本發(fā)明涉及在形成半導(dǎo)體晶片時使用的金凸點(diǎn)形成用非氰系電解鍍金浴、及使用該金凸點(diǎn)形成用非氰系電解鍍金浴的金凸點(diǎn)形成方法。

背景技術(shù)：
對印刷線路基板或玻璃基板等的半導(dǎo)體晶片的安裝，通過連接在半導(dǎo)體晶片上的集成電路中形成的金凸點(diǎn)和在基板上形成的基板電極的電極接合方法來進(jìn)行(參照專利文獻(xiàn)1、2)。作為具體的電極接合方法，已知引線接合法或倒裝法。所謂引線接合法是用引線對金凸點(diǎn)和基板電極進(jìn)行接合的接合方法。所謂倒裝法是將半導(dǎo)體晶片放置在基板上，用各向異性導(dǎo)電粘合劑對金凸點(diǎn)和基板電極進(jìn)行接合的接合方法。在基板為用于TCP(帶式載體封裝(Tapecarrierpackage))或COF(膜上芯片(Chiponfilm))等封裝方式的薄膜狀的柔性基板時，金凸點(diǎn)和基板電極的接合主要用倒裝法進(jìn)行。在倒裝法中，將形成于基板電極上的鍍錫層或鍍金層和形成于半導(dǎo)體晶片上的金凸點(diǎn)，使用各向異性導(dǎo)電粘合劑進(jìn)行熱壓接，或者進(jìn)行共晶接合。所謂各向異性導(dǎo)電粘合劑是指導(dǎo)電粒子均勻分散于環(huán)氧樹脂等熱固性樹脂中而得到的粘合劑，所述導(dǎo)電粒子是使Ni/Au鍍層覆蓋樹脂粒子而得到的。所謂共晶接合是指通過熱壓接或超聲波形成共晶而使基板電極和金凸點(diǎn)接合的電極接合。近年來，為了簡化半導(dǎo)體封裝的制造工序，并且為了可靠地進(jìn)行電極接合，多采用使用薄膜狀的各向異性導(dǎo)電粘合劑的電極接合方法。圖1為表示在印刷線路基板上安裝有半導(dǎo)體晶片的狀態(tài)的一個實(shí)例的剖面圖。根據(jù)圖1，在印刷線路基板10上，基板電極13在硬質(zhì)基板11的形成有基板布線圖案12的面上形成。對于半導(dǎo)體晶片9而言，在半導(dǎo)體晶片1的一個面形成有電路層1’。在形成有電路層1’的面，依次層疊Al電極2、鈍化膜3、TiW濺射膜4、Au濺射膜5、金凸點(diǎn)7’。在該層疊構(gòu)造中金凸點(diǎn)7’形成于配置有Al電極2的區(qū)域，且與金凸點(diǎn)7’和Au濺射膜5的接合面相反側(cè)的面成為與印刷線路基板10的基板電極13的接合面7’a。圖1中，半導(dǎo)體晶片9將金凸點(diǎn)7’的接合面7’a朝向印刷線路基板10，與印刷線路基板10重疊。然后，通過使用各向異性導(dǎo)電粘合劑20將金凸點(diǎn)7和基板電極13進(jìn)行電極接合，安裝于印刷線路基板10上。半導(dǎo)體晶片9和印刷線路基板10之間用密封材料14密封。在將上述半導(dǎo)體晶片9安裝于印刷線路基板10時，存在金凸點(diǎn)7’和基板電極13的接合面7’a的平坦性的確保及金凸點(diǎn)7’的硬度調(diào)節(jié)這樣的課題。<接合面的平坦性的確保>使用導(dǎo)電性粘合劑20進(jìn)行電極接合時，金凸點(diǎn)7’的接合面7’a與基板電極13的電極接合時的接合面積(導(dǎo)電粒子存在的區(qū)域)越大，金凸點(diǎn)7’和基板電極13的接合力越強(qiáng)。但是，現(xiàn)有的金凸點(diǎn)7’的接合面7’a平坦性差，無法形成可以確保充分的接合面積的形狀。圖2是半導(dǎo)體晶片9的形成了現(xiàn)有金凸點(diǎn)7’的部分的局部放大剖面圖。在圖2中，以半導(dǎo)體晶片與圖1所示的狀態(tài)上下相反，即放大表示了將半導(dǎo)體晶片1位于下面、將金凸點(diǎn)7’的接合面7’a位于上面而形成有金凸點(diǎn)的部分。圖2中所使用的符號與圖1的符號通用。在圖2中，接合面7’a的中央部成為比邊緣部更突出于Au濺射膜5側(cè)的形狀。如圖2所示的突出形狀中，金凸點(diǎn)7’僅在突出形狀的最前端部與基板電極13接觸。另外，雖然未圖示，但也有時接合面7’a成為向Au濺射膜5側(cè)凹陷的形狀，或金凸點(diǎn)7’的邊緣部成為切口形狀。在這種情況下，各向異性導(dǎo)電粘合劑20中的導(dǎo)電粒子易于落入接合面7’a的凹處或切口部，導(dǎo)電粒子偏向接合面7’a的一部分。如上所述，當(dāng)金凸點(diǎn)7’的接合面7’a不平坦時，不能將接合面7’a整個面利用于電極接合。即，目前多為金凸點(diǎn)7’的接合面7’a和基板電極13的電極接合時接合面積小的情況。因此，存在金凸點(diǎn)7’和基板電極13的接合力變?nèi)酰谥蟮慕M裝工序中造成斷線或接合不良而引起的電氣缺陷的問題。為了解決該問題，期望將金凸點(diǎn)7’的接合面7’a形成為平坦的形狀，以使導(dǎo)電粒子均勻分布在接合面7’a的整個面，盡可能寬地確保其與基板電極的接合面積。近年來，隨著液晶的高功能化，電極數(shù)增加，另一方面，從削減封裝成本方面出發(fā)，正在積極推進(jìn)IC芯片的小型化。因此，在金凸點(diǎn)的形成中，也要求將配置間距變窄，縮小IC芯片的尺寸。在使用這種窄間距對應(yīng)的金凸點(diǎn)進(jìn)行電極接合時，為了將金凸點(diǎn)的接合面最大限度地利用于電極接合，正在尋求將接合面形成為平坦的形狀以確保足夠的接合面積。<金凸點(diǎn)的硬度調(diào)節(jié)>在使用各向異性導(dǎo)電粘合劑20進(jìn)行電極接合時，當(dāng)金凸點(diǎn)7’的硬度相對于各向異性導(dǎo)電粘合劑20中的導(dǎo)電粒子的硬度過低時，在熱壓接時導(dǎo)電粒子被埋入金凸點(diǎn)7’中。該情況下，在電極接合時，在金凸點(diǎn)7’和基板電極13之間導(dǎo)電粒子不被熱壓接，金凸點(diǎn)7’和基板電極13的電極接合不充分。當(dāng)金凸點(diǎn)7’的硬度相對于各向異性導(dǎo)電粘合劑20中的導(dǎo)電粒子的硬度過高時，在熱壓接時，導(dǎo)電粒子被金凸點(diǎn)7’壓碎。該情況下，金凸點(diǎn)7’和基板電極13沒有電極接合。進(jìn)行共晶接合時，當(dāng)金凸點(diǎn)7’的硬度相對于形成共晶的對象金屬的硬度過高時，金凸點(diǎn)7’不能嵌入對象金屬，無法形成充分的共晶。