專利名稱：金屬沉積的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及載流設(shè)備和組件的領(lǐng)域。具體而言，本發(fā)明涉及適應(yīng)電壓可切換介電材料的載流設(shè)備。
背景技術(shù)：
載流結(jié)構(gòu)一般通過(guò)對(duì)基板進(jìn)行一系列制造步驟構(gòu)建而成。這些載流結(jié)構(gòu)的示例包括印刷電路板、印刷線路板、背板、以及其他微電子類型的電路。該基板通常是剛性絕緣材料，諸如環(huán)氧浸潰玻璃纖維疊層板。諸如銅之類的導(dǎo)電材料被圖案化為限定包括接地和電源平面的導(dǎo)體。

一些現(xiàn)有技術(shù)的載流設(shè)備通過(guò)在基板上將導(dǎo)電材料分層制造而成。在導(dǎo)電層上沉積、曝光并顯影掩模層。所得圖案曝光其中要從基板去除導(dǎo)電材料的所選區(qū)域。通過(guò)蝕刻從所選區(qū)域去除導(dǎo)電層。隨后去除掩模層，從而將導(dǎo)電材料的經(jīng)圖案化的層留在基板的表面上。在其他現(xiàn)有技術(shù)的工藝中，無(wú)電工藝用于在基板上沉積導(dǎo)線和焊盤。鍍覆電鍍液以使導(dǎo)電材料能夠在基板的所選部分上粘附到基板，從而形成導(dǎo)線和焊盤的圖案。為了使有限覆蓋區(qū)中的可用電路最大化，基板設(shè)備有時(shí)采用多個(gè)基板、或者使用一個(gè)基板的兩個(gè)表面來(lái)包括組件和電路。任一情況下的結(jié)果都是一個(gè)設(shè)備中的多個(gè)基板表面需要互連以建立不同基板表面上的組件之間的電通信。在一些設(shè)備中，設(shè)置有導(dǎo)電分層的套管或通路(via)延伸通過(guò)基板以使多個(gè)表面連接。在多基板設(shè)備中，這些通路延伸通過(guò)至少一個(gè)基板以使該基板的一個(gè)表面互連到另一基板的表面。以此方式，在相同基板的兩個(gè)表面上、或不同基板的表面上的電組件和電路之間建立電鏈路。在一些工藝中，通路表面通過(guò)首先沉積導(dǎo)電材料的籽晶層、之后是電解工藝來(lái)鍍覆。在其他工藝中，粘合劑用于將導(dǎo)電材料附著到通路表面。在這些設(shè)備中，通路和導(dǎo)電材料之間的接合在本質(zhì)上是機(jī)械的。以下稱為電壓可切換介電材料的特定材料已在現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)備中用來(lái)提供過(guò)電壓保護(hù)。由于其電阻性質(zhì)，這些材料用于從例如雷電、靜電放電、或功率浪涌耗散電壓浪涌。因此，在諸如印刷電路板之類的一些設(shè)備中包括電壓可切換介電材料。在這些設(shè)備中，電壓可切換介電材料插在導(dǎo)電元件和基板之間來(lái)提供過(guò)電壓保護(hù)。概述各個(gè)實(shí)施例包括一種用于構(gòu)建載流結(jié)構(gòu)(current-carrying formation)的方法。若干實(shí)施例致力于在電壓可切換介電材料(VSDM)上或用其來(lái)構(gòu)建結(jié)構(gòu)。VSDM可包括特性電壓，其幅值限定在其以下VSDM基本電絕緣、而在其以上VSDM基本導(dǎo)電的閾值。一種方法可包括設(shè)置導(dǎo)電背板；在導(dǎo)電背板的至少一部分上形成VSDM層；以及在電壓可切換介電材料的至少一部分上沉積導(dǎo)電材料。導(dǎo)電背板可包括金屬、導(dǎo)電化合物、聚合物和/或其他材料。在一些情況下，導(dǎo)電背板可包括基板。在特定實(shí)施例中，導(dǎo)電背板也可用作基板。在一些情況下，基板可在沉積之后去除。 沉積可包括電化學(xué)沉積，并且可包括產(chǎn)生比與VDSM相關(guān)聯(lián)的特性電壓大的一電壓，從而導(dǎo)致電流流動(dòng)、以及導(dǎo)致沉積和/或蝕刻發(fā)生。在特定實(shí)施例中，封裝(例如，聚合物)可附著到VSDM和/或相關(guān)聯(lián)的載流結(jié)構(gòu)。在一些情況下，組件(例如，基板)可在附著封裝之后去除?？赏ㄟ^(guò)設(shè)置在期望其可分離性的兩種材料之間的減聚層來(lái)便于去除。在一些實(shí)施例中，一種方法包括設(shè)置VSDM ;在VSDM的至少一部分上沉積中間層；以及在中間層的至少一部分上沉積材料。中間層可改進(jìn)粘性、機(jī)械性質(zhì)、電性質(zhì)等。中間層可供受控釋放或減聚之用。中間層可包括擴(kuò)散阻擋層。在一些情況下，中間層設(shè)置在VSDM上，并且附加材料(例如，聚合物和/或電導(dǎo)體)沉積在中間層的至少一部分上。絕緣材料(例如，聚合物)可沉積在中間層上。導(dǎo)體可沉積在中間層上。中間層可使用電接枝(electrografting)來(lái)形成。
在一些實(shí)施例中，一種方法包括設(shè)置具有VSDM的基板；以及在VSDM的至少一部分上沉積載流材料。封裝可附著到VSDM的至少一部分和/或載流結(jié)構(gòu)的至少一部分。封裝可包括聚合物。封裝和/或VSDM可包括可填充的一個(gè)或多個(gè)通路。特定實(shí)施例包括穿過(guò)封裝的多個(gè)電連接。在一些實(shí)施例中，一種方法包括向VSDM的表面施加接觸掩模。接觸掩?？扇コ馗街?，從而其密封VSDM的第一部分或以其他方式阻止該第一部分沉積，并且曝光VSDM的第二部分用于沉積材料(例如，載流結(jié)構(gòu))。接觸掩?？砂ń佑|VSDM的表面、并且劃界或限定一個(gè)或多個(gè)部分的絕緣腳。接觸掩模還可包括通常通過(guò)絕緣腳與該表面分離開(kāi)的電極。在一些實(shí)施例中，可將VSDM和接觸掩模的夾層(sandwich)浸入(或以其他方式暴露給)提供與要沉積的期望材料相關(guān)聯(lián)的離子源的溶液中。可產(chǎn)生比VSDM的特性電壓大的一電壓，這導(dǎo)致期望材料沉積在VSDM的露出部分中或沉積在該露出部分上。在一些實(shí)施例中，通?？墒褂醚谀Ｒ詮腣SDM的特定區(qū)域去除導(dǎo)體的方式蝕刻沉積在VSDM上的導(dǎo)體。根據(jù)特定實(shí)施例，未蝕刻的區(qū)域可形成載流結(jié)構(gòu)。VSDM可包括具有不同特性電壓的區(qū)域。特定實(shí)施例包括具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的VSDM。第一區(qū)域可具有第一特性電壓，而第二區(qū)域可具有第二特性電壓。根據(jù)不同的處理?xiàng)l件，材料可沉積在第一區(qū)域和第二區(qū)域中的任一個(gè)、或者兩個(gè)區(qū)域上。在一些情況下，在兩個(gè)區(qū)域上沉積之后可以是從一個(gè)區(qū)域而非另一區(qū)域優(yōu)選蝕刻所沉積的材料。在一些實(shí)施例中，載流結(jié)構(gòu)在彼此獨(dú)立的不同區(qū)域上形成。本文中所述的任何結(jié)構(gòu)限制可與所提供的另一結(jié)構(gòu)限制結(jié)合，只要它們并不相互排斥。本文中所述的任何步驟可與所提供的另一步驟結(jié)合，只要它們并不相互排斥。附圖簡(jiǎn)述圖I示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的包括電壓可切換介電材料的單面基板設(shè)備。圖2示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的電壓可切換介電材料的電阻特性。圖3A-3F示出用于形成圖I的設(shè)備的流程工藝。圖3A示出用于形成電壓可切換介電材料的基板的步驟。圖3B示出在基板上沉積非導(dǎo)電層的步驟。
圖3C示出在基板上圖案化非導(dǎo)電層的步驟。圖3D示出使用非導(dǎo)電層的圖案形成導(dǎo)電層的步驟。圖3E示出從基板去除非導(dǎo)電層的步驟。圖3F示出在基板上拋光導(dǎo)電層的步驟。
圖4詳細(xì)地示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于在由電壓可切換介電材料構(gòu)成的基板上電鍍載流結(jié)構(gòu)的工藝。圖5示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的由電壓可切換介電材料構(gòu)成且包括互連基板兩側(cè)面上的載流結(jié)構(gòu)的通路的雙面基板設(shè)備。圖6示出用于形成圖5的設(shè)備的流程工藝。圖7示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的包括由電壓可切換介電材料構(gòu)成的基板的多
層基板設(shè)備。圖8示出用于形成圖7的多基板設(shè)備的工藝。圖9示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的脈沖鍍覆工藝的示例性波形。

圖10示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的反向脈沖鍍覆工藝的示例性波形。圖11示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的連接器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的區(qū)段，該區(qū)段具有露出的引腳插座。圖12示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的圖11的區(qū)段的其上設(shè)置有掩模的部分的立體圖。圖13示出與中間層相關(guān)聯(lián)的特定實(shí)施例。圖14示出結(jié)合導(dǎo)電背板的示例性方法和結(jié)構(gòu)。圖15是根據(jù)一些實(shí)施例的附著封裝的示意圖。圖16A和16B (分別)示出根據(jù)特定實(shí)施例的可去除接觸掩模的截面圖和立體圖。圖17示出根據(jù)特定實(shí)施例的用以形成載流結(jié)構(gòu)的載流材料沉積。圖18示出根據(jù)特定實(shí)施例的使用蝕刻工藝構(gòu)建的載流結(jié)構(gòu)。圖19示出根據(jù)特定實(shí)施例的具有不同特性電壓的區(qū)域的電壓可切換介電材料(VSDM) 1910。圖20A-C示出根據(jù)特定實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)載流結(jié)構(gòu)的沉積。詳細(xì)描述本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例使用一類材料(在本文中稱為電壓可切換介電材料)在結(jié)構(gòu)或基板上顯影載流元件。電壓可切換介電材料的電阻率可通過(guò)所施加的電壓在非導(dǎo)電狀態(tài)和導(dǎo)電狀態(tài)之間變化。本發(fā)明的方法通過(guò)向可切換介電材料施加一電壓、并且隨后對(duì)基板或結(jié)構(gòu)進(jìn)行電化學(xué)工藝處理來(lái)使基板或結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)為導(dǎo)電。該工藝使載流材料在基板上形成。載流材料可沉積在基板的所選區(qū)域上以形成經(jīng)圖案化的載流層。隨后去除所施加的電壓，從而基板或結(jié)構(gòu)在載流層已被圖案化之后返回到非導(dǎo)電狀態(tài)。如將進(jìn)一步描述的，本發(fā)明的實(shí)施例提供優(yōu)于具有載流結(jié)構(gòu)的先前設(shè)備的顯著優(yōu)點(diǎn)。在其他優(yōu)點(diǎn)中，可用較少的步驟將載流材料圖案化到基板上，由此避免昂貴且耗時(shí)的步驟，諸如蝕刻和無(wú)電工藝。電壓可切換介電材料也可用于具有包含電組件和電路的兩個(gè)或更多個(gè)基板表面的雙面基板設(shè)備和多基板設(shè)備。由電壓可切換介電材料構(gòu)成的基板中的通路可互連不同基板表面上的電組件和電路。通路可包括出于電互連兩個(gè)或更多個(gè)基板表面的目的可設(shè)置有導(dǎo)電層的基板或設(shè)備的任何開(kāi)口。通路包括可設(shè)置有導(dǎo)電層來(lái)互連不同基板表面上的電組件和電路的空隙、開(kāi)口、溝道、溝槽、以及套管。