通過光刻方法制成圖案，導(dǎo)電構(gòu)件8上的阻焊10被剝離，而在所提及的部分上形成外部電極9。對(duì)外部電極9進(jìn)行回流處理，外部電極9被熔融并凝固，因此被成型為如圖1所示的球形。以這種方式，外部電極9和導(dǎo)電構(gòu)件8可以被相互電連接并機(jī)械地接合。通過進(jìn)行這些步驟，如圖1所示的半導(dǎo)體裝置1被制作形成了。如上面已經(jīng)描述的，在通過在驅(qū)動(dòng)器IC(基板)上形成包括MEMS元件的中空密封結(jié)構(gòu)而構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置中，必須保證驅(qū)動(dòng)器IC和MEMS元件之間的距離以允許MEMS裝置發(fā)揮并保持其高頻特性。而且，在形成中空密封結(jié)構(gòu)時(shí)必須沉積無機(jī)絕緣膜。為了滿足這些要求，驅(qū)動(dòng)器IC和MEMS元件之間的距離不是通過無機(jī)絕緣膜保證，而是有機(jī)絕緣膜被制成用來保證驅(qū)動(dòng)器IC和MEMS元件之間的距離，因而，減少制作時(shí)間和成本以及制作步驟的數(shù)目成為可能。而且，無機(jī)絕緣膜被沉積在有機(jī)絕緣膜上，因而不妨礙中空密封結(jié)構(gòu)的形成。因此，根據(jù)根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置1，可以提供能夠防止不必要地增加制作步驟的數(shù)目并縮短制作時(shí)間同時(shí)采用能夠充分發(fā)揮MEMS裝置中的固有性能的裝置結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。(第二實(shí)施例)下面，描述第二實(shí)施例。請(qǐng)注意，在第二實(shí)施例中，相同的參考標(biāo)記被分配給與在上述第一實(shí)施例中描述的組成元件相同的組成元件，并且因?yàn)槊枋鱿嗤允÷粤藢?duì)相同組成元件的描述。如圖8所示，第二實(shí)施例中的半導(dǎo)體裝置11與在第一實(shí)施例中描述的半導(dǎo)體裝置 1不同的方面在于有機(jī)絕緣膜4不沉積在貫通孔7的表面上。具有這一特征的半導(dǎo)體裝置11與半導(dǎo)體裝置1的不同還在于其制作過程。因此， 參照?qǐng)D9至圖15描述半導(dǎo)體裝置11的制作方法。請(qǐng)注意，如上所述并且如圖2中所示的， 半導(dǎo)體裝置11類似于第一實(shí)施例中的半導(dǎo)體裝置1的方面是準(zhǔn)備基板2 (驅(qū)動(dòng)器IC)，基板 2的狀態(tài)是集成電路、配線層2b例如相互連接集成電路的元件的線材，以及信號(hào)電極2c 已經(jīng)制作在基材加的主表面上。首先，如圖9所示，在基板2 (驅(qū)動(dòng)器IC)上形成有機(jī)絕緣膜3，例如，通過旋涂方法，并且通過光刻技術(shù)在有機(jī)絕緣膜3中形成貫通孔7。如上所述，有機(jī)絕緣膜3的厚度例如是5 μ m或更大，優(yōu)選10 μ m或更大。然而，不但考慮半導(dǎo)體裝置11的性能，而且，如下面將要描述的，還要考慮在有機(jī)絕緣膜3上形成導(dǎo)電構(gòu)件8之后導(dǎo)電構(gòu)件8的研磨，來確定有機(jī)絕緣膜3的厚度。其后，如圖10所示，導(dǎo)電構(gòu)件8被充填入貫通孔7中，并且形成在有機(jī)絕緣膜3的整個(gè)表面上。請(qǐng)注意，雖然有機(jī)絕緣膜3的表面被描述為“整個(gè)表面”，但導(dǎo)電構(gòu)件8被形成于表面上的除了同樣存在的切割跡道的區(qū)域之外的區(qū)域上。然后，如圖11所示，進(jìn)行平面化處理(planarization processing)(研磨)，以便只有形成在基板2 (驅(qū)動(dòng)器IC)的主表面上并且從導(dǎo)電構(gòu)件8—側(cè)充填入貫通孔7內(nèi)的導(dǎo)電構(gòu)件8可以保留，以與有機(jī)絕緣膜3平齊。