r>[0062] 形成有滑動面的基材不限定其材質(zhì)，但通常由金屬材料、特別是鋼鐵（碳鋼或合 金鋼）材料構(gòu)成?；谋砻婵蒞適當(dāng)進行氮化、滲碳等表面處理。雖不限定其表面粗趟度， 但WRa計優(yōu)選為0. 3ymW下、進而0. 1ymW下。另外，為了使基底層的密著性提高，可W 在基材表面形成一層W上的由化、化C等構(gòu)成的中間層。
[0063]《各層的生成》
[0064] 最表層和基底層的生成方法不限定，但成為最表層的特定B-DLC、成為基底層的 Si-DLC、B-DLC、TiN等，可W采用例如等離子CVD法、離子鍛法、瓣射法（特別是非平衡磁控 瓣射法）等高效地形成。
[0065] 例如，采用直流等離子CVD法形成特定B-DLC(膜）的情況下，向配置了形成有基 底層的基材的真空容器內(nèi)導(dǎo)入反應(yīng)氣體和載氣。而且，通過放電而生成等離子體，使反應(yīng)氣 體中的等離子體離子化了的C、CH、B等附著在被處理面（基材表面或基底表面），形成特定 B-DLC。此時，通過進行（i)處理溫度的低溫化、和（ii)等離子控制，能夠容易地形成氨量 多、且通過磨損容易被平滑化的特定B-DLC膜。
[0066] 具體而言，通過處理溫度的降低，等離子體密度降低，成為較多地納入了原料氣體 中的氨的氨含量高的特定化C。另外，通過將等離子控制為放電的負輝光相互重疊的狀態(tài)， 作為反應(yīng)氣體使用的姪氣體變得容易被分解，容易形成H多、且W適當(dāng)?shù)谋壤哂谐蔀閟p2 雜化軌道的C(Csp2)的特定B-DLC。
[0067] 反應(yīng)氣體，除了甲燒（邸4)、己訣咕&)、苯（C品）等姪氣體W外，還可W使用成為B 源的TEB(S己基棚）、TMB(S甲基棚）、82&(己棚燒）等。載氣可W是氣氣，但如果使用氨 氣，則向生成中的B-DLC表面的離子沖擊被降低，容易生成H多、且W適當(dāng)?shù)谋壤哂蠧sp2 的特定B-DLC。
[006引再者，通過將成為B源的氣體變更為成為Si源的TMS(四甲基硅烷）等并調(diào)整處 理條件，也能夠與特定B-DLC同樣地采用直流等離子CVD法形成成為基底層的Si-DLC。此 夕F，通過將成為B源的氣體變更為成為Ti源的TiCL(四氯化鐵）等并調(diào)整處理條件，也能 夠與特定B-DLC同樣地采用直流等離子CVD法形成成為基底層的TiN。
[006引《用途》
[0070] 本發(fā)明的滑動構(gòu)件，不限定其具體的形態(tài)和用途，能夠用于多種多樣地滑動機械。 作為該樣的滑動構(gòu)件，有軸和軸承、活塞和襯套、曬合的齒輪、構(gòu)成閥口系統(tǒng)的凸輪和閥口 挺桿或從動件、閥和閥導(dǎo)承、轉(zhuǎn)子和轉(zhuǎn)子殼體等。另外，作為滑動機械，有例如搭載于汽車等 上的發(fā)動機和變速器等的驅(qū)動系統(tǒng)單元等。
[00川 實施例
[0072]《試樣的制造》
[0073] 制造了表1AW及表1B(適當(dāng)?shù)貙杀硪徊⒑唵蔚胤Q為"表1")所示的各種試樣 (滑動構(gòu)件）。各試樣，在成為作為基材的塊試件（15. 7mmX6. 5mmX10mm)的滑動面的一面， 形成了各種被膜。但是，試樣C1，將基材的研磨面原樣地作為滑動面。
[0074] < 基材〉
[007引試樣C1的基材，使用了滲碳鋼（JISSCM420)的澤火回火材料（HV700 + 50)。試樣C1W外的基材，使用了馬氏體系不誘鋼（JISSUS440C)的澤火回火材料（HRC58)。再者，各 基材的表面（被處理面），在成膜前，研磨成表1所示的表面粗趟度（Ra)。再者，在本實施 例中所說的表面粗趟度，只要不特別說明，則全部基于依據(jù)JISB0601:'01標(biāo)準(zhǔn)的算術(shù)平均 粗趟度巧a)。
[0076] < 成膜〉
[0077] (1)試樣1~4和試樣C8~C11，是在基材表面按順序形成Si-DLC膜（基底層） 和B-DLC膜（最表層）從而形成了疊層膜的試樣。該些膜的成膜是在表1A所示的成膜條 件下，使用圖2所示的成膜裝置1，采用直流等離子CVD(PCVD)法進行的。具體如下所述。