根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例，可在相對(duì)簡(jiǎn)單的電化學(xué)工藝期間完成鍍覆通路。例如，可使用電解工藝來(lái)鍍覆電壓可切換介電材料中的通路。還可在用于圖案化基板表面或設(shè)備的各表面上的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電層的電解工藝期間并發(fā)形成這些通路。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，載流結(jié)構(gòu)由電壓可切換介電材料形成。載流結(jié)構(gòu)可在基板表面的一個(gè)或多個(gè)所選區(qū)段上形成。如在本文中所使用的，“載流”是指響應(yīng)于所施加電壓載流的能力。載流材料的示例包括磁性和導(dǎo)電材料。如在本文中所使用的，“形成”包括使得載流結(jié)構(gòu)通過(guò)其中在存在向基板施加的電流時(shí)沉積載流材料的工藝來(lái)形成。因此，載流材料可通過(guò)諸如電鍍、等離子體沉積、氣相沉積、靜電工藝、或其混合之類的工藝電沉積到基板的表面上。其他工藝也可用于在存在電流時(shí)形成載流結(jié)構(gòu)。可增量地形成載流結(jié)構(gòu)，從而載流結(jié)構(gòu)的厚度可通過(guò)將類似材料沉積到基板的所選區(qū)段上來(lái)逐漸形成。 在載流結(jié)構(gòu)和基板之間形成電鍵合(electrobonding)界面。電鍵合界面包括載流結(jié)構(gòu)和基板之間的電鍵的界面層。電鍵是在基板的分子和電沉積到基板上的載流材料的分子之間形成的鍵。電鍵在沉積附加載流材料以形成載流結(jié)構(gòu)的基板的區(qū)域中形成。由于電鍵在分子之間形成，因此電鍵排除因載流材料的分子可機(jī)械地或以其他方式附加到表面的無(wú)電工藝而形成的鍵。電鍵排除在包括例如使用粘合劑以及其他類型的機(jī)械或化學(xué)鍵將導(dǎo)電材料播種到基板上的工藝中形成的鍵?？呻姵练e載流材料以形成電鍵的工藝的示例包括電鍍、等離子體沉積、氣相沉積、靜電工藝、及其混合。非導(dǎo)電層可被圖案化到基板的表面上以限定該基板的所選區(qū)段。然后，基板進(jìn)行電化學(xué)工藝處理以在基板的所選區(qū)域上增量地形成載流結(jié)構(gòu)。非導(dǎo)電層可包括一旦在基板的所選區(qū)域上形成載流結(jié)構(gòu)就去除的抗蝕劑層。非導(dǎo)電層還可由經(jīng)篩選的抗蝕劑圖案構(gòu)成，該經(jīng)篩選的抗蝕劑圖案可以是持久的、或者可從基板去除。電壓可切換介電材料是直至施加超過(guò)特性閾值電壓值的電壓才導(dǎo)電的材料。在該特性閾值電壓值以上該材料變成導(dǎo)電。因此，電壓可切換介電材料可在非導(dǎo)電狀態(tài)和導(dǎo)電狀態(tài)之間切換。電化學(xué)工藝包括其中在電壓可切換介電材料處于導(dǎo)電狀態(tài)時(shí)導(dǎo)電元件接合到電壓可切換介電材料的工藝。電化學(xué)工藝的示例是電解工藝。在一個(gè)實(shí)施例中，電極與另一材料一起浸入流體中。在電極和該另一材料之間施加一電壓，以使離子從該電極轉(zhuǎn)移并在另一材料上形成。在一個(gè)實(shí)施例中，設(shè)備包括由電壓可切換介電材料形成的單面基板。非導(dǎo)電層被圖案化到基板上以限定基板表面上的區(qū)域。優(yōu)選地，當(dāng)電壓可切換介電材料處于導(dǎo)電狀態(tài)時(shí)，基板進(jìn)行電解工藝處理。電解工藝導(dǎo)致導(dǎo)電材料在非導(dǎo)電層的圖案所限定的區(qū)域中增量地形成在基板上。本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，可對(duì)相對(duì)于先前基板設(shè)備具有減小厚度的結(jié)構(gòu)來(lái)構(gòu)建載流結(jié)構(gòu)。同樣，可在不使用現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)一些構(gòu)建步驟(諸如舉例而言，蝕刻步驟、或者掩模、成像、以及顯影抗蝕劑層的多個(gè)步驟)的情況下形成經(jīng)圖案化的載流結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，雙面基板被形成為包括電連接在基板兩側(cè)面上的組件的通路。經(jīng)圖案化的載流層在基板的每一側(cè)面上形成。一個(gè)或多個(gè)通路延伸通過(guò)基板。基板可在處于導(dǎo)電狀態(tài)時(shí)經(jīng)受一個(gè)或多個(gè)電化學(xué)工藝，從而導(dǎo)致載流材料在基板的所選區(qū)段上(包括在限定通路的表面上)形成?；宓乃x區(qū)段可由在先前步驟中被圖案化的非導(dǎo)電層限定。在板等向通路的表面提供導(dǎo)電層的先前工藝中存在若干缺點(diǎn)。在通路的表面上沉積籽晶層、并且隨后對(duì)這些表面進(jìn)行電鍍工藝處理的先前工藝中，鍍覆材料只接合到包括該籽晶層的粒子。播種導(dǎo)電粒子由于需要附加的制造步驟而可能出問(wèn)題且是昂貴的。此外，粒子沿限定通路的表面的連續(xù)性和散布通常是不完全的。由此，存在通路表面鍍層的連續(xù)性在一些接合點(diǎn)斷開(kāi)的重大風(fēng)險(xiǎn)。其他先前工藝使用粘合劑在表面之間、或者在通路表面中的粒子和導(dǎo)電材料之間形成機(jī)械接合。與在基板的表面上形成的電化學(xué)鍵相比，機(jī)械接合相對(duì)較弱。在通路表面和導(dǎo)電材料之間形成的接合的機(jī)械性質(zhì)使得設(shè)備易發(fā)生故障。對(duì)于先前設(shè)備情況下的復(fù)雜問(wèn)題，失效的鍍覆通路對(duì)整個(gè)基板設(shè)備是有害的。
通常，通路只在基板表面上基板設(shè)置有導(dǎo)電元件之后鍍覆。直至組裝該設(shè)備中的 至少部分或全部基板，才可能注意到或引起鍍覆通路中的失效。如果鍍覆通路失敗，則在所組裝的設(shè)備中重新鍍覆該通路是不可行的。通常，必須丟棄整個(gè)設(shè)備。由此，具有若干通路和基板的設(shè)備中有一個(gè)失效通路足以導(dǎo)致整個(gè)(包括所有構(gòu)建其中的基板)設(shè)備被丟棄。在本實(shí)施例的其他優(yōu)點(diǎn)中，避免了用于在限定通路的表面上形成載流結(jié)構(gòu)的有問(wèn)題方法。根據(jù)需要表面改性變成導(dǎo)電的現(xiàn)有技術(shù)方法，需要附加材料來(lái)制備與導(dǎo)電材料接合的通路，因?yàn)榉駝t通路的表面在沒(méi)有這些材料的情況下不導(dǎo)電。由此，在本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例中不需要附加材料，因?yàn)榭墒沟眯纬苫宓碾妷嚎汕袚Q介電材料在電鍍工藝期間導(dǎo)電。由此，在通路的表面與載流材料之間形成的接合是在電化學(xué)工藝期間形成的電吸引鍵。該鍵(在本文中稱為電化學(xué)鍵)強(qiáng)于通過(guò)播種的粒子或粘合劑形成的接合。此外，通路的表面是電壓可切換介電材料的均勻表面。由此，確保整個(gè)通路的電連續(xù)性。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，多基板設(shè)備包括各自由電壓可切換介電材料形成的兩個(gè)或更多個(gè)基板。每一基板可進(jìn)行電化學(xué)工藝處理以形成導(dǎo)電層。每一導(dǎo)電層的圖案通過(guò)圖案化非導(dǎo)電層以限定載流結(jié)構(gòu)的圖案來(lái)預(yù)先確定。一個(gè)或多個(gè)通路可用于電連接一個(gè)或多個(gè)基板上的載流結(jié)構(gòu)。每一通路可在相應(yīng)基板進(jìn)行電化學(xué)工藝處理時(shí)形成。在本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例所提供的其他優(yōu)點(diǎn)中，多基板設(shè)備利用電壓可切換介電材料的導(dǎo)電狀態(tài)來(lái)鍍覆互連不同基板表面的通路。因此，可在電解工藝期間在通路上形成載流材料，而不必在限定這些通路的區(qū)域中更改基板。在通路中形成的所得載流層顯著地減少通路會(huì)無(wú)法建立基板之間的電接觸的風(fēng)險(xiǎn)。相反，現(xiàn)有技術(shù)的多基板設(shè)備受到偶爾失效的通路的困擾，這通常導(dǎo)致必須丟棄整個(gè)多基板設(shè)備。提供給本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例的另一優(yōu)點(diǎn)是，包括由電壓可切換介電材料構(gòu)成的基板在整體上還向該設(shè)備提供電壓調(diào)節(jié)保護(hù)。存在本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例的許多應(yīng)用?？刹捎帽景l(fā)明的各個(gè)實(shí)施例，以供舉例而言諸如PCB、表面安裝組件、引腳連接器、智能卡、以及磁性分層材料的基板設(shè)備使用。A.單基板設(shè)備圖I是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的結(jié)合電壓可切換介電材料的設(shè)備的截面圖。在本實(shí)施例中，電壓可切換介電材料用于形成該設(shè)備的基板10。電壓可切換介電材料是不導(dǎo)電的，但是如先前注意的，可通過(guò)施加幅值超過(guò)該材料的特性電壓的一電壓來(lái)切換到導(dǎo)電狀態(tài)。已開(kāi)發(fā)了許多示例的電壓可切換介電材料，包括以下參考圖2所描述的示例。使用載流基板的應(yīng)用包括例如印刷電路板(PCB)、印刷線路板、半導(dǎo)體晶片、柔性電路板、背板、以及集成電路設(shè)備。集成電路的具體應(yīng)用包括具有計(jì)算機(jī)處理器、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)設(shè)備、內(nèi)孔式板、以及PCB的設(shè)備?；?0中的電壓可切換介電材料允許構(gòu)建經(jīng)圖案化的載流結(jié)構(gòu)30。載流結(jié)構(gòu)30是根據(jù)預(yù)定圖案形成到基板10上的各個(gè)載流元件35的組合。載流結(jié)構(gòu)30包括導(dǎo)電材料。載流結(jié)構(gòu)30由在電壓可切換介電材料通過(guò)所施加電壓呈現(xiàn)為導(dǎo)電的電化學(xué)工藝期間沉積在基板10上的前體形成(參見(jiàn)圖2)。在一個(gè)實(shí)施例中，這些前體是從電極沉積到溶液中的離子。當(dāng)電壓可切換介電材料維持在導(dǎo)電狀態(tài)中時(shí)，基板10暴露給該溶液。這些前體根據(jù)預(yù)定圖案選擇性地沉積在基板10上。預(yù)定圖案通過(guò)圖案化諸如抗蝕劑層之類的非導(dǎo)電層20來(lái)形成(參見(jiàn)圖3B-3D)。當(dāng)電壓可切換介電材料處于導(dǎo)電狀態(tài)時(shí)，前體只沉積在基板10的露出區(qū)域上。導(dǎo)電狀態(tài)中的電壓可切換介電材料可形成與基板10的露出區(qū)段中的前體的電化學(xué)鍵。在一個(gè)實(shí)施例中，非導(dǎo)電層20 (圖3B-3D)由沉積在基板10上的抗蝕劑層構(gòu)成。如所公知的，隨后掩模并曝光抗蝕劑層以產(chǎn)生該圖案。圖2示出作為所施加電壓的函數(shù)的電壓可切換介電材料的電阻性質(zhì)?？捎糜谛纬苫宓碾妷嚎汕袚Q介電材料具有針對(duì)材料配方的類型、濃度、以及粒子間隔專有的特性電壓值(Vc)?？上螂妷嚎汕袚Q介電材料施加一電壓(Va)以更改該材料的電阻性質(zhì)。如果Va幅值的范圍在0和Vc之間，則電壓可切換介電材料具有高電阻，并且因此不導(dǎo)電。如果Va的幅值超過(guò)Vc，則電壓可切換介電材料轉(zhuǎn)換成其導(dǎo)電的低電阻狀態(tài)。