這時(shí)，有機(jī)絕緣膜3顯露在導(dǎo)電構(gòu)件8的外圍。如圖12所示，在有機(jī)絕緣膜3和導(dǎo)電構(gòu)件8彼此平齊的這一表面上，例如通過使用PE-CVD方法沉積無機(jī)絕緣膜4。如上所述，無機(jī)絕緣膜4的沉積厚度例如是約3 μ m。然而，此無機(jī)絕緣膜4被形成，因?yàn)樗峒暗臒o機(jī)絕緣膜4是形成中空密封結(jié)構(gòu)6所必須的， 并且因此，無機(jī)絕緣膜4只需要被至少形成有形成中空密封結(jié)構(gòu)6時(shí)所需的厚度。在這種狀態(tài)下，包括MEMS元件5的中空密封結(jié)構(gòu)6形成于無機(jī)絕緣膜4上(參考圖13)。貫通孔7被無機(jī)絕緣膜4覆蓋。因此，中空密封結(jié)構(gòu)6形成于被無機(jī)絕緣膜4覆蓋的基板2(驅(qū)動(dòng)器IC)上。請(qǐng)注意，中空密封結(jié)構(gòu)6的形成步驟已經(jīng)已知了，所以關(guān)于它的描述在這里被省略了。然后，如圖14所示，覆蓋貫通孔7的區(qū)域的無機(jī)絕緣膜4被打開，并且貫通孔7， 也就是導(dǎo)電構(gòu)件8，被暴露。這是因?yàn)?，如果這些部分仍保持被無機(jī)絕緣膜4覆蓋，那么基板2(驅(qū)動(dòng)器IC)、MEMS元件5以及外部電極9之間的導(dǎo)電就不能保證，即使貫通孔7被用導(dǎo)電構(gòu)件8充填。而且，與MEMS元件5連通的開口也同時(shí)被形成。導(dǎo)電構(gòu)件8被形成用以能夠充填入被打開的無機(jī)絕緣膜4并且還連接至MEMS元件5(參考圖15)。接著，例如通過旋涂方法，在中空密封結(jié)構(gòu)6、導(dǎo)電構(gòu)件8及類似元件上涂敷阻焊 10。通過這一步驟，中空密封結(jié)構(gòu)6及類似元件被密封。而且，通過光刻技術(shù)為阻焊10制成圖案，導(dǎo)電構(gòu)件8上的阻焊10被剝掉，并且外部電極9被形成于所提及的部分上。對(duì)外部電極9進(jìn)行回流處理，外部電極9被熔融并凝固，并且因此被成型成如圖8 所示的球形。用這種方式，外部電極9和導(dǎo)電構(gòu)件8可以被相互電連接并且機(jī)械地接合。通過進(jìn)行這些步驟，如圖8所示的半導(dǎo)體裝置11被制作形成了。在通過在驅(qū)動(dòng)器IC(基板)上形成包括MEMS元件的中空密封結(jié)構(gòu)而構(gòu)成的半導(dǎo)體裝置中，必須保證驅(qū)動(dòng)器IC和MEMS元件之間的距離，以允許MEMS裝置發(fā)揮并保持其高頻特性。而且，在形成中空密封結(jié)構(gòu)時(shí)，必須沉積無機(jī)絕緣膜。為了滿足這些要求，驅(qū)動(dòng)器 IC和MEMS元件之間的距離不是通過無機(jī)絕緣膜保證，而是有機(jī)絕緣膜被制成用來保證驅(qū)動(dòng)器IC和MEMS元件之間的距離，因此減少制作時(shí)間和成本以及制作步驟的數(shù)目成為可能。 而且，無機(jī)絕緣膜被沉積在有機(jī)絕緣膜上，因而，不妨礙中空密封結(jié)構(gòu)的形成。而且，在第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置11中，如上所述，在形成中空密封結(jié)構(gòu)6時(shí)，無機(jī)絕緣膜4被整個(gè)沉積在將要形成中空密封結(jié)構(gòu)6的區(qū)域外圍，并且所提及的外圍被變成平面狀態(tài)，而且不具有諸如在上面形成的貫通孔7的這種開口。因此，與在第一實(shí)施例中描述的半導(dǎo)體裝置1的實(shí)例相比，可以不考慮此外圍開口而形成中空密封結(jié)構(gòu)6。因此，根據(jù)根據(jù)第二實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置11，可以提供能夠防止不必要地增加制作步驟的數(shù)目并縮短制作時(shí)間同時(shí)采用能夠充分發(fā)揮MEMS裝置中的固有性能的裝置結(jié)構(gòu)
