本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種MEMS器件的形成方法。

背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，為提高器件集成程度、減小器件體積、降低器件成本，MEMS器件逐漸成為半導(dǎo)體器件的主流。MEMS器件，例如濕度傳感器，其內(nèi)具有懸浮于空腔內(nèi)的可動(dòng)部件，實(shí)際制作過程中發(fā)現(xiàn)，上述制作的可動(dòng)部件具有一些缺陷，例如可動(dòng)部件易失效，或傳感靈敏度較低。針對上述問題，本發(fā)明提供一種新的MEMS器件的形成方法，以提高可動(dòng)部件的良率及靈敏度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明解決的問題是如何提高M(jìn)EMS器件中的可動(dòng)部件的的良率及靈敏度。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種MEMS器件的形成方法，包括：提供硅基底，在所述硅基底表層的部分區(qū)域進(jìn)行離子注入形成改性區(qū)；在所述具有改性區(qū)的硅基底上形成器件層；干法刻蝕所述器件層以在其內(nèi)形成溝槽，所述溝槽暴露出所述改性區(qū)；通過所述溝槽濕法去除所述改性區(qū)以及部分硅基底以形成空腔，懸浮在所述空腔上部的器件層形成可動(dòng)部件?？蛇x地，所述濕法去除所述改性區(qū)以及部分硅基底采用同一溶液，所述溶液對所述改性區(qū)的去除為各向同性腐蝕，對所述硅基底的腐蝕為各向異性去除。可選地，所述硅基底表層注入的離子為硅離子，形成的改性區(qū)的材質(zhì)為無定型硅?？蛇x地，所述器件層的材質(zhì)為二氧化硅?？蛇x地，所述可動(dòng)部件為單臂梁或兩端支撐的可動(dòng)薄膜。可選地，所述可動(dòng)部件為壓阻式濕度傳感器的傳感元件或電容式濕度傳感器的傳感元件?？蛇x地，形成無定型硅改性區(qū)包括：在所述硅基底上形成圖形化的硬掩膜層；以所述圖形化的硬掩膜層為掩膜對所述硅基底進(jìn)行硅離子注入?？蛇x地，所述硬掩膜層的材質(zhì)為氮化硅、氮氧化硅中的至少一種?？蛇x地，所述無定型硅改性區(qū)的深度范圍為50nm～100nm。可選地，所述二氧化硅器件層包括自下而上的第一氧化硅層與第二氧化硅層?？蛇x地，濕法去除所述無定型硅改性區(qū)以及部分硅基底采用堿性溶液?？蛇x地，所述堿性溶液為TMAH水溶液。可選地，所形成的空腔呈開口大，底部小的梯形，所述空腔的側(cè)壁與底壁之間的夾角范圍為50度～60度。可選地，所述器件層內(nèi)形成的溝槽的數(shù)目為兩個(gè)或兩個(gè)以上。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：1)首先在硅基底表層的部分區(qū)域進(jìn)行離子注入形成改性區(qū)，之后在具有改性區(qū)的硅基底上形成器件層，在器件層內(nèi)形成暴露改性區(qū)的溝槽，通過該溝槽濕法腐蝕去除該改性區(qū)以及部分硅基底以形成空腔，由于改性區(qū)的性質(zhì)與硅基底的性質(zhì)不同，因而可以通過選擇腐蝕溶液，在腐蝕硅基底形成空腔時(shí)，能對懸浮于空腔上部的器件層下的改性區(qū)材質(zhì)進(jìn)行完全去除，由于改性區(qū)的完全去除，使得懸浮的可動(dòng)部件下無硅材質(zhì)殘留，進(jìn)而提高可動(dòng)部件的靈敏度。