該情況下，產(chǎn)生斷線或接合不良引起的電氣缺陷。因此，金凸點(diǎn)7’的硬度必須根據(jù)用于電極接合的各向異性導(dǎo)電粘合劑中的導(dǎo)電粒子或與金凸點(diǎn)形成共晶的對象金屬的硬度，以適宜的硬度而形成。共晶接合和使用各向異性導(dǎo)電粘合劑的電極接合，對金凸點(diǎn)要求的硬度不同。金凸點(diǎn)的適宜的硬度在使用各向異性導(dǎo)電粘合劑進(jìn)行電極接合時，熱處理后的硬度為50～120HV，在進(jìn)行共晶接合時，熱處理后的硬度為35～60HV。適宜的硬度有差別是由于適宜的硬度根據(jù)導(dǎo)電粒子的種類或?qū)ο蠼饘俚挠捕榷煌硗?，不能以一個理由來確定導(dǎo)電粒子或?qū)ο蠼饘?。因此，期望使金凸點(diǎn)的硬度與適宜選擇的導(dǎo)電粒子或?qū)ο蠼饘俚挠捕认鄬?yīng)而簡便地形成的方法?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：特開2009-62584號公報專利文獻(xiàn)2：特開2009-57631號公報

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
發(fā)明所要解決的課題本發(fā)明的課題在于提供一種在共晶接合或使用各向異性導(dǎo)電粘合劑的電極接合中，適于在與基板電極之間產(chǎn)生充分接合力的金凸點(diǎn)的形成的金凸點(diǎn)形成用非氰系電解鍍浴、使用了該金凸點(diǎn)形成用非氰系電解鍍浴的金凸點(diǎn)形成方法。用于解決課題的手段本發(fā)明第一實(shí)施方式為一種金凸點(diǎn)形成用非氰系電解鍍金浴，其特征在于，含有亞硫酸金堿金屬鹽或亞硫酸金銨、傳導(dǎo)鹽、結(jié)晶穩(wěn)定劑、結(jié)晶調(diào)節(jié)劑、緩沖劑和光亮劑，所述亞硫酸金堿金屬鹽或亞硫酸金銨的含量以金濃度計為1～20g/L，所述傳導(dǎo)鹽為亞硫酸鈉，其含量為5～150g/L，所述光亮劑的含量為0.5～100mmol/L。本發(fā)明第二實(shí)施方式的特征在于，在本發(fā)明第一實(shí)施方式的金凸點(diǎn)形成用非氰系電解鍍金浴中，所述光亮劑為選自亞砜及/或砜的一種或兩種以上的化合物。本發(fā)明第三實(shí)施方式的特征在于，在本發(fā)明第一或第二實(shí)施方式的金凸點(diǎn)形成用非氰系電解鍍金浴中，所述光亮劑為選自四亞甲基亞砜、丙磺酸內(nèi)酯、1，4-丁磺酸內(nèi)酯、環(huán)丁砜、3-羥基環(huán)丁砜、4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷、3-環(huán)丁烯砜、3-環(huán)丁烯砜-3-甲酸甲酯、乙?；前匪徕浀囊环N或兩種以上的化合物。本發(fā)明第四實(shí)施方式的特征在于，在本發(fā)明第一～第三實(shí)施方式中任一方式的金凸點(diǎn)形成用非氰系電解鍍金浴中，所述結(jié)晶調(diào)節(jié)劑為選自Tl化合物、Pb化合物、或As化合物的一種或兩種以上的化合物，該結(jié)晶調(diào)節(jié)劑的含量以金屬濃度計為0.1～100mg/L。本發(fā)明第五實(shí)施方式的特征在于，在本發(fā)明第一～第四實(shí)施方式中任一方式的金凸點(diǎn)形成用非氰系電解鍍金浴中，所述結(jié)晶穩(wěn)定劑為水溶性胺，該水溶性胺的含量為1～12g/L。本發(fā)明第六實(shí)施方式的特征在于，在本發(fā)明第一～第五實(shí)施方式中任一方式的金凸點(diǎn)形成用非氰系電解鍍金浴中，所述結(jié)晶穩(wěn)定劑為選自1，2-二氨基乙烷、1，2-二氨基丙烷、或1，6-二氨基己烷的一種或兩種以上的組合。本發(fā)明的第七實(shí)施方式為一種金凸點(diǎn)形成方法，其特征在于，具有電解鍍金工序和熱處理工序，所述電解鍍金工序是在形成了圖案的半導(dǎo)體晶片上，使用本發(fā)明第一～第六實(shí)施方式中任一方式的金凸點(diǎn)形成用非氰系電解鍍金浴實(shí)施電解鍍金，所述熱處理工序是將實(shí)施了電解鍍金的所述半導(dǎo)體晶片，在150～400℃進(jìn)行5分鐘以上的熱處理，從而形成電解鍍金工序后的表面高低差為2μm以下，且所述熱處理工序后的硬度為35～120HV的金凸點(diǎn)。發(fā)明效果使用本發(fā)明的金凸點(diǎn)形成用非氰系電解鍍金浴形成的金凸點(diǎn)，為在鍍金被膜上看不到不勻、燒傷斑點(diǎn)等的均勻的外觀，與基板電極的接合面平坦。因?yàn)榻雍厦嫫教?，所以在使用各向異性?dǎo)電粘合劑的電極接合中，導(dǎo)電粒子均勻分布在接合面的整個面。由此，在接合面的整個面上易于確保與基板電極的接合面積。特別是在形成窄間距對應(yīng)的金凸點(diǎn)時，本發(fā)明可有效確保接合面積，所以產(chǎn)生充分的接合力。本發(fā)明可以通過調(diào)節(jié)鍍金浴中的光亮劑的含量，形成硬度適于使用各向異性導(dǎo)電粘合劑的電極接合的金凸點(diǎn)和硬度適于共晶接合的金凸點(diǎn)。即，利用本發(fā)明的金凸點(diǎn)形成用非氰系電解鍍浴形成的金凸點(diǎn)，可以通過接合面的平坦化和任意的硬度調(diào)節(jié)，在使用各向異性導(dǎo)電粘合劑的電極接合中，以導(dǎo)電粒子均勻地配置在接合面的整個面的狀態(tài)進(jìn)行熱壓接。另外，在共晶接合中充分地形成共晶。因此，根據(jù)本發(fā)明而形成的金凸點(diǎn)在任一種接合方法中都可在與基板電極之間發(fā)揮充分的接合力，發(fā)生斷線或接合不良的比例極低。附圖說明圖1是表示在現(xiàn)有的印刷線路基板上安裝了半導(dǎo)體晶片的狀態(tài)的一個實(shí)例的剖面圖；圖2是在半導(dǎo)體晶片上形成的現(xiàn)有的金凸點(diǎn)部分的局部放大剖面圖；圖3是在半導(dǎo)體晶片上形成的本發(fā)明的金凸點(diǎn)部分的局部放大剖面圖。