1.一種mems壓力傳感器低應(yīng)力封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括mems壓力傳感器塑封殼體、應(yīng)力隔離結(jié)構(gòu)、mems壓力芯片、粘接材料和低應(yīng)力載板；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述mems壓力傳感器低應(yīng)力封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金手指結(jié)構(gòu)表現(xiàn)在每個內(nèi)管腳，是通過電化學(xué)的方法將au、pd貴金屬沉積到載板表面及背面形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)；所述吊耳處設(shè)計了0.1mm～0.3mm的折彎深度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述mems壓力傳感器低應(yīng)力封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述粘接材料使用光固，熱固兩種固化方式的膠水，且固化后硬度shore?a控制在55～70。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述mems壓力傳感器低應(yīng)力封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述塑封殼體采用改善型環(huán)氧樹脂塑封材料通過澆鑄的方式實現(xiàn)，該環(huán)氧樹脂塑封材料填充料配比含量占整個組分的45％～65％(wt％)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述mems壓力傳感器低應(yīng)力封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，應(yīng)力隔離結(jié)構(gòu)應(yīng)力隔離膠水固化得到；應(yīng)力隔離結(jié)構(gòu)圍繞mems壓力芯片的四周厚度均勻位于塑封殼體倒梯形的下邊緣，與mems壓力芯片力敏膜結(jié)構(gòu)不接觸，mems壓力芯片力敏膜結(jié)構(gòu)以外全部由應(yīng)力隔離材料保護(hù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述mems壓力傳感器低應(yīng)力封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述應(yīng)力隔離膠水的粘度為11000～18000mpa·s(shear?rate:10?1/s|gap:500μm)，固化后硬度shore?d控制在40～50，楊氏模量＜1mpa，常溫或中低溫固化；所述應(yīng)力隔離結(jié)構(gòu)與mems壓力芯片力敏膜結(jié)構(gòu)有0.005mm～0.015mm的間距，在mems壓力芯片上表面的厚度為mems壓力芯片四個側(cè)面厚度的1.2～1.5倍。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述mems壓力傳感器低應(yīng)力封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述承載臺的搭載平面上粘貼有asic調(diào)理芯片。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述mems壓力傳感器低應(yīng)力封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述塑封殼體采用改善型環(huán)氧樹脂塑封材料通過澆鑄的方式實現(xiàn)，該塑封材料填充料配比含量占整個組分的45％～65％(wt％)；所述塑封殼體在mems壓力芯片的力敏膜結(jié)構(gòu)上方有倒梯形的開腔結(jié)構(gòu)。
9.一種mems壓力傳感器低應(yīng)力封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，步驟為：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述mems壓力傳感器低應(yīng)力封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，asic調(diào)理芯片通過粘接材料固定在封裝載板的承載臺上。