a的第一階段al用于在基底I上形成包括第一圖案的第一掩膜。第二階段a2用于在所述基底和第一掩膜的表面上形成包括第二圖案的第二掩膜，該第二圖案比所述第一掩膜的第一圖案小，以便在基底上蝕刻兩個不同的圖案。
[0054]步驟a的第一替代變型繼續(xù)進(jìn)行各向異性蝕刻(例如深反應(yīng)離子蝕刻或“DRIE”)的第三階段a3，以在基底的第一厚度上蝕刻第二圖案，然后是用于移走第二掩膜的第四階段a4。在一個變型中，第二掩膜的厚度和材料可以選擇成使得第二掩膜與基底同時被蝕刻，以便將上述階段a3和a4合并在一個階段中。應(yīng)理解，將被蝕刻在層級N2上的圖案暫時只被蝕刻在層級見上。
[0055]步驟a的第一替代變型繼續(xù)第五階段a5，第五階段a5在于，進(jìn)行第二各向異性蝕亥IJ，以在層級犯上繼續(xù)已經(jīng)在層級N1上進(jìn)行的對第二圖案的蝕刻，和在基底I的層級N1上開始對第一圖案的蝕刻，即，在層級犯上將對第二圖案的蝕刻擴(kuò)展成第一圖案。在兩個層級上蝕刻的情況下，步驟a的第一替代變型以最后階段a6結(jié)束，該最后階段a6用于移走第一掩膜，以形成在至少兩個層級N1、N2上包括凹腔3的基底I。
[0056]在一個變型中，基底可以是SOI，即，可以包括通過一層二氧化硅連接的兩個硅層。其中一個硅層由此可以經(jīng)歷步驟a，并且在至少兩個層級見、他上的凹腔3的底部可以通過更加精確的方式由二氧化硅層形成。實(shí)際上，由于步驟a中的蝕刻很有選擇性，因此其不能蝕刻二氧化硅層。應(yīng)理解，腔的底部將更易于控制。
[0057]在圖17和18示出的步驟a的第二替代變型中，在至少兩個層級NhN^Nx上包括腔103的基底101是由與所需層級數(shù)量一樣多的晶片102、104形成的。如下文在第四和第五實(shí)施例中所說明的那樣，在需要多于兩個層級的情況下，該第二替代變型是優(yōu)選的。
[0058]步驟a的第二替代變型因此使用多個直接被蝕刻有相關(guān)層級NlN^Nx所需的圖案的晶片。因此，在步驟a的第二替代變型中，在兩個層級見、他上，第一階段a7用于形成包括至少一蝕刻貫通的第一圖案105的第一晶片102，第二階段a8用于形成包括至少一蝕刻未貫通的第二圖案107的第二晶片104。在最后階段a9中，根據(jù)第二替代變型的步驟a以粘結(jié)第一晶片102和第二晶片104結(jié)束，以形成在至少兩個層級N^N2上包括凹腔103的基底101，該凹腔103分別由第一圖案105和第二圖案107構(gòu)成。優(yōu)選地，粘結(jié)階段a9通過熔融粘結(jié)實(shí)現(xiàn)并形成層 108。
[0059]在步驟a的兩種替代變型之一之后，第一實(shí)施例繼續(xù)進(jìn)行步驟b，其中，用合成的碳同素異形體基材料層15、17覆蓋基底1、101的凹腔3、103，該材料層的厚度的比所述腔3、103的所述至少兩個層級N1、N2、Nx中每一個的深度小。
[0060]有利地，根據(jù)本發(fā)明，根據(jù)合成的碳同素異形體基材料層15、17所需的幾何復(fù)雜性，步驟b也可以有兩種替代變型。
[0061]在圖3的左側(cè)部分所示的第二步驟b的第一替代變型中，第一階段bl用于在基底I的一部分上形成犧牲層11。應(yīng)理解，基底I因此具有未覆蓋的區(qū)域12。優(yōu)選地，通過使用正性或負(fù)性光敏樹脂的光刻執(zhí)行步驟bl。在一種變型中，可以通過沉積一定厚度的材料來實(shí)現(xiàn)絲網(wǎng)印刷或移印，用于形成具有特定圖案的犧牲層。
[0062]如圖4所示，第二步驟b的第一替代變型繼續(xù)進(jìn)行第二階段b2，該第二階段在基底I上沉積顆粒13，用于形成后續(xù)沉積的核點(diǎn)。優(yōu)選地，第二階段b2包括使用含有所述顆粒的膠狀溶液覆蓋基底I的初始進(jìn)程。因此可以通過將基底I至少部分地浸入溶液中獲得該涂層，在該溶液中有目的地使顆粒在溶劑中移動，以在溶液中獲得最可能均勻的分布。舉例來說，顆粒在溶劑中的移動可通過超聲攪拌實(shí)現(xiàn)。最后，溶劑可由醇類或水組成，但并不限于此。
[0063]顆粒13用作核點(diǎn)。在這方面，顆粒可以是相對于后續(xù)沉積的材料來說的雜質(zhì)，或者它們可具有與后續(xù)沉積的材料相同的性質(zhì)。優(yōu)選地，顆粒的直徑在幾納米和幾十納米之間。
[0064]階段b2繼續(xù)進(jìn)行第二進(jìn)程，該第二進(jìn)程用于從溶液中去除溶劑以在基底I上形成顆粒13。該第二進(jìn)程可通過例如蒸發(fā)溶劑獲得。