符號說明1半導(dǎo)體晶片1’電路層2Al電極3鈍化膜3a鈍化膜的開口部4TiW濺射膜5金濺射膜6UBM層7金凸點(diǎn)7a金凸點(diǎn)的接合面7’現(xiàn)有的金凸點(diǎn)7’a現(xiàn)有的金凸點(diǎn)的接合面8抗蝕劑膜8a抗蝕劑膜的開口部9半導(dǎo)體晶片10印刷線路基板11硬質(zhì)基板12基板布線圖案13基板電極14密封材料A最高點(diǎn)B最低點(diǎn)C高低差具體實(shí)施方式<非氰系電解鍍金浴的成分>在下述(1)～(7)中說明本發(fā)明的電解鍍金浴的成分。(1)～(6)為必要成分。(1)亞硫酸金堿金屬鹽、亞硫酸金銨(金源)本發(fā)明中，作為金源可沒有限制地使用公知的亞硫酸金堿金屬鹽。作為公知的亞硫酸金堿金屬鹽，可以舉出亞硫酸金(I)鈉、亞硫酸金(I)鉀等。它們可以單獨(dú)使用一種，也可以兩種以上并用。本發(fā)明的非氰系電解鍍金浴的亞硫酸金堿金屬鹽或亞硫酸金銨的含量，以金濃度計為1～20g/L，優(yōu)選為8～15g/L。在亞硫酸金堿金屬鹽或亞硫酸金銨的含量低于1g/L時，有時電鍍被膜的厚度變得不勻勻。亞硫酸金堿金屬鹽或亞硫酸金銨的含量超過20g/L時，雖然電鍍被膜的物性等不會產(chǎn)生問題，但制造成本增高。(2)水溶性胺(結(jié)晶穩(wěn)定劑)本發(fā)明中，使用水溶性胺作為結(jié)晶穩(wěn)定劑。作為本發(fā)明中所使用的水溶性胺，為碳數(shù)2以上、優(yōu)選碳數(shù)2～6的二胺。作為碳數(shù)2～6的二胺，優(yōu)選為1，2-二氨基乙烷、1，2-二氨基丙烷、1，6-二氨基己烷等。它們可單獨(dú)使用一種，也可以兩種以上并用。本發(fā)明的非氰系電解鍍金浴中的水溶性胺的含量為0.1～30g/L、優(yōu)選為1～12g/L。水溶性胺的含量不足0.1g/L時，有時極限電流密度降低而成為電鍍燒傷斑點(diǎn)的原因。水溶性胺的含量超過30g/L時，金絡(luò)合鹽的穩(wěn)定性增大。但是，電鍍被膜過度地致密化，與基板電極的附著性變差。(3)Tl化合物、Pb化合物、As化合物(結(jié)晶調(diào)節(jié)劑)本發(fā)明使用Tl化合物、Pb化合物、As化合物作為結(jié)晶調(diào)節(jié)劑。作為本發(fā)明中所使用的Tl化合物，可舉出甲酸鉈、丙二酸鉈、硫酸鉈、硝酸鉈等。作為Pb化合物，可舉出檸檬酸鉛、硝酸鉛、鏈烷磺酸鉛等。作為As化合物，可舉出三氧化二砷等。這些Tl化合物、Pb化合物、As化合物可以單獨(dú)使用一種，也可以兩種以上并用。本發(fā)明的非氰系電解鍍金浴中的結(jié)晶調(diào)節(jié)劑的含量，以金屬濃度計為0.1～100mg/L，優(yōu)選為0.5～50mg/L，特別優(yōu)選為3～25mg/L。該含量可在不破壞本發(fā)明的目的的范圍內(nèi)適宜地設(shè)定。結(jié)晶調(diào)節(jié)劑的配合量不足0.1mg/L時，有時均勻電鍍性、電鍍浴穩(wěn)定性及耐久性惡化，電鍍浴的成分分解。結(jié)晶調(diào)節(jié)劑的配合量超過100mg/L時，有時產(chǎn)生均勻電鍍性惡化及電鍍被膜的外觀不勻勻。(4)亞硫酸鈉(傳導(dǎo)鹽)本發(fā)明使用亞硫酸鈉作為傳導(dǎo)鹽。本發(fā)明的非氰系電解鍍金浴中的亞硫酸鈉的含量為5～150g/L，優(yōu)選為10～80g/L。亞硫酸鈉的含量不足5g/L時，不能充分抑制金凸點(diǎn)形狀的鼓起，因此妨礙金凸點(diǎn)表面的平坦化。存在因均勻電鍍性的惡化及電鍍浴的穩(wěn)定性的惡化而導(dǎo)致電鍍浴構(gòu)成成分的分解這樣的問題。亞硫酸鈉的含量超過150g/L時，有時極限電流密度降低而產(chǎn)生電鍍燒傷斑點(diǎn)。(5)無機(jī)鹽、羧酸、羥基羧酸(緩沖劑)本發(fā)明可使用電解鍍金浴中所使用的公知的緩沖劑，沒有特殊限定。作為公知的緩沖劑，可舉出磷酸鹽和硼酸鹽等無機(jī)酸鹽、檸檬酸鹽、苯二甲酸鹽、乙二胺四乙酸鹽等有機(jī)酸(羧酸、羥基羧酸)鹽等。本發(fā)明的非氰系電解鍍金浴中的緩沖劑的含量為1～30g/L，優(yōu)選為2～15g/L，特別優(yōu)選為2～10g/L。緩沖劑的含量不足1g/L時，有時由于pH降低而使電鍍浴的穩(wěn)定性惡化，引起電鍍浴構(gòu)成成分的分解。緩沖劑的含量超過30g/L時，有時極限電流密度降低而產(chǎn)生電鍍燒傷斑點(diǎn)。(6)光亮劑本發(fā)明使用光亮劑。在本發(fā)明中使用的光亮劑為亞砜及/或砜。該亞砜及/或砜選自溶解于水的化合物。作為這種化合物，可以列舉四亞甲基亞砜等亞砜及其鹽、丙磺酸內(nèi)酯、1，4-丁磺酸內(nèi)酯、環(huán)丁砜、3-羥基環(huán)丁砜、4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷(4，4-dioxo-1，4-oxathiane)、3-環(huán)丁烯砜、3-環(huán)丁烯砜-3-甲酸甲酯、乙?；前匪徕浀软考捌潲}。它們可以單獨(dú)使用一種，也可以兩種以上并用。本發(fā)明的非氰系電解鍍金浴的光亮劑的含量為0.5～150mmol/L，優(yōu)選為1～100mmol/L。光亮劑將電鍍被膜致密化，有利于金凸點(diǎn)表面的平坦化。但是，在光亮劑的含量低于0.5mmol/L的情況下，不能使金凸點(diǎn)的表面平坦。在光亮劑的含量超過200mmol/L的情況下，存在光亮劑不溶解于電鍍浴，界限電流密度降低而導(dǎo)致電鍍燒傷斑點(diǎn)，或者，由于將電鍍被膜過于致密化而發(fā)生與基板電極的附著性產(chǎn)生不適合等問題。光亮劑也有助于金凸點(diǎn)的熱處理后的硬度調(diào)節(jié)。形成的金凸點(diǎn)的熱處理后硬度與非氰系電解鍍金浴的光亮劑的含量相對應(yīng)。在光亮劑的含量多的情況下形成硬的金凸點(diǎn)，在少的情況下，形成軟的金凸點(diǎn)。將使鍍金浴中的金量全部消耗在電鍍中的狀態(tài)稱為“1輪次”。本發(fā)明的鍍金浴通過補(bǔ)充管理構(gòu)成金源、及鍍金浴的其它成分，可以使用2輪次以上。因此，本發(fā)明的鍍金浴可以按照在補(bǔ)充光亮劑時，通過在上述范圍內(nèi)調(diào)節(jié)光亮劑的配合量，使熱處理后的金凸點(diǎn)的硬度成為35～120HV的方式形成。