電容器鋁箔上制備pedt/pss導(dǎo)電膜的電沉積方法
【專利摘要】一種電容器鋁箔上制備PEDT/PSS導(dǎo)電膜的電沉積方法，包括陽極棒、陰極棒和電解液；陽極棒為表面平整的鋁電極、經(jīng)化學(xué)或電化學(xué)腐蝕后的多孔鋁電極或者表面具有氧化膜的化成鋁箔并且氧化膜上預(yù)制有一層導(dǎo)電層；陰極箔為石墨或者金屬片；電解液為PEDT/PSS的水溶液。采用本發(fā)明的方法可使得PEDT/PSS與鋁基體即陽極棒結(jié)合更緊密，也有利于導(dǎo)電高分子材料更好的填充腐蝕鋁箔的孔隙，既可以提高電容的引出率，也可以保證固態(tài)電容產(chǎn)品性能的穩(wěn)定性。
【專利說明】
電容器鋁箔上制備PEDT/PSS導(dǎo)電膜的電沉積方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]
本發(fā)明涉及一種電容器鋁箔上制備PEDT/PSS導(dǎo)電膜的電沉積方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，雖然PEDT/PSS的水溶液已經(jīng)廣泛應(yīng)用于固態(tài)電容器的生產(chǎn)制造，但其應(yīng)用方式基本都是采用簡單含浸，既通過含浸使PEDT/PSS附著在電容器的陰陽極箔和電解紙上，這種方式存在以下問題，鋁箔的微小孔隙難以填充，PEDT/PSS導(dǎo)電膜與鋁箔結(jié)合不緊密，這會(huì)導(dǎo)致電容引出率不高的同時(shí)，電容經(jīng)過后續(xù)的組立、高溫老練等工序后PEDT/PSS導(dǎo)電膜容易從鋁箔上脫落，影響電容的性能。在鋁電解電容器中常常在鋁箔上沉積一層導(dǎo)電膜，然而現(xiàn)有的導(dǎo)電膜與鋁基體結(jié)合不緊密造成固態(tài)電容器產(chǎn)品的性能不穩(wěn)定，同時(shí)也使得電容器的電容引出率不高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種與鋁基體結(jié)合緊密，導(dǎo)電性好的電容器鋁箔上制備PEDT/PSS導(dǎo)電膜的電沉積方法。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出的技術(shù)方案為:一種電容器鋁箔上制備PEDT/PSS導(dǎo)電膜的電沉積方法，包括陽極棒、陰極棒和電解液;所述陽極棒為表面平整的鋁電極、經(jīng)化學(xué)或電化學(xué)腐蝕后的多孔鋁電極或者表面具有氧化膜的化成鋁箔并且氧化膜上預(yù)制有一層導(dǎo)電層;所述陰極箔為石墨或者金屬片;所述電解液為PEDT/PSS的水溶液。
[0005]上述的電容器鋁箔上制備PEDT/PSS導(dǎo)電膜的電沉積方法，優(yōu)選的，所述PEDT/PSS的水溶液的濃度為0.1?30wt%。
[0006]上述的電容器鋁箔上制備PEDT/PSS導(dǎo)電膜的電沉積方法，優(yōu)選的，在所述電解液中加入0.1?50%vol%的添加劑，所述添加劑包括甲醇、乙醇、乙二醇、二甲基亞砜或氫氟烷中的一種或者多種。
[0007]上述的電容器鋁箔上制備PEDT/PSS導(dǎo)電膜的電沉積方法，優(yōu)選的，所述陽極棒和陰極棒之間直流的電流密度值取值范圍為0.1?1mA/cm2，電沉積時(shí)間為I?60min，溶液溫度為室溫?90 °C。
[0008]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:在外加電場作用下，PEDT/PSS溶液中的PST—離子會(huì)引導(dǎo)PEDT/PSS迀移至電解液/鋁界面，從而使得PEDT/PSS逐漸在鋁箔上沉積析出，所以采用本發(fā)明的方法可使得PEDT/PSS與鋁基體即陽極棒結(jié)合更緊密，也有利于導(dǎo)電高分子材料更好的填充腐蝕鋁箔的孔隙，既可以提高電容的引出率，也可以保證固態(tài)電容產(chǎn)品性能的穩(wěn)定性。
【附圖說明】
[0009]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0010]圖1為用本發(fā)明的方法得到的具有PEDT/PSS導(dǎo)電膜的電容器鋁箔。