如圖2所示，基板的電阻優(yōu)選從高急劇地切換到低，從而狀態(tài)之間的轉(zhuǎn)換是迅速的。在一個(gè)實(shí)施例中，Vc的范圍在I和100伏特之間，以使電壓可切換介電材料呈現(xiàn)為導(dǎo)電。優(yōu)選地，通過(guò)使用以下所列出的電壓可切換介電材料的組分之一，Vc在5和50伏特之間。在一些實(shí)施例中，電壓可切換介電材料被形成為具有一厚度，使得該材料在以場(chǎng)表征的電壓(例如，某厚度材料兩端的電壓)下從絕緣狀態(tài)切換到導(dǎo)電狀態(tài)。在一些實(shí)施例中，切換場(chǎng)可在10和1000伏特/密爾(volt/mil)之間。在一些實(shí)施例中，切換場(chǎng)可在50和300伏特/密爾之間。在一個(gè)實(shí)施例中，電壓可切換材料由包括散布在包括非導(dǎo)電接合材料和接合劑的層中的導(dǎo)電粒子、絲、或粉末的混合物構(gòu)成。導(dǎo)電材料可包括最大比例的該混合物。具有不導(dǎo)電性質(zhì)直至施加閾值電壓的其他配方也旨在包括在內(nèi)，作為根據(jù)本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例的電壓可切換介電材料。電壓可切換介電材料的具體示例通過(guò)由35%的聚合物接合劑、0. 5%的交聯(lián)劑、以及64. 5%的導(dǎo)電粉末構(gòu)成的材料來(lái)提供。聚合物接合劑包括Silastic 35U硅酮橡膠，交聯(lián) 劑包括Varox過(guò)氧化物，而導(dǎo)電粉末包括具有10微米平均粒子大小的鎳。電壓可切換材料的另一配方包括35%的聚合物接合劑、I. 0%的交聯(lián)劑、以及64. 0%的導(dǎo)電粉末，其中聚合物接合劑、交聯(lián)劑、以及導(dǎo)電粉末如上所述。在電壓可切換介電材料中使用的導(dǎo)電粒子、粉末、或絲的其他示例可包括鋁、鈹、鐵、銀、鉬、鉛、錫、青銅、黃銅、銅、鉍、鈷、鎂、鑰、鈀、碳化鉭、碳化硼、以及可散布在諸如接合劑之類的材料內(nèi)的本領(lǐng)域中已知的其他導(dǎo)電材料。非導(dǎo)電接合材料可包括有機(jī)聚合物、陶瓷、耐熔材料、蠟、油和玻璃、以及能夠?qū)崿F(xiàn)粒子間間隔或粒子懸浮的本領(lǐng)域中已知的其他材料。電壓可切換介電材料的示例在諸如美國(guó)專利No. 4，977，357、美國(guó)專利No. 5，068，634、美國(guó)專利 No. 5，099，380、美國(guó)專利 No. 5，142，263、美國(guó)專利 No. 5，189，387、美國(guó)專利 No. 5，248，517、美國(guó)專利 No. 5，807，509、WO 96/02924、以及 WO 97/26665 之類的參考文獻(xiàn)中提供，所有參考文獻(xiàn)通過(guò)引用結(jié)合于此。本發(fā)明旨在涵蓋對(duì)以上或以下所列出的任一參考文獻(xiàn)的修改、派生、以及更改。電壓可切換介電材料的另一示例在通過(guò)引用結(jié)合于此的美國(guó)專利No. 3，685，026中提供，其公開(kāi)了設(shè)置在樹(shù)脂材料中的微細(xì)導(dǎo)電粒子。電壓可切換介電材料的又一示例在通過(guò)引用結(jié)合于此的美國(guó)專利No. 4，726，991中提供，其公開(kāi)了單獨(dú)導(dǎo)電材料粒子和涂敷有絕緣材料的單獨(dú)半導(dǎo)體材料粒子的矩陣。其他參考文獻(xiàn)先前已將電壓可切換介電材料結(jié)合到諸如在美國(guó)專利No. 5，246，388 (連接器)和美國(guó)專利No. 4，928，199 (電路保護(hù)設(shè)備)中公開(kāi)的現(xiàn)有設(shè)備中，兩個(gè)參考文獻(xiàn)通過(guò)弓I用結(jié)合于此。
圖3A-3F示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于在如圖I所示的基板上形成單層載流結(jié)構(gòu)的流程工藝。流程工藝?yán)酒渲须妷嚎汕袚Q介電材料的電性質(zhì)用于根據(jù)預(yù)定圖案來(lái)顯影載流材料的工藝。在圖3A中，設(shè)置由電壓可切換介電材料形成的基板10?；?0具有特定應(yīng)用所必需的尺寸、形狀、組分和性質(zhì)。電壓可切換介電材料的組分可變化，從而如應(yīng)用所需的基板為剛性或柔性。另外，電壓可切換介電材料可針對(duì)給定應(yīng)用成形。盡管本文中所述的一些實(shí)施例公開(kāi)了基本平坦的基板，但本發(fā)明的其他實(shí)施例可采用被模制或成形為諸如供連接器和半導(dǎo)體組件使用的非平坦基板的電壓可切換介電材料。在圖3B中，在基板10上沉積非導(dǎo)電層20。非導(dǎo)電層20可由光可成像材料(諸如光致抗蝕劑層)形成。優(yōu)選地，非導(dǎo)電層20由干膜抗蝕劑構(gòu)成。圖3C示出在基板140上圖案化非導(dǎo)電層20。在一個(gè)實(shí)施例中，在非導(dǎo)電層20上施加掩模。該掩模用于通過(guò)正性光致抗蝕劑曝光基板10的圖案。所曝光基板10的圖案對(duì)應(yīng)于隨后將在基板10上形成載流元件的圖案。圖3D示出當(dāng)電壓可切換介電材料維持在導(dǎo)電狀態(tài)中時(shí)基板10進(jìn)行電解工藝處理。電解工藝形成包括載流元件35的載流結(jié)構(gòu)30。在一個(gè)實(shí)施例中，電鍍工藝以通過(guò)掩模和曝光光致抗蝕劑而產(chǎn)生的非導(dǎo)電層20中的間隙14將各個(gè)載流元件35沉積在基板10上。用圖4描述如根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例所采用的電解工藝的附加細(xì)節(jié)。在圖3E中，按需從基板10去除非導(dǎo)電層20。在其中非導(dǎo)電層20包括光致抗蝕劑的一個(gè)實(shí)施例中，該光致抗蝕劑可使用諸如氫氧化鉀(KOH)溶液之類的基液從基板10的表面剝落。再者，其他實(shí)施例可采用水來(lái)剝落抗蝕劑層。在圖3F中，可拋光被圖案化到基板10上的所得導(dǎo)電層30。一個(gè)實(shí)施例采用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)手段。圖4詳細(xì)地示出通過(guò)使用電鍍工藝在基板上顯影載流元件。在步驟210中，電鍍工藝包括形成電解溶液。載流元件的組分取決于用于形成電解溶液的電極的組分。因此，根據(jù)諸如成本、電阻、以及熱性質(zhì)之類的因素來(lái)選擇電極的組分。取決于應(yīng)用，例如，該電極可以是金、銀、銅、錫、或鋁?？蓪⒃撾姌O浸入包括例如硫酸鹽鍍液、焦磷酸鹽鍍液、以及碳酸鹽鍍液的溶液中。在步驟220中，在將基板10浸入電解溶液中時(shí)，向基板10施加超過(guò)電壓可切換介電材料的特性電壓的一電壓?；?0切換到諸如圖2所示的導(dǎo)電狀態(tài)。所施加的電壓使得基板10導(dǎo)電，從而導(dǎo)致電解溶液中的前體接合到電壓可切換介電材料。在步驟230中，在基板10通過(guò)非導(dǎo)電層20曝光的區(qū)域中，來(lái)自電解溶液的離子接合到基板10。在一個(gè)實(shí)施例中，阻止離子接合到已曝光并顯影光致抗蝕劑的區(qū)域。因此，在基板10上形成的導(dǎo)電材料的圖案與用于圖案化非導(dǎo)電層20的正性掩模匹配。在一些實(shí)施例中，基板10的露出區(qū)域吸引并接合到離子，因?yàn)樵摶寰S持在有關(guān)電極的電壓，從而基板、電極、以及電解溶液一起構(gòu)成本領(lǐng)域中公知的電解電池。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例所提供的優(yōu)點(diǎn)中，載流元件35在需要比現(xiàn)有技術(shù)工藝少的步驟的工藝中被圖案化到基板10上。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，在不蝕刻的情況下、并且因此還在不沉積用于蝕刻步驟的緩沖層或掩模層的情況下，沉積載流元件35以在基板10上形成電路。另外，本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例允許載流元件35直接在基板10上而不是在籽晶層上形成。這允許載流元件35的垂直厚度相對(duì)于通過(guò)其他工藝形成的類似設(shè)備中的垂直厚度減小。
B.具有雙面基板的設(shè)備特定設(shè)備包括在雙面或更多個(gè)面上采用電組件的基板。當(dāng)使用雙面時(shí)，可保留在單個(gè)基板上的載流元件的數(shù)量增加。由此，當(dāng)需要高密度分布的組件時(shí)，通常使用雙面基板。雙面基板包括例如PCB、印刷線路板、半導(dǎo)體晶片、柔性電路、背板、以及集成電路設(shè)備。在這些設(shè)備中，通路或套管通常用于互連基板的兩個(gè)平坦側(cè)面。通路或套管在基板的每一平坦側(cè)面上的載流元件之間建立電連接。圖5顯示其中設(shè)備包括具有一個(gè)或多個(gè)鍍覆通路350的雙面基板310的一個(gè)實(shí)施例。通路350從基板的第一平坦表面312延伸到基板的第二平坦表面313。第一表面312包括具有多個(gè)載流元件335的載流結(jié)構(gòu)330。第二表面313包括具有多個(gè)載流元件345的載流結(jié)構(gòu)340。在基板310的相應(yīng)側(cè)面312、313上通過(guò)電化學(xué)工藝構(gòu)建載流結(jié)構(gòu)330、340。在一個(gè)實(shí)施例中，電解工藝用于形成前體溶液，這些前體在電壓可切換介電材料處于導(dǎo)電狀態(tài)時(shí)沉積在基板的相應(yīng)第一表面或第二表面上。根據(jù)在相應(yīng)的第一表面或第二表面312、313上預(yù)先存在的非導(dǎo)電層的圖案，這些前體沉積在基板310上。在一個(gè)實(shí)施例中，通路350在基板310進(jìn)行電解工藝處理之前在該基板中形成?；?10的每一側(cè)面312、313包括經(jīng)圖案化的非導(dǎo)電層(未示出)。在一個(gè)實(shí)施例中，經(jīng)圖案化的非導(dǎo)電層是被圖案化以曝光基板310的第一側(cè)面和第二側(cè)面312、313上的所選區(qū)域的光致抗蝕劑層。通路350被放置成通路350的鍍覆表面隨后與第一側(cè)面和第二側(cè)面312、313上的載流元件335、345中的一個(gè)或多個(gè)接觸。在電解工藝期間，在構(gòu)建載流結(jié)構(gòu)330和340時(shí)鍍覆通路350。以此方式，通路350設(shè)置有將電連接從基板310的第一表面312上的載流元件335之一延伸到該基板的第二側(cè)面313上的載流元件345之一的導(dǎo)電套管或側(cè)壁355。圖6顯示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于顯影雙面基板310的流程工藝。在步驟410中，基板310由電壓可切換介電材料形成，并且設(shè)置有期望應(yīng)用所必需的尺寸、形狀、性質(zhì)、以及特性。在步驟420中，在基板310的第一側(cè)面和第二側(cè)面312、313上沉積非導(dǎo)電層320。在步驟430中，在基板310的第一側(cè)面312上圖案化非導(dǎo)電層320。優(yōu)選地，基板310的至少第一側(cè)面312上的非導(dǎo)電材料是使用正性掩模來(lái)圖案化的光可成像材料，諸如光致抗蝕劑。正性掩模允許基板310的所選區(qū)域通過(guò)非導(dǎo)電層320曝光。在步驟440中，在基板310的第二側(cè)面313上圖案化非導(dǎo)電層320。在一個(gè)實(shí)施例中，基板310的第二側(cè)面313上的非導(dǎo)電層320類似地也是隨后掩模并曝光以形成另一圖案的光致抗蝕劑。所得圖案通過(guò)光致抗蝕劑層曝光基板310。在步驟450中，一個(gè)或多個(gè)通路350被形成為穿過(guò)基板310。在基板310的每一側(cè)面312、313上，通路350與基板310的未覆蓋部分相交。