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      微電子機(jī)械懸臂梁式微波功率自動檢測系統(tǒng)及其檢測方法和制備方法

      文檔序號:5264575閱讀:212來源:國知局
      專利名稱:微電子機(jī)械懸臂梁式微波功率自動檢測系統(tǒng)及其檢測方法和制備方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明屬于微電子機(jī)械系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域,涉及微波功率檢測,為一種微電子機(jī)械懸臂梁式微波功率自動檢測系統(tǒng)及其檢測方法和制備方法。
      背景技術(shù)
      現(xiàn)代通訊系統(tǒng)需要重量輕、體積小、功耗小和高集成度的電子器件。RF MEMS器件具有線性度佳、隔離度高、驅(qū)動功耗低、工作頻帶寬、截止頻率高等優(yōu)點(diǎn),并且現(xiàn)在可以與傳統(tǒng)IC工藝相兼容,因此RF MEMS器件被寄予了很高的發(fā)展期望?,F(xiàn)階段主流的MEMS微波功率傳感器的工作原理分為兩種終端熱偶式和電容式,其中電容式的微波功率測量具有以下優(yōu)點(diǎn)基本上不損耗主信號線路上的功率、測量的反應(yīng)速度快。因此,對電容式MEMS微波功率傳感器的微波功率檢測研究十分有意義。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明要解決的問題是電容式MEMS微波功率傳感器需要實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確、快速、便捷的微波功率檢測。本發(fā)明的技術(shù)方案為微電子機(jī)械懸臂梁式微波功率自動檢測系統(tǒng),包括懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器、功率分配器、終端負(fù)載電阻、熱電堆和反饋數(shù)字電路,懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器包括一個(gè)粗測用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器和十個(gè)精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器,十一個(gè)懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器的梁結(jié)構(gòu)各自具有獨(dú)立的驅(qū)動電極,功率分配器包括一個(gè)一分五功率分配器和五個(gè)一分二功率分配器,終端負(fù)載電阻、熱電堆對應(yīng)于精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器,所有懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器、功率分配器、終端負(fù)載電阻和熱電堆均設(shè)置在砷化鎵襯底上,通過共面波導(dǎo)CPW連接,信號輸入粗測用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器,粗測用懸臂梁電容式MEMS 微波功率傳感器的輸出連接一分五功率分配器,一分五功率分配器的每一個(gè)輸出支路連接一個(gè)一分二功率分配器,每一個(gè)一分二功率分配器的輸出連接精確測量用懸臂梁電容式 MEMS微波功率傳感器,每個(gè)精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器對應(yīng)連接有終端負(fù)載電阻,以及對應(yīng)的熱電堆,粗測用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器的輸出同時(shí)輸入反饋數(shù)字電路,反饋數(shù)字電路與精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器和熱電堆雙向連接;其中,粗測用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器的梁寬I與精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器梁寬Wd的關(guān)系有兩種(1)、Cd <2!(Ζ0ω) ^Wr=IOxWd;⑵、 Q>2/(Z0 ) =i>巧=IOx^,Cd是精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器的梁與中心導(dǎo)線的交疊電容,C;是粗測用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器的梁與中心導(dǎo)線的交疊電容,A是懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器CPW的特征阻抗值,ω是懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器CPW的頻率值。