一種擋光式微機(jī)電可變光衰減器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種擋光式微機(jī)電可變光衰減器的制造方法。該方法在微納加工工藝的基礎(chǔ)上，采用體硅加工技術(shù)制作可變光衰減器的固定擋光板和活動(dòng)擋光板，通過在固定擋光板、活動(dòng)擋光板上淀積擋光材料，起到對(duì)光束的遮擋限制作用；固定擋光板上制作通光孔，用于約束光斑大小，限制光的衍射作用；通過光刻、刻蝕等工藝制作可變光衰減器的活動(dòng)擋光板，使活動(dòng)擋光板能夠在外加驅(qū)動(dòng)力的作用下線性運(yùn)動(dòng)，通過控制活動(dòng)擋光板位置，實(shí)現(xiàn)對(duì)傳輸光能量的精確調(diào)節(jié)；最后通過圓片級(jí)鍵合，集成可變光衰減器固定擋光板和活動(dòng)擋光板，實(shí)現(xiàn)對(duì)傳輸光能量的可控調(diào)節(jié)。上述方法采用常規(guī)的微納加工方法，工藝成熟可靠，制作精度高，可大大降低成本，適用于規(guī)模化生產(chǎn)。
【專利說明】—種擋光式微機(jī)電可變光衰減器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及MEMS制造及工程領(lǐng)域，尤其涉及一種擋光式微機(jī)電可變光衰減器的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]光衰減器作為光纖通信中的元器件，可以在外部激勵(lì)(機(jī)械、電力、磁力等)作用下，通過光學(xué)元件運(yùn)動(dòng)或光學(xué)狀態(tài)的改變，實(shí)現(xiàn)對(duì)光信號(hào)的強(qiáng)度進(jìn)行調(diào)節(jié)。光衰減器是光通訊系統(tǒng)中重要的光無源器件之一，可以在光網(wǎng)絡(luò)中產(chǎn)生可控的衰減，與其他器件匹配很好地實(shí)現(xiàn)光增益平坦、動(dòng)態(tài)增益平衡以及傳輸功率均衡，在光纖通訊、光纖模擬信號(hào)傳輸、光學(xué)傳感器模擬成像以及光纖測量等領(lǐng)域有著十分重要的應(yīng)用。
[0003]可變光衰減器衰減量可以改變，能主動(dòng)精確平衡光功率，對(duì)信號(hào)實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)處理，在發(fā)展上較具優(yōu)勢。傳統(tǒng)的可變光衰減器存在著體積大，成本高，不易集成等缺點(diǎn)，一般只適于單通道衰減方式。隨著光通信網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展，特別是波分復(fù)用技術(shù)的應(yīng)用以及可靈活升級(jí)的可重構(gòu)光分插復(fù)用器的潛在需求，越來越需要通道數(shù)多而體積小的可變光衰減器。為更好地滿足光通信的需求，VOA正朝著高集成、小型化、低成本的方向發(fā)展。傳統(tǒng)的機(jī)械方式已不能解決這些問題，因而出現(xiàn)了基于微納加工技術(shù)的MEMS可變光衰減器。MEMS VOA性能上除了保持傳統(tǒng)技術(shù)VOA的光學(xué)性能外，還具有衰減范圍大、驅(qū)動(dòng)電壓低、體積小、易于多通道集成、響應(yīng)速度快和性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn)，具有廣泛的應(yīng)用前景。
[0004]根據(jù)光衰減機(jī)理不同，微機(jī)械可變光衰減器可以劃分為兩種類型:反射式和擋光式。反射式微機(jī)械可變光衰減器一般是利用靜電驅(qū)動(dòng)反射鏡偏轉(zhuǎn)或變形使反射到輸出光纖中的光功率發(fā)生改變，有較高的衰減控制精度和較快的反應(yīng)時(shí)間，但其工作電壓高，動(dòng)態(tài)衰減范圍小，插入損耗較大。
