專利名稱：用于輸送液態(tài)鈉的管狀管道的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在管狀管道中輸送液態(tài)鈉的領(lǐng)域。本發(fā)明更具體地涉及在這種管道中檢測裂縫的出現(xiàn)，以便覺察鈉泄漏到管道外的風險并抑制這種泄漏。
背景技術(shù)：
液態(tài)鈉，即在其熔化溫度(97. 8°C )以上的金屬鈉，是ー種特別有效的載熱和冷卻流體，其具有熱導(dǎo)率比水的熱導(dǎo)率高100的因子。該載熱流體用于通過實施熱交換來保證在不同類型裝置中的熱傳遞，尤其是在某些發(fā)動機或特殊冷卻裝置中的熱傳遞。液態(tài)鈉在核エ業(yè)領(lǐng)域中得到特別有意義的應(yīng)用。實際上，除了可以提取高的體積功率的出色熱傳遞特性外，液態(tài)鈉還具有對中子的穿透特性。換句話說，與其它載熱流體(例如水)相反，液態(tài)鈉是非中子減速劑。因此液態(tài)鈉構(gòu)成在快中子反應(yīng)堆(RNR)的主回路中選擇的載熱流體，特別是當液態(tài)鈉在特別純的形式下(特別是稱為“核質(zhì)量”的精煉鈉)。鈉還具有關(guān)于核輻射的很有意義的特性的優(yōu)點，特別是在具有相對短的半衰期的鈉的活化產(chǎn)物的情況下。但是，與這些優(yōu)點相反，液態(tài)鈉具有高反應(yīng)性的缺點，并且在高溫時尤其如此。具體地，考慮到其強還原特性，當與空氣中的氧接觸時，液態(tài)鈉燃燒。另ー方面，當鈉與水接觸時產(chǎn)生能夠?qū)е卤ǚ磻?yīng)的氫。鈉與水或氫的反應(yīng)還導(dǎo)致形成腐蝕性產(chǎn)物(尤其是氧化鈉或氫氧化鈉)，這些腐蝕性產(chǎn)物對在其中使用液態(tài)鈉的裝置(特別是鋼制零件)的完整性可能是有害的。因此，在實施液態(tài)鈉循環(huán)的裝置中，從ー開始并盡可能快地檢測鈉泄漏是極其重要的，以便能夠更快地阻止鈉泄漏從而避免液態(tài)鈉的大量泄漏。理想地，希望能夠在更上游識別泄漏風險，以便能夠以預(yù)防方式抑制泄漏的出現(xiàn)。這個問題在上述RNR型核反應(yīng)堆中特別敏感，在這種反應(yīng)堆中液態(tài)鈉達到非常高的溫度(典型地為500-600°C )，并且在這種反應(yīng)堆中主回路一般與載熱流體為水的次回路接觸。在這種反應(yīng)堆中，液態(tài)鈉的泄漏可能具有災(zāi)難性的結(jié)果，例如1995年日本Monju核電站遇到的火災(zāi)。為了控制與使用鈉有關(guān)的風險，已經(jīng)開發(fā)了不同類型的鈉泄漏檢測裝置，這些裝置使用直接在液態(tài)鈉輸送管道周邊檢測鈉或鈉與氧或水的反應(yīng)產(chǎn)物(特別是H2或NaO)的系統(tǒng)。在這個范圍內(nèi)，已經(jīng)描述了液態(tài)鈉輸送管道的使用，這些液態(tài)鈉輸送管道套有外管道，在輸送鈉的管道與外管道之間存在空間，外管道具有鈉或鈉的反應(yīng)產(chǎn)物的檢測器。更普遍的是，已經(jīng)提出在輸送液態(tài)鈉的管道的外周邊使用傳感器，以用于在泄漏時檢測鈉或鈉與水和/或氧的反應(yīng)產(chǎn)物的產(chǎn)生。傳感器尤其是在JP57200846和JP57200847中描述的類型。在專利US4，112,417中描述了更特殊類型的傳感器，該傳感器具有固定在輸送液態(tài)鈉的管道外壁上的電纜的形式。該電纜形式的檢測器包括金屬中心線，該金屬中心線由以金屬氧化物(典型地為氧化錳、氧化鈹、或氧化鋁)為基礎(chǔ)的第一絕緣層覆蓋，該第一絕緣層本身又由以鈉的氧化物或氫氧化物類型的鈉的反應(yīng)產(chǎn)物腐蝕的金屬為基礎(chǔ)的外金屬薄層(例如銅或奧氏體鋼或碳鋼的層)覆蓋。