通路350由被形成為穿過(guò)基板310的側(cè)壁限定。在步驟460中，基板310進(jìn)行一個(gè)或多個(gè)電解工藝處理以鍍覆第一側(cè)面312、第二側(cè)面313、以及通路350的側(cè)壁。在一個(gè)實(shí)施例中，在步驟460中，在向電壓可切換介電材料施加外部電壓以使基板處于導(dǎo)電狀態(tài)時(shí)基板310進(jìn)行單個(gè)電解工藝處理?；?10的導(dǎo)電狀態(tài)導(dǎo)致電解溶液中的離子在第一表面和第二表面312、313上的未覆蓋區(qū)域中接合到基板310。電解液也移動(dòng)通過(guò)通路350以使離子接合到通路350的側(cè)壁，從而形成延伸通過(guò)通路350的導(dǎo)電套管355。通路350與第一側(cè)面和第二側(cè)面312、313上的載流元件相交以使第一側(cè)面312上的載流結(jié)構(gòu)330與第二側(cè)面313上的載流結(jié)構(gòu)340電連接。 在步驟470中，按需從該基板去除非導(dǎo)電層320。在其中非導(dǎo)電層320包括光致抗蝕劑的一個(gè)實(shí)施例中，可使用諸如KOH溶液之類的基液從基板310的表面剝落該光致抗蝕齊U。在步驟480中，拋光所得載流結(jié)構(gòu)330和/或340。在一個(gè)實(shí)施例中，采用CMP來(lái)拋光載流結(jié)構(gòu)330?？蓪?duì)參考圖5和6所述的實(shí)施例作出若干變體。在一變體中，可在第一表面312上沉積第一非導(dǎo)電層，并且在單獨(dú)的步驟中可在第二表面313上沉積第二非導(dǎo)電層。第一非導(dǎo)電層和第二非導(dǎo)電層可由不同的材料形成，并且可提供除使圖案能夠形成用于鍍覆基板以外的不同功能。例如，第一非導(dǎo)電材料可由干抗蝕劑構(gòu)成，而第二非導(dǎo)電材料可由光可成像絕緣材料構(gòu)成。當(dāng)在第一側(cè)面312上形成載流層之后剝落干抗蝕劑時(shí)，光可成像絕緣材料是持久的，并且保留在第二表面313上。另外，不同的鍍覆工藝可用于鍍覆第一表面312、第二表面313、以及通路350的表面355。例如，基板310的第二表面313可在與第一表面312分開(kāi)的步驟中鍍覆，以允許第一表面和第二表面312、313使用不同的電極和/或電解溶液來(lái)鍍覆。由于本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例減少了形成載流層所必需的步驟，因此在雙面基板310上形成載流層330和340是特別有利的。使用不同的鍍覆工藝有助于不同的材料用于在基板310的相對(duì)側(cè)面上構(gòu)建載流結(jié)構(gòu)。不同類型的載流材料可與切換電解槽以包括不同前體一樣簡(jiǎn)單地設(shè)置。作為一個(gè)示例，諸如PCB之類的設(shè)備的第一側(cè)面旨在暴露給環(huán)境，但是相對(duì)側(cè)面需要高級(jí)導(dǎo)體。在該示例中，可在基板的第一側(cè)面上鍍覆鎳圖案，并且可在基板的第二側(cè)面上鍍覆金圖案。這使PCB能夠在PCB的暴露側(cè)面上具有更耐用的載流材料。任意數(shù)量的通路可被鉆鑿、蝕刻、或以其他方式形成基板。通路可互連包括電組件或電路的載流元件。替換地，通路可用于將基板一側(cè)面上的載流元件接地到可從基板的第二側(cè)面觸及的接地元件。在根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的雙面基板所包括的優(yōu)點(diǎn)中，來(lái)自電極的前體形成與通路350的表面的電化學(xué)鍵。因此，在可中斷基板310的兩側(cè)面之間的電連接的不連續(xù)性的風(fēng)險(xiǎn)最小的情況下安全地鍍覆通路350。C.具有多層基板的設(shè)備
一些設(shè)備可將兩個(gè)或更多個(gè)基板包括在一個(gè)設(shè)備中。層疊基板使該設(shè)備能夠?qū)⒅T如電路和電組件之類的高密度載流元件結(jié)合在有限覆蓋區(qū)內(nèi)。圖7示出多基板設(shè)備700。在所示的實(shí)施例中，設(shè)備700包括第一基板、第二基板、以及第三基板710、810、910。每一基板710-910由電壓可切換介電材料形成。如同先前實(shí)施例的情況，基板710-910在缺乏超過(guò)電壓可切換介電材料的特性電壓的施加電壓時(shí)是不導(dǎo)電的。盡管圖7示出三個(gè)基板的一個(gè)實(shí)施例，但其他實(shí)施例可包括更多或更少的基板。應(yīng)當(dāng)理解，基板還可以除層疊以外的不同配置對(duì)準(zhǔn)，諸如彼此相鄰或彼此正交(orthanormal)。每一基板710、810、910分別設(shè)置有至少一個(gè)載流結(jié)構(gòu)730、830、930。每一載流結(jié)構(gòu)730、830、930分別由多個(gè)載流元件735、835、935構(gòu)成。載流元件735、835、935各自在其相應(yīng)基板710、810、910在處于導(dǎo)電狀態(tài)時(shí)進(jìn)行電化學(xué)工藝處理時(shí)形成。優(yōu)選地，基板710、810,910在形成相應(yīng)載流層735、835、935之后一個(gè)接一個(gè)地安裝。設(shè)備700包括將第一基板710上的載流元件735電連接到第三基板910上的載流 元件935的第一鍍覆通路750。設(shè)備700還包括將第二基板810上的載流元件835電連接到第三基板910上的載流元件935的第二鍍覆通路850。以此方式，設(shè)備700的載流結(jié)構(gòu)730,830,930電互連。設(shè)備700中所示的鍍覆通路750、850的排列只是示例性的，因?yàn)檫€可采用更多或更少的通路。例如，附加通路可用于將載流元件735、835、935之一連接到另一基板上的載流元件中的任何其他一個(gè)。優(yōu)選地，第一鍍覆通路和第二鍍覆通路750、850在分別鍍覆基板710,810,910之前在基板710、810、910中形成。由此，在鍍覆之前，鍍覆通路750、850穿過(guò)基板710、810、910被形成在預(yù)定位置，以按需連接不同基板的載流元件735、835、935。對(duì)于第一鍍覆通路750，在鍍覆任一基板之前，開(kāi)口在基板710、810、910中在預(yù)定位置處形成。同樣，對(duì)于第二鍍覆通路850，在鍍覆基板810、910之前，開(kāi)口在這些基板中在預(yù)定位置處形成。第一鍍覆通路和第二鍍覆通路750和850的預(yù)定位置對(duì)應(yīng)于其中將形成載流材料的相應(yīng)基板表面上的未覆蓋區(qū)域。在后續(xù)電解工藝期間，前體沉積在這些基板的未覆蓋區(qū)域中，以及在每一基板中形成的開(kāi)口內(nèi)以容納通路750、850。為了簡(jiǎn)單起見(jiàn)，將參考第一基板710來(lái)描述設(shè)備700的細(xì)節(jié)。第一基板710包括載流元件735之間的間隙714。在一個(gè)實(shí)施例中，間隙714通過(guò)掩模光致抗蝕劑層、并且隨后在基板710上構(gòu)建載流元件735之后去除剩余光致抗蝕劑來(lái)形成。類似工藝被用于形成第二基板和第三基板810、910。第一基板710安裝在第二基板810的載流結(jié)構(gòu)830上。與第一基板710 —樣，第二基板810直接安裝在第三基板910的載流結(jié)構(gòu)930上。在以上所述的各個(gè)實(shí)施例的變體中，設(shè)備700中的一個(gè)或多個(gè)基板可以是雙面的。例如，第三基板910可以是雙面的，因?yàn)樵谠O(shè)備700底部的第三基板910的位置容易使第三基板能夠結(jié)合雙面構(gòu)造。因此，設(shè)備700可包括比基板多的載流結(jié)構(gòu)，以使組件的密度最大化和/或使該設(shè)備的整個(gè)覆蓋區(qū)最小化。
基板710、810、910的組分、以及用于每一基板的特定載流材料在不同的基板之間可變化。由此，例如，第一基板710的載流結(jié)構(gòu)可由鎳形成，而第二基板810的載流結(jié)構(gòu)830可由金形成。圖8示出用于顯影具有多層基板的設(shè)備(諸如設(shè)備700)的流程工藝，其中兩個(gè)或更多個(gè)基板由電壓可切換介電材料形成。該設(shè)備可由單面和/或雙面基板的組合構(gòu)成。在一個(gè)實(shí)施例中，多基板設(shè)備700包括具有載流結(jié)構(gòu)的分開(kāi)形成的基板。參考設(shè)備700，在步驟610中，第一基板710由電壓可切換介電材料形成。在步驟620中，在第一基板710上沉積第一非導(dǎo)電層。與先前描述的實(shí)施例一樣，第一非導(dǎo)電層可以是例如光可成像材料，諸如光致抗蝕劑層。在步驟630中，圖案化第一非導(dǎo)電層以形成露出基板710的所選區(qū)域。在一個(gè)實(shí)施例中，掩模并且隨后曝光光致抗蝕劑層以形成圖案，從而根據(jù)正性掩模的圖案曝光該基板。在步驟640中，在基板710中形成第一通路750。優(yōu)選通過(guò)蝕刻基板710中的孔來(lái)形成第一通路750。可按需在基板710中形成附加通路。在基板上預(yù)定為所選載流元件735將位于的位置中蝕刻通路750以連接到設(shè)備700中的其他基板的載流元件。在步驟650中，第一基板710進(jìn)行電解工藝處理。電解工藝根據(jù)第一基板710的設(shè)計(jì)要求采用電極和溶液。電解工藝的組件(包括電極和電解溶液的組分)被選擇成提供期望前體，即，形成導(dǎo)電層730的材料。在步驟660中，去除第一基板710上的剩余非導(dǎo)電層。然后，在步驟670中，可優(yōu)選使用CMP來(lái)拋光第一基板710上的載流元件735?！┬纬傻谝换?10，就可在步驟680中形成附加基板810、910以完成多基板設(shè)備700。使用步驟610-670的組合來(lái)形成后續(xù)基板810、910?？扇绺鶕?jù)步驟640和650所述在另一基板中形成諸如第二通路850之類的一個(gè)或多個(gè)附加通路。設(shè)備700可包括如步驟610-680所述、或者如以上針對(duì)雙面基板所述而形成的附加基板?？砂葱鑼?duì)基板710、810中的每一個(gè)作出變更。例如，該設(shè)備中所使用的基板可包含具有不同組分的電壓可切換介電材料。因此，向每一基板施加以克服特性電壓的外部電壓可在基板之間變化。用于非導(dǎo)電層的材料還可在不同的基板之間變化。另外，非導(dǎo)電層可用例如不同的掩模、成像和/或抗蝕劑顯影技術(shù)來(lái)圖案化。此外，用于顯影基板表面上的載流元件的材料還可在不同的基板之間變化。例如，根據(jù)基板的特定設(shè)計(jì)參數(shù)，用于鍍覆每一基板的電極可針對(duì)不同的基板更改或改變。根據(jù)一變體，該工藝諸如在基板疊層的一端包括至少一個(gè)雙面基板的構(gòu)造可能是優(yōu)選的。例如，第三基板910可被形成為包括兩個(gè)平坦側(cè)面上的載流元件935。在該變體中，非導(dǎo)電層沉積在第三基板910的第一側(cè)面和第二側(cè)面上。第二側(cè)面上的非導(dǎo)電層由與第一側(cè)面上的非導(dǎo)電層相同的材料制成，盡管在一些應(yīng)用中基板的第二側(cè)面可能需要不同類型的光可成像材料或其他非導(dǎo)電表面。然后，單獨(dú)地圖案化第三基板910的每一側(cè)面上的非導(dǎo)電層。當(dāng)圖案化相應(yīng)的非導(dǎo)電層時(shí)，在第一側(cè)面和第二側(cè)面上不覆蓋第三基板910?；宓拿恳粋?cè)面上的露出區(qū)域可一起、或在分開(kāi)的鍍覆步驟中鍍覆。諸如以上所示的各個(gè)實(shí)施例可用于PCB設(shè)備中。PCB具有各種大小和應(yīng)用，諸如舉例而言用作印刷線路板、內(nèi)孔式板、以及印刷電路卡。一般而言，諸如電組件、引線、以及電路之類的高密度載流元件可嵌入或以其他方式包括在PCB中。在多基板設(shè)備中，PCB的大小和功能可變化。根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的包括PCB的設(shè)備具有由電壓可切換介電材料形成的基板?？