[0005]此外，反射式微機(jī)械可變光衰減器需要復(fù)雜的光纖對(duì)準(zhǔn)光路。擋光式可變光衰減器采用微型擋板阻斷傳輸光信號(hào)來實(shí)現(xiàn)光能量衰減，可實(shí)現(xiàn)大范圍動(dòng)態(tài)衰減，低插入損耗。擋光式可變光衰減器可以采用多種微機(jī)械加工技術(shù)來實(shí)現(xiàn)，目前國內(nèi)外報(bào)道的主要有表面加工工藝、LIGA技術(shù)等、這些加工技術(shù)工藝較為復(fù)雜，并且目前器件生產(chǎn)的成品率很低，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化還存在技術(shù)困難。因此開發(fā)一種工藝簡單、高制作精度和成品率、低成本的擋光式微機(jī)電可變光衰減器的制造方法對(duì)推動(dòng)MEMS可變光衰減器的實(shí)用化具有重要意義。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006](一 )需要解決的技術(shù)問題
[0007]針對(duì)傳統(tǒng)可變光衰減器體積大、成本高、不易集成的缺點(diǎn)，現(xiàn)有的擋光式可變光衰減器加工工藝復(fù)雜、成品率低的問題，本發(fā)明提出了一種擋光式微機(jī)電可變光衰減器的制作方案，采用微納加工技術(shù)制作，工藝簡單，制作精度高，易集成。這些技術(shù)突破大大提高了器件的制作精度和成品率，有效降低了制作成本，有利于規(guī)?；a(chǎn)。
[0008]( 二 )技術(shù)方案[0009]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種擋光式微機(jī)電可變光衰減器的制造方法，該方法包括固定擋光板和活動(dòng)擋光板的制作、固定擋光板和活動(dòng)擋光板的鍵合；
[0010]其中，固定擋光板的制作包括:
[0011]在基片I的正面光刻、刻蝕形成凹槽結(jié)構(gòu)；
[0012]基片I的背面刻蝕形成通光孔，所述通光孔和凹槽結(jié)構(gòu)相連通；
[0013]基片I的正面淀積擋光材料，形成遮光層，完成固定擋光板的制作；
[0014]所述活動(dòng)擋光板的制作包括:
[0015]基片II的雙面淀積介質(zhì)薄膜；
[0016]刻蝕基片II背面的介質(zhì)薄膜，形成刻蝕孔；
[0017]基片II的正面淀積擋光材料，并刻蝕擋光材料，形成擋光結(jié)構(gòu)及導(dǎo)線圖形；
[0018]根據(jù)所述擋光結(jié)構(gòu)及導(dǎo)線圖形依次刻蝕介質(zhì)薄膜及基片II正面，形成活動(dòng)擋光板彈性結(jié)構(gòu)；
[0019]基片II的背面的刻蝕孔處進(jìn)行濕法腐蝕，形成凹槽結(jié)構(gòu)；
[0020]刻蝕所述凹槽結(jié)構(gòu)底部形成通光孔，使活動(dòng)擋光板彈性結(jié)構(gòu)懸空，完成活動(dòng)擋光板的制作；
[0021]所述固定擋光板和活動(dòng)擋光板的鍵合包括:
[0022]分別在制作好的固定擋光板結(jié)構(gòu)的基片I背面和活動(dòng)擋光板結(jié)構(gòu)的基片II正面淀積鍵合材料，通過光刻、刻蝕工藝形成鍵合結(jié)構(gòu)，對(duì)基片I和基片II進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，使固定擋光板上的通光孔正對(duì)活動(dòng)擋光板的通光孔，然后在一定的鍵合溫度、壓強(qiáng)下進(jìn)行鍵合，完成可變光衰減器的制作。
[0023](三)有益效果
[0024]從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明的有益效果是:
