本技術(shù)涉及芯片封裝，特別涉及一種芯片封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、鍵合技術(shù)是mems工藝加工的一項(xiàng)重要技術(shù)，其中，金屬共晶鍵合是一種常用的方式，具體是高溫下兩種特定金屬熔化后會發(fā)生熔融反應(yīng)，形成合金，合金以液體的狀態(tài)反應(yīng)，待降溫后冷卻固化。高溫共晶狀態(tài)下，液相的合金存在外溢的風(fēng)險(xiǎn)，可能會超出鍵合區(qū)域流到芯片內(nèi)部的功能區(qū)，使mems器件結(jié)構(gòu)受損，導(dǎo)致產(chǎn)品的良率降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中金屬鍵合過程易發(fā)生液體溢流導(dǎo)致mems產(chǎn)品良率降低的問題，提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)。

2、本實(shí)用新型的目的采用以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

3、根據(jù)本實(shí)用新型的一方面，提供一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括相對設(shè)置的襯底基板和mems芯片；其中，所述mems芯片靠近所述襯底基板的表面設(shè)置有第一金屬體；

4、所述襯底基板靠近所述mems芯片的表面設(shè)置有用于鍵合的鍵合區(qū)域和用于切割的切割道區(qū)域，其中，所述切割道區(qū)域環(huán)繞所述鍵合區(qū)域設(shè)置，在所述鍵合區(qū)域上設(shè)置有第二金屬體，所述第一金屬體與所述第二金屬體相鍵合；

5、在所述襯底基板上設(shè)置有引流結(jié)構(gòu)，所述引流結(jié)構(gòu)跨接于所述鍵合區(qū)域和所述切割道區(qū)域，且所述引流結(jié)構(gòu)為金屬材質(zhì)，以將所述鍵合區(qū)域內(nèi)多余的金屬液體導(dǎo)出。

6、進(jìn)一步地，所述引流結(jié)構(gòu)的一端與所述第二金屬體連通，另一端通向所述切割道區(qū)域。

7、進(jìn)一步地，所述引流結(jié)構(gòu)呈一字型。

8、進(jìn)一步地，所述引流結(jié)構(gòu)呈弧形。

9、進(jìn)一步地，所述引流結(jié)構(gòu)包括第一分支與第二分支，所述第一分支與所述第二分支呈l型，所述第一分支與所述第二金屬體連通，所述第二分支通向所述切割道區(qū)域。

10、進(jìn)一步地，所述引流結(jié)構(gòu)包括跨接于所述鍵合區(qū)域和所述切割道區(qū)域的引流帶，該引流帶與所述第二金屬體一體成型，且與所述第二金屬體同層設(shè)置。

11、進(jìn)一步地，所述mems芯片為慣性傳感器芯片。

12、進(jìn)一步地，所述引流結(jié)構(gòu)的數(shù)量至少為1個。

13、本申請實(shí)施例提供的芯片封裝結(jié)構(gòu)，在襯底基板上設(shè)置有引流結(jié)構(gòu)，該引流結(jié)構(gòu)跨接于鍵合區(qū)域和切割道區(qū)域，且引流結(jié)構(gòu)為金屬材質(zhì)，通過金屬的引流作用將鍵合區(qū)域內(nèi)多余的金屬液體引流至切割道區(qū)域，從而克服了金屬鍵合過程中熔融金屬溢流到芯片內(nèi)部功能區(qū)的風(fēng)險(xiǎn)，提升了鍵合質(zhì)量，并提高了mems芯片良率。

技術(shù)特征：

1.一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括相對設(shè)置的襯底基板和mems芯片；其中，所述mems芯片靠近所述襯底基板的表面設(shè)置有第一金屬體；

2.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述引流結(jié)構(gòu)的一端與所述第二金屬體連通，另一端通向所述切割道區(qū)域。

3.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述引流結(jié)構(gòu)呈一字型。

4.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述引流結(jié)構(gòu)呈弧形。

5.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述引流結(jié)構(gòu)包括第一分支與第二分支，所述第一分支與所述第二分支呈l型，所述第一分支與所述第二金屬體連通，所述第二分支通向所述切割道區(qū)域。

6.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述引流結(jié)構(gòu)包括跨接于所述鍵合區(qū)域和所述切割道區(qū)域的引流帶，該引流帶與所述第二金屬體一體成型，且與所述第二金屬體同層設(shè)置。

7.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述mems芯片為慣性傳感器芯片。

8.如權(quán)利要求1至7任一所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述引流結(jié)構(gòu)的數(shù)量至少為1個。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供了一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括相對設(shè)置的襯底基板和MEMS芯片；其中，MEMS芯片靠近襯底基板的表面設(shè)置有第一金屬體；襯底基板靠近MEMS芯片的表面設(shè)置有用于鍵合的鍵合區(qū)域和用于切割的切割道區(qū)域，其中，切割道區(qū)域環(huán)繞鍵合區(qū)域設(shè)置，在鍵合區(qū)域上設(shè)置有第二金屬體，第一金屬體與第二金屬體相鍵合；在襯底基板上設(shè)置有引流結(jié)構(gòu)，引流結(jié)構(gòu)跨接于鍵合區(qū)域和切割道區(qū)域，且所述引流結(jié)構(gòu)為金屬材質(zhì)，以將鍵合區(qū)域內(nèi)多余的金屬液體導(dǎo)出。本技術(shù)提供的芯片封裝結(jié)構(gòu)通過引流結(jié)構(gòu)將鍵合區(qū)域內(nèi)多余的金屬液體引流至切割道區(qū)域，從而克服了金屬鍵合過程中熔融金屬溢流到芯片內(nèi)部功能區(qū)的風(fēng)險(xiǎn)，提升了鍵合質(zhì)量，并提高了MEMS芯片良率。

技術(shù)研發(fā)人員：朱啟發(fā),毛應(yīng)林,莊瑞芬,李諾倫
受保護(hù)的技術(shù)使用者：蘇州敏芯微電子技術(shù)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231226
技術(shù)公布日：2024/12/17