(7)其它成分除了在(1)～(6)中記載的必須成分外，作為適宜使用的成分，有pH調(diào)節(jié)劑等。作為pH調(diào)節(jié)劑，例如作為酸，可以舉出硫酸、亞硫酸、磷酸等，作為堿，可以舉出氫氧化鈉、氨水等。pH調(diào)節(jié)劑等可以在不破壞本發(fā)明的目的的范圍內(nèi)使用。<金凸點(diǎn)形成方法>本發(fā)明可以通過進(jìn)行常用方法的電鍍操作，在半導(dǎo)體晶片上形成金凸點(diǎn)?；趫D3說明電鍍操作之一例。圖3為表示在半導(dǎo)體晶片上使用本發(fā)明的非氰系電解鍍金浴形成的金凸點(diǎn)部分的局部放大剖面圖。在以下的記載中，有時將“非氰系電解鍍金浴”簡稱為“鍍金浴”。(1)層疊工序在半導(dǎo)體晶片1的形成有電路層1’的面上形成Al電極2。在電路層1’的表面形成覆蓋電路層1’及Al電極2的鈍化膜3。對于鈍化膜3，在使Al電極2的一部分露出的位置設(shè)置有開口部3a。在鈍化膜3的表面形成TiW濺射膜4。TiW濺射膜4覆蓋鈍化膜3及從鈍化膜3的開口部3a露出的Al電極2。在TiW濺射膜4的表面形成Au濺射膜5。TiW濺射膜4及Au濺射膜5構(gòu)成凸點(diǎn)下金屬(UnderBumpMetal)(UBM)層6。在UBM層6的表面形成抗蝕劑膜8，進(jìn)行掩蔽。對于抗蝕劑膜8，設(shè)有使Au濺射膜5的一部分露出的開口部8a?？刮g劑膜8的開口部8a設(shè)置在抗蝕劑膜8的下層Al電極2位于的區(qū)域。作為抗蝕劑膜8的材料，可以使用酚醛清漆樹脂系正型光致抗蝕劑等。(2)電解鍍金工序?qū)⑿纬闪藢盈B構(gòu)造的半導(dǎo)體晶片1作為被鍍物，使用本發(fā)明的非氰系電解鍍金浴進(jìn)行電解鍍金。本發(fā)明的鍍金浴若坯料被金屬化且為導(dǎo)電性高的物質(zhì)，則不挑選被鍍物。特別適于將酚醛清漆樹脂系正型光致抗蝕劑用于抗蝕劑膜8而形成圖案的硅晶片的電路上、和GaAs晶片等化合物晶片的電路上的金凸點(diǎn)形成。本發(fā)明的鍍金浴因?yàn)楹泄饬羷?，所以使電鍍被膜致密化，金凸點(diǎn)7的與基板電極的接合面7a變得平坦。電鍍溫度為40～70℃，優(yōu)選為50～65℃。在電鍍溫度為40～70℃范圍外時，電鍍被膜變得難以析出?；蛘?，有時鍍金浴變得不穩(wěn)定，引起鍍金浴的構(gòu)成成分的分解。電鍍時的設(shè)定電流密度根據(jù)鍍金浴的組成、溫度等而不同，但在金濃度為8～15g/L、60℃的電鍍溫度的條件下，電流密度為2.0A/dm2以下，優(yōu)選為0.2～1.2A/dm2。當(dāng)設(shè)定電流密度偏離該范圍時，作業(yè)性變差，或者電鍍被膜外觀或電鍍被膜特性產(chǎn)生異常。也有時鍍金浴變得明顯不穩(wěn)定，產(chǎn)生鍍金浴構(gòu)成成分的分解。鍍金浴的pH為7.0以上，優(yōu)選為7.2～10.0。在鍍金浴的pH低于7.0時，有時鍍金浴變得明顯不穩(wěn)定，產(chǎn)生鍍金浴構(gòu)成成分的分解。在鍍金浴的pH為10.0以上時，有時抗蝕劑膜8溶解，無法形成期望的金凸點(diǎn)。電解鍍金后，半導(dǎo)體晶片1的抗蝕劑膜8通過溶劑溶解除去。通過除去抗蝕劑膜8，露出未被金凸點(diǎn)7覆蓋的區(qū)域的UBM層6。露出的UBM層6也通過蝕刻等除去。由此，在未被金凸點(diǎn)7覆蓋的區(qū)域露出鈍化膜3。被金凸點(diǎn)7覆蓋的UBM層6在該工序中不被除去，而是維持層疊構(gòu)造。(3)熱處理工序在除去UBM層6和抗蝕劑膜8后，金凸點(diǎn)7在150～400℃、優(yōu)選在200～300℃進(jìn)行熱處理。熱處理時間為5分鐘以上，優(yōu)選為30～60分鐘。熱處理中使用精密烘箱等。精密烘箱可以在熱處理需要的時間將腔內(nèi)部保持在設(shè)定溫度一定時間，所以，適于該熱處理。通過該熱處理，可以得到期望的硬度且表面平坦的金凸點(diǎn)7。實(shí)施例通過以下實(shí)施例更具體地說明本發(fā)明。但是，本發(fā)明不受在此記載的實(shí)施例限定。調(diào)節(jié)含有Na3Au(SO3)2、Na2SO3、磷酸二氫鈉、1，2-二氨基乙烷、Tl、光亮劑的鍍金浴，經(jīng)過電解鍍金工序、熱處理工序形成金凸點(diǎn)(實(shí)施例1-46)。對于實(shí)施例1-46，根據(jù)以下的評價方法評價形成的金凸點(diǎn)的形狀、浴穩(wěn)定性、電鍍被膜外觀、被膜硬度、伴隨Au濺射膜的剝離的金凸點(diǎn)的均勻蝕刻性?！步鹜裹c(diǎn)形狀：平坦度(μm)〕如圖2所示，金凸點(diǎn)表面的平坦度是將金凸點(diǎn)表面的最高點(diǎn)A和最低點(diǎn)B的高低差C作為指標(biāo)進(jìn)行評價。高低差的值越小則表示表面越平坦。所謂“最高點(diǎn)”是指在金凸點(diǎn)表面(與基板電極的接合面7a)最突出的部分，所謂“最低點(diǎn)”是指突出最少的部分或最凹陷的部分。對平坦度的測量使用激光顯微鏡VK-9710(KEYENCE社制)?！苍》€(wěn)定性〕對被鍍物實(shí)施電解鍍金后，觀察鍍金浴的情況，并按照下述基準(zhǔn)進(jìn)行評價。表1-7所示的符號分別是指下述的觀察結(jié)果?！穑哄兘鹪≈形从^察到金的沉淀。×：以肉眼判斷的水平觀察到鍍金浴中有金的沉淀。〔電鍍被膜外觀〕觀察形成于被鍍物上的金凸點(diǎn)的表面外觀，并按照下述基準(zhǔn)進(jìn)行評價。表1-7所示的符號分別是指下述的觀察結(jié)果。○：為外觀均勻?！粒荷{(diào)為紅色、能看到樹枝狀析出、發(fā)現(xiàn)不勻或產(chǎn)生了燒傷斑點(diǎn)?！脖荒び捕?維氏硬度：HV)〕使用形成于被鍍物上的兩個金凸點(diǎn)中一邊為100μm的正方形金凸點(diǎn)，未熱處理時，在200℃進(jìn)行30分鐘熱處理后，在300℃進(jìn)行30分鐘熱處理，然后測定金凸點(diǎn)的硬度。測定使用Mitutoyo社制微小硬度試驗(yàn)機(jī)HM-221進(jìn)行，測定條件設(shè)定為將測定壓頭在25gf負(fù)荷下保持10秒鐘?！步鹜裹c(diǎn)的均勻蝕刻性〕觀察伴隨將被鍍物的Au濺射膜通過碘系蝕刻劑進(jìn)行蝕刻后，凸點(diǎn)的表面狀態(tài)的不勻。