運行時，在金屬心線與外金屬層之間施加電位差，并測量泄漏電流。當鈉泄漏到管道外時，鈉與大氣中的氧和水的反應(yīng)產(chǎn)物形成，并侵蝕電纜的外層，使傳感器的中心心線的金屬氧化物部分暴露，從而與鈉和大氣中的氧和水的反應(yīng)產(chǎn)物輪流起反應(yīng)，這就導(dǎo)致氧化物的電阻明顯下降，這改變了泄漏電流并且可以進行檢測。為了可以從出現(xiàn)泄漏起盡快地檢測鈉的泄漏，已經(jīng)開發(fā)了越來越敏感的檢測器，以便能夠檢測與越來越少量的泄漏有關(guān)的產(chǎn)物，并且因此從泄漏開始時識別泄漏的存在。但是使用此類也很敏感的檢測器還是不能完全令人滿意。實際上，利用這些檢測器，只有一旦證實鈉的泄漏，它們才是可檢測的，并且檢測不能在泄漏出現(xiàn)前阻止泄漏。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供在管狀管道內(nèi)輸送液態(tài)鈉的方法，以避免鈉泄漏到管道外，并且該方法尤其可以以可實施的方式在這種泄漏突然發(fā)生前檢測鈉泄漏風險的預(yù)兆信號。因此，本發(fā)明提供用于輸送液態(tài)鈉的新型管狀管道，該新型管道的內(nèi)表面上設(shè)有可以檢測裂縫開始的特殊涂層，如果裂縫發(fā)展，裂縫將可能導(dǎo)致鈉泄漏到管道外。更確切地說，本發(fā)明的目的是提供一種用于輸送液態(tài)鈉的管狀管道，該管狀管道包括內(nèi)部由內(nèi)層覆蓋的管道體，其特征在于，所述內(nèi)層具有至少雙層的結(jié)構(gòu)，包括連續(xù)的陶瓷或金屬或金屬合金的第一層，所述第一層用于與由管狀管道輸送的液態(tài)鈉接觸；以及在管道體與所述第一層之間以反應(yīng)材料為基礎(chǔ)的中間層，所述反應(yīng)材料與液態(tài)鈉接觸時改變，從而轉(zhuǎn)變?yōu)殡妼?dǎo)率與反應(yīng)材料不同的改性材料。符合本發(fā)明的管狀管道的特殊結(jié)構(gòu)可以在該管道內(nèi)輸送鈉，井能防止鈉泄漏到管道外。實際上，利用符合本發(fā)明的管狀管道，任何能夠?qū)е骡c泄漏到管道外的細小過程都會或多或少地破壞與熔化鈉接觸的陶瓷層的連續(xù)性。然而，考慮到符合本發(fā)明的管道中存在的內(nèi)層結(jié)構(gòu)，陶瓷層的細小裂縫導(dǎo)致液態(tài)鈉與中間層中存在的原來通過陶瓷層與液態(tài)鈉隔絕的反應(yīng)材料接觸。則鈉與中間層的該接觸導(dǎo)致至少部分反應(yīng)材料轉(zhuǎn)化為改性材料，該改性材料改變了管狀管道的整體導(dǎo)電性。隨時間測量管道的導(dǎo)電性(直接或通過與該導(dǎo)電性有關(guān)的參數(shù))可以在這種泄漏突然發(fā)生前檢測任何可能導(dǎo)致鈉泄漏的現(xiàn)象，這樣可以對管道進行預(yù)防性干預(yù)，以避免鈉泄漏的任何風險，這與當前已知的被證實的鈉泄漏檢測技術(shù)相比，構(gòu)成了明顯的優(yōu)點。在此范圍內(nèi)，根據(jù)特殊方面，本發(fā)明的目標是提供一種可以抑制鈉泄漏風險的液態(tài)鈉輸送方法，該方法可以使用具有如上所限定的具有雙層結(jié)構(gòu)內(nèi)層的管狀管道，并且在該方法中在管狀管道內(nèi)輸送鈉期間進行管道電導(dǎo)率測量；以及在檢測出電導(dǎo)率變化時，進行管道的預(yù)防維修，以排除與通過電導(dǎo)率變化檢測出的現(xiàn)象有關(guān)的任何泄漏風險。