[0025]1.本發(fā)明提供了一種擋光式可變光衰減器的制造方法，整個(gè)制作步驟只需要四塊掩膜版，工藝步驟簡單，所采用的都是常規(guī)的MEMS微納加工方法，不需要昂貴耗時(shí)的加工設(shè)備，技術(shù)成熟，成本低，制作精度高，有利于實(shí)現(xiàn)高成品率制作，適用于大規(guī)模生產(chǎn)。
[0026]2.本發(fā)明采用固定遮光板與可動(dòng)MEMS器件的集成方法，有效控制了光斑大小，減小了器件尺寸，有利于與CMOS器件集成。
[0027]3.本發(fā)明提出了在固定擋光板和可動(dòng)擋光板上制作凹槽結(jié)構(gòu)，有利于限制光纖，簡化了對(duì)準(zhǔn)和裝配，大大提高了成品率。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0028]圖1示出了本發(fā)明提出的一種擋光式微機(jī)電可變光衰減器的結(jié)構(gòu)圖；
[0029]圖2示出了本發(fā)明中活動(dòng)擋光板彈性結(jié)構(gòu)的俯視圖；
[0030]圖3(a)-圖3(d)示出了本發(fā)明提出的擋光式微機(jī)電可變光衰減器的固定擋光板的制作方法工藝流程圖；
[0031]圖4(a)-圖4(f)示出了本發(fā)明提出的擋光式微機(jī)電可變光衰減器的活動(dòng)擋光板的制作方法的工藝流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】[0032]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
[0033]圖1示出了本發(fā)明提出的一種擋光式微機(jī)電可變光衰減器的結(jié)構(gòu)圖。如圖1所示，所述擋光式微機(jī)電可變光衰減器具體包括:固定擋光板和活動(dòng)擋光板，所述固定擋光板和活動(dòng)擋光板分別由基片I和基片II制作，固定擋光板和活動(dòng)擋光板鍵合制作成可變光衰減器。所述基片I包括硅晶片、含氧化硅中間層和單晶硅器件層的SOI片、玻璃片或其它常用襯底基片；所述基片II包括硅晶片或含氧化硅中間層和單晶硅器件層的SOI片。
[0034]其中，基片I的正面上制作有固定檔光板凹槽結(jié)構(gòu)4，凹槽結(jié)構(gòu)4的底部具有固定擋光板通光孔7，延伸至基片I的背面；在所述基片I的正面、凹槽結(jié)構(gòu)4的表面和通光孔7的表面覆蓋有一層遮光薄膜層8，其為擋光材料。
[0035]基片II從下至上依次包括體硅22，掩埋氧化層21和頂層硅20，體硅22下表面具有凹槽結(jié)構(gòu)17，凹槽結(jié)構(gòu)17的底部具有通光孔18，其延伸至頂層硅20的下表面；頂層硅20上刻蝕有活動(dòng)擋光板彈性結(jié)構(gòu)14，活動(dòng)擋光板彈性結(jié)構(gòu)14由具有擋光結(jié)構(gòu)的折疊梁結(jié)構(gòu)構(gòu)成，活動(dòng)擋光板彈性結(jié)構(gòu)14上淀積有薄膜2和遮光層8，薄膜2用于遮光層8與活動(dòng)擋光板彈性結(jié)構(gòu)14之間的絕緣。
[0036]圖2示出了本發(fā)明中所述活動(dòng)擋光板彈性結(jié)構(gòu)的俯視圖。如圖2所示，所述活動(dòng)擋光板彈性結(jié)構(gòu)為折疊梁結(jié)構(gòu)形式，圖1為經(jīng)過圖2所示虛線的剖面圖。所述活動(dòng)擋光板彈性結(jié)構(gòu)14下表面的掩埋氧化層21被腐蝕掉后，所述活動(dòng)擋光板彈性結(jié)構(gòu)14相對(duì)于掩膜氧化層21和體硅22懸空，具體為折疊梁結(jié)構(gòu)，且其正對(duì)通光孔18上方處具有一擋光結(jié)構(gòu)9，由折疊梁部分支撐，在外力的驅(qū)動(dòng)下，該擋光結(jié)構(gòu)9可以發(fā)生平移，即對(duì)準(zhǔn)通光孔18或從通光孔18偏移，其在對(duì)準(zhǔn)通光孔18時(shí)，擋光結(jié)構(gòu)9上的遮光層8將固定擋光板下表面的通光孔7完全遮住，以阻斷進(jìn)入通光孔7的輸入光纖中的光；當(dāng)其從通光孔18正上方平移之后，可以打開通光孔7，使得輸入光纖中的光通過通光孔7入射至通光孔18，進(jìn)而進(jìn)入通光孔18另一側(cè)的輸出光纖。