上述的微電子機(jī)械懸臂梁式微波功率自動檢測系統(tǒng)的檢測方法,微波信號輸入自動檢測系統(tǒng),在粗測用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器上慢慢加直流電壓,直至所測的電容變化為初始電容值的1. 5倍時(shí),也就是粗測用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器的梁處于下拉的臨界狀態(tài),粗測用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器將此時(shí)所加的直流電壓值,也就是下拉電壓V”輸入反饋數(shù)字電路,反饋數(shù)字電路將下拉電壓V”的1/·作為加在精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器上的直流電壓序列的基準(zhǔn)電壓,產(chǎn)生出十個(gè)精度更高一位,以I/· 序列首的遞增執(zhí)行電壓序列,加載在十個(gè)精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器上所有精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器的下拉電壓是一樣的!/VlOxFpr= Vp—d⑴=Vp_d(2)=……=Vp_d(W)且十個(gè)精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器各自的受到的實(shí)際下拉電壓vp—d(i)‘為各自所加執(zhí)行電壓d(i)和各自微波功率等效電壓Vidii)之和Vpd⑴'=Ve_d(i)+Ve(Ld(i)i是十個(gè)精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器的編號,取值范圍1 10,則經(jīng)過反饋數(shù)字電路調(diào)節(jié)執(zhí)行電壓序列,精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器中必定會產(chǎn)生一部分傳感器的梁被下拉,一部分梁沒有被下拉,反饋數(shù)字電路檢測對應(yīng)的十個(gè)終端負(fù)載電阻的反應(yīng),得到10個(gè)支路的精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器的狀態(tài),求取其中與沒有被下拉傳感器毗鄰的傳感器的微波功率等效電壓h
      d(i0):^p_d(i) - K — d(i) +Kq — d(i)^eq_d(J0) ~^p_d(J0) ~^e_d(J0)即得到對應(yīng)支路中的微波功率等效的電壓值Vrai d⑽,通過公式
      V 2
      「00161 P - eg-d(i0) L0016」 ^0·ο)-2χ4χΖο算出此支路上的微波功率值Pavs d⑽,然后將此值乘以10,即得到輸入自動檢測系統(tǒng)的微波信號的微波功率值pavs—, = Pavsjac0 χ 10。進(jìn)一步的,測量精度位的量程范圍與精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器個(gè)數(shù)對應(yīng),反饋數(shù)字電路根據(jù)檢測精度要求,調(diào)節(jié)執(zhí)行電壓序列的精度。因?yàn)槲⒉üβ实臏y量精度位的量程范圍是十位,而本發(fā)明的精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器也是十個(gè),所以精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器對應(yīng)著測量精度位的量程范圍,反饋數(shù)字電路根據(jù)兩者的對應(yīng)關(guān)系調(diào)節(jié)執(zhí)行電壓序列的精度,從而滿足微波功率檢測精度的要求。微電子機(jī)械懸臂梁式微波功率自動檢測系統(tǒng)的制備方法,懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器由一個(gè)懸臂梁跨接在CPW地線和信號線上,錨區(qū)位于其中任意一根地線上, 懸臂梁的懸置端覆蓋CPW信號線,位于懸臂梁下方的驅(qū)動電極和CPW的信號線都覆蓋一層氮化硅介質(zhì)層;驅(qū)動電極的引線穿過CPW地線引出,CPW地線的斷開處用空氣橋相連接;功率分配器均由Wilkinson功率分配器構(gòu)成,通過CPW相連接;終端負(fù)載電阻由兩個(gè)電阻值為100 