[0078] 成膜裝置1具備不誘鋼制的容器10、具有導(dǎo)電性的基臺11、氣體導(dǎo)入管12、和氣體 導(dǎo)出管13。在氣體導(dǎo)入管12上經(jīng)由閥（圖略）和質(zhì)量流量控制器（質(zhì)量流量計）14而連 接有各種氣瓶15。
[0079] 另外，在氣體導(dǎo)入管12上，經(jīng)由閥（圖略）和質(zhì)量流量控制器（質(zhì)量流量計）16而 連接有能夠用加熱器17進行加熱的原料保存容器18。在氣體導(dǎo)出管13上經(jīng)由閥（圖略） 而連接有旋轉(zhuǎn)累（圖略）和擴散累（圖略）。
[0080] 使用成膜裝置1的成膜按照如下那樣的步驟進行。在位于成膜裝置1的容器10 內(nèi)的基臺11上配置基材19。其后，將容器10密閉，通過與氣體導(dǎo)出管13連接的旋轉(zhuǎn)累和 擴散累，對容器10內(nèi)進行真空排氣。從氣體導(dǎo)入管12向該被真空排氣了的容器10內(nèi)導(dǎo)入 調(diào)整成表1A所示的所希望的組成的氣體。由等離子電源向該容器10內(nèi)施加電壓。該樣在 基材19的周圍形成輝光放電環(huán)境110。
[0081] 如果對成膜步驟更具體地說明則如下所述。首先，按順序進行了放電加熱、離子氮 化和預(yù)瓣射（預(yù)處理工序）。將此時的各處理條件（使用氣體的種類和各氣體的導(dǎo)入量、容 器內(nèi)壓、基材溫度、施加電壓）示于表2。再者，該些處理對于任一試樣都同樣地進行。
[0082] 接著，在預(yù)處理工序后連續(xù)地進行了形成Si-DLC膜的合成處理工序。與該合成處 理工序接續(xù)地進行了形成B-DLC膜的合成處理工序。該些處理工序的處理條件如表1A所 /J、- 〇
[0083] 成為Si-DLC膜的原料氣體的TMS(四甲基硅烷）或成為B-DLC膜的原料氣體的 TEB(S己基棚），各自裝入分別設(shè)置的原料保存容器18,用加熱器17加熱，使其蒸發(fā)并進行 了供給。再者，通過如表1所示那樣調(diào)整TMS或T邸與邸4的比率（流量比）W及合成溫 度，來控制組成（Si或B、和H的含量）。
[0084] (2)試樣C2和C3,是在基材表面僅形成了Si-DLC膜的試樣，試樣C7,是在基材表 面僅形成了B-DLC膜的試樣。該些單層膜也與上述的疊層膜同樣地按照表1所示的處理條 件進行了成膜。
[0085] (3)試樣C4、C5,是使用非平衡磁控瓣射裝置（株式會社神戶制鋼制），在基材的 被處理面，通過瓣射合成了B-DLC膜的試樣。具體而言，在基材表面形成了 &系中間層之 后，將B4C和石墨祀用Ar氣進行瓣射，并且導(dǎo)入CH4氣體（姪系氣體），形成了B-DLC膜。
[0086] (4)試樣C6,是在基材表面形成了二硫化鋼系被膜（東洋F號^ 株式會社 審ij;MK-4190)的試樣。
[0087] (5)試樣5W及試樣6,是將試樣1~4的Si-DLC膜變更為TiN膜（氮化物膜）， 并在該基地層上形成了B-DLC膜（最表層）的試樣。該些疊層膜也基本上與試樣1~4同 樣地在表1B所示的條件下進行。但是，在已敘述的預(yù)處理工序后形成TiN膜（基底層）時， 將TiCl4(四氯化鐵）用作原料。TiCl4(四氯化鐵）與在試樣1~4中使用的TMS同樣地 裝入原料保存容器18中，用加熱器17加熱使其蒸發(fā)而供給。而且，如表1B所示那樣調(diào)整 TiCL和N2等的比率（流量比）W及合成溫度，形成了TiN膜。《測定、觀察》
[0088] 對表1所示的各試樣，分別測定各特性，將其結(jié)果一并示于表1。具體而言，表面 粗趟度（Ra)采用白色干設(shè)法非接觸形狀測定機（NewView5022,子^ 3''株式會社制）測 定。膜厚（層厚）采用精密膜厚測定器（CAL0TEST，CSEM公司制）測定。被膜中的B量和 Si量通過EPMA分析（日本電子制，JXA-8200)來測定，H量通過RBS/WS分析（化tional Electrostatics Co巧oration制，化lletron 3SDH)來測定。
[008引《摩擦試驗》
[0090] 將上述的各試樣的被覆面（除了試樣C1 W外）作為滑動面，通過環(huán)-塊型摩擦試 驗機（LFW-LFALEX公司制）進行了摩擦試驗。將該情形的概略示于圖3。具體而言，將各 試樣的塊試件21的滑動面21f (15. 7mm