一種層狀二硫化鉬納米材料的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種層狀二硫化鉬納米材料的制備方法，包括如下步驟：將二硫化鉬塊體加至容器中，加入剝離溶劑，配成二硫化鉬分散液；用高剪切乳化機(jī)對(duì)所述二硫化鉬分散液進(jìn)行液力剪切處理；將經(jīng)過(guò)液力剪切后的二硫化鉬分散液進(jìn)行離心，取離心后的上層懸浮液過(guò)濾，真空干燥得到層狀二硫化鉬納米薄片；本發(fā)明使二硫化鉬塊體在定、轉(zhuǎn)子狹窄的間隙中受到強(qiáng)烈的綜合作用，從而使二硫化鉬層與層之間產(chǎn)生晶面水平錯(cuò)位和滑移運(yùn)動(dòng)，進(jìn)而將二硫化鉬剝離，最終得到穩(wěn)定的單層或少數(shù)層的二硫化鉬薄片；本發(fā)明為純物理方法、工藝簡(jiǎn)單、成本低、危險(xiǎn)性小、剝離率高且綠色環(huán)保，所制備的層狀二硫化鉬納米薄片的物理性能保持良好，中試放大后適合大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。
【專利說(shuō)明】一種層狀二硫化鉬納米材料的制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及材料制備領(lǐng)域，尤其涉及一種由二硫化鉬塊體直接剝離制備層狀二硫化鉬納米材料的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]二硫化鉬作為一種過(guò)渡族金屬二硫化物，是具有層狀結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料，表現(xiàn)出良好的半導(dǎo)體、金屬甚至是超導(dǎo)特性。二硫化鉬塊體材料是一種間接帶隙半導(dǎo)體，其帶隙為
1.2eV，隨著厚度的降低，特別是當(dāng)其厚度降低到幾個(gè)分子層時(shí)，其物理性能發(fā)生顯著的變化，單層二硫化鉬變成了直接帶隙半導(dǎo)體，其帶隙增加到1.9eV，并且因其電子特性及高的比表面積，表現(xiàn)出良好的電學(xué)、光學(xué)及機(jī)械性能，廣泛應(yīng)用于潤(rùn)滑、傳感、催化、儲(chǔ)能等諸多方面。
[0003]近年來(lái)的科學(xué)研宄表明，單層或者少層的二硫化鉬納米薄片能夠顯示出更優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，在工業(yè)【技術(shù)領(lǐng)域】有重要的應(yīng)用價(jià)值。目前，二維的二硫化鉬納米薄片制備工藝的中國(guó)專利包括液相超聲法、鋰離子插層法、化學(xué)氣相沉積法、溶劑熱法、超臨界流體法、對(duì)流氣體剪切法。
[0004]液相超聲法:中國(guó)專利如申請(qǐng)?zhí)枮?01410081869.3，將配制的二硫化鉬分散液先后進(jìn)行低高功率的兩步超聲，剝離制備二硫化鉬納米片。然而液相超聲法需要大功率超聲設(shè)備且長(zhǎng)時(shí)間超聲處理，限制了工業(yè)化生產(chǎn)。
[0005]鋰離子插層法:中國(guó)專利如申請(qǐng)?zhí)枮?01310187544.9,201310561235.3、201410059743.6,201410086208.X，利用正丁基鋰等作為插層分子，通過(guò)攪拌、溶劑熱等方法對(duì)層狀二硫化鉬進(jìn)行插層，之后進(jìn)行水解超聲處理獲得二硫化鉬納米片。然而，鋰離子插層法插層處理時(shí)需要無(wú)氧無(wú)水環(huán)境，對(duì)工業(yè)生產(chǎn)環(huán)境要求苛刻。