[0037]可見，所述活動(dòng)擋光板彈性結(jié)構(gòu)在外力驅(qū)動(dòng)下，在輸入光纖和輸出光纖之間移入或移出，全部或部分阻斷傳輸光的通過，調(diào)節(jié)進(jìn)入輸出光纖的傳輸光能量。
[0038]本發(fā)明提出了一種擋光式微機(jī)電可變光衰減器制作方法。利用微納加工技術(shù)制作可變光衰減器的固定擋光板和活動(dòng)擋光板，
[0039]圖3(a)?圖3(d)示出了本發(fā)明中提出的擋光式微機(jī)電可變光衰減器的固定擋光板的制作方法工藝流程圖。如圖3(a)?圖3(d)所示，該具體制作過程包括:
[0040]步驟1、選擇基片I制備固定擋光板，基片I可以是硅晶片、含氧化硅中間層和單晶硅器件層的SOI片、玻璃片或其它常用襯底基片，在基片I的正面和背面上低壓化學(xué)氣相淀積LPCVD介質(zhì)薄膜2，介質(zhì)薄膜2可以為氮化硅薄膜或氧化硅薄膜，用作絕緣層以及濕法腐蝕基片II的掩膜，并對(duì)硅片I正面的介質(zhì)薄膜2上進(jìn)行光刻、干法刻蝕形成刻蝕孔，如圖3 (a)所示；
[0041]步驟2、采用KOH或TMAH各向異性濕法腐蝕或各向異性反應(yīng)離子干法刻蝕的方法刻蝕所述刻蝕孔中的基片I，形成凹槽結(jié)構(gòu)4，用于對(duì)準(zhǔn)、限制和固定輸入光纖，如圖3 (b)所示；
[0042]步驟3、在凹槽結(jié)構(gòu)4的表面和硅片I正面剩余的薄膜2正面電子束蒸發(fā)一層金屬5，金屬5可以為鋁或鉻，作為背面刻蝕擋光孔的截止層，并同時(shí)起到導(dǎo)熱作用，以保證晶片在刻蝕過程中能夠被有效冷卻，如圖3(c)所示；
[0043]步驟4、對(duì)基片I背面的薄膜2進(jìn)行光刻、刻蝕形成刻蝕孔，采用干法刻蝕方法，從所述刻蝕孔露出的硅片I背面進(jìn)行刻蝕，直至刻蝕到硅片I正面的金屬層5，形成通光孔7，該通光孔7用于控制光斑大小，限制衍射作用，并用于對(duì)準(zhǔn)限制光纖，方便裝配；如圖3(c)所示；
[0044]步驟5、去除金屬層5及雙面薄膜2 ；
[0045]步驟6、在基片I上淀積薄膜形成擋光層8，擋光層8可以是氧化錫銦膜(ITO)等金屬氧化物、鋁、金等金屬或其它對(duì)入射光具有高反射率的薄膜材料，用于遮擋輸入光線，如圖3(d)所示，完成固定擋光板的制作。
[0046]圖4(a)?圖4(f)示出了本發(fā)明中提出的擋光式微機(jī)電可變光衰減器的活動(dòng)擋光板的制作方法的工藝流程示意圖。如圖4(a)?圖4(f)所示，該活動(dòng)擋光板的具體制作工藝包括:
[0047]步驟1、以(100)晶向SOI片作為制備可動(dòng)擋光板的基片II，包括頂層硅20，掩埋氧化層21和體硅22，在SOI片正面和背面上低壓化學(xué)氣相淀積LPCVD介質(zhì)薄膜2，薄膜2可以為二氧化硅或氮化硅，對(duì)SOI片背面的介質(zhì)薄膜2進(jìn)行光刻、刻蝕，形成刻蝕孔，如圖4 (a)所示；
[0048]步驟2、在SOI片正面的薄膜2上電子束蒸發(fā)金屬層8，該金屬層可以為Cr/Au ;然后以光刻膠為掩膜，濕法腐蝕金屬層8形成擋光結(jié)構(gòu)及導(dǎo)線圖形13，所述擋光結(jié)構(gòu)圖形用于反射遮擋入射光線，導(dǎo)線圖形用于實(shí)現(xiàn)電學(xué)互聯(lián)，如圖4(b)所示；
[0049]步驟3、根據(jù)所述擋光結(jié)構(gòu)及導(dǎo)線圖形13對(duì)SOI片正面進(jìn)行光刻、依次刻蝕氮化硅薄膜2、頂層硅20、掩埋氧化層21，形成活動(dòng)擋光板彈性結(jié)構(gòu)14，如圖4(c)所示；所述活動(dòng)擋光板彈性結(jié)構(gòu)14為折疊梁結(jié)構(gòu)形式，且該折疊梁正對(duì)通光孔處具有擋光結(jié)構(gòu)9 ；