使用金屬顯微鏡在50～150倍的倍率下進(jìn)行觀察。表1-7所示的符號分別是指下述的觀察結(jié)果。下述的符號的意思中，“不勻”是指蝕刻時選擇性溶解的部分和特別促進(jìn)溶解的部分成為臺階狀的狀態(tài)。所謂“觀察到不勻”是指通過顯微鏡觀察可容易地識別出色調(diào)的不同的狀態(tài)?！穑涸诒诲兾锷系娜客裹c(diǎn)的表面未觀察到“不勻“?！粒涸谕裹c(diǎn)的表面觀察到“不勻”?！簿C合評價〕根據(jù)上述各評價結(jié)果進(jìn)行綜合評價。表1-7所示的符號的意思如下?！穑宏P(guān)于形成的鍍金被膜(金凸點(diǎn))及電鍍處理后的鍍金浴的上述評價結(jié)果全部為良好的結(jié)果?！粒宏P(guān)于形成的鍍金被膜(金凸點(diǎn))及電鍍處理后的鍍金浴的上述評價結(jié)果中包含不滿意的結(jié)果。(實(shí)施例1-5)作為光亮劑選擇四亞甲基亞砜。實(shí)施例1-5的本發(fā)明的非氰系電解鍍金浴的各成分的含量如下。四亞甲基亞砜以外的成分的含量相同。<鍍金浴的各成分的含量>Na3Au(SO3)2：關(guān)于Au元素，10g/LNa2SO3：60g/L磷酸二氫鈉：5g/L1、2-二氨基乙烷：10g/LTl：15mg/L四亞甲基亞砜：實(shí)施例1：1mmol/L實(shí)施例2：5mmol/L實(shí)施例3：10mmol/L實(shí)施例4：50mmol/L實(shí)施例5：100mmol/L被鍍物為坯料剖面組成為Au/TiW/SiO2的硅晶片。該硅晶片的抗蝕劑膜8使用了酚醛清漆樹脂系正型光致抗蝕劑。對于該抗蝕劑膜8，設(shè)有兩個以配置間隔20μm形成有圖案的開口部8a。一個開口部8a是短邊為20μm、長邊為100μm的長方形。另一個開口部8a是一邊為100μm的正方形。電解鍍金為在實(shí)施例1-5的鍍金浴1L中浸漬被鍍物，在電鍍溫度50～60℃、電流密度0.8A/dm2的條件下進(jìn)行。在常規(guī)的電鍍操作條件下，非氰系電解鍍金浴的電流效率通常為100％。通過電解鍍金工序，在被鍍物上形成了膜厚18μm的電鍍被膜。在形成該電鍍被膜后，使用甲乙酮從被鍍物(硅晶片)溶解除去抗蝕劑膜8。除去抗蝕劑膜8后，在常溫下于充分?jǐn)嚢璧牡庀滴g刻劑中將被鍍物浸漬90秒鐘，對Au濺射膜進(jìn)行蝕刻。之后，使用醇系沖洗液對被鍍物一起進(jìn)行清洗，吹干燥空氣使其干燥。使用精密烘箱對被鍍物進(jìn)行熱處理。溫度條件設(shè)定為在200℃的情況下為30分鐘，在300℃的情況下為30分鐘。實(shí)施例1-5的評價結(jié)果示于表1。表1中，將四亞甲基亞砜表示為亞砜A。(實(shí)施例6-10)調(diào)節(jié)在實(shí)施例1使用的鍍金浴中，含有丙磺酸內(nèi)酯代替四亞甲基亞砜的鍍金浴，形成金凸點(diǎn)(實(shí)施例6-10)。電解鍍金條件及熱處理條件與實(shí)施例1-5相同。實(shí)施例6-10中的丙磺酸內(nèi)酯的各含量示于以下。除了丙磺酸內(nèi)酯以外，其它成分的含量與實(shí)施例1-5相同。實(shí)施例6-10的評價結(jié)果示于表1。表1中，將丙磺酸內(nèi)酯作為砜B表示。<丙磺酸內(nèi)酯的含量>實(shí)施例6：1mmol/L實(shí)施例7：5mmol/L實(shí)施例8：10mmol/L實(shí)施例9：50mmol/L實(shí)施例10：100mmol/L(實(shí)施例11-15)調(diào)節(jié)在實(shí)施例1使用的鍍金浴中，含有1，4-丁磺酸內(nèi)酯代替四亞甲基亞砜的鍍金浴，形成金凸點(diǎn)(實(shí)施例11-15)。電解鍍金條件及熱處理條件與實(shí)施例1-5相同。實(shí)施例11-15中的1，4-丁磺酸內(nèi)酯的各含量示于以下。除了1，4-丁磺酸內(nèi)酯以外的其它成分的含量，除了1，2-二氨基乙烷以外，與實(shí)施例1相同。1，2-二氨基乙烷的含量設(shè)為12g/L。實(shí)施例11-15的評價結(jié)果示于表2。表2中，將1，4-丁磺酸內(nèi)酯表示為砜C。<1，4-丁磺酸內(nèi)酯的含量>實(shí)施例11：1mmol/L實(shí)施例12：5mmol/L實(shí)施例13：10mmol/L實(shí)施例14：50mmol/L實(shí)施例15：100mmol/L(實(shí)施例16-20)調(diào)節(jié)在實(shí)施例11使用的鍍金浴中，含有環(huán)丁砜代替1，4-丁磺酸內(nèi)酯的鍍金浴，形成金凸點(diǎn)(實(shí)施例16-20)。電解鍍金條件及熱處理條件與實(shí)施例1-5相同。實(shí)施例16-20中的環(huán)丁砜的含量示于以下。除了環(huán)丁砜以外的其它的含量與實(shí)施例11-15相同。實(shí)施例16-20的評價結(jié)果示于表2。表2中，將環(huán)丁砜表示為砜D。<環(huán)丁砜的含量>實(shí)施例16：1mmol/L實(shí)施例17：5mmol/L實(shí)施例18：10mmol/L實(shí)施例19：50mmol/L實(shí)施例20：100mmol/L(實(shí)施例21-25)調(diào)節(jié)在實(shí)施例1使用的鍍金浴中，含有3-環(huán)丁烯砜代替四亞甲基亞砜的鍍金浴，形成金凸點(diǎn)(實(shí)施例21-25)。電解鍍金條件及熱處理條件與實(shí)施例1-5相同。實(shí)施例21-25中的3-環(huán)丁烯砜的各含量示于以下。除了3-環(huán)丁烯砜以外其它成分的含量與實(shí)施例1-5相同。實(shí)施例21-25的評價結(jié)果示于表3。表3中，將3-環(huán)丁烯砜表示為砜E。<3-環(huán)丁烯砜的含量>實(shí)施例21：1mmol/L實(shí)施例22：5mmol/L實(shí)施例23：10mmol/L實(shí)施例24：50mmol/L實(shí)施例25：100mmol/L(實(shí)施例26-30)調(diào)節(jié)在實(shí)施例1使用的鍍金浴中，含有4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷代替四亞甲基亞砜的鍍金浴，形成金凸點(diǎn)(實(shí)施例26-30)。