[0006]化學(xué)氣相沉積法:中國(guó)專利如申請(qǐng)?zhí)枮?01410087035.3，將鉬源和硫源置于陶瓷舟中，并將陶瓷舟放在水平管式爐中部，抽真空后，在氬氣保護(hù)下高溫制備二硫化鉬納米片。然而，化學(xué)氣相沉積法反應(yīng)溫度高，600°C?850°C，需要惰性氣體保護(hù)，反應(yīng)產(chǎn)物污染環(huán)境，損害人體健康，為三廢處理帶來(lái)困難。
[0007]溶劑熱法:中國(guó)專利如申請(qǐng)?zhí)枮?01210311761.Χ、201310547151.4、201410361617.6，將鉬酸鹽在含硫化合物溶液中進(jìn)行水熱處理，清洗干燥后得到不同形貌的二硫化鉬納米片。然而，溶劑熱法涉及到對(duì)溫度壓力的調(diào)控，對(duì)設(shè)備要求高，反應(yīng)周期長(zhǎng)，不利用工業(yè)化生產(chǎn)。
[0008]超臨界流體法:中國(guó)專利如申請(qǐng)?zhí)枮?01210226272.4，將超臨界二氧化碳泵入裝有二硫化鉬原始粉料的高壓釜，滲透到二硫化鉬層狀結(jié)構(gòu)當(dāng)中，隨后施加超聲波振蕩產(chǎn)生空化效應(yīng)，以及迅速降壓使層間二氧化碳逃逸，進(jìn)而使原料層與層分離，如此多次升降壓達(dá)到剝離二硫化鉬的效果。然而，超臨界流體化學(xué)活性較強(qiáng)，對(duì)材料的晶體結(jié)構(gòu)有一定的破壞作用，從而影響到材料的物理性能。同時(shí)超臨界流體對(duì)溫度壓力有特定的要求，壓力高達(dá)80?250個(gè)大氣壓，限制了生產(chǎn)工藝的延伸。
[0009]對(duì)流氣體剪切法:中國(guó)專利如申請(qǐng)?zhí)枮?01310238984.2，通過(guò)高壓冷熱氣體循環(huán)對(duì)流產(chǎn)生的剪切力來(lái)剝離二硫化鉬。通過(guò)將剪切力連續(xù)不斷地作用于二硫化鉬的X-Y晶面上，使其產(chǎn)生錯(cuò)位滑移，從而實(shí)現(xiàn)二硫化鉬的剝離。然而，高壓冷熱氣體循環(huán)對(duì)流對(duì)溫度壓力有特殊的要求，溫差200°c且需要在封閉容器進(jìn)行，限制了產(chǎn)量。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明的目的就是為了克服上述現(xiàn)有制備工藝存在的缺陷，提供一種利用液力剪切剝離塊體二硫化鉬、制備層狀二硫化鉬納米材料的新方法。
[0011]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是:
[0012]一種層狀二硫化鉬納米材料的制備方法，其特征在于包括如下步驟:
[0013](I)將二硫化鉬塊體加至容器中，加入剝離溶劑，配成二硫化鉬分散液；
[0014](2)用高剪切乳化機(jī)對(duì)所述二硫化鉬分散液進(jìn)行液力剪切處理；
[0015](3)將經(jīng)過(guò)液力剪切后的二硫化鉬分散液進(jìn)行離心，取離心后的上層懸浮液過(guò)濾，
真空干燥得到層狀二硫化鉬納米薄片。
[0016]作為優(yōu)選方式，所述剝離溶劑為25°C下表面張力為30?50mJ/m2的剝離溶劑。
[0017]作為優(yōu)選方式，所述剝離溶劑選自:N-甲基吡咯烷酮、N-環(huán)己基吡咯烷酮、1，3-二甲基-2-咪唑啉酮、丁內(nèi)酯、N-辛基吡咯烷酮、N-乙烯基吡咯烷酮、N-十二烷基吡咯烷酮、二甲基亞砜、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基甲酰胺、苯甲醛、苯甲腈、環(huán)己烷、異丙醇或乙醇-水混合溶液。
[0018]作為優(yōu)選方式，所述二硫化鉬分散液濃度為lg/L?100g/L。