Ω的TaN材料形成的電阻塊跨接在CPW的地線和信號線之間形成;熱電堆是有一組具效應(yīng)的電阻串聯(lián)而成,每個(gè)單獨(dú)的電阻是由金質(zhì)熱偶臂和輕摻雜的砷化鎵熱偶臂串聯(lián)而成,制備工藝為1)準(zhǔn)備砷化鎵襯底選用外延的半絕緣砷化鎵襯底,其中外延N+砷化鎵的摻雜濃度為1018cnT3,其方塊電阻值為100 130 Ω / □;2)光刻并隔離外延的N+砷化鎵,形成熱電堆的半導(dǎo)體熱偶臂的圖形和歐姆接觸區(qū);3)反刻N(yùn)+砷化鎵,形成其摻雜濃度為1017cm_3的熱電堆的半導(dǎo)體熱偶臂;4)光刻和濺射TaN,剝離,形成終端負(fù)載電阻以及一分五功率分配器和一分二功率分配器的隔離電阻,即TaN薄膜電阻;5)光刻去除將要保留金鍺鎳/金地方的光刻膠;6)濺射金鍺鎳/金,其厚度共為2700A;7)剝離,形成熱電堆的金屬熱偶臂;8)光刻去除在懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器的CPW、梁結(jié)構(gòu)和靜電驅(qū)動電極以及其引線,一分五功率分配器和一分二功率分配器CPW基礎(chǔ)圖形上的光刻膠;9)濺射金剝離去除光刻膠;形成懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器的CPW、梁結(jié)構(gòu)和靜電驅(qū)動電極以及其引線,一分五功率分配器和一分二功率分配器CPW基礎(chǔ)圖形, 金的厚度為0.3μπι;10)淀積氮化硅介質(zhì)層;用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積法工藝生長1000Α的氮化硅介質(zhì)層;11)光刻并刻蝕氮化硅介質(zhì)層;保留靜電驅(qū)動電極的氮化硅和空氣橋下方驅(qū)動電極引線的上的氮化硅;12)淀積并光刻聚酰亞胺犧牲層;在砷化鎵襯底上涂覆1.6 μ m厚的聚酰亞胺犧牲層,要求填滿凹坑,聚酰亞胺犧牲層的厚度決定了梁與氮化硅介質(zhì)層所在平面的距離,光刻聚酰亞胺犧牲層,僅保留梁下方和空氣橋下方的犧牲層;13)濺射鈦/金/鈦;濺射用于CPW、梁結(jié)構(gòu)、梁和空氣橋的底金鈦/金/鈦= 500/1600/300 A,14)光刻鈦/金/鈦;去除CPW、梁結(jié)構(gòu)和空氣橋以外的光刻膠,15)電鍍金;電鍍金的厚度為2 μ m,16)去除光刻膠;17)反刻金層,腐蝕底金層,形成CPW、梁結(jié)構(gòu)、梁和空氣橋;18)釋放犧牲層;用顯影液溶解梁結(jié)構(gòu)和空氣橋下方的聚酰亞胺犧牲層,并用無水乙醇脫水,形成懸浮的梁結(jié)構(gòu)和空氣橋。本發(fā)明提供了一種新的,準(zhǔn)確、快速、便捷的微波功率檢測系統(tǒng),以及其檢測方法和制備方法,與現(xiàn)有的普通的微波功率測量系統(tǒng)以及MEMS微波功率測量系統(tǒng)測試結(jié)構(gòu)相比,本發(fā)明的微電子機(jī)械微波功率自動檢測系統(tǒng)結(jié)構(gòu)具有以下有益效果1、運(yùn)用十個(gè)分支結(jié)構(gòu)細(xì)化量程,根據(jù)本發(fā)明系統(tǒng)的工作原理分析,可以看出本發(fā)明具有更加精細(xì)和精確的測量結(jié)果;2、設(shè)置的反饋數(shù)字電路使測量的過程更為簡單快速,而且不需要額外的測量儀器;3、可以根據(jù)測試的要求調(diào)節(jié)精度。


      圖1為本發(fā)明微電子機(jī)械微波功率自動檢測系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明中懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器梁結(jié)構(gòu)的正面俯視圖,以及對應(yīng)的A-A面的剖視圖。圖3為本發(fā)明中一分五功分器正面的俯視圖。圖4為本發(fā)明中一分二功分器正面的俯視圖。圖5為本發(fā)明中終端負(fù)載電阻和熱電堆正面的俯視圖。
      具體實(shí)施例方式本發(fā)明包括以下部分懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器、功率分配器、終端負(fù)載電阻、熱電堆和控制用的反饋數(shù)字電路。其中懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器與現(xiàn)有的傳感器結(jié)構(gòu)相同,整個(gè)微波功率檢測系統(tǒng)除了控制用的反饋數(shù)字電路由商用數(shù)字集成電路構(gòu)成以外,其他部分均以砷化稼為襯底,在襯底上設(shè)有共面波導(dǎo)(CoplanarWaveguide,簡稱CPW)組成的功分器、終端負(fù)載電阻、熱電堆和電容式MEMS微波功率傳感器結(jié)構(gòu),CPW用于實(shí)現(xiàn)功分器、懸臂梁結(jié)構(gòu)和測試儀器之間的電路連接。