根據(jù)該方法進行的電導(dǎo)率測量可以是在管狀管道的整個長度上進行的管狀管道總電導(dǎo)率的測量。為此，一般規(guī)律是，管狀管道的外壁具有兩個電極，在這兩個電極的端子上施加電壓，并測量在這兩點之間流動的電流。該電導(dǎo)率測量方法可以檢測管道壁總電導(dǎo)率的變化，當測量的電流變化時識別該變化。該技術(shù)實施簡單，但是具有不提供裂縫確切位置指示的缺點。另外，該技術(shù)使電極與管道之間直接接觸。實際上，在這個范圍內(nèi)測量的電導(dǎo)率變化的檢測只反應(yīng)存在至少ー個發(fā)生能夠?qū)е骡c泄漏現(xiàn)象的管道區(qū)域。在這種情況下，要實施的預(yù)防維修涉及整個管道。根據(jù)更有意義的實施方式，管狀管道壁電導(dǎo)率的測量以定位方式進行，這就是以更精確的方式識別出現(xiàn)可能導(dǎo)致鈉泄漏現(xiàn)象的區(qū)域，則這樣可以將管道的預(yù)防維修操作只限定在這些定位的區(qū)域。為了進行管狀管道壁電導(dǎo)率的定位測量，可以尤其實施下述方法中的ー種或多種 分段測量而不是整體測量管狀管道的電導(dǎo)率，這樣預(yù)防維修操作就限定在測量出改變的分段中。在該范圍內(nèi)，典型地通過使管狀管道帶有可以有多個測量點的多個電極進行電導(dǎo)率的分段測量。這些不同測量點可以從單一狀態(tài)的同一管狀管道上進行，或者在可能脆化的點處進行，特別是在彎頭、交叉或接頭兩側(cè)。電導(dǎo)率的分段測量典型地通過兩個感應(yīng)均勻磁場的電流回路形成的裝置圍繞管狀結(jié)構(gòu)的分段而實現(xiàn)，均勻磁場的磁力線典型地與管狀管道的軸線排成直線。與出現(xiàn)裂縫有關(guān)的管狀管道電導(dǎo)率的改變產(chǎn)生磁波干擾，可以借助此類裝置檢測該磁波干擾。為此，例如保證檢測磁場干擾的檢測器(或檢測器卡環(huán))可以位于管狀結(jié)構(gòu)周圍，尤其是位于截面處，以便僅在截面的角度扇形或整個截面上測量整個磁場。這樣在管狀結(jié)構(gòu)周圍定位的一個檢測器的響應(yīng)中的變化可以識別由檢測器覆蓋的區(qū)域中的介質(zhì)的電導(dǎo)率的變化，因此可以以定位方式識別裂縫的出現(xiàn)。典型地，多個檢測器可以在管狀管道的長度上排成行，以便可以有效檢測所述管道不同處的磁場干擾。通過低頻(典型地小于IOkHz)范圍的電磁測量而測量局部電導(dǎo)率，低頻范圍的電磁測量可以通過使電流在管道壁中流動并借助磁傳感器按照已知方法，例如按照((Detection de fissure sur structure en mer en presence de salissuremarine))-Projet CRABE Ifremer ；Actes de Colloques,Colloque ISM 90,N° 12-1991 中描述的CRABE方法，檢測磁場異常來對形成過程中的裂縫進行定位。為了得到上述作用，在符合本發(fā)明的管道的中間層中使用的反應(yīng)材料可以在足夠大的測量范圍變化。在該背景下，在符合本發(fā)明的管狀管道內(nèi)層中存在的中間層可以包括僅ー種類型的反應(yīng)材料，或者根據(jù)另ー個實施方式，包括多種不同反應(yīng)材料的混合物。典型地，中間層中存在的反應(yīng)材料包括至少ー種與液態(tài)鈉反應(yīng)的化合物，以形成電導(dǎo)率和與液態(tài)鈉反應(yīng)前的固態(tài)化合物的電導(dǎo)率不同的改性材料(典型地為固態(tài))。