2)可選方案中，改性區(qū)是通過對硅基底進(jìn)行硅離子注入形成的，所形成的改性區(qū)材質(zhì)為無定型硅，具有改性區(qū)的硅基底上形成的器件層的材質(zhì)為二氧化硅，對于二氧化硅材質(zhì)的可動(dòng)部件，采用同一堿性溶液去除無定型硅改性區(qū)以及硅基底，這是因?yàn)閴A性溶液對無定型硅的腐蝕為各向同性腐蝕，對硅基底內(nèi)的硅為各向異性腐蝕，而堿性溶液不腐蝕二氧化硅，因而堿性溶液能在硅基底內(nèi)形成空腔同時(shí)，還能形成底部無硅殘留的二氧化硅可動(dòng)部件。3)可選方案中，2)可選方案中的堿性溶液為TMAH水溶液，由于TMAH水溶液對硅的腐蝕具有晶向選擇，在<100>晶向上腐蝕較快，在<111>晶向上腐蝕較慢，<100>晶向即向下方向，<111>晶向即空腔側(cè)壁方向，如此，所形成的空腔為頂部開口大，底部小的梯形，相對于各向同性腐蝕溶液腐蝕硅基底形成的弧形凹槽，頂部開口大的梯形，在可動(dòng)部件的支撐區(qū)域?qū)杌椎娜コ枯^小，能避免可動(dòng)部件坍塌，從而提高了可動(dòng)部件的良率。附圖說明圖1至圖5是本發(fā)明一實(shí)施例中的MEMS器件在形成過程中不同階段的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是無改性區(qū)存在時(shí)，采用各向同性刻蝕硅基底所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是無改性區(qū)存在時(shí)，采用TMAH水溶液腐蝕硅基底所形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式如

背景技術(shù)：
中所述，現(xiàn)有的MEMS器件的可動(dòng)部件靈敏度低。針對上述問題，本發(fā)明人進(jìn)行了分析，發(fā)現(xiàn)產(chǎn)生的原因是：在硅基底內(nèi)形成空腔以釋放可動(dòng)部件時(shí)，若采用各向同性刻蝕，由于各向同性刻蝕所形成空腔側(cè)壁形狀為弧形，則會(huì)造成可動(dòng)部件下方有硅殘留物；若進(jìn)行各向異性腐蝕，例如采用TMAH水溶液時(shí)，由于在<100>晶向上腐蝕較快，在<111>晶向上腐蝕較慢，<100>晶向即向下方向，<111>晶向即空腔側(cè)壁方向，則會(huì)造成預(yù)定空腔深度已達(dá)到時(shí)，空腔側(cè)壁去除量較小，造成可動(dòng)部件下方有硅殘留物；上述殘留物由于與可動(dòng)部件材質(zhì)不同，因而會(huì)影響可動(dòng)部件的靈敏度?；谏鲜龇治?，本發(fā)明提出：首先在硅基底表層的部分區(qū)域進(jìn)行離子注入形成改性區(qū)，之后在具有改性區(qū)的硅基底上形成器件層，在器件層內(nèi)形成暴露改性區(qū)的溝槽，通過該溝槽濕法腐蝕去除該改性區(qū)以及部分硅基底以形成空腔，由于改性區(qū)的性質(zhì)與硅基底的性質(zhì)不同，因而可以通過選擇腐蝕溶液，在腐蝕硅基底形成空腔時(shí)，能對懸浮于空腔上部的器件層下的改性區(qū)材質(zhì)進(jìn)行完全去除，由于改性區(qū)的完全去除，使得懸浮的可動(dòng)部件下無硅材質(zhì)殘留，進(jìn)而提高可動(dòng)部件的靈敏度。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。圖1至圖5是本發(fā)明一實(shí)施例提供的MEMS器件在形成過程中不同階段的結(jié)構(gòu)示意圖。以下結(jié)合圖1至圖5所示，詳細(xì)介紹的MEMS器件的形成方法。首先，參照圖1所示，提供硅基底10，在硅基底10表層的部分區(qū)域進(jìn)行硅離子注入形成改性區(qū)12。上述硅基底10可以為半導(dǎo)體硅襯底(硅晶圓)，也可以為絕緣體上硅(SOI)。硅離子注入的硅源例如為SiH4，其它實(shí)施例中，也可以采用現(xiàn)有的其它硅等離子體源。在具體離子注入過程中，可以首先在硅基底10上形成圖形化的硬掩...