一種低翹曲度電解銅箔的生產工藝的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬于電解銅箔生產工藝技術領域，具體涉及一種低翹曲度電解銅箔的生產工藝。
【背景技術】
[0002]隨著現(xiàn)代電子工業(yè)的高速發(fā)展，具有良好穩(wěn)定性的高品質電解銅箔材料顯得愈發(fā)重要。目前，在電解銅箔的生產過程中，由于添加劑的配置、陰極輥表面質量、銅箔在陰極輥上剝離的應力及表面處理過程中的夾雜物等因素，銅箔的翹曲問題是很多生產廠家面臨的問題。這一問題對于覆銅板及印刷電路板的制作性能及生產效率產生很大影響。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術的不足，提供一種低翹曲度電解銅箔的生產工藝。
[0004]為實施上述目的，本發(fā)明采用的技術方案是，一種低翹曲度電解銅箔的生產工藝，包括溶銅制液和電解生箔步驟，溶銅制液步驟所得硫酸銅電解液中Cu2+濃度70g/L-95g/L、H2SO4濃度 90g/L-120g/L、羥乙基纖維素 3g/L_30g/L、明膠 2g/L_35g/L、添加劑 A 5g/L-35g/L、添加劑B lg/L-20g/L ;電解生箔步驟的工藝條件為溫度為45_55°C，電流密度為45-70A/dm2;添加劑A為聚乙二醇、聚二硫二丙烷磺酸鈉、硫脲中的任一種或幾種；添加劑B為酰胺、HCl、糖精鈉中的任一種或幾種。
[0005]優(yōu)選的，所述明膠的分子量為20000 - 30000。
[0006]優(yōu)選的，所述酰胺為乙酰胺。
[0007]本發(fā)明產生的有益效果是，通過采用本發(fā)明低翹曲度電解銅箔的生產工藝中的添加劑及操作工藝，能有效降低目前高精電解銅箔生產過程中產生的應力，從而對翹曲度影響銅箔性能的問題解決有重要意義，具有良好的前景和應用價值。
【具體實施方式】
[0008]下面結合具體實施例對本發(fā)明作進一步說明，但本發(fā)明的保護范圍不限于此，以下實施例中所有明膠的分子量為20000 - 30000。
[0009]實施例1
一種低翹曲度電解銅箔的生產工藝，包括溶銅制液和電解生箔步驟，溶銅制液步驟所得硫酸銅電解液中Cu2+濃度85g/L、％504濃度105g/L、羥乙基纖維素15g/L、明膠20g/L、聚二硫二丙烷磺酸鈉20g/L、HC1 10g/L;電解生箔步驟的工藝條件為溫度為50°C，電流密度為 60A/dm2。
[0010]本實施例制備的厚度為12μπι的電解銅箔，選取200mmX200mm試樣，測試四角翹曲高度最大值為9mm。
[0011]實施例2
一種低翹曲度電解銅箔的生產工藝，包括溶銅制液和電解生箔步驟，溶銅制液步驟所得硫酸銅電解液中Cu2+濃度70g/L、H2S04濃度90g/L、羥乙基纖維素3g/L、明膠2g/L、聚乙二醇-4000 5g/L、乙酰胺lg/L ；電解生箔步驟的工藝條件為溫度為45°C，電流密度為45A/dm2 ο
[0012]本實施例制備的厚度為12μπι的電解銅箔，選取200mmX200mm試樣，測試四角翹曲高度最大值為8mm。
[0013]實施例3
一種低翹曲度電解銅箔的生產工藝，包括溶銅制液和電解生箔步驟，溶銅制液步驟所得硫酸銅電解液中Cu2+濃度958/1、4504濃度120g/L、羥乙基纖維素30g/L、明膠35g/L、硫脲35g/L、糖精鈉20g/L;電解生箔步驟的工藝條件為溫度為55°C，電流密度為70A/dm2。
[0014]本實施例制備的厚度為12μπι的電解銅箔，選取200mmX200mm試樣，測試四角翹曲高度最大值為3mm。
【主權項】
1.一種低翹曲度電解銅箔的生產工藝，包括溶銅制液和電解生箔步驟，其特征在于:溶銅制液步驟所得硫酸銅電解液中Cu2+濃度70g/L-95g/L、H2SO4濃度90g/L_120g/L、羥乙基纖維素 3g/L-30g/L、明膠 2g/L-35g/L、添加劑 A 5g/L_35g/L、添加劑 B lg/L_20g/L;電解生箔步驟的工藝條件為溫度為45-55°C，電流密度為45-70A/dm2;添加劑A為聚乙二醇、聚二硫二丙烷磺酸鈉、硫脲中的任一種或幾種；添加劑B為酰胺、HC1、糖精鈉中的任一種或幾種。
2.如權利要求1所述的低翹曲度電解銅箔的生產工藝，其特征在于，所述明膠的分子量為 20000 — 30000。
3.如權利要求1所述的低翹曲度電解銅箔的生產工藝，其特征在于，所述酰胺為乙酰胺。
【專利摘要】本發(fā)明屬于一種低翹曲度電解銅箔的生產工藝，包括溶銅制液和電解生箔步驟，溶銅制液步驟所得硫酸銅電解液中Cu2+ 濃度70g/L-95g/L、H2SO4濃度90g/L-120g/L、羥乙基纖維素3g/L-30g/L、明膠2g/L-35g/L、添加劑A 5g/L-35g/L 、添加劑B 1g/L-20g/L；電解生箔步驟的工藝條件為溫度為45-55℃，電流密度為45-70A/dm2；添加劑A為聚乙二醇、聚二硫二丙烷磺酸鈉、硫脲中的一種或幾種；添加劑B為酰胺、HCl、糖精鈉中的一種或幾種。采用本發(fā)明能有效降低目前高精電解銅箔生產過程中產生的應力，從而對翹曲度影響銅箔性能的問題解決有重要意義。
【IPC分類】C25D1-04, C25D3-38
【公開號】CN104762642
【申請?zhí)枴緾N201510148125
【發(fā)明人】樊斌鋒, 王建智, 張欣, 柴云, 韓樹華, 姚于希, 何鐵帥
【申請人】靈寶華鑫銅箔有限責任公司
【公開日】2015年7月8日
【申請日】2015年3月31日