[0019]作為優(yōu)選方式，所述步驟(2)的液力剪切處理中高剪切乳化機(jī)的轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速為1000 ?lOOOOrpm，處理時(shí)間為 20 ?120min。
[0020]作為優(yōu)選方式，步驟(2)中所述的分散液保持在20?30°C。
[0021]作為優(yōu)選方式，步驟(3)中的離心轉(zhuǎn)速為1000?3000rpm，離心時(shí)間20?120min。
[0022]作為優(yōu)選方式，步驟(3)中的真空干燥溫度為60?120°C。
[0023]作為優(yōu)選方式，所述的乙醇-水混合溶液中，乙醇的體積百分比為10?60%。
[0024]如上所述，本發(fā)明具有以下有益效果:與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明利用高剪切乳化機(jī)轉(zhuǎn)子高速旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的高切線速度和高頻機(jī)械效應(yīng)帶來(lái)的強(qiáng)勁動(dòng)能，使二硫化鉬塊體在定、轉(zhuǎn)子狹窄的間隙中受到強(qiáng)烈的機(jī)械及液力剪切、離心擠壓、液層磨擦、撞擊撕裂和湍流等綜合作用，從而使二硫化鉬層與層之間產(chǎn)生晶面水平錯(cuò)位和滑移運(yùn)動(dòng)，進(jìn)而將二硫化鉬剝離，經(jīng)過(guò)高頻的循環(huán)往復(fù)，最終得到穩(wěn)定的單層或少數(shù)層的二硫化鉬薄片；本發(fā)明為純物理方法、工藝簡(jiǎn)單、成本低、危險(xiǎn)性小、剝離率高且綠色環(huán)保，所制備的層狀二硫化鉬納米薄片的物理性能保持良好，中試放大后適合大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0025]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明
[0026]圖1為本發(fā)明制備過(guò)程中高剪切乳化機(jī)液力剪切二硫化鉬塊體示意圖；
[0027]圖2為本發(fā)明制備的層狀二硫化鉬納米薄片的光學(xué)顯微圖；
[0028]圖3為本發(fā)明制備的層狀二硫化鉬納米薄片的掃描電子顯微鏡圖(SEM);
[0029]圖4為本發(fā)明制備的層狀二硫化鉬納米薄片的拉曼光譜(Raman)。

【具體實(shí)施方式】
[0030]實(shí)施例中所述高剪切乳化機(jī)的功率為300W，轉(zhuǎn)子的轉(zhuǎn)速量程為100-11000轉(zhuǎn)/分(rpm)。具體實(shí)施例如下。
[0031]實(shí)施例1
[0032](I)稱取二硫化鉬塊體原料100g，加至IL燒杯中，倒入剝離溶劑N-甲基吡咯烷酮(NMP) 1L，配成濃度為100g/L的二硫化鉬分散液。
[0033]其中，剝離溶劑的選擇基于其表面張力與二硫化鉬表面張力的差值，差值越小，越可達(dá)到剝離單層、少數(shù)層二硫化鉬納米薄片的目的，因此剝離溶劑表面張力范圍要求在25°C下測(cè)得為30-50mJ/m2。本實(shí)施例的N-甲基吡咯烷酮的表面張力為40mJ/m2(25°C )，非常適合本發(fā)明的應(yīng)用。
[0034](2)將高剪切乳化機(jī)的剪切頭放入二硫化鉬分散液中，逐漸將轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速調(diào)至100rpm,對(duì)二硫化鉬進(jìn)行液力剪切處理，處理時(shí)間120min，剪切過(guò)程中，分散液保持在20。。。