稍诨迳鲜┘庸庵驴刮g劑，諸如干膜抗蝕劑?？少?gòu)得的干膜抗蝕劑的示例包括由Mitsubishi Rayon公司制造的Dialon FRA305。沉積在基板上的干膜抗蝕劑的厚度足以允許該基板變成在對(duì)應(yīng)于通過(guò)掩模露出抗蝕劑之處的所選部分露出。諸如參考圖3所述的電鍍工藝用于在基板的露出區(qū)域上鍍覆導(dǎo)電材料。由電壓可切換介電材料形成的基板可用于各種應(yīng)用。電壓可切換介電材料可按需針對(duì)各種印刷電路、板應(yīng)用來(lái)形成、成形、以及確定大小。印刷電路板的示例包括例如(i)用于安裝和互連計(jì)算機(jī)組件的內(nèi)孔式板、(ii)印刷線路板、以及(iii)個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)卡和類似的設(shè)備。以下描述基本工藝的 其他變體。I.脈沖鍍覆工藝本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例采用脈沖鍍覆工藝。在該工藝中，將電極和包括電壓可切換介電材料的基板浸入電解溶液中。在電極和基板之間施加一電壓，以使電壓可切換介電材料變成導(dǎo)電。所施加的電壓還導(dǎo)致電解溶液中的離子沉積到基板的露出區(qū)域上，由此鍍覆載流結(jié)構(gòu)。在脈沖鍍覆工藝中，調(diào)制該電壓，并且該電壓遵循諸如圖9所示的示例性波形900之類的波形。波形900類似于方波，但是還包括前沿尖峰910。前沿尖峰910優(yōu)選是足以克服電壓可切換介電材料的觸發(fā)電壓Vt的極短持續(xù)時(shí)間的電壓尖峰，其中該觸發(fā)電壓是為了使電壓可切換介電材料進(jìn)入導(dǎo)電狀態(tài)必須超過(guò)的閾值電壓。在一些實(shí)施例中，觸發(fā)電壓相對(duì)較大，諸如在100和400伏特之間。一旦超過(guò)了觸發(fā)電壓且電壓可切換介電材料處于導(dǎo)電狀態(tài)，電壓可切換介電材料就將保持在導(dǎo)電狀態(tài)中，只要向電壓可切換介電材料施加的電壓保持在較低箝位電壓V。以上。在圖9的波形900中，應(yīng)當(dāng)理解，前沿尖峰910之后是在箝位電壓以上的電壓處的平穩(wěn)段(plateau) 920。平穩(wěn)段920之后是其中電壓返回到基線930 (諸如0伏特)的馳豫時(shí)間段，隨后該循環(huán)重復(fù)。2.反向脈沖鍍覆工藝本發(fā)明的另一實(shí)施例采用反向脈沖鍍覆工藝。該工藝與以上所述的脈沖鍍覆工藝基本相同，不同之處在于，代替平穩(wěn)段920 (圖9)，反轉(zhuǎn)電壓的極性以使鍍覆在電極而非基板處發(fā)生。示例性波形1000在圖10中示出，其中正部分和負(fù)部分具有基本相同的幅值，但極性相反。負(fù)部分的形狀在幅值或持續(xù)時(shí)間方面不必與正部分的形狀匹配，并且在一些實(shí)施例中，波形1000的負(fù)部分不包括前沿電壓尖峰。反向脈沖鍍覆的優(yōu)點(diǎn)是，它產(chǎn)生較平滑的鍍覆結(jié)果。當(dāng)反轉(zhuǎn)電壓時(shí)，在鍍覆表面上在反轉(zhuǎn)之前最快發(fā)生鍍覆的這些區(qū)域變成溶解最容易發(fā)生的這些區(qū)域。因此，鍍覆中的不規(guī)則趨向于隨時(shí)間平滑掉。3.沉積和圖案化非導(dǎo)電層本發(fā)明的另一實(shí)施例采用絲網(wǎng)印刷法來(lái)在由電壓可切換介電材料形成的基板上顯影經(jīng)圖案化的非導(dǎo)電層。本實(shí)施例避免使用諸如光致抗蝕劑之類的材料來(lái)顯影圖案用于在基板上沉積載流材料。在絲網(wǎng)印刷工藝中，機(jī)器人分配器根據(jù)經(jīng)預(yù)編程的圖案向基板的表面施加介電材料。絲網(wǎng)印刷液請(qǐng)求者通常是塑料或樹(shù)脂的形式，諸如Kapton。與將光致抗蝕劑材料用于非導(dǎo)電層的其他實(shí)施例相反，向基板的表面持久地施加絲網(wǎng)印刷Kapton、或者另一塑料或樹(shù)脂。由此，絲網(wǎng)印刷提供用于在基板上沉積和圖案化非導(dǎo)電材料的組合步驟、以及用于從基板的表面去除非導(dǎo)電材料的消除步驟的優(yōu)點(diǎn)。4.單個(gè)表面上的多種類型的導(dǎo)電材料另外，可將載流元件構(gòu)建到由兩種或更多種類型的載流材料形成的基板的表面上。包括電壓可切換介電材料的基板適用于通過(guò)若干類型的載流材料來(lái)鍍覆。例如，可向基板的表面施加兩個(gè)或更多個(gè)電解工藝以顯影不同類型的載流粒子。在一個(gè)實(shí)施例中，采用第一電解工藝來(lái)將第一導(dǎo)電材料沉積在基板的表面上形成的第一圖案中。隨后，在包括第一導(dǎo)電材料的基板上圖案化第二非導(dǎo)電層。然后，可采用第二電解工藝來(lái)使用第二圖案沉積第二導(dǎo)電材料。以此方式，基板可包括多種類型的導(dǎo)電材料。例如，可沉積銅以在基板上形成引線，并且可在良好導(dǎo)電必需時(shí)在相同表面上的別處沉積諸如金之類的另一導(dǎo)電材料。E.本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例的其他應(yīng)用本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例包括具有其上已沉積載流結(jié)構(gòu)的電壓可切換介電材料的基板的各種設(shè)備。載流結(jié)構(gòu)可包括電路、引線、電組件、以及磁性材料。以下描述或列出本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例的示例性應(yīng)用。在此描述或列出的應(yīng)用只是本發(fā)明的多樣性和靈活性的說(shuō)明，并且因此不應(yīng)被解釋為窮盡列表。
I.引腳連接器在一個(gè)實(shí)施例中，提供引腳連接器。例如，電壓可切換介電材料用于形成內(nèi)孔式引腳連接器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。電壓可切換介電材料可用于形成內(nèi)孔式引腳連接器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)內(nèi)的接觸引線。電壓可切換介電材料可使用例如容納液體形式的電壓可切換介電材料的模具成形為內(nèi)部結(jié)構(gòu)。所得內(nèi)部結(jié)構(gòu)包括與兩個(gè)連接器相配合時(shí)的相應(yīng)插入式引腳連接器相對(duì)的配合面。引腳插座是在配合面中可觸及的通孔?？缀鸵_插座對(duì)應(yīng)于將容納來(lái)自內(nèi)孔式連接器的引腳的位置。為了在連接器內(nèi)設(shè)置導(dǎo)電接觸元件且如圖11所示，內(nèi)部結(jié)構(gòu)可分成多個(gè)區(qū)段1100以露出引腳插座1110的延伸到配合面1120中的孔的長(zhǎng)度。如圖12所示的非導(dǎo)電層1200 (諸如光致抗蝕劑層)可沉積在區(qū)段1100之一上。然后，可圖案化非導(dǎo)電層1200，以使每一引腳插座1110的底面1210通過(guò)非導(dǎo)電層1200露出。然后，內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一個(gè)或兩個(gè)區(qū)段1100可進(jìn)行電解鍍覆工藝處理。在鍍覆工藝期間，向內(nèi)部結(jié)構(gòu)施加一電壓，以使電壓可切換介電材料導(dǎo)電。然后，在內(nèi)部結(jié)構(gòu)中的每一引腳插座1110的底面1210上鍍覆導(dǎo)電材料。一旦在引腳插座1110中形成接觸引線，就可去除非導(dǎo)電層1200并再結(jié)合(rejoin)區(qū)段1100。內(nèi)部結(jié)構(gòu)還可被容納在殼內(nèi)，以完成內(nèi)孔式引腳連接器。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，若干優(yōu)點(diǎn)存在于形成引腳連接器。鍍覆內(nèi)部結(jié)構(gòu)使大量引腳插座能夠在一個(gè)鍍覆工藝中被包括內(nèi)部結(jié)構(gòu)中。此外，由于引線接觸可變薄，因此引腳插座可被形成為彼此更接近，以減小引腳連接器的尺寸。引腳連接器還可提供電壓可切換介電材料固有的過(guò)電壓保護(hù)性質(zhì)。2.表面安裝封裝表面安裝封裝將電子組件安裝到印刷電路板的表面。表面安裝封裝容納例如電阻器、電容器、二極管、晶體管、以及集成電路設(shè)備(處理器，DRAM等)。這些封裝包括從內(nèi)部或從外部定向以連接到所容納的電組件的引線。表面安裝半導(dǎo)體封裝的具體示例包括小外形封裝、方形扁平封裝、塑料含引線的芯片載體、以及芯片載體插口。制造表面安裝封裝包括形成封裝弓I線的框。該框使用諸如環(huán)氧樹(shù)脂之類的材料來(lái)模制。此后，將引線電鍍到所模制的框中。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，電壓可切換介電材料可用于形成該框?？稍谙薅ㄒ€位置的框上形成非導(dǎo)電層。非導(dǎo)電層可在模制工藝期間、在后續(xù)模制工藝期間、或者通過(guò)使用如上所述的光可成像材料的掩模工藝來(lái)形成。為了使該框呈現(xiàn)為導(dǎo)電，在電鍍工藝期間向該框施加一電壓。在非導(dǎo)電層的圖案所限定的位置中的框上形成引線。通過(guò)使用電壓可切換介電材料，引線可變細(xì)或變小，從而允許在PCB上占據(jù)較小覆蓋區(qū)的較小封裝。電壓可切換介電材料還固有地提供過(guò)電壓保護(hù)以保護(hù)封裝的內(nèi)容免受電壓尖峰影響。圖13示出與中間層相關(guān)聯(lián)的特定實(shí)施例。在一些應(yīng)用中，將一個(gè)或多個(gè)層結(jié)合在VSDM與載流結(jié)構(gòu)中的載流材料之間可能是有利的。這些層可具有可感知厚度(例如，大于幾十納米、幾微米、幾十微米、或者甚至幾十毫米)、或者可與單層一樣薄(例如，具有原子、幾原子、或者分子數(shù)量級(jí)的厚度)。為了本說(shuō)明書的目的，這些層在術(shù)語(yǔ)上是中間層。圖13包括根據(jù)一些實(shí)施例的與使用中間層相關(guān)聯(lián)的示例性處理步驟(左側(cè))和相應(yīng)結(jié)構(gòu)(右側(cè))的示意圖。在步驟1300中，設(shè)置VSDM 1302。在一些情況下，VSDM可被設(shè)置為基板1304上層或涂層。VSDM可具有特性電壓，在該特性電壓以上VSDM變成導(dǎo)電的。在一些實(shí)施例中，VSDM的特性電壓高于與電子設(shè)備相關(guān)聯(lián)的典型“使用”電壓(例如，高于3伏特、5伏特、12伏特、或24伏特)。在一些實(shí)施例中，VSDM的特性電壓高于用于電鍍材料的典型電壓(例如，高于0. 5伏特、I. 5伏特、或2. 5伏特)。在一些情況下，電鍍可能需要高于典型鍍覆電壓且高于特性電壓的電壓。在步驟1310中，可使用掩模1312來(lái)掩模VSDM 1302，盡管特定應(yīng)用可能并不需要掩模。通常，掩模1312限定將形成載流結(jié)構(gòu)的VSDM的露出部分1314、以及不沉積載流材料的“加有掩模的”區(qū)域(例如，在該掩模以下)。在圖13所示的示例中，掩模1312限定可構(gòu)建載流結(jié)構(gòu)的VSDM 1302的露出部分1314。 在步驟1320中，可在露出部分1314的至少一部分上沉積中間層1322。中間層1322可足夠厚，以使特定的期望性質(zhì)顯現(xiàn)(例如，粘合性、擴(kuò)散阻擋、經(jīng)改進(jìn)的電性質(zhì)等)。在一些情況下，中間層可用于將聚合物附著到VSDM1302。在一些情況下，中間層可足夠薄和/或?qū)щ?，從而可進(jìn)行載流材料在中間層1322上的后續(xù)沉積。中間層1322可形成絕緣阻擋層，并且一些情況下可經(jīng)由隧穿和/或其他非線性效應(yīng)提供導(dǎo)電性。在步驟1330中，可在中間層上沉積載流材料1332。在一些實(shí)施例中，可在形成載流結(jié)構(gòu)之后去除掩模1312。在圖13所述的示例中，步驟1340示出去除掩模1312，從而產(chǎn)生包括載流材料和中間層的載流結(jié)構(gòu)1342。中間層可包括擴(kuò)散阻擋層以減少或防止載流材料(例如，Cu)和VSDM材料之間的擴(kuò)散。示例性擴(kuò)散阻擋層包括金屬、氮化物、碳化物、硅化物、以及在一些情況下的其組合。