如圖1,本發(fā)明微電子機(jī)械微波功率自動檢測系統(tǒng)包括懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器、功率分配器、終端負(fù)載電阻E、熱電堆F和反饋數(shù)字電路G,懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器包括一個(gè)粗測用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器A和十個(gè)精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器D,功率分配器包括一個(gè)一分五功率分配器B和五個(gè)一分二功率分配器C,終端負(fù)載電阻E、熱電堆F對應(yīng)于精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器D,所有懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器、功率分配器、終端負(fù)載電阻和熱電堆均設(shè)置在砷化鎵襯底上,通過共面波導(dǎo)CPW連接,信號輸入粗測用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器A,粗測用懸臂梁電容式MEMS 微波功率傳感器A的輸出連接一分五功率分配器B,一分五功率分配器B的每一個(gè)輸出支路連接一個(gè)一分二功率分配器C,每一個(gè)一分二功率分配器C的輸出連接精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器D,每個(gè)精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器D對應(yīng)連接有終端負(fù)載電阻E,以及對應(yīng)的熱電堆F,粗測用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器A 的輸出同時(shí)輸入反饋數(shù)字電路G,反饋數(shù)字電路G與精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器D和熱電堆F連接;其中,十個(gè)精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器的結(jié)構(gòu)式完全相同,粗測用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器的梁寬I與精確測量用懸臂梁電容式 MEMS微波功率傳感器梁寬Wd的關(guān)系有兩種(l)、Cd<2/(ZQ ) =i> Wr=IOxWd ; (2), Q>2/(Z0 ) =i>巧=IOx^,Cd是精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器的梁與中心導(dǎo)線的交疊電容,C;是粗測用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器的梁與中心導(dǎo)線的交疊電容,Z0是電容式MEMS微波功率傳感器CPW的特征阻抗值,ω是電容式MEMS微波功率傳感器CPW的頻率值。
      下面以做具體說明。如圖2-5,懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器由一個(gè)懸臂梁5跨接在CPW地線3 和信號線2上,錨區(qū)6位于其中任意一根地線3上,懸臂梁的懸置端覆蓋CPW信號線2,,位于懸臂梁下方的驅(qū)動電極7和CPW的信號線都覆蓋一層氮化硅介質(zhì)層4 ;驅(qū)動電極7的引線穿過CPW地線3引出,CPW地線3的斷開處用空氣橋9相連接;功率分配器均由Wilkinson 功率分配器構(gòu)成,通過CPW相連接;終端負(fù)載電阻由兩個(gè)電阻值為100Ω的TaN材料形成的電阻塊跨接在CPW的地線3和信號線2之間形成;熱電堆是有一組具有keback效應(yīng)的電阻串聯(lián)而成,每個(gè)單獨(dú)的電阻是由金質(zhì)熱偶臂11和輕摻雜的砷化鎵熱偶臂12串聯(lián)而成。本發(fā)明粗測用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器的梁寬I與精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器梁寬Wd的關(guān)系原理分析如下
      權(quán)利要求