[0035]由于溶劑溫度對(duì)溶劑的表面張力有直接影響，因此本發(fā)明操作的溫度須控制在20-30°C之間。本實(shí)施例中，高剪切乳化機(jī)工作在相對(duì)較低的轉(zhuǎn)速下，不必對(duì)分散液進(jìn)行控溫處理，20min后其溫度仍保持在室溫20°C。圖1為高剪切乳化機(jī)液力剪切二硫化鉬塊體示意圖，在轉(zhuǎn)子高速旋轉(zhuǎn)下，二硫化鉬分散液被吸入到定子空腔，此時(shí)，轉(zhuǎn)子高速旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的高切線速度和高頻機(jī)械效應(yīng)帶來(lái)的強(qiáng)勁動(dòng)能，使二硫化鉬塊體在定、轉(zhuǎn)子狹窄的間隙中受到強(qiáng)烈的機(jī)械及液力剪切、離心擠壓、液層磨擦、撞擊撕裂和湍流等綜合作用，從而使二硫化鉬層與之間產(chǎn)生晶面水平錯(cuò)位和滑移運(yùn)動(dòng)，進(jìn)而將二硫化鉬剝離，經(jīng)過(guò)剪切作用減薄的二硫化鉬薄片從定子的小圓孔中噴出，如此經(jīng)過(guò)高頻的循環(huán)往復(fù)，最終得到穩(wěn)定的單層或少數(shù)層的二硫化鉬薄片。
[0036](3)將經(jīng)過(guò)液力剪切后的二硫化鉬分散液進(jìn)行離心，離心轉(zhuǎn)速為3000rpm，離心時(shí)間20min。離心結(jié)束，去除未剝離的二硫化鉬沉淀，收集上層懸浮液進(jìn)行過(guò)濾，過(guò)濾膜為直徑50mm，孔徑0.22 μ m的聚四氟乙烯膜(PTFE)，用于去除剝離溶劑N-甲基吡咯烷酮。然后將過(guò)濾后的樣品放入真空干燥箱，在100°C下進(jìn)行真空干燥，蒸發(fā)掉殘余的剝離溶劑，獲得層狀二硫化鉬納米薄片。
[0037]實(shí)施例2
[0038](I)稱取二硫化鉬塊體原料lg，加至IL燒杯中，倒入剝離溶劑二甲基亞砜(DMSO) 1L，表面張力約為43.6mJ/m2(25°C )，配成濃度為lg/L的二硫化鉬分散液。
[0039](2)將高剪切乳化機(jī)的剪切頭放入二硫化鉬分散液中，逐漸將轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速調(diào)至7500rpm，對(duì)二硫化鉬進(jìn)行液力剪切處理，處理時(shí)間60min，剪切過(guò)程中，分散液保持在20。。。
[0040](3)將經(jīng)過(guò)液力剪切后的二硫化鉬分散液進(jìn)行離心，離心轉(zhuǎn)速為2000rpm，離心時(shí)間120min。離心結(jié)束，去除未剝離的二硫化鉬沉淀，收集上層懸浮液進(jìn)行過(guò)濾，過(guò)濾膜為直徑50mm，孔徑0.22 μπι的聚四氟乙烯膜(PTFE)，用于去除剝離溶劑二甲基亞砜。然后將過(guò)濾后的樣品放入真空干燥箱，在80°C下進(jìn)行真空干燥，蒸發(fā)掉殘余的剝離溶劑，獲得層狀二硫化鉬納米薄片。
[0041]在本實(shí)施例中，將步驟三離心完成但未進(jìn)行過(guò)濾的二硫化鉬分散液滴在Si02/Si基片上，其中基片的S1Jl厚度為285nm，將基片放置于80°C真空干燥箱，蒸發(fā)掉殘余的剝離溶劑。然后通過(guò)光學(xué)顯微鏡觀察得到本發(fā)明制備的層狀二硫化鉬納米薄片的光學(xué)顯微圖，如圖2所示。需要指出的是，在一般的硅片基底上，在光學(xué)顯微鏡下是無(wú)法觀測(cè)到少數(shù)層二硫化鉬的，只有當(dāng)二氧化硅層的厚度滿足條件時(shí)，由于光路衍射和干涉效應(yīng)導(dǎo)致顏色變化，不同厚度的二硫化鉬會(huì)顯示出特有的顏色和對(duì)比度。從圖中可以看出層狀二硫化鉬納米薄片約為10 μm大小的矩形，厚度在3層以內(nèi)。
[0042]實(shí)施例3
[0043](I)稱取二硫化鉬塊體原料10g，加至IL燒杯中，倒入N, N- 二甲基甲酰胺(DMF)，表面張力約為37mJ/m2(25°C )，配成濃度為10g/L的二硫化鉬分散液。
