一種用于tft液晶玻璃面板的鋁合金基材的陽極氧化工藝的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明屬于TFT設備用鋁合金表面處理工藝的技術領域，特別涉及一種用于TFT 設備的鋁合金基材的陽極氧化工藝。
【背景技術】
[0002] 隨著國內(nèi) TFT 液晶玻璃面板（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display) 市場需求持續(xù)擴大，各大面板廠紛紛擴建6代、8. 5代等TFT液晶面板生產(chǎn)線；同步對于TFT 液晶玻璃面板以及零組件的配套需求也急速提升。
[0003]目前所了解到上部電極板和電極板配套的內(nèi)壁板等鋁合金零件，因為在液晶面板 制作的過程中會需要釋放電弧，所以要求是鋁合金零件表面要有絕緣性和耐腐蝕性；以延 長設備和零件的使用壽命，同步保證過程的穩(wěn)定性。
[0004] 目前采用的工藝，在絕緣性和耐腐蝕性都能滿足客戶的使用要求，但是在使用壽 命上還需要進一步提高，希望將使用壽命從2. 5個月延長到4個月。
[0005] 因此，通過調(diào)整改進鋁合金基材的陽極氧化工藝，提高其耐擊穿電壓性能和耐腐 蝕性能，并進一步延長產(chǎn)品的使用壽命是非常有必要的，具有良好的行業(yè)應用前景。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術的不足，提供一種用于TFT設備的鋁合金基材的 陽極氧化工藝。
[0007] 本發(fā)明的目的通過以下技術方案來實現(xiàn)：
[0008] 本發(fā)明的目的在于提供一種用于TFT液晶玻璃面板的鋁合金基材的陽極氧化工 藝，包括：
[0009] S1、脫脂：將鋁合金基材放入濃度為30g/L-50g/L的脫脂劑中，溫度55°C _65°C，脫 脂6min-10min后取出；
[0010] S2、堿蝕：將鋁合金基材放入濃度為90g/L-l 10g/L的NaOH溶液中，溫度 45°C -55°C 堿洗 20S ~40S
[0011] S3、除灰：將鋁合金基材放入濃度為25wt% -45wt%的HN03溶液中，室溫下除灰 20S ~60S ;
[0012] S4、第一次水洗：用水反復沖洗鋁合金基材，沖洗IOS~20S后取出；
[0013] S5、硫酸陽極氧化：以石墨板作為陰極，將鋁合金基材放入含有用98wt%濃硫酸 配置的150g/L~180g/L硫酸溶液的氧化槽內(nèi)作為陽極，溫度控制在-2°C~2°C，接通電 源，控制電流密度2. OA/dm2~3. OA/dm 2,根據(jù)每2分鐘生長Ium的氧化膜厚來控制氧化的 時間。
[0014] S6、第二次水洗：用水反復沖洗鋁合金基材，沖洗IOS~30S ;
[0015] S7、草酸陽極氧化：陽極為產(chǎn)品，陰極采用石墨板，將鋁合金基材放入濃度為40g/ L_60g/L的C2H204溶液中，溫度控制在16°C~22°C，接通電源，控制電壓在15min內(nèi)均勻升 至65V，待電壓升至65V后維持20min，控制草酸氧化工序所增加的膜層厚度在10 μ m以內(nèi)， 總厚度控制在50~60um ;
[0016] S8、第三次水洗：用水反復沖洗鋁合金基材，沖洗IOS~30S ;
[0017] S9、封孔：用去離子水作為封孔液，用氨水調(diào)整pH值到8. 5-9. 5之間，溫度 80°C -100°C，對鋁合金基材進行封孔處理150-240min ;
[0018] S10、吹干：將鋁合金基材表面積水吹干，即得。
[0019] 所述步驟S5的氧化槽內(nèi)含有l(wèi)g/L-5g/L的鋁離子。
[0020] 所述步驟S5中的硫酸溶液濃度為160g/L~170g/L。
[0021 ] 所述步驟S5中的溫度控制在0°C。
[0022] 與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明的積極效果如下：
[0023] 本發(fā)明通過調(diào)整硫酸氧化的工藝條件，將氧化溫度控制在0°C附近，同時將電流密 度提高到2. OA/dm2~3. OA/dm2,可以有效提升產(chǎn)品的耐熱變性能進而避免產(chǎn)品在使用過程 中因為熱變而造成耐擊穿電壓和耐腐蝕性能降低；在硫酸硬質(zhì)氧化之后，再用草酸氧化，可 以有效提升廣品的耐擊穿電壓性能和耐腐蝕性能。
【具體實施方式】