電解鍍金條件及熱處理條件與實(shí)施例1-5相同。實(shí)施例26-30中的4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷的各含量示于以下。除了4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷以外的其它成分的含量與實(shí)施例1-5相同。實(shí)施例26-30的評價結(jié)果示于表3。表3中，將4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷表示為砜F。<4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷的含量>實(shí)施例26：1mmol/L實(shí)施例27：5mmol/L實(shí)施例28：10mmol/L實(shí)施例29：50mmol/L實(shí)施例30：100mmol/L(實(shí)施例31-35)調(diào)節(jié)在實(shí)施例1使用的鍍金浴中，含有乙?；前匪徕洿嫠膩喖谆鶃嗧康腻兘鹪?，形成金凸點(diǎn)(實(shí)施例31-35)。電解鍍金條件及熱處理條件與實(shí)施例1-5相同。實(shí)施例31-35中的乙?；前匪徕浀母骱渴居谝韵隆３艘阴；前匪徕浺酝獾钠渌煞值暮颗c實(shí)施例1-5相同。實(shí)施例31-35的評價結(jié)果示于表4。表4中，將乙酰磺胺酸鉀表示為砜G。<乙?；前匪徕浀暮?gt;實(shí)施例31：1mmol/L實(shí)施例32：5mmol/L實(shí)施例33：10mmol/L實(shí)施例34：50mmol/L實(shí)施例35：100mmol/L(實(shí)施例36-38)在實(shí)施例26-35使用的鍍金浴中，不是單獨(dú)使用4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷或乙?；前匪徕?，而是并用該兩種光亮劑來調(diào)節(jié)鍍金浴，形成金凸點(diǎn)(實(shí)施例36-38)。電解鍍金條件及熱處理條件與實(shí)施例26-35相同。實(shí)施例36-38中的4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷和乙酰磺胺酸鉀的各含量示于以下。除了4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷和乙?；前匪徕浺酝獾钠渌煞值暮颗c實(shí)施例26-35相同。實(shí)施例36-38的評價結(jié)果示于表4。表4中，將4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷以砜F表示，將乙?；前匪徕浺皂縂表示。<4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷的含量>實(shí)施例36：10mmol/L實(shí)施例37：10mmol/L實(shí)施例38：50mmol/L<乙酰磺胺酸鉀的含量>實(shí)施例36：10mmol/L實(shí)施例37：50mmol/L實(shí)施例38：50mmol/L(實(shí)施例39-40)調(diào)節(jié)在實(shí)施例1使用的鍍金浴中，使Na3Au(SO3)2的含量變化的鍍金浴，形成金凸點(diǎn)(實(shí)施例39-40)。電解鍍金條件及熱處理條件與實(shí)施例1相同。實(shí)施例39-40中的Na3Au(SO3)2的Au元素的各含量示于以下。除了Na3Au(SO3)2以外的其它成分的含量與實(shí)施例1相同。實(shí)施例39-40的評價結(jié)果示于表4。表4中，四亞甲基亞砜表示為亞砜A。<Na3Au(SO3)2的含量>實(shí)施例39：關(guān)于Au元素，8g/L實(shí)施例40：關(guān)于Au元素，15g/L(實(shí)施例41-42)調(diào)節(jié)在實(shí)施例1使用的鍍金浴中，使1、2-二氨基乙烷的含量變化的鍍金浴，形成金凸點(diǎn)(實(shí)施例41-42)。電解鍍金條件及熱處理條件與實(shí)施例1相同。實(shí)施例41-42中的1、2-二氨基乙烷的各含量示于以下。除了1、2-二氨基乙烷以外其它成分的含量與實(shí)施例1相同。實(shí)施例41-42的評價結(jié)果示于表5。表5中，將四亞甲基亞砜表示為亞砜A。<1、2-二氨基乙烷的含量>實(shí)施例41：8g/L實(shí)施例42：12g/L(實(shí)施例43-44)調(diào)節(jié)在實(shí)施例1使用的鍍金浴中，使T1的含量變化的鍍金浴，形成金凸點(diǎn)(實(shí)施例43-44)。電解鍍金條件及熱處理條件與實(shí)施例1相同。實(shí)施例43-44中的T1的各含量示于以下。除了Tl以外的其它成分的含量與實(shí)施例1相同。實(shí)施例43-44的評價結(jié)果示于表5。表5中，將四亞甲基亞砜表示為亞砜A。<Tl的含量>實(shí)施例43：10mg/L實(shí)施例44：20mg/L(實(shí)施例45-46)調(diào)節(jié)在實(shí)施例1使用的鍍金浴中，使Na2SO3的含量變化的鍍金浴，形成金凸點(diǎn)(實(shí)施例45-46)。電解鍍金條件及熱處理條件與實(shí)施例1相同。實(shí)施例45-46中的Na2SO3的各含量示于以下。除了Na2SO3以外的其它成分的含量與實(shí)施例1相同。實(shí)施例45-46的評價結(jié)果示于表5。表5中，將四亞甲基亞砜表示為亞砜A。<Na2SO3的含量>實(shí)施例45：40g/L實(shí)施例46：80g/L[表1]亞砜A(mmol/L)：四亞甲基亞砜砜B(mmol/L)：丙磺酸內(nèi)酯砜C(mmol/L)：1，4-丁磺酸內(nèi)酯砜D(mmol/L)：環(huán)丁砜砜E(mmol/L)：3-環(huán)丁烯砜砜F(mmol/L)：4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷砜G(mmol/L)：乙?