      1.微電子機(jī)械懸臂梁式微波功率自動檢測系統(tǒng),其特征是包括懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器、功率分配器、終端負(fù)載電阻、熱電堆和反饋數(shù)字電路,懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器包括一個(gè)粗測用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器和十個(gè)精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器,十一個(gè)懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器的梁結(jié)構(gòu)各自具有獨(dú)立的驅(qū)動電極,功率分配器包括一個(gè)一分五功率分配器和五個(gè)一分二功率分配器, 終端負(fù)載電阻、熱電堆對應(yīng)于精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器,所有懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器、功率分配器、終端負(fù)載電阻和熱電堆均設(shè)置在砷化鎵襯底上,通過共面波導(dǎo)CPW連接,信號輸入粗測用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器,粗測用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器的輸出連接一分五功率分配器,一分五功率分配器的每一個(gè)輸出支路連接一個(gè)一分二功率分配器,每一個(gè)一分二功率分配器的輸出連接精確測量用懸臂梁電容式MEMS 微波功率傳感器,每個(gè)精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器對應(yīng)連接有終端負(fù)載電阻,以及對應(yīng)的熱電堆,粗測用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器的輸出同時(shí)輸入反饋數(shù)字電路,反饋數(shù)字電路與精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器和熱電堆雙向連接;其中,粗測用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器的梁寬I與精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器梁寬Wd的關(guān)系有兩種(1) Χ <2!(Ζ0ω) ^Wr= IOxWd ;⑵、 Q>2/(Z0 ) =i>巧=IOx^,Cd是精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器的梁與中心導(dǎo)線的交疊電容,C;是粗測用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器的梁與中心導(dǎo)線的交疊電容,A是懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器CPW的特征阻抗值,ω是懸臂梁電容式MEMS 微波功率傳感器CPW的頻率值。
      2.權(quán)利要求1所述的微電子機(jī)械懸臂梁式微波功率自動檢測系統(tǒng)的檢測方法,其特征是微波信號輸入自動檢測系統(tǒng),在粗測用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器上慢慢加直流電壓,直至所測的電容變化為初始電容值的1.5倍時(shí),也就是粗測用懸臂梁電容式MEMS 微波功率傳感器的梁處于下拉的臨界狀態(tài),粗測用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器將此時(shí)所加的直流電壓值,也就是下拉電壓V”輸入反饋數(shù)字電路,反饋數(shù)字電路將下拉電壓 Vp_r的1/λ/ 萬作為加在精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器上的直流電壓序列的基準(zhǔn)電壓,產(chǎn)生出十個(gè)精度更高一位,以Fp"為序列首的遞增或遞減執(zhí)行電壓序列, 加載在十個(gè)精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器上所有精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器的下拉電壓是一樣的
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微電子機(jī)械懸臂梁式微波功率自動檢測系統(tǒng)的檢測方法, 其特征是測量精度位的量程范圍與精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器個(gè)數(shù)對應(yīng),反饋數(shù)字電路根據(jù)檢測精度要求,調(diào)節(jié)執(zhí)行電壓序列的精度。