[0050]步驟4、在SOI片正面形成的活動(dòng)擋光板彈性結(jié)構(gòu)14上電子束蒸發(fā)一層金屬5，金屬5可以為鋁或鉻，作為背面刻蝕通光孔的截止層，并同時(shí)起到導(dǎo)熱作用，以保證晶片在刻蝕過程中能夠被有效冷卻；
[0051]步驟5、采用KOH濕法腐蝕的方法，從SOI片背面露出體硅22的位置刻蝕體硅22，刻蝕一定時(shí)間后形成凹槽結(jié)構(gòu)17，用于對(duì)準(zhǔn)、限制和固定輸出光纖，如圖4(d)所示；
[0052]步驟6、從SOI片背面的凹槽結(jié)構(gòu)17干法刻蝕體硅22直至金屬層5，形成通光孔18，如圖4(e)所示；
[0053]步驟7、采用HF從背面去除活動(dòng)擋光板彈性結(jié)構(gòu)14下的掩埋氧化層21，從正面去除截止層金屬5，釋放結(jié)構(gòu)使活動(dòng)擋光板彈性結(jié)構(gòu)懸空，形成折疊梁，如圖4(f)所示，完成活動(dòng)擋光板的制作。該步驟中利用MEMS工藝釋放犧牲層，使結(jié)構(gòu)層懸空，從而成為可動(dòng)的機(jī)械結(jié)構(gòu)，圖形為折疊梁，折疊梁末端兩端連接在頂層硅未刻蝕部分，這里只是剖面圖，圖形另一側(cè)連接部分未畫出。通過釋放使活動(dòng)擋光板懸空，形成可動(dòng)結(jié)構(gòu)，用于在外力驅(qū)動(dòng)下，在輸入光纖和輸出光纖之間移動(dòng)，全部或部分阻斷傳輸光的通過，調(diào)節(jié)進(jìn)入輸出光纖的傳輸光能量。
[0054]分別在基片I背面和基片II正面淀積鍵合材料，通過光刻、刻蝕工藝在基片I背面外圍和基片II正面外圍相對(duì)應(yīng)的位置形成環(huán)形鍵合結(jié)構(gòu)23，在光刻機(jī)上對(duì)基片I和基片II進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，使固定擋光板上的通光孔正對(duì)活動(dòng)擋光板的通光孔，然后放入鍵合機(jī)中，在一定的鍵合溫度、壓強(qiáng)條件下進(jìn)行鍵合，完成可變光衰減器的制作。所述鍵合材料為環(huán)氧樹脂、光刻膠、金或錫，所述鍵合溫度、壓強(qiáng)由所選擇的鍵合材料決定。
[0055]以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種擋光式微機(jī)電可變光衰減器的制造方法，該方法包括固定擋光板和活動(dòng)擋光板的制作、固定擋光板和活動(dòng)擋光板的鍵合； 其中，固定擋光板的制作包括: 在基片I的正面光刻、刻蝕形成凹槽結(jié)構(gòu)； 基片I的背面刻蝕形成通光孔，所述通光孔和凹槽結(jié)構(gòu)相連通； 基片I的正面淀積擋光材料，形成遮光層，完成固定擋光板的制作； 所述活動(dòng)擋光板的制作包括: 基片II的雙面淀積介質(zhì)薄膜； 刻蝕基片II背面的介質(zhì)薄膜，形成刻蝕孔； 基片II的正面淀積擋光材料，并刻蝕擋光材料，形成擋光結(jié)構(gòu)及導(dǎo)線圖形； 根據(jù)所述擋光結(jié)構(gòu)及導(dǎo)線圖形依次刻蝕介質(zhì)薄膜及基片II正面，形成活動(dòng)擋光板彈性結(jié)構(gòu)； 基片II的背面的刻蝕孔處進(jìn)行濕法腐蝕，形成凹槽結(jié)構(gòu)； 刻蝕所述凹槽結(jié)構(gòu)底部形成通光孔，使活動(dòng)擋光板彈性結(jié)構(gòu)懸空，完成活動(dòng)擋光板的制作； 所述固定擋光板和活動(dòng)擋光板的鍵合包括: 