玻璃襯底的工藝方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供玻璃襯底的工藝方法，其包括以下步驟：氧化步驟，向所述反應(yīng)腔室內(nèi)通入氧氣，并開(kāi)啟激勵(lì)電源，或者同時(shí)開(kāi)啟偏壓電源，以對(duì)玻璃襯底表面上的掩膜進(jìn)行氧化，從而在所述掩膜表面形成氧化層；刻蝕步驟，向所述反應(yīng)腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，并開(kāi)啟激勵(lì)電源和偏壓電源，以對(duì)玻璃襯底表面進(jìn)行刻蝕，并在所述氧化層被完全消耗時(shí)停止向所述反應(yīng)腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，并關(guān)閉激勵(lì)電源和偏壓電源；交替進(jìn)行所述氧化步驟和刻蝕步驟，直至達(dá)到預(yù)定刻蝕深度。本發(fā)明提供的玻璃襯底的工藝方法，其不僅具有較高的刻蝕速率，而且還可以提高玻璃襯底相對(duì)于掩膜的刻蝕選擇比。
【專(zhuān)利說(shuō)明】玻璃襯底的工藝方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及微電子【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種玻璃襯底的工藝方法?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002] 目前，在MEMS器件的制造過(guò)程中，開(kāi)始使用玻璃作為襯底材料，這是因?yàn)椴Ａбr 底相比于硅襯底具有更高的絕緣性，從而使MEMS器件能夠應(yīng)用在高電壓、高功率等的對(duì)絕 緣性要求較高的領(lǐng)域。在制造MEMS器件的各個(gè)制程中，刻蝕工藝作為重要的制程之一，其 主要工作過(guò)程為：在玻璃襯底上沉積掩膜，并在掩膜上刻蝕出圖形；刻蝕玻璃襯底表面上 的未被掩膜遮蓋的區(qū)域，從而在玻璃襯底表面上刻蝕出需要的圖形。
[0003] 在實(shí)際應(yīng)用中，玻璃襯底的刻蝕工藝通常要求較大的刻蝕深度，為了既能夠獲得 理想的刻蝕形貌，又能夠具有較高的工藝效率，這就對(duì)玻璃襯底相對(duì)于掩膜的刻蝕選擇比 以及刻蝕速率提出了較高的要求。
[0004] 現(xiàn)有的一種玻璃襯底的刻蝕工藝采用單步刻蝕方法對(duì)玻璃襯底進(jìn)行刻蝕，S卩，一 次性完成工藝所需的刻蝕深度。上述刻蝕工藝所能達(dá)到的刻蝕速率和刻蝕選擇比如表1所 示：
[0005] 表 1

【權(quán)利要求】
1. 一種玻璃襯底的工藝方法，其特征在于，包括以下步驟： 氧化步驟，向所述反應(yīng)腔室內(nèi)通入氧氣，并開(kāi)啟激勵(lì)電源，或者同時(shí)開(kāi)啟偏壓電源，以 對(duì)玻璃襯底表面上的掩膜進(jìn)行氧化，從而在所述掩膜表面形成氧化層； 刻蝕步驟，向所述反應(yīng)腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，并開(kāi)啟激勵(lì)電源和偏壓電源，以對(duì)玻璃襯 底表面進(jìn)行刻蝕，并在所述氧化層被完全消耗時(shí)停止向所述反應(yīng)腔室內(nèi)通入刻蝕氣體，并 關(guān)閉激勵(lì)電源和偏壓電源； 交替進(jìn)行所述氧化步驟和刻蝕步驟，直至達(dá)到預(yù)定刻蝕深度。
2. 如權(quán)利要求1所述的玻璃襯底的工藝方法，其特征在于，所述掩膜的材料包括鋁。
3. 如權(quán)利要求1所述的玻璃襯底的工藝方法，其特征在于，在所述氧化步驟中，所述氧 氣的流量范圍在10?2000sccm。
4. 如權(quán)利要求3所述的玻璃襯底的工藝方法，其特征在于，在所述氧化步驟中，所述氧 氣的流量范圍在50?500sccm。
5. 如權(quán)利要求1所述的玻璃襯底的工藝方法，其特征在于，在所述氧化步驟中，所述 激勵(lì)電源輸出激勵(lì)功率的范圍在100?5000W，所述偏壓電源輸出偏壓功率的范圍在0? 500W。
6. 如權(quán)利要5所述的玻璃襯底的工藝方法，其特征在于，在所述氧化步驟中，所述激勵(lì) 電源輸出激勵(lì)功率的范圍在1500?3000W，所述偏壓電源輸出偏壓功率的范圍在0?50W。
7. 如權(quán)利要求1所述的玻璃襯底的工藝方法，其特征在于，在所述刻蝕步驟中，所述刻 蝕氣體包括氟化物。
8. 如權(quán)利要求1所述的玻璃襯底的工藝方法，其特征在于，在所述刻蝕步驟中，所述刻 蝕氣體的流量范圍在10?2000sccm。
9. 如權(quán)利要求8所述的玻璃襯底的工藝方法，其特征在于，在所述刻蝕步驟中，所述刻 蝕氣體的流量范圍在50?500sccm。
10. 如權(quán)利要求1所述的玻璃襯底的工藝方法，其特征在于，在所述刻蝕步驟中，所述 激勵(lì)電源輸出激勵(lì)功率的范圍在100?5000W，所述偏壓電源輸出偏壓功率的范圍在50? 1000ff〇
11. 如權(quán)利要求10所述的玻璃襯底的工藝方法，其特征在于，在所述刻蝕步驟中，所 述激勵(lì)電源輸出激勵(lì)功率的范圍在1500?3000W，所述偏壓電源輸出偏壓功率的范圍在 200 ?500W。
12. 如權(quán)利要求1所述的玻璃襯底的工藝方法，其特征在于，在進(jìn)行所述氧化步驟之 前，還包括下述步驟： 掩膜沉積步驟，在玻璃襯底表面沉積所述掩膜； 圖形定義步驟，使用光刻膠在掩膜表面上定義待刻蝕的圖形； 掩膜刻蝕步驟，刻蝕掩膜，以將所述光刻膠的圖形復(fù)制到所述掩膜上； 光刻膠去除步驟，去除光刻膠。
13. 如權(quán)利要求1所述的玻璃襯底的工藝方法，其特征在于，在交替進(jìn)行所述氧化步驟 和刻蝕步驟，直至達(dá)到預(yù)定刻蝕深度之后，還包括下述步驟： 掩膜去除步驟，去除玻璃襯底表面上的掩膜。
【文檔編號(hào)】B81C1/00GK104276764SQ201310291272
【公開(kāi)日】2015年1月14日 申請(qǐng)日期:2013年7月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月11日
【發(fā)明者】楊盟 申請(qǐng)人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司