其復(fù)合物、以及其他材料。中間層可以是導(dǎo)電的。對(duì)于極薄的中間層(例如，小于100nm、50nm、或者甚至小于IOnm),甚至相對(duì)電阻性的材料可提供足夠的電流密度以使電流可從沉積的載流材料流向VSDM級(jí)。中間層可以是導(dǎo)電聚合物，諸如特定摻雜的聚噻吩和/或聚苯胺。中間層可使用視線沉積、物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、電沉積、旋涂、噴涂、以及其他方法來(lái)構(gòu)建。各個(gè)實(shí)施例包括電沉積載流材料。在一些實(shí)施例中，將VSDM (任選地包括中間層)浸入鍍覆溶液中，之后產(chǎn)生鍍覆偏壓以導(dǎo)致電鍍載流材料。在一些情況下，從鍍覆浴去除經(jīng)鍍覆的VSDM，同時(shí)仍然經(jīng)受鍍覆偏壓。電沉積可包括施加每平方厘米0. I和10毫安之間的電流。示例性鍍覆溶液可包括濃度在0.4和IOOmM之間的銅離子、摩爾比在0. I和2之間且pH在3和7之間的銅絡(luò)合劑，諸如[乙胺、吡啶、吡咯烷、羥乙基二乙胺(hydroxyethyldiethylamine)、芳族胺、以及氮雜環(huán)]。一些實(shí)施例可使用如美國(guó)專利公開(kāi)No. 2007/0062817 Al和2007/0272560 Al中所述的工序和材料，這些專利申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用結(jié)合于此。特定實(shí)施例包括如舉例而言美國(guó)專利公開(kāi)No. 2005/0255631 Al中所述的電接枝一個(gè)或多個(gè)層，該專利申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用結(jié)合于此。在一些實(shí)施例中，沉積中間層可包括電接枝中間層。包括電接枝的各個(gè)實(shí)施例可用于通過(guò)結(jié)合經(jīng)電接枝的中間層來(lái)在VSDM材料上沉積絕緣層(例如，絕緣聚合物)。電接枝可被描述為聚合物的電化學(xué)鍵合(例如，電鍵合)，并且可包括將VSDM浸入具有溶解的有機(jī)前體的溶液中。施加適當(dāng)電壓(包括電壓分布)可導(dǎo)致VSDM傳導(dǎo)電子，這可導(dǎo)致所溶解的聚合物電化學(xué)沉積到VSDM的表面上。由此，聚合物可電鍵合到VSDM。示例性電接枝實(shí)施例可包括將VSDM浸入包括有機(jī)前體的溶液中。示例性溶液可包含甲基丙烯酸丁酯的溶液，該溶液用5e-2mol/L高氯酸四乙銨的DMF溶液配制，其含量為每升溶液5mol的甲基丙烯酸丁酯。VSDM可以是具有Pt對(duì)電極和Ag基準(zhǔn)電極的工作電極。 所浸入的VSDM可經(jīng)受電壓分布，足以使VSDM導(dǎo)電(例如，-0. I和-2. 6V/(Ag+_Ag)之間的周期性電壓，并且循環(huán)(以100mV/S的速率)以沉積有機(jī)膜(例如，聚丁基丙烯酸丁酯)。在其他實(shí)施例中，聚甲基丙烯酸甲酯(pMMA)膜可通過(guò)將VSDM浸入包含MMA的溶液(例如，3. 125mol/L的MMA、lE_2mol/L的4-四氟硼酸重氮對(duì)硝基苯、以及2. 5E_2mol/L的硝酸鈉的DMF溶液)中、以及使所浸入的VSDM經(jīng)受電壓周期足以使VSDM變成導(dǎo)電來(lái)電接枝到VSDM材料。示例性電壓周期可包括以100mV/sec (毫伏/秒)在-0. I和_3V/(Ag+/Ag)之間循環(huán)，從而在VSDM上形成pMMA層。圖14示出結(jié)合導(dǎo)電背板的示例性方法和結(jié)構(gòu)。在一些應(yīng)用中，在VSDM層“以下”或“后面”設(shè)置導(dǎo)電背板可能是有利的。圖14是根據(jù)特定實(shí)施例的與導(dǎo)電背板相關(guān)聯(lián)的示例性處理步驟(左側(cè))和相應(yīng)結(jié)構(gòu)(右側(cè))的示意圖。在步驟1400中，設(shè)置導(dǎo)電背板1402。在一些情況下，可將導(dǎo)電背板結(jié)合到基板中或該基板上。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)電背板可用作基板本身(例如，厚金屬箔或板)。在步驟1410中，可在導(dǎo)電背板的至少一部分上沉積電壓可切換介電材料1412 (例如，通過(guò)旋涂)。在一些實(shí)施例中，VSDM 1412可加以掩模，從而對(duì)露出區(qū)域劃界以供后續(xù)產(chǎn)生載流結(jié)構(gòu)。在其他實(shí)施例中，VSDM 1412可不加以掩模。在任選的步驟1420中，可向VSDM 1412施加掩模1422，從而限定可沉積載流結(jié)構(gòu)的區(qū)域1424。在步驟1430中，可通過(guò)將導(dǎo)電材料沉積在VSDM 1412上(在該示例中，在區(qū)域1424中)來(lái)形成載流結(jié)構(gòu)1432。在任選的步驟1440中，可去除掩模1422。導(dǎo)電背板可減小電流經(jīng)過(guò)的VSDM的距離或厚度(例如，導(dǎo)電背板可用作“匯流條”)。導(dǎo)電背板可改進(jìn)通過(guò)VSDM的電流密度分布(例如，平滑掉或變得更均勻)。沒(méi)有導(dǎo)電背板的各個(gè)實(shí)施例可能需要呈水平維度(即，與VSDM層的厚度垂直)的一些電流通路。具有導(dǎo)電背板的各個(gè)實(shí)施例可提供減小距離的電流通路，因?yàn)殡娏骺稍诖怪庇谠搶拥姆较蛏蠌妮d流結(jié)構(gòu)穿過(guò)VSDM層流向?qū)щ姳嘲?。?dǎo)電背板可在(例如，載流結(jié)構(gòu)的)沉積期間改進(jìn)電流密度的均勻性，并且可在特定靜電放電(ESD)事件中改進(jìn)VSDM的性能。導(dǎo)電背板可導(dǎo)致電流經(jīng)過(guò)的距離減小，這可提供比未沉積在導(dǎo)電背板上的VSDM層低的阻力。替換地，較薄的VSDM層可與導(dǎo)電背板組合以產(chǎn)生與沒(méi)有導(dǎo)電背板的較厚VSDM層等效的性質(zhì)。導(dǎo)電背板可以是金屬(例如，Cu、Al、TiN);導(dǎo)電背板可包括導(dǎo)電聚合物。圖15是根據(jù)一些實(shí)施例的附著封裝的示意圖。封裝可附著到載流結(jié)構(gòu)和/或電壓可切換介電材料?？墒褂迷摲庋b來(lái)保護(hù)所附著的組件(例如，防塵、防水等)。封裝可提供經(jīng)改進(jìn)的機(jī)械性質(zhì)(例如，強(qiáng)度、剛度、防翹曲)和/或可改進(jìn)可進(jìn)一步處理所封裝組件(例如，將引線附著到設(shè)備)的簡(jiǎn)易性。該封裝內(nèi)包含的通路、螺栓、線路、導(dǎo)線和/或與設(shè)備的其他連接可包括在封裝內(nèi)。圖15示出封裝1502附著到包括沉積在電壓可切換介電材料1505上的載流結(jié)構(gòu)1504的組件。在該示例中，電壓可切換介電材料1505可沉積在任選的導(dǎo)電背板1506上，該導(dǎo)電背板1506可設(shè)置在任選的基板1508上。在特定實(shí)施例中，封裝可附著到載流結(jié)構(gòu)、和 /或沒(méi)有導(dǎo)電背板和/或沒(méi)有基板的VSDM。在步驟1500中，通常將封裝1502附著到電壓可切換介電材料1504和載流結(jié)構(gòu)1505中的至少一部分。封裝可包括聚合物、復(fù)合物、陶瓷、玻璃、或其他材料。封裝可以是絕緣的。在一些實(shí)施例中，封裝可包括聚合物涂層，諸如酚醛、環(huán)氧樹(shù)脂、酮(例如，聚-醚-醚酮、或PEEK)、和/或用于微電子封裝和/或構(gòu)建印刷線路板的各種材料。在任選的步驟1510中，可去除基板1508。特定實(shí)施例包括可溶解、可蝕刻、或可熔化的基板?；蹇砂ㄏ?、或者在低于50攝氏度的溫度下熔化的其他材料?；蹇砂ń饘俨Ｔ谔囟▽?shí)施例中，減聚層可在基板和導(dǎo)電背板(或根據(jù)具體情況而定的VSDM)之間的界面處結(jié)合，這可提供基板可移動(dòng)性的改進(jìn)。減聚層可包括中間層。在任選步驟1520中，可去除導(dǎo)電背板1506。在一些情況下(例如，含Cu的導(dǎo)電背板)，可溶解或蝕刻導(dǎo)電背板(例如，在適當(dāng)?shù)乃嶂?。在一些情況下，可在有機(jī)溶劑中溶解包括導(dǎo)電聚合物的導(dǎo)電背板。可熱蝕刻、等離子體蝕刻、灰化、或以其他方式去除導(dǎo)電背板。在一些實(shí)施例中，可直接在基板上設(shè)置VSDM，并且可在形成載流結(jié)構(gòu)之后、并且通常在已附著封裝之后去除該基板。在一些實(shí)施例中，可在導(dǎo)電背板而非基板上設(shè)置VSDM，并且可在已形成載流結(jié)構(gòu)之后去除該導(dǎo)電背板。減聚層可有助于在這些及其他應(yīng)用中的去除。圖16A和16B (分別)示出根據(jù)特定實(shí)施例的可去除接觸掩模的截面圖和立體圖。在該示例中，示出具有一層電壓可切換介電材料(VSDM) 1602的基板1600，盡管接觸掩模可與電壓可切換介電材料而非基板一起使用。在一些實(shí)施例中，接觸掩模1610包括絕緣腳1620和電極1630。電極1630可連接到一條或多條電引線1632，這些電極引線可供電化學(xué)反應(yīng)之用。接觸掩模1610通常包括一個(gè)或多個(gè)開(kāi)口 1640，這些開(kāi)口可以是絕緣腳1620中的開(kāi)口。絕緣腳1620可以形成密封的方式將接觸掩模1610密封地附著到VSDM1602。根據(jù)沉積或其他反應(yīng)來(lái)將VSDM 1602的密封區(qū)域加以掩模。在一些實(shí)施例中，接觸掩模1610可壓向VSDM 1602。通常，絕緣腳1620可足夠順應(yīng)，以使接觸掩模1610根據(jù)載流結(jié)構(gòu)的形成來(lái)將VSDM 1602的區(qū)域加以掩模，并且限定可在其上形成載流結(jié)構(gòu)的VSDM 1602的部分1650。絕緣腳1620可將電極1630與VSDM 1602分開(kāi)一距離1660。距離1660可小于lcm、5mm、1mm，或者甚至小于500微米。絕緣腳1620還可與VSDM1602基本平行地支撐電極1630，這可改進(jìn)通過(guò)部分1650的電流密度的均勻性(例如，在沉積期間)。絕緣腳1620可由陶瓷、聚合物、或其他絕緣材料(諸如聚酰亞胺、聚四氟乙烯、乳膠、光致抗蝕劑材料、環(huán)氧樹(shù)月旨、聚乙烯、以及旋涂聚合物)來(lái)構(gòu)建。在一些實(shí)施例中，中間層可用于改進(jìn)絕緣腳到電極的粘合性和/或密封。在一些實(shí)施例中，中間層可用于改進(jìn)絕緣腳到VSDM的密封和/或粘合性。開(kāi)口 1640可被配置成將一個(gè)或多個(gè)部分1650暴露給包含與載流結(jié)構(gòu)的形成相關(guān)聯(lián)的離子的流體(例如，液體、氣體、等離子體等)。例如，沉積銅導(dǎo)體可包括將部分1650暴露給具有銅離子的溶液。通常，開(kāi)口 1640可足夠大和/或多，從而沉積流體可足夠“連續(xù)地”或快速地供應(yīng)以使沉積流體的供應(yīng)不限定沉積。電極1630可根據(jù)合適的導(dǎo)電材料來(lái)構(gòu)建。在一些實(shí)施例中，電極1630可包括金屬箔，諸如Ti、Pt、或Au箔。接觸掩模1610還可包括附加材料,諸如改進(jìn)機(jī)械性質(zhì)的層、改進(jìn)粘性的層、改進(jìn)沉積質(zhì)量的層等。電極1630和絕緣腳1620各自可包含多種材料。在特定實(shí)施例中，具有圖案(例如，與部分1650的形狀匹配)的管芯(未示出)用于向接觸掩模1610的“頂”側(cè)施加均勻的壓力。