[0044](2)將高剪切乳化機(jī)的剪切頭放入二硫化鉬分散液中，逐漸將轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速調(diào)至4500rpm，對(duì)二硫化鉬進(jìn)行液力剪切處理，處理時(shí)間50min，剪切過(guò)程中，分散液保持在30。。。
[0045](3)將經(jīng)過(guò)液力剪切后的二硫化鉬分散液進(jìn)行離心，離心轉(zhuǎn)速為lOOOrpm，離心時(shí)間60min。離心結(jié)束，去除未剝離的二硫化鉬沉淀，收集上層懸浮液進(jìn)行過(guò)濾，過(guò)濾膜為直徑50mm，孔徑0.22 μπι的聚四氟乙烯膜(PTFE)，用于去除剝離溶劑N，N-二甲基甲酰胺。然后將過(guò)濾后的樣品放入真空干燥箱，在120°C下進(jìn)行真空干燥，蒸發(fā)掉殘余的剝離溶劑，獲得層狀二硫化鉬納米薄片。
[0046]在本實(shí)施例中，對(duì)步驟三經(jīng)真空干燥后獲得的層狀二硫化鉬納米薄片進(jìn)行掃描電子顯微鏡觀察得到本發(fā)明制備的二硫化鉬納米薄片的掃描電子顯微鏡圖(SEM)，如圖3所示，表明本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了原料二硫化鉬塊體的分層，制備出了層狀二硫化鉬納米薄片。
[0047]實(shí)施例4
[0048](I)稱取二硫化鉬塊體原料lg，加至IL燒杯中，倒入乙醇-水混合溶液1L，其中，乙醇的體積百分比為60%，混合溶液的表面張力約為30mJ/m2(25°C )，配成濃度為lg/L的二硫化鉬分散液。
[0049](2)將高剪切乳化機(jī)的剪切頭放入二硫化鉬分散液中，逐漸將轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速調(diào)至1000rpm,對(duì)二硫化鉬進(jìn)行液力剪切處理，處理時(shí)間20min，剪切過(guò)程中，分散液保持在25。。。
[0050](3)將經(jīng)過(guò)液力剪切后的二硫化鉬分散液進(jìn)行離心，離心轉(zhuǎn)速為3000rpm，離心時(shí)間120min。離心結(jié)束，去除未剝離的二硫化鉬沉淀，收集上層懸浮液進(jìn)行過(guò)濾，過(guò)濾膜為直徑50mm，孔徑0.22 μπι的聚四氟乙烯膜(PTFE)，用于去除剝離溶劑乙醇-水混合溶液。然后將過(guò)濾后的樣品放入真空干燥箱，在60°C下進(jìn)行真空干燥，蒸發(fā)掉殘余的剝離溶劑，獲得層狀二硫化鉬納米薄片。
[0051]在本實(shí)施例中，將步驟三離心完成但未進(jìn)行過(guò)濾的二硫化鉬分散液滴在S12/Si基片上，其中基片的S1Jl厚度為285nm，將基片放置于60°C真空干燥箱，蒸發(fā)掉殘余的剝離溶劑。然后通過(guò)拉曼光譜儀測(cè)得本發(fā)明制備的層狀二硫化鉬納米薄片的拉曼光譜(Raman)，圖4所示。圖中有三個(gè)尖銳的峰，峰值分別為383.3cm^\404.ScnT1、520.0cnT1，其中383.3CHT1是二硫化鉬的E2g峰，404.8cm ―1是二硫化鉬的A lg峰，520.0cnT1是基片中Si的峰，Alg峰和E 2g峰差值21.5cm—1，表明本發(fā)明制備的層狀二硫化鉬納米薄片的層數(shù)集中在為1_3 層 ο
[0052]實(shí)施例5
[0053](I)稱取二硫化鉬塊體原料lg，加至IL燒杯中，倒入乙醇-水混合溶液1L，其中，乙醇的體積百分比為10%，混合溶液的表面張力約為50mJ/m2(25°C )，配成濃度為lg/L的二硫化鉬分散液。