【具體實(shí)施方式】
[0011]為了便于理解本發(fā)明，下文將結(jié)合較佳的實(shí)施例對本發(fā)明作更全面、細(xì)致地描述，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不限于以下具體的實(shí)施例。
[0012]需要特別說明的是，當(dāng)某一元件被描述為“固定于、固接于、連接于或連通于”另一元件上時(shí)，它可以是直接固定、固接、連接或連通在另一元件上，也可以是通過其他中間連接件間接固定、固接、連接或連通在另一元件上。
[0013]除非另有定義，下文中所使用的所有專業(yè)術(shù)語與本領(lǐng)域技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中所使用的專業(yè)術(shù)語只是為了描述具體實(shí)施例的目的，并不是旨在限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
實(shí)施例
[0014]一種電容器鋁箔上制備PEDT/PSS導(dǎo)電膜的電沉積方法，包括陽極棒、陰極棒和電解液;所述陽極棒為表面平整的鋁電極、經(jīng)化學(xué)或電化學(xué)腐蝕后的多孔鋁電極或者表面具有氧化膜的化成鋁箔并且氧化膜上預(yù)制有一層導(dǎo)電層;所述陰極箔為石墨或者金屬片;所述電解液為PEDT/PSS的水溶液。PEDT/PSS的水溶液的濃度為0.1?30wt%。
[0015]本實(shí)施例中，在所述電解液中加入0.1?50%vol%的甲醇以改善得到的PEDT/PSS導(dǎo)電膜的電導(dǎo)率，在其他實(shí)施例中，添加劑可以為甲醇、乙醇、乙二醇、二甲基亞砜或氫氟烷中的一種或者多種。
[0016]本實(shí)施例中，陽極棒和陰極棒之間直流的電流密度值取值范圍為0.1?lOmA/cm2，電沉積時(shí)間為I?60min，溶液溫度為室溫?90 °C。
[0017]本實(shí)施例中得到的具有PEDT/PSS導(dǎo)電膜的電容器鋁箔如圖1所示，其中中間的條帶為PEDT/PSS導(dǎo)電膜。
[0018]采用本實(shí)施例的方法可使得PEDT/PSS與鋁基體即陽極棒結(jié)合更緊密，也有利于導(dǎo)電高分子材料更好的填充腐蝕鋁箔的孔隙，既可以提高電容的引出率，也可以保證固態(tài)電容產(chǎn)品性能的穩(wěn)定性。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電容器鋁箔上制備PEDT/PSS導(dǎo)電膜的電沉積方法，其特征在于:包括陽極棒、陰極棒和電解液;所述陽極棒為表面平整的鋁電極、經(jīng)化學(xué)或電化學(xué)腐蝕后的多孔鋁電極或者表面具有氧化膜的化成鋁箔并且氧化膜上預(yù)制有一層導(dǎo)電層;所述陰極箔為石墨或者金屬片;所述電解液為PEDT/PSS的水溶液。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器鋁箔上制備PEDT/PSS導(dǎo)電膜的電沉積方法，其特征在于:所述PEDT/PSS的水溶液的濃度為0.1?30wt%。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電容器鋁箔上制備PEDT/PSS導(dǎo)電膜的電沉積方法，其特征在于:在所述電解液中加入0.1?50%vol%的添加劑，所述添加劑包括甲醇、乙醇、乙二醇、二甲基亞砜或氫氟烷中的一種或者多種。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)的電容器鋁箔上制備PEDT/PSS導(dǎo)電膜的電沉積方法，其特征在于:所述陽極棒和陰極棒之間直流的電流密度值取值范圍為0.1?lOmA/cm2，電沉積時(shí)間為I?60min，溶液溫度為室溫?90°C。
【文檔編號】C25D9/02GK105908233SQ201610302909
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年5月10日
【發(fā)明人】艾立華, 張超, 黎際宇, 賈明
【申請人】湖南艾華集團(tuán)股份有限公司