一個(gè)或多個(gè)載流結(jié)構(gòu)的形成可包括電化學(xué)沉積，并且在一些情況下可包括如美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)No. 2004/0154828 Al中所述的電化學(xué)圖案復(fù)制(ECPR)，該專利申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用結(jié)合于此。圖17示出根據(jù)特定實(shí)施例的用以形成載流結(jié)構(gòu)的載流材料沉積。在圖17的左側(cè)示出沉積工藝中的示例性步驟，同時(shí)在圖17的右側(cè)示出示例性結(jié)構(gòu)。在步驟1700中，可向電壓可切換介電材料(VSDM)1710施加接觸掩模1610以形成“夾層” 1720。夾層1720可任選地包括基板1712。通常，VSDM 1710和基板1712可以是平坦的且足夠剛性的，以使接觸掩模1610可密封地附著到VSDM 1710。通常，接觸掩模1610例如使用夾具或其他施加壓力的裝置可去除地附著到VSDM 1710。在步驟1730中，可將夾層1720浸入提供與載流材料相關(guān)聯(lián)的離子源的流體1732中。在一些實(shí)施例中，流體1732可以是鍍覆溶液。例如，具有銅離子的溶液可用于構(gòu)建銅載流結(jié)構(gòu)，其中金屬銅構(gòu)成該結(jié)構(gòu)的電導(dǎo)體?？裳h(huán)和/或攪拌流體1732以使其經(jīng)過(guò)開(kāi)口1640，從而將部分1650暴露給該流體。在步驟1740中，可在電極1630和VSDM 1710之間產(chǎn)生電壓1742。通常，電壓1740(在幅值上)大于與VSDM 1710相關(guān)聯(lián)的特性電壓，從而VSDM 1710根據(jù)電壓1742傳導(dǎo)電流。電壓1742可導(dǎo)致載流結(jié)構(gòu)1744沉積在部分1650上。可足夠快地補(bǔ)充(例如，經(jīng)由開(kāi)口 1640)流體1732，以使載流結(jié)構(gòu)均勻地鍍覆。在步驟1750中，可去除接觸掩模1610。在一些實(shí)施例中，可重新使用接觸掩模以供多次沉積。在一些實(shí)施例中，可在將VSDM/接觸掩模浸入鍍覆溶液中之前施加一電壓。在一些實(shí)施例中，可維持所施加電壓，直至已從鍍覆溶液去除VSDM/接觸掩模之后。圖18示出根據(jù)特定實(shí)施例的使用蝕刻工藝構(gòu)建的載流結(jié)構(gòu)。在圖18的左側(cè)示出示例性步驟，同時(shí)在圖18的右側(cè)示出示例性結(jié)構(gòu)。
在步驟1800中，可向沉積在電壓可切換介電材料(VSDM)1804上的導(dǎo)體1802施加接觸掩模1610，該電壓可切換介電材料可沉積在基板1806之上，從而形成“夾層”1808。接觸掩模1610限定導(dǎo)體1802的要暴露給蝕刻溶液的一個(gè)或多個(gè)部分1814，并且防止蝕刻導(dǎo)體1802位于在該掩模以下的區(qū)域中的區(qū)域。在步驟1810中，可將夾層1808浸入蝕刻溶液1812中。可選取蝕刻溶液1812來(lái)通常使用所施加電壓電化學(xué)蝕刻導(dǎo)體1802。蝕刻溶液1812可經(jīng)過(guò)開(kāi)口 1640，從而到達(dá)露出部分1814。通過(guò)反轉(zhuǎn)所施加電壓的符號(hào)(或極性)，沉積溶液還可作為蝕刻溶液來(lái)操作。在步驟1820中，可在電極1630和VSDM 1804之間施加一電壓1822?？蛇x取電壓1822以與蝕刻溶液1812的組分以及任選地蝕刻溶液1812通過(guò)開(kāi)口 1640的循環(huán)匹配，從而可蝕刻導(dǎo)體1802。通常，電壓1822大于與VSDM 1804相關(guān)聯(lián)的特性電壓，該特性電壓可大于典型的蝕刻電壓(例如，I伏特、3伏特、或5伏特)。導(dǎo)體1802保持未蝕刻的區(qū)域可變成一個(gè)或多個(gè)載流結(jié)構(gòu)1824。在步驟1830中，可去除接觸掩模1610。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)體1802可被沉積為足夠厚的層(例如，幾微米或更厚)，從而可在蝕刻狀態(tài)下使用載流結(jié)構(gòu)1824。在任選的步驟1840中，可將附加載流材料1842結(jié)合到載流結(jié)構(gòu)1824中。例如， 通過(guò)將載流材料1824暴露給沉積溶液、并且產(chǎn)生VSDM 1804與溶液中的對(duì)電極之間的適當(dāng)電壓，可將附加載流材料1842沉積在載流結(jié)構(gòu)1824上。圖19示出根據(jù)特定實(shí)施例的具有不同特性電壓的區(qū)域的電壓可切換介電材料(VSDM) 1910。這種配置可改進(jìn)在不同區(qū)域中構(gòu)建載流結(jié)構(gòu)的能力。VSDM1910可包括具有不同沉積和/或蝕刻特性的區(qū)域。例如，第一區(qū)域1940可包含具有第一特性電壓的一個(gè)或多個(gè)電壓可切換介電材料，而第二區(qū)域1950可包含具有第二特性電壓的一個(gè)或多個(gè)電壓可切換介電材料。根據(jù)不同的沉積條件，可在第一區(qū)域1940、或第二區(qū)域1950、或者兩個(gè)區(qū)域上形成載流結(jié)構(gòu)。VSDM 1910可沉積在導(dǎo)電背板1920上，該導(dǎo)電背板可任選地沉積在基板1930上。在一個(gè)實(shí)施例中，第一區(qū)域1940可表征為導(dǎo)電背板1920與區(qū)域1940的表面之間有第一厚度1942。第二區(qū)域1950可表征為導(dǎo)電背板1920與區(qū)域1950的表面之間有第二厚度1952。在特定實(shí)施例中，區(qū)域1940和1950還可分別表征為有深度1946和1956。在特定沉積條件下，沉積可包括將VSDM 1910浸入具有與要沉積的材料相關(guān)聯(lián)的離子的沉積溶液中。在一些情況下，離子從本體溶液到區(qū)域1940和1950的表面的擴(kuò)散(例如，深度1946和1956向下)可足夠慢，以使深度1946和1956之間的差異對(duì)相應(yīng)表面上的相對(duì)沉積和/或蝕刻速率產(chǎn)生可感知影響。在一些實(shí)施例中，可施加周期性電壓，并且在一些情況下，按照與深度1946和1956內(nèi)的離子擴(kuò)散相關(guān)聯(lián)的擴(kuò)散時(shí)間來(lái)選取周期性電壓的頻率。沉積可包括使用可以是平坦電極的電極1960。在特定實(shí)施例中，可通過(guò)選取從相應(yīng)表面到電極I960的適當(dāng)距離來(lái)修改區(qū)域1940和1950中的沉積和/或蝕刻。例如，第一距離1944可表征為有從區(qū)域1940的表面到電極1960的長(zhǎng)度,而第二距離1954可表征為有從區(qū)域1950的表面到電極1960的長(zhǎng)度。在一些實(shí)施例中，第一區(qū)域1940的特性電壓可與第二區(qū)域1950的特性電壓不同。在一些情況下，該差異可能是因?yàn)槊恳粎^(qū)域中的VSDM的不同厚度，這可導(dǎo)致與這些區(qū)域相關(guān)聯(lián)的場(chǎng)密度的差異。在一些實(shí)施例中，不同的VSDM可用于每一區(qū)域中。在一些實(shí)施例中，VSDM層可包含多種VSDM材料(例如，排列成多個(gè)層)。例如，第一 VSDM可具有與第二厚度1952相等的深度，并且第一 VSDM和第二 VSDM的組合可具有與第一厚度1942相等的深度。具有不同特性電壓的區(qū)域可通過(guò)沖壓或其他物理成形來(lái)構(gòu)建。具有不同特性電壓的區(qū)域可通過(guò)切除、激光切除、蝕刻、或以其他方式去除材料來(lái)構(gòu)建。第一區(qū)域可使用第一掩模(例如，光致抗蝕劑)來(lái)形成，而第二區(qū)域可使用第二掩模來(lái)形成。圖20A-C示出根據(jù)特定實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)載流結(jié)構(gòu)的沉積。在每一附圖中，VSDM 1920只被用作出于說(shuō)明目的的示例。VSDM 1920包括具有第一特性電壓的第一區(qū)域1940、以及具有第二特性電壓的第二區(qū)域1950。根據(jù)不同的處理?xiàng)l件，可在第一區(qū)域1940、或第二區(qū)域1950、或者兩個(gè)區(qū)域1940和1950上形成載流結(jié)構(gòu)。圖20A示出包括在第二區(qū)域1950上形成的第一電導(dǎo)體2010的結(jié)構(gòu)。電導(dǎo)體2010可例如通過(guò)將VSDM 1910暴露給(與導(dǎo)體相關(guān)聯(lián)的)離子源來(lái)形成。可在VSDM 1910和離子 源之間產(chǎn)生電壓差，該電壓差大于與第二區(qū)域1950相關(guān)聯(lián)的特性電壓且小于與第一區(qū)域1940相關(guān)聯(lián)的特性電壓。在第二區(qū)域1950變成導(dǎo)電時(shí)，第一區(qū)域1940可保持絕緣，并且可只在第二區(qū)域1950上發(fā)生沉積。圖20B示出包括在第一區(qū)域1940上形成的第一電導(dǎo)體2020、以及在第二區(qū)域1950上形成的第二電導(dǎo)體2030的結(jié)構(gòu)。電導(dǎo)體2020和2030可例如通過(guò)將VSDM 1910暴露給(與導(dǎo)體相關(guān)聯(lián)的)離子源來(lái)形成。可在VSDM 1910和離子源之間產(chǎn)生電壓差，該電壓差大于與第一區(qū)域1940和第二區(qū)域1950兩者相關(guān)聯(lián)的特性電壓。可在第一區(qū)域1940和第二區(qū)域1950兩者上發(fā)生沉積。圖20C示出具有在特性電壓大于與第二區(qū)域1950相關(guān)聯(lián)的特性電壓的第一區(qū)域1940上形成的第一電導(dǎo)體2020的結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)可例如通過(guò)選擇性地蝕刻根據(jù)圖20B形成的結(jié)構(gòu)來(lái)形成。例如，電導(dǎo)體2020和2030可通過(guò)將VSDM1910暴露給(與導(dǎo)體相關(guān)聯(lián)的)離子源來(lái)形成?？稍赩SDM 1910和離子源之間產(chǎn)生電壓差，該電壓差大于與第一區(qū)域1940和第二區(qū)域1950兩者相關(guān)聯(lián)的特性電壓?？稍诘谝粎^(qū)域1940和第二區(qū)域1950兩者上進(jìn)行沉積，從而形成兩個(gè)(或更多個(gè))載流結(jié)構(gòu)。隨后，可優(yōu)選地蝕刻電導(dǎo)體2030 (例如，至其完全去除的時(shí)刻)，從而如圖所示地留下電導(dǎo)體2020。在一些實(shí)施例中，導(dǎo)體可通過(guò)反轉(zhuǎn)沉積電壓的極性來(lái)蝕刻。在這些情況下，蝕刻可與通過(guò)區(qū)域的電流相關(guān)聯(lián)。通過(guò)選取大于與第二區(qū)域1950相關(guān)聯(lián)的特性電壓、但小于與第一區(qū)域1940相關(guān)聯(lián)的特性電壓的蝕刻電壓，可實(shí)現(xiàn)與第二區(qū)域1950相關(guān)聯(lián)的優(yōu)選蝕刻。3.微電路板應(yīng)用本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例還可提供微電路板應(yīng)用。例如，智能卡是具有一個(gè)或多個(gè)嵌入式計(jì)算機(jī)芯片的信用卡大小的基板。智能卡通常包括安裝有微存儲(chǔ)器的模塊、以及用于將微存儲(chǔ)器模塊與其他組件(諸如用于檢測(cè)智能卡讀取器的傳感器)互連的導(dǎo)體。由于智能卡的大小、以及嵌入或安裝到智能卡的組件的大小，智能卡的基板上的導(dǎo)電元件必須也很小。在一個(gè)實(shí)施例中，電壓可切換介電材料用于智能卡的基板。諸如以上所述的電解鍍覆工藝用于在智能卡上產(chǎn)生連接器的圖案，從而將存儲(chǔ)器模塊連接到其他組件。通過(guò)如上所述的光致抗蝕劑掩模，將包括連接器的圖案的導(dǎo)電層鍍覆到基板的表面上。通過(guò)使用電壓可切換介電材料，可將連接器的圖案鍍覆到基板上，而無(wú)需蝕刻。這可減小基板上的導(dǎo)電層的厚度。