7的半導(dǎo)體裝置。請(qǐng)注意，在制作半導(dǎo)體裝置11時(shí)，半導(dǎo)體裝置11也可以不通過上述第二實(shí)施例中描述的制作方法制作，而是通過下面描述的制作方法制作。特別地，在基板2 (驅(qū)動(dòng)器IC)上形成有機(jī)絕緣膜3之后，不是立刻提供貫通孔7， 而是在有機(jī)絕緣膜3上沉積無機(jī)絕緣膜4，然后再在無機(jī)絕緣膜4上形成中空密封結(jié)構(gòu)6。其后，通過使用光刻技術(shù)，連續(xù)打開有機(jī)絕緣膜3和無機(jī)絕緣膜4，因而形成貫通孔7。然后，將導(dǎo)電構(gòu)件8充填入貫通孔7，之后，涂敷阻焊10并且形成外部電極9，因此半導(dǎo)體裝置11被制作形成了。通過采用如上所述的制造流程可以制作半導(dǎo)體裝置11。(其他實(shí)施例)雖然已經(jīng)描述了一些實(shí)施例，但這些實(shí)施例只是通過實(shí)例呈現(xiàn)，并不意于限制本發(fā)明的范圍。相反，此處描述的新穎設(shè)備可以體現(xiàn)為多種其他形式；另外，在不偏離本發(fā)明的精神的情況下可以對(duì)此處描述的設(shè)備形式制造各種省略、替代和變化。附屬的權(quán)利要求以及它們的等效替代意于覆蓋落入本發(fā)明的范圍和精神范圍內(nèi)的各種形式或修改。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括 基板；設(shè)置于基板上的有機(jī)絕緣膜；無機(jī)絕緣膜，其形成于所述有機(jī)絕緣膜上，比所述有機(jī)絕緣膜?。?中空密封結(jié)構(gòu)，其形成于所述無機(jī)絕緣膜上，并且將MEMS元件密封于其里面，同時(shí)保證所述中空密封結(jié)構(gòu)自身和所述MEMS元件之間的空間；以及導(dǎo)電構(gòu)件，其被充填入貫通孔內(nèi)，所述貫通孔被形成為用以貫通所述有機(jī)絕緣膜和所述無機(jī)絕緣膜，并且將形成于所述基板上的電極和所述MEMS元件相互電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述貫通孔被形成為使所述有機(jī)絕緣膜的開口小于所述無機(jī)絕緣膜的開口。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述無機(jī)絕緣膜被形成于所述貫通孔的表面上。
全文摘要
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，半導(dǎo)體裝置包括基板；設(shè)置于基板上的有機(jī)絕緣膜；形成于該有機(jī)絕緣膜上的比該有機(jī)絕緣膜薄的無機(jī)絕緣膜；中空密封結(jié)構(gòu)，其被形成于無機(jī)絕緣膜上，并且將MEMS元件密封于其里面，同時(shí)保證中空密封結(jié)構(gòu)自身和MEMS元件之間的空間；被形成用以貫通有機(jī)絕緣膜和無機(jī)絕緣膜的貫通孔；導(dǎo)電構(gòu)件，其被充填入貫通孔內(nèi)，并且電連接MEMS元件和通過被充填入貫通孔內(nèi)而形成的電極。
文檔編號(hào)B81B7/00GK102190279SQ201110057139
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2011年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月3日
發(fā)明者十河敬寬, 宮城武史, 小幡進(jìn), 淺野佑策 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