根據(jù)與前面類似的實施方式，中間層中存在的反應(yīng)材料也可包括多種最好為固態(tài)的化合物的混合物，當多種化合物與液態(tài)鈉存在時，它們互相作用，以形成電導(dǎo)率與初始化合物的混合物的電導(dǎo)率不同的改性材料。根據(jù)有意義的實施方式，中間層中存在的反應(yīng)材料包括Lisicon型導(dǎo)電陶瓷或與液態(tài)鈉接觸時能夠形成Lisicon型導(dǎo)電陶瓷的化合物的混合物。有利地，中間層完全由Lisicon陶瓷構(gòu)成,或與液態(tài)鈉接觸時能夠形成Nasicon型陶瓷的化合物的混合物構(gòu)成。所述的Lisicon 和 Nasicon (分別為 “Lithium Super Ionic Conductor” 和“Natrium SuperIonic Conductor”的英文縮寫)陶瓷是以包含可變比例的磷酸鹽和娃酸鹽的鋯化鈉和鋅化鈉為基礎(chǔ)的陶瓷，它們的分子式典型地分別為Li1+xZr2SixP3_x012和Na1+xZr2SixP3_x012，且O く O < 3。對這些陶瓷的更多細節(jié)和它們的制備，尤其可以參照Materials Research Bulletin 中的文章“Nasicon Solid electrolytes”, Vol 21, n° 3,pp 357-363(1986)。根據(jù)有意義的第一變型，中間層中存在的反應(yīng)材料包括含磷酸鹽的Lisicon型陶瓷，即分子式為Li1+xZr2SixP3_x012或Na1+xZr2SixP3_x012，其中O彡x < 3，x優(yōu)選地小于3，甚至小于2的導(dǎo)電陶瓷。有利地，中間層由這種包含磷酸鹽的Lisicon陶瓷構(gòu)成。包含磷酸鹽的Lisicon型陶瓷，尤其是上述類型的陶瓷具有相同的導(dǎo)電特性，并且通過由鈉原子替代至少部分鋰原子而轉(zhuǎn)化為導(dǎo)電性更好的Nasicon,典型地尤其按照Materials Science Poland,Vol 454，n° I (2006)中描述的機理轉(zhuǎn)化為分子式為Na1+xZr2SixP3_x012的Nasicon。從此，當此類Lisicon陶瓷作為反應(yīng)材料用在符合本發(fā)明的管道中，并且與由管道輸送的液態(tài)鈉接觸的陶瓷層發(fā)生裂縫時，導(dǎo)致管道壁的電導(dǎo)率明顯增加，這可以很容易地檢測到。另外，已證實鈉與上述含磷酸鹽的Lisicon型陶瓷反應(yīng)同時導(dǎo)致另一種特別有意義的作用。實際上，導(dǎo)致中間層電導(dǎo)率增加的反應(yīng)伴隨該中間層的體積增加。該體積増加具有至少臨時填補層的裂縫的作用。該局部填補裂縫的作用延遲甚至抑制液態(tài)鈉從形成的裂縫向管道外泄漏的形成。因此，在中間層中使用包含磷酸鹽的Lisicon陶瓷不僅可以檢測鈉泄漏源的潛在現(xiàn)象，還可至少臨時抑制鈉泄漏的具體出現(xiàn)，這樣可以提前安排，以保證對檢測出的泄漏風險處進行管道維修。特別適用于實施本發(fā)明第一變型的包含磷酸鹽的Lisicon陶瓷尤其是符合以下分子式的陶瓷=LiZr2 (PO4)3, Li3Zr2Si2PO12。

分子式為Li14Zr(GeO4)4的陶瓷被證明也是很有意義的。根據(jù)本發(fā)明另一可替代的變型，中間層中存在的反應(yīng)材料包括包含硅酸鹽的Nasicon型陶瓷的前體化合物的混合物，該混合物與液態(tài)鈉接觸時形成這種陶瓷。更確切地說，根據(jù)該變型，中間層作為混合物包括氧化鋯ZrO2、ニ氧化硅SiO2,以及優(yōu)選地包括磷酸