；前匪徕沎表2]亞砜A(mmol/L)：四亞甲基亞砜砜B(mmol/L)：丙磺酸內(nèi)酯砜C(mmol/L)：1，4-丁磺酸內(nèi)酯砜D(mmol/L)：環(huán)丁砜砜E(mmol/L)：3-環(huán)丁烯砜砜F(mmol/L)：4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷砜G(mmol/L)：乙酰磺胺酸鉀[表3]亞砜A(mmol/L)：四亞甲基亞砜砜B(mmol/L)：丙磺酸內(nèi)酯砜C(mmol/L)：1，4-丁磺酸內(nèi)酯砜D(mmol/L)：環(huán)丁砜砜E(mmol/L)：3-環(huán)丁烯砜砜F(mmol/L)：4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷砜G(mmol/L)：乙?；前匪徕沎表4]亞砜A(mmol/L)：四亞甲基亞砜砜B(mmol/L)：丙磺酸內(nèi)酯砜C(mmol/L)：1，4-丁磺酸內(nèi)酯砜D(mmol/L)：環(huán)丁砜砜E(mmol/L)：3-環(huán)丁烯砜砜F(mmol/L)：4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷砜G(mmol/L)：乙?；前匪徕沎表5]亞砜A(mmol/L)：四亞甲基亞砜砜B(mmol/L)：丙磺酸內(nèi)酯砜C(mmol/L)：1，4-丁磺酸內(nèi)酯砜D(mmol/L)：環(huán)丁砜砜E(mmol/L)：3-環(huán)丁烯砜砜F(mmol/L)：4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷砜G(mmol/L)：乙?；前匪徕泴?shí)施例1～35為分別使用了以不同濃度含有一種光亮劑的鍍金浴的實(shí)施例。金凸點(diǎn)用途所要求的平坦度(高低差)為3μm以下，優(yōu)選為2μm以下。根據(jù)表1～5，實(shí)施例1-35中所形成的金凸點(diǎn)其表面的高低差都為2μm以下。電鍍被膜外觀上未發(fā)現(xiàn)紅色色調(diào)、樹枝狀析出、燒傷斑點(diǎn)、不勻等，均勻電鍍性也良好。實(shí)施例36～38為使用了將兩種光亮劑并用的鍍金浴的實(shí)施例。在將兩種光亮劑并用時，和單獨(dú)使用一種光亮劑時相同，也能夠得到平坦度為2μm以下、電鍍被膜外觀及均勻電鍍性良好的金凸點(diǎn)。即，本發(fā)明涉及的金凸點(diǎn)具有為在電極接合中發(fā)揮充分的接合力而要求的平坦度。尤其作為窄間距對應(yīng)的金凸點(diǎn)，本發(fā)明的金凸點(diǎn)是合適的。金凸點(diǎn)的平坦度與各光亮劑的濃度相對應(yīng)。其對應(yīng)關(guān)系根據(jù)光亮劑的不同而不同，例如，使用四亞甲基亞砜(實(shí)施例1～5)或1，4-丁磺酸內(nèi)酯(實(shí)施例11～15)作為光亮劑時，存在光亮劑的濃度越高金凸點(diǎn)的平坦度越小的傾向。因此，本發(fā)明通過調(diào)節(jié)所使用的光亮劑的濃度能夠?qū)⒔鹜裹c(diǎn)調(diào)節(jié)至所期望的平坦度。尤其是，使用環(huán)丁砜(實(shí)施例16～20)或4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷(實(shí)施例26～30)作為光亮劑時，存在光亮劑的濃度越低金凸點(diǎn)的平坦度越小的傾向。因此，對于本發(fā)明，使用環(huán)丁砜或4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷作為光亮劑時，使光亮劑的含量為少量，能夠得到平坦度小的金凸點(diǎn)。實(shí)施例1～38中形成的金凸點(diǎn)，熱處理后的硬度大約分布在35～120HV。例如，實(shí)施例28、實(shí)施例29中，表示使用4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷作為光亮劑，其濃度為10mmol/L、50mmol/L的情況。將這些實(shí)施例中形成的金凸點(diǎn)在300℃進(jìn)行熱處理后的硬度，在光亮劑的濃度為10mmol/L時(實(shí)施例28)為55HV，在光亮劑的濃度為50mmol/L時(實(shí)施例29)為62HV。實(shí)施例33、實(shí)施例34表示使用乙?；前匪徕涀鳛楣饬羷?，其濃度為10mmol/L的情況和濃度為50mmol/L的情況。這些實(shí)施例中形成的金凸點(diǎn)在200℃進(jìn)行了熱處理的情況下的硬度，在光亮劑的濃度為10mmol/L時(實(shí)施例33)為79HV，在光亮劑的濃度為50mmol/L時(實(shí)施例34)為110HV。對于在300℃進(jìn)行了熱處理的情況下的硬度，在光亮劑的濃度為10mmol/L時(實(shí)施例33)為48HV，在光亮劑的濃度為50mmol/L時(實(shí)施例34)為54HV。這樣，金凸點(diǎn)熱處理后的硬度具有作為光亮劑的亞砜或砜的濃度越高就越高的傾向。因此，本發(fā)明通過提高光亮劑的濃度，與使用的導(dǎo)電性粘合劑的導(dǎo)電粒子的種類或共晶接合中的對象金屬的硬度配合，可得到硬度高的金凸點(diǎn)。但是，本發(fā)明所用的光亮劑中，如4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷，存在濃度越高平坦度越大的傾向(實(shí)施例26-30)。熱處理后的金凸點(diǎn)的硬度存在光亮劑的濃度越高硬度就越高的傾向，因此，如果單獨(dú)使用這樣的光亮劑，在形成熱處理后的硬度高的金凸點(diǎn)時，有時平坦度增大，有時需要熱處理條件的調(diào)節(jié)。例如，根據(jù)上述實(shí)施例28及實(shí)施例29，4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷的濃度為10mmol/L時，金凸點(diǎn)的平坦度為1.40μm(實(shí)施例28)。