技術(shù)特征：

1.基于行列尋址的高密度柔性神經(jīng)電極陣列制造方法，其特征在于，步驟為：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于行列尋址的高密度柔性神經(jīng)電極陣列制造方法，其特征在于，s1中，作為基底的親水性聚偏氟乙烯濾膜為圓形薄膜，其直徑為47mm，過(guò)濾孔的孔徑為0.22μm；紫外光刻機(jī)以400mj/cm2的能量進(jìn)行照射；前烘處理的時(shí)間為1min，后烘處理的時(shí)間為1min。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于行列尋址的高密度柔性神經(jīng)電極陣列制造方法，其特征在于，s2步中，au-tio2nws分散液的制備步驟為：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于行列尋址的高密度柔性神經(jīng)電極陣列制造方法，其特征在于，s23中磁力攪拌的速率為300rpm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1~4任一項(xiàng)所述的基于行列尋址的高密度柔性神經(jīng)電極陣列制造方法，其特征在于，s3中，聚二甲基硅氧烷旋涂至硅片的轉(zhuǎn)速為2000rpm，旋涂時(shí)間為30s；聚二甲基硅氧烷層在70℃熱板上烘烤處理的時(shí)間為6min。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于行列尋址的高密度柔性神經(jīng)電極陣列制造方法，其特征在于，s4中，壓合轉(zhuǎn)印圖形處理時(shí)，壓力為0.2bar。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于電氣元件組件的制造技術(shù)領(lǐng)域，具體為基于行列尋址的高密度柔性神經(jīng)電極陣列制造方法，包括聚偏氟乙烯濾膜的預(yù)處理，過(guò)濾納米線圖案，聚二甲基硅氧烷層的預(yù)處理，將帶有列引線導(dǎo)電層的PDMS絕緣層和帶有行引線導(dǎo)電層的PDMS基底層鍵合，PDMS封裝層激光打孔后，將PDMS封裝層與PDMS絕緣層鍵合，使行引線導(dǎo)電層的電極點(diǎn)和列引線導(dǎo)電層的電極點(diǎn)暴露并完成封裝。行引線導(dǎo)電層中同一行的電極點(diǎn)共用同一根引線，列引線導(dǎo)電層中同一列的電極點(diǎn)共用同一根引線，使N×N電極陣列的引線數(shù)量從N2減少到2N，降低了線路的復(fù)雜性和成本，通過(guò)該方法制備的柔性神經(jīng)電極陣列能顯著提升腦電信號(hào)的采集效率和異常信號(hào)的定位精度。

技術(shù)研發(fā)人員：張樂,葉雷,閆坤賢,羅祥宇,何劍,穆繼亮,耿文平,崔浩然,郝澤宇,丑修建
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中北大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10