      4.權(quán)利要求1所述的微電子機(jī)械懸臂梁式微波功率自動檢測系統(tǒng)的制備方法,其特征是懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器由一個(gè)懸臂梁(5)跨接在CPW地線(3)和信號線(2) 上,錨區(qū)(6)位于其中任意一根地線(3)上,懸臂梁的懸置端覆蓋CPW信號線0),位于懸臂梁下方的驅(qū)動電極(7)和CPW的信號線都覆蓋一層氮化硅介質(zhì)層;驅(qū)動電極(7)的引線穿過CPW地線(3)引出,CPW地線(3)的斷開處用空氣橋(9)相連接;功率分配器均由Wilkinson功率分配器構(gòu)成,通過CPW相連接;終端負(fù)載電阻由兩個(gè)電阻值為100 Ω的 TaN材料形成的電阻塊跨接在CPW的地線(3)和信號線(2)之間形成;熱電堆是有一組具效應(yīng)的電阻串聯(lián)而成,每個(gè)單獨(dú)的電阻是由金質(zhì)熱偶臂(11)和輕摻雜的砷化鎵熱偶臂(12)串聯(lián)而成,制備工藝為1)準(zhǔn)備砷化鎵襯底(1)選用外延的半絕緣砷化鎵襯底(1),其中外延N+砷化鎵的摻雜濃度為1018cnT3,其方塊電阻值為100 130 Ω / □;2)光刻并隔離外延的N+砷化鎵,形成熱電堆的半導(dǎo)體熱偶臂(12)的圖形和歐姆接觸區(qū);3)反刻N(yùn)+砷化鎵,形成其摻雜濃度為1017cm_3的熱電堆的半導(dǎo)體熱偶臂(12);4)光刻和濺射TaN,剝離,形成終端負(fù)載電阻以及一分五功率分配器和一分二功率分配器的隔離電阻(10),即TaN薄膜電阻;5)光刻去除將要保留金鍺鎳/金地方的光刻膠;6)濺射金鍺鎳/金,其厚度共為2700A;7)剝離,形成熱電堆的金屬熱偶臂(11);8)光刻去除在懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器的CPW、梁結(jié)構(gòu)和靜電驅(qū)動電極 (7)以及其引線,一分五功率分配器和一分二功率分配器CPW基礎(chǔ)圖形上的光刻膠;9)濺射金剝離去除光刻膠;形成懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器的CPW、梁結(jié)構(gòu)和靜電驅(qū)動電極(7)以及其引線,一分五功率分配器和一分二功率分配器CPW基礎(chǔ)圖形,金的厚度為0. 3 μ m ;10)淀積氮化硅介質(zhì)層;用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積法工藝生長1000A的氮化硅介質(zhì)層⑷;11)光刻并刻蝕氮化硅介質(zhì)層⑷保留靜電驅(qū)動電極(7)的氮化硅⑷和空氣橋(9) 下方驅(qū)動電極引線(8)的上的氮化硅介質(zhì)層;12)淀積并光刻聚酰亞胺犧牲層;在砷化鎵襯底上涂覆1.6 μ m厚的聚酰亞胺犧牲層,要求填滿凹坑,聚酰亞胺犧牲層的厚度決定了梁與氮化硅介質(zhì)層(4)所在平面的距離,光刻聚酰亞胺犧牲層,僅保留梁下方和空氣橋(9)下方的犧牲層;13)濺射鈦/金/鈦;濺射用于CPW、梁結(jié)構(gòu)、梁和空氣橋(9)的底金鈦/金/鈦= 500/1600/300 A;14)光刻鈦/金/鈦;去除CPW、梁結(jié)構(gòu)和空氣橋(9)以外的光刻膠;15)電鍍金電鍍金的厚度為2μ m ;16)去除光刻膠;17)反刻金層,腐蝕底金層,形成CPW、梁結(jié)構(gòu)、梁和空氣橋(9);18)釋放犧牲層;用顯影液溶解梁結(jié)構(gòu)和空氣橋(9)下方的聚酰亞胺犧牲層,并用無水乙醇脫水,形成懸浮的梁結(jié)構(gòu)和空氣橋(9)。
      全文摘要
      微電子機(jī)械懸臂梁式微波功率自動檢測系統(tǒng)及其檢測方法和制備方法,檢測系統(tǒng)包括一個(gè)粗測用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器、十個(gè)精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器、功率分配器、終端負(fù)載電阻、熱電堆和控制用的反饋數(shù)字電路,反饋數(shù)字電路根據(jù)粗測用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器的粗測結(jié)果產(chǎn)生一個(gè)基準(zhǔn)電壓,并衍生出十個(gè)精度更高一位,以粗測結(jié)果的為序列首的遞增執(zhí)行電壓序列,參考終端負(fù)載電阻的反應(yīng),根據(jù)臨界的下拉精確測量用懸臂梁電容式MEMS微波功率傳感器的執(zhí)行電壓,計(jì)算出十個(gè)支路的總微波功率的值。本發(fā)明提出一種新的微電子機(jī)械微波功率自動檢測系統(tǒng)及檢測方法和制備方法,實(shí)現(xiàn)對微波功率的精確檢測。
      文檔編號B81C1/00GK102175909SQ20111005505
      公開日2011年9月7日 申請日期2011年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月8日
      發(fā)明者廖小平, 朱政 申請人:東南大學(xué)
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