與此相對，4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷的濃度為50mmol/L時，金凸點(diǎn)的平坦度為1.59μm(實(shí)施例29)，實(shí)施例29中形成的金凸點(diǎn)與實(shí)施例28中形成的金凸點(diǎn)相比平坦度大。但是，本發(fā)明即使使用如4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷那樣具有濃度越高平坦度越大的傾向的光亮劑，得到高硬度的金凸點(diǎn)時，有時通過組合使用其它光亮劑，也能夠防止平坦度增大。實(shí)施例37及實(shí)施例38中，將濃度為10mmol/L(實(shí)施例37)、50mmol/L(實(shí)施例38)的4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷與濃度為50mmol/L的乙酰磺胺酸鉀并用作為光亮劑。將這些實(shí)施例中形成的金凸點(diǎn)在200℃進(jìn)行熱處理后的硬度，在4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷的濃度為10mmol/L時(實(shí)施例37)為108HV，在濃度為50mmol/L時(實(shí)施例38)，為115HV。在300℃進(jìn)行熱處理后的硬度，在4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷的濃度為10mmol/L時(實(shí)施例37)為51HV，在濃度為50mmol/L時(實(shí)施例38)為57HV。即，光亮劑的濃度越高則熱處理后的硬度越大。將這些實(shí)施例以金凸點(diǎn)的平坦度進(jìn)行比較時，相對于實(shí)施例37中形成的金凸點(diǎn)的平坦度為1.34μm，實(shí)施例38中形成的金凸點(diǎn)的平坦度為1.25μm，與單獨(dú)使用4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷時不同，光亮劑的濃度高的一方平坦度小。即，本發(fā)明通過將一種光亮劑與其它的光亮劑并用，有時無需調(diào)節(jié)熱處理條件即可得到熱處理后的硬度高、平坦度小的金凸點(diǎn)。實(shí)施例39～46為光亮劑的濃度相同，使除光亮劑以外的其它各成分的濃度發(fā)生變化的實(shí)施例。在這些實(shí)施例中，關(guān)于形成的金凸點(diǎn)的平坦度、電鍍被膜外觀、均勻電鍍性及熱處理后的硬度，也可得到與實(shí)施例1～38相同的結(jié)果。即，本發(fā)明能夠不受制于光亮劑以外的各成分的含量而得到所期望的平坦度和硬度等。(比較例1～6)在實(shí)施例1所用的鍍金浴中，不使用光亮劑而形成金凸點(diǎn)(比較例1-6)。電解鍍金條件及熱處理條件與實(shí)施例1～5相同。將比較例1～6的評價結(jié)果示于表6。(比較例7～13)在實(shí)施例1所用的鍍金浴中，從亞砜A、砜B～G中選擇一種作為光亮劑，使其含有200mmol/L，進(jìn)行調(diào)節(jié)，形成金凸點(diǎn)(比較例7～13)。電解鍍金條件及熱處理條件與實(shí)施例1～5相同。比較例7～13的評價結(jié)果示于表6、表7。(比較例14～20)在實(shí)施例1所用的鍍金浴中，從亞砜A、砜B～G中選擇一種作為光亮劑，使其含有0.1mmol/L，進(jìn)行調(diào)節(jié)，形成金凸點(diǎn)(比較例14-20)。電解鍍金條件及熱處理條件與實(shí)施例1～5相同。將比較例14～20的評價結(jié)果示于表7。[表6]亞砜A(mmol/L)：四亞甲基亞砜砜B(mmol/L)：丙磺酸內(nèi)酯砜C(mmol/L)：1，4-丁磺酸內(nèi)酯砜D(mmol/L)：環(huán)丁砜砜E(mmol/L)：3-環(huán)丁烯砜砜F(mmol/L)：4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷砜G(mmol/L)：乙酰磺胺酸鉀[表7]亞砜A(mmol/L)：四亞甲基亞砜砜B(mmol/L)：丙磺酸內(nèi)酯砜C(mmol/L)：1，4-丁磺酸內(nèi)酯砜D(mmol/L)：環(huán)丁砜砜E(mmol/L)：3-環(huán)丁烯砜砜F(mmol/L)：4，4-二氧代-1，4-氧硫雜環(huán)己烷砜G(mmol/L)：乙酰磺胺酸鉀根據(jù)表6、7，比較例1～20的金凸點(diǎn)，電鍍被膜的外觀都發(fā)現(xiàn)了紅色的色調(diào)、樹枝狀析出、燒傷斑點(diǎn)、不勻等。因此，這些金凸點(diǎn)的均勻電鍍性不好。比較例1～20中，比較例1～6為以不含有光亮劑的鍍金浴形成的金凸點(diǎn)。這些金凸點(diǎn)其表面的高低差超過了2μm。在電極接合中有效地確保接合面積的基礎(chǔ)上，凸點(diǎn)用途中所要求的平坦度(高低差)為2μm以下的情況下，由于這樣的金凸點(diǎn)平坦度不充分，因此難以確保接合面積。所以，在電極接合中不能得到充分的接合力。比較例7～20為以含有光亮劑的鍍金浴形成的金凸點(diǎn)。但是，光亮劑的含量不適當(dāng)，因此，電鍍被膜外觀上發(fā)現(xiàn)了紅色的色調(diào)、樹枝狀析出、不勻、或產(chǎn)生燒傷斑點(diǎn)，均勻電鍍不好。比較例7～20中的比較例7-13為以光亮劑的濃度比實(shí)施例高的鍍金浴形成的金凸點(diǎn)。這些金凸點(diǎn)的平坦度(表面高低差)都為2μm以下。但是，使用了亞砜A、砜B～E作為光亮劑的比較例7～10的金凸點(diǎn)的熱處理后的硬度超過了35～60HV。因此，這些金凸點(diǎn)不適于共晶接合。比較例14～20的金凸點(diǎn)為以光亮劑的濃度比實(shí)施例低的鍍金浴形成的金凸點(diǎn)。這些金凸點(diǎn)的平坦度(表面高低差)都超過了2μm。因此，平坦度不充分，難以確保接合面積。因此，在電極接合中不能得到充分的接合力。在金凸點(diǎn)表面也發(fā)現(xiàn)了由Au濺射膜的蝕刻所使用的碘系蝕刻劑的影響所產(chǎn)生的不勻。