另一微電路板應(yīng)用包括將兩個(gè)或更多個(gè)處理器封裝在一起的電路板。該電路板包括實(shí)現(xiàn)安裝在該板上的若干處理器之間的高級(jí)通信的引線和電路，從而這些處理器實(shí)質(zhì)上用作一個(gè)處理單元。諸如存儲(chǔ)器之類的附加組件還可安裝到該電路板，從而與這些處理器通信。因此，需要精細(xì)的電路和引線圖案來(lái)保持在兩個(gè)或更多個(gè)處理器之間傳遞的通信的處理速度。如同先前實(shí)施例(諸如涉及智能卡的實(shí)施例)一樣，微電路板還包括由電壓可切換介電材料形成的基板。精細(xì)的抗蝕劑層被圖案化到基板上，以限定隨后要沉積的導(dǎo)電材料的所選區(qū)域圖案。電解工藝用于根據(jù)圖案鍍覆所選區(qū)域中的導(dǎo)電材料，以互連隨后安裝到電路板的處理器。再一次，通過(guò)使用電壓可切換介電材料所提供的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，可制成具有減小厚度的導(dǎo)電層。另一優(yōu)點(diǎn)是，用較少的構(gòu)建步驟鍍覆導(dǎo)電材料降低了微電路板的制造成本。又一優(yōu)點(diǎn)是，微電路板可被顯影成具有由一種以上類型的導(dǎo)電材料構(gòu)成的導(dǎo)電元件。這對(duì)于互連一個(gè)微電路板上的處理器是特別有利的，因?yàn)獒槍?duì)每一處理器，導(dǎo)體的材料要求可根 據(jù)每一處理器的質(zhì)量、功能、或位置而變化。例如，暴露給環(huán)境的微電路板的處理器可需要更耐用的導(dǎo)電元件(例如，由鎳制成)來(lái)耐受溫度波動(dòng)和極限。然而，用于處理更多計(jì)算需求功能且離環(huán)境遠(yuǎn)的處理器可具有由具有較高電導(dǎo)率的材料(諸如金或銀)形成的觸點(diǎn)和引線。4.磁性存儲(chǔ)設(shè)備在另一應(yīng)用中，將基板集成到包括多個(gè)存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)設(shè)備中。每一存儲(chǔ)單元包括磁性材料層。磁性材料層的磁場(chǎng)取向存儲(chǔ)數(shù)據(jù)位。存儲(chǔ)單元通過(guò)電引線接入。經(jīng)由電引線向存儲(chǔ)單元施加的電壓用于設(shè)置和讀取磁場(chǎng)的取向。安裝到基板或在該基板中形成的晶體管用于選擇要設(shè)置和讀取的存儲(chǔ)單元。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，用于存儲(chǔ)設(shè)備中的基板由電壓可切換介電材料形成。在基板上沉積和圖案化第一非導(dǎo)電層，以限定要構(gòu)建磁性材料層的區(qū)域。如上所述的第一電解工藝用于鍍覆基板上的磁性材料層。例如，電解工藝可用于鍍覆作為磁性材料層的鈷鉻(CoCr)膜。類似地，可在基板上沉積第二非導(dǎo)電層并將其加以掩模，以限定電引線所位于的區(qū)域。然后，第二電解工藝用于鍍覆電引線。5.層疊的存儲(chǔ)設(shè)備在又一實(shí)施例中，多基板存儲(chǔ)設(shè)備包括各自由電壓可切換介電材料形成的多個(gè)基板。這些基板層疊，并且使用一個(gè)或多個(gè)通路電互連。如圖5和7所示，這些通路通過(guò)電解工藝用載流層來(lái)鍍覆。根據(jù)本發(fā)明的本實(shí)施例，若干優(yōu)點(diǎn)是明顯的。這些通路可在構(gòu)建步驟期間用在相應(yīng)基板的表面上形成的一個(gè)或多個(gè)載流結(jié)構(gòu)來(lái)鍍覆。同樣，通路的表面上的鍍層與通過(guò)先前方法(諸如通過(guò)播種通路的表面、或者使用粘合劑)產(chǎn)生的鍍覆通路相比更便宜和更可靠。6.柔性電路板設(shè)備本發(fā)明的又一實(shí)施例提供柔性電路板設(shè)備。柔性電路板一般包括高密度的電引線和組件。不幸的是，增加電元件和導(dǎo)電元件的密度可降低柔性電路板的速度和/或容量。本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例提供有利地使用電壓可切換介電材料來(lái)增加柔性電路板上的電組件和導(dǎo)電組件的密度的柔性電路板。
根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，可選擇電壓可切換介電材料的組分，并將其模制成柔性和薄的電路板。抗蝕劑層可被圖案化到基板上以限定細(xì)微間隔的區(qū)域，如上所述。向電壓可切換介電材料施加超過(guò)特定電壓可切換介電材料的特性電壓的一電壓，并且鍍覆載流結(jié)構(gòu)以在細(xì)微間隔的區(qū)域中形成引線和觸點(diǎn)。通過(guò)使用電壓可切換介電材料，可直接在基板的表面上沉積載流前體以形成載流結(jié)構(gòu)。這允許載流結(jié)構(gòu)與先前柔性電路板設(shè)備相比具有減小的厚度。因此，柔性電路板的表面上的相應(yīng)電元件和導(dǎo)電元件可更薄，并且彼此的間隔可更為緊密。根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的柔性電路板的應(yīng)用包括噴墨型打印機(jī)的打印頭。由此，使用電壓可切換介電材料使柔性電路板能夠具有更細(xì)微間隔的電組件和引線，從而導(dǎo)致來(lái)自打印頭的打印分辨率增加。7 射頻 ID (RFID)標(biāo)簽本發(fā)明的又一實(shí)施例提供RFID標(biāo)簽。在這些實(shí)施例中，本發(fā)明的方法還可用于為RFID和無(wú)線芯片應(yīng)用構(gòu)建天線、以及基板上的其他電路。另外，電壓可切換介電材料層可被用作密封材料。 結(jié)論在上述說(shuō)明書中，本發(fā)明參考其特定實(shí)施例進(jìn)行描述，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到本發(fā)明不限于此。上述發(fā)明的各個(gè)特征和方面可被單獨(dú)或共同使用。此外，本發(fā)明可在超過(guò)本文中所述的任意數(shù)量的環(huán)境和應(yīng)用中使用，而不背離本說(shuō)明書的更寬的精神和范圍。因此，說(shuō)明書和附圖被認(rèn)為是說(shuō)明性的，而不是限制性的。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到如本文中所使用的術(shù)語(yǔ)“包括”、“包含”、以及“具有”具體旨在被當(dāng)作開(kāi)放式的技術(shù)術(shù)語(yǔ)。
權(quán)利要求
1.一種用于構(gòu)建載流結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括 設(shè)置一基板，在所述基板的至少一部分上具有電壓可切換介電材料； 在所述電壓可切換介電材料的至少一部分上沉積導(dǎo)電材料；以及 將封裝附著到所述電壓可切換介電材料和所沉積導(dǎo)電材料中的至少ー個(gè)的至少一部分。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，還包括從所附著的電壓可切換介電材料去除所述基板。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述去除包括溶解所述基板。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述去除包括熔化所述基板。
5.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述設(shè)置包括設(shè)置具有所述部分和所述電壓可切換介電材料之間的減聚層的基板。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，還包括使用所述減聚層去除所述基板。
7.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述附著包括將所述部分包封在聚合物中。
8.如權(quán)利要求7的方法，其特征在于，所述聚合物包括聚氨酷、PEEK、酚醛樹(shù)脂、以及環(huán)氧樹(shù)脂的任一種。
9.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述封裝包括復(fù)合材料。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述復(fù)合材料包括玻璃纖維復(fù)合物。
11.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述封裝和所述電壓可切換介電材料中的任ー個(gè)包括通路。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述沉積包括在所述通路中沉積所述導(dǎo)電材料。
13.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，還包括在沉積所述導(dǎo)電材料之前在所述電壓可切換介電材料的至少一部分上形成中間層，并且在具有所述中間層的部分上沉積所述導(dǎo)電材料。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述中間層包括擴(kuò)散阻擋層。
15.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述設(shè)置包括設(shè)置在所述電壓可切換介電材料下面具有導(dǎo)電背板的基板。
16.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述沉積包括產(chǎn)生O.I和400伏特之間的電壓。
17.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述沉積包括使用周期性電壓。
18.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述沉積包括部分地蝕刻所述導(dǎo)電材料。
19.一種結(jié)構(gòu),包括 具有表面的介電基板； 設(shè)置在所述表面的至少一部分上的電壓可切換介電材料； 沉積在所述電壓可切換介電材料的至少一部分上的導(dǎo)電材料；以及 附著到所述電壓可切換介電材料和所沉積導(dǎo)電材料中的至少ー個(gè)的封裝。
20.如權(quán)利要求19所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括設(shè)置在所述電壓可切換介電材料和所沉積的導(dǎo)電材料之間的中間層。
21.—種結(jié)構(gòu),包括電壓可切換介電材料；沉積在所述電壓可切換介電材料上的導(dǎo)電材料；以及 附著到所述電壓可切換介電材料和所沉積導(dǎo)電材料中的任ー個(gè)的至少一部分的封裝。
全文摘要
系統(tǒng)和方法包括在電壓可切換介電材料上沉積一種或多種材料。在特定方面，電壓可切換介電材料設(shè)置在導(dǎo)電背板上。在一些實(shí)施例中，電壓可切換介電材料包括具有與在其上的沉積相關(guān)聯(lián)的不同特性電壓的區(qū)域。一些實(shí)施例包括掩模，并且可包括使用可去除接觸掩模。特定實(shí)施例包括電接枝。一些實(shí)施例包括設(shè)置在兩層之間的中間層。
文檔編號(hào)C25D5/48GK102713017SQ201080059479
公開(kāi)日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2010年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月29日
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