[0054](2)將高剪切乳化機(jī)的剪切頭放入二硫化鉬分散液中，逐漸將轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速調(diào)至4500rpm，對(duì)二硫化鉬進(jìn)行液力剪切處理，處理時(shí)間20min，剪切過(guò)程中，分散液保持在25。。。
[0055](3)將經(jīng)過(guò)液力剪切后的二硫化鉬分散液進(jìn)行離心，離心轉(zhuǎn)速為3000rpm，離心時(shí)間20min。離心結(jié)束，去除未剝離的二硫化鉬沉淀，收集上層懸浮液進(jìn)行過(guò)濾，過(guò)濾膜為直徑50mm，孔徑0.22 μπι的聚四氟乙烯膜(PTFE)，用于去除剝離溶劑乙醇-水混合溶液。然后將過(guò)濾后的樣品放入真空干燥箱，在60°C下進(jìn)行真空干燥，蒸發(fā)掉殘余的剝離溶劑，獲得層狀二硫化鉬納米薄片。
[0056]上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種層狀二硫化鉬納米材料的制備方法，其特征在于包括如下步驟: (1)將二硫化鉬塊體加至容器中，加入剝離溶劑，配成二硫化鉬分散液； (2)用高剪切乳化機(jī)對(duì)所述二硫化鉬分散液進(jìn)行液力剪切處理； (3)將經(jīng)過(guò)液力剪切后的二硫化鉬分散液進(jìn)行離心，取離心后的上層懸浮液過(guò)濾，真空干燥得到層狀二硫化鉬納米薄片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于:所述剝離溶劑為25°C下表面張力為30?50mJ/m2的剝離溶劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于:所述剝離溶劑選自:N-甲基吡咯烷酮、N-環(huán)己基吡咯烷酮、1，3- 二甲基-2-咪唑啉酮、丁內(nèi)酯、N-辛基吡咯烷酮、N-乙烯基吡咯烷酮、N-十二烷基吡咯烷酮、二甲基亞砜、N, N- 二甲基甲酰胺、N, N- 二甲基乙酰胺、N-甲基甲酰胺、苯甲醛、苯甲腈、環(huán)己烷、異丙醇或乙醇-水混合溶液。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于:所述二硫化鉬分散液濃度為lg/L?100g/Lo
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于:所述步驟(2)的液力剪切處理中高剪切乳化機(jī)的轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速為1000?lOOOOrpm，處理時(shí)間為20?120min。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于:步驟(2)中所述的分散液保持在20 ?30?。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于:步驟(3)中的離心轉(zhuǎn)速為1000?3000rpm，離心時(shí)間 20 ?120min。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于:步驟(3)中的真空干燥溫度為60?120。。。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于:所述的乙醇-水混合溶液中，乙醇的體積百分比為10?60%。
【文檔編號(hào)】B82Y30/00GK104495936SQ201410765201
【公開(kāi)日】2015年4月8日 申請(qǐng)日期:2014年12月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月12日
【發(fā)明者】陳遠(yuǎn)富, 鄭斌杰, 劉興釗, 李萍劍, 戚飛, 張萬(wàn)里 申請(qǐng)人:電子科技大學(xué)