[0024] 下面結(jié)合具體實施例，進一步闡述本發(fā)明。應理解，這些實施例僅用于說明本發(fā)明 而不用于限制本發(fā)明的范圍。此外應理解，在閱讀了本發(fā)明講授的內(nèi)容之后，本領域技術人 員可以對本發(fā)明作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權利要求書所限定 的范圍。
[0025] 實施例1
[0026] S1、脫脂：將鋁合金基材放入濃度為40g/L的脫脂劑T-200,溫度60°C，脫脂清洗 8min后取出；
[0027] S2、堿蝕：將鋁合金基材放入濃度為100g/L的NaOH溶液中，溫度50°C堿洗30S ;
[0028] S3、除灰：將鋁合金基材放入濃度為30% (重量比）的圓03溶液中，室溫下除灰 40S ；
[0029] S4、第一次水洗：用水反復沖洗鋁合金基材，沖洗20S后取出；
[0030] S5、硫酸陽極氧化：以石墨板作為陰極，將鋁合金基材放入含有用98wt%濃硫酸 配置的160g/L硫酸溶液的氧化槽內(nèi)作為陽極，溫度控制在0°C，接通電源，電流密度2. 5A/ dm2,反應時間60min，膜層厚度約40~50 μ m ;
[0031] S6、第二次水洗：用水反復沖洗鋁合金基材，沖洗20S ;
[0032] S7、草酸陽極氧化：陽極為產(chǎn)品，陰極采用石墨板；將鋁合金基材放入濃度為50g/ L的C2H204溶液中，溫度控制在20°C，接通電源，控制電壓在15min內(nèi)均勻升至65V，待電壓 升至65V后維持20min，控制草酸氧化工序所增加的膜層厚度在10 μ m以內(nèi)，總厚度控制在 50 ~60um ;
[0033] S8、第三次水洗：用水反復沖洗鋁合金基材，沖洗20S ;
[0034] S9、封孔：用去離子水和氨水制封孔液，用氨水調(diào)整pH值到pH9. 0,溫度95°C，對鋁 合金基材進行封孔處理2IOmin ;
[0035] S10、吹干：將鋁合金基材表面積水吹干，即得。
[0036] 實施例2
[0037] S1、脫脂：將鋁合金基材放入濃度為30g/L的脫脂劑T-200,溫度65°C，脫脂清洗 6min后取出；
[0038] S2、堿蝕：將鋁合金基材放入濃度為90g/L的NaOH溶液中，溫度55°C堿洗40S ;
[0039] S3、除灰：將鋁合金基材放入濃度為40% (重量比）的順03溶液中，室溫下除灰 30S ；
[0040] S4、第一次水洗：用水反復沖洗鋁合金基材，沖洗20S后取出；
[0041] S5、硫酸陽極氧化：以石墨板作為陰極，將鋁合金基材放入含有用98wt%濃硫酸 配置的180g/L硫酸溶液的氧化槽內(nèi)作為陽極，溫度控制在-2°C，接通電源，電流密度2. OA/ dm2,反應時間60min，膜層厚度約40~50 μ m ;
[0042] S6、第二次水洗：用水反復沖洗鋁合金基材，沖洗IOS ;
[0043] S7、草酸陽極氧化：陽極為產(chǎn)品，陰極采用石墨板；將鋁合金基材放入濃度為40g/ L的C2H204溶液中，溫度控制在22°C，接通電源，控制電壓在15min內(nèi)均勻升至65V，待電壓 升至65V后維持20min，控制草酸氧化工序所增加的膜層厚度在10 μ m以內(nèi)，總厚度控制在 50 ~60um ;
[0044] S8、第三次水洗：用水反復沖洗鋁合金基材，沖洗20S ;
[0045] S9、封孔：用去離子水和氨水制封孔液，用氨水調(diào)整pH值到pH8. 5,溫度100°C，對 鋁合金基材進行封孔處理150min ;
[0046] S10、吹干：將鋁合金基材表面積水吹干，即得。
[0047] 實施例3
[0048] S1、脫脂：將鋁合金基材放入濃度為50g/L的脫脂劑T-200,溫度55°C，脫脂清洗 IOmin后取出；
[0049] S2、堿蝕：將鋁合金基材放入濃度為110g/L的NaOH溶液中，溫度45°C堿洗20S ;
[0050] S3、除灰：將鋁合金基材放入濃度為25% (重量比）的HNO3溶液中，室溫下除灰 60S ；
[0051] S4、第一次水洗：用水反復沖洗鋁合金基材，沖洗20S后取出；
[0052] S5、硫酸陽極氧化：以石墨板作為陰極，將鋁合金基材放入含有用98wt%濃硫酸 配置的150g/L硫酸溶液的氧化槽內(nèi)作為陽極，溫度控制在2°C，接通電源，電流密度3. OA/ dm2,反應時間60min，膜層厚度約40~50 μ m ;