[0065]第二階段b2接下來是圖5所示的第三階段b3，該第三階段從基底I移走犧牲層11，以選擇性地使基底I的一部分沒有任何顆粒13。因此，顯然，包括顆粒13的部分是沒有犧牲層11的區(qū)域。以非限制性的方式舉例來說，階段b3可通過溶解犧牲層11或選擇性化學(xué)蝕刻犧牲層11獲得。
[0066]第二步驟b的第一替代變型的第四階段b4用于通過化學(xué)氣相沉積來沉積材料15，以使其只在顆粒13保留的地方沉積。在步驟b的最后，如圖6所示，獲得了直接形成有材料5的所希望的部分層的基底I。應(yīng)理解，第二步驟b的第一替代變型因此允許形成局部被穿透的微機(jī)械部件。
[0067]在圖5的右側(cè)部分所示的第二步驟b的第二替代變型中，階段b6被限制成無選擇性地(即，在整個上表面上)化學(xué)氣相沉積材料。在這方面，可以實(shí)施圖3的右側(cè)部分所示的較早的階段b5(與第一替代變型的bl類似)和圖6的右側(cè)部分所示的后續(xù)階段b7(與第一替代變型的階段b3類似)，以便限制層17尤其是在基底I的上表面上的出現(xiàn)。在步驟b的最后，如圖6所示，獲得了直接形成有材料17的所希望的層的基底I。應(yīng)理解，第二步驟b的第二替代變型因此允許形成在微機(jī)械部件的外表面上沒有開口的微機(jī)械部件。
[0068]無論第二步驟b使用哪一種替代變型，如圖7所示，根據(jù)本發(fā)明的方法都可以包括可選的第三步驟d。步驟d用于去除基底I的覆蓋有層15、17的一部分，以便使包含在凹腔3中的層15、17具有至少兩個層級的厚度。優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明，從基底I上去除比層15、17的厚度61大的厚度62，如圖7所示。因此，應(yīng)理解，除了在基底I的至少兩個層級上的腔3中，層15、17肯定不再存在了。
[0069]另外，還能看出，步驟d可以與階段bl、b5和b3、b7等同，以將層15、17限制在腔3中。實(shí)際上，可以簡單地通過在排除腔3的整個基底I上形成犧牲層11獲得相同的結(jié)果。
[0070]在第一實(shí)施例的最后步驟c中，該方法在于移走基底I，以釋放至少部分地在腔3中形成的具有多個功能層級F1、F2、Fx的微機(jī)械部件。因此，在基底I由娃制成的上述示例中，步驟d可包括選擇性蝕刻硅。例如，這可通過使用包括四甲基氫氧化銨(以縮寫TMAH和TMAOH已知)的浴的化學(xué)蝕刻獲得。在一個變型中，也可考慮氫氧化鉀化學(xué)蝕刻(由縮寫KOH已知)。
[0071]在圖8所示的兩個示例中，獲得了只由層15、17形成的微機(jī)械部件，該部件的幾何結(jié)構(gòu)與腔3至少部分(S卩，完全或部分)匹配。有利地，外表面一一即，直接與基底I接觸的表面一一具有非常低的粗糙度，即，可與基底I的粗糙度相當(dāng)，并且該外表面優(yōu)選用作機(jī)械接觸表面。
[0072]最后，對于高度Θ3在20μηι和ΙΟΟΟμηι之間的具有兩個層級的微機(jī)械部件，沉積厚度ei只為0.2μπι至20μπι的層15、17。因此，由于縮短了沉積步驟b的時間，因此顯然節(jié)約了材料成本和生產(chǎn)成本。
[0073]因此，不管微機(jī)械部件如何復(fù)雜，該方法實(shí)施起來不會更加困難。舉例來說，在腔3的壁上形成齒圈不會增加困難度，所述齒圈將在微機(jī)械部件上形成匹配的齒圈。
[0074]通過應(yīng)用第二步驟b的第一替代變型的非限制性示例，可以獲得如圖9所示的微機(jī)械部件21。微機(jī)械部件21包括第一功能層級F1，該第一功能層級F1由第一基本上鐵餅狀的盤23形成，該盤23的中心包括與第二功能層級^連通的孔22。此外，轂24與孔22同軸地從第一功能層SF1延伸，該轂24將多個臂25連接到輪輞26上。齒圈27從輪輞的周邊垂直地伸出來。因此，圖9示出了板23——即，轂24、臂25、輪輞26和齒圈27——的厚度由在該方法的步驟b中沉積的層15的厚度ei形成。
[0075]另外，微機(jī)械部件21包括第二功能層級F2,該第二功能層SF2由第二基本上鐵餅狀的盤33構(gòu)成，該盤33的中心包括與心軸配合工作的孔32。此外，轂34與孔32同軸地從第二功能層級F2延伸，齒圈37從該轂34的周邊垂直地伸出來，該齒圈37連接第一功能層級F1的轂
24。因此，圖9不出了板33 即，穀34和齒圈37 的厚度由在該方法的步驟b中沉積的層15的厚度ei形成。
[0076]有利地，根據(jù)本發(fā)明，通過只沉積用于最終涂層所需要的材料量而不需要