分別在制作好的固定擋光板結(jié)構(gòu)的基片I背面和活動(dòng)擋光板結(jié)構(gòu)的基片II正面淀積鍵合材料，通過光刻、刻蝕工藝形成鍵合結(jié)構(gòu)，對(duì)基片I和基片II進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，使固定擋光板上的通光孔正對(duì)活動(dòng)擋光板的通光孔，然后在一定的鍵合溫度、壓強(qiáng)下進(jìn)行鍵合，完成可變光衰減器的制作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擋光式微機(jī)電可變光衰減器的制造方法，其特征在于，所述基片I包括硅晶片、含氧化硅中間層和單晶硅器件層的SOI片、玻璃片或其它常用襯底基片；所述基片II包括硅晶片或含氧化硅中間層和單晶硅器件層的SOI片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擋光式微機(jī)電可變光衰減器的制造方法，其特征在于，制作固定擋光板時(shí)，采用KOH或TMAH各向異性濕法腐蝕或各向異性反應(yīng)離子干法刻蝕形成凹槽結(jié)構(gòu)；所述通光孔采用干法刻蝕形成，其用于控制光斑大小、限制衍射作用和對(duì)準(zhǔn)限制光纖。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擋光式微機(jī)電可變光衰減器的制造方法，其特征在于，制作活動(dòng)擋光板時(shí)，采用HF濕法腐蝕或各向異性反應(yīng)離子干法刻蝕的方法，刻蝕基片II背面的介質(zhì)薄膜；采用剝離、濕法腐蝕或干法刻蝕的方法，刻蝕所述擋光材料，形成擋光結(jié)構(gòu)及導(dǎo)線圖形；采用各向異性反應(yīng)離子干法刻蝕所述介質(zhì)薄膜及基片II正面，形成活動(dòng)擋光板彈性結(jié)構(gòu)；采用KOH或TMAH各向異性濕法腐蝕基片II背面，形成凹槽結(jié)構(gòu)；采用各向異性反應(yīng)離子干法刻蝕凹槽結(jié)構(gòu)底部，形成通光孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擋光式微機(jī)電可變光衰減器的制造方法，其特征在于，所述介質(zhì)薄膜為氮化硅薄膜或氧化硅薄膜，用作絕緣層以及濕法腐蝕基片II的掩膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擋光式微機(jī)電`可變光衰減器的制造方法，其特征在于，所述擋光材料為金屬氧化物、金屬或其它對(duì)入射光具有高反射率的薄膜材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擋光式微機(jī)電可變光衰減器的制造方法，其特征在于:所述鍵合材料為環(huán)氧樹脂、光刻膠、金或錫。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擋光式微機(jī)電可變光衰減器的制造方法，其特征在于:所述鍵合溫度、壓強(qiáng)由所選擇的鍵合材料決定。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擋光式微機(jī)電可變光衰減器的制造方法，其特征在于:所述活動(dòng)擋光板彈性結(jié)構(gòu)可在外力驅(qū)動(dòng)下發(fā)生平移，以遮擋或打開固定擋光板上的通光孔。
10.如權(quán)利要求1所述的擋光式微機(jī)電可變光衰減器的制造方法，其特征在于:所述活動(dòng)擋光板彈性結(jié)構(gòu)為具有擋光結(jié)構(gòu)的折疊梁結(jié)構(gòu)，且所述擋光結(jié)構(gòu)位于固定擋光板上通光孔和活動(dòng)擋光板上通光孔 之 間。
【文檔編號(hào)】B81C1/00GK103576242SQ201310511425
【公開日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2013年10月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月25日
【發(fā)明者】毛旭, 魏偉偉, 呂興東, 楊晉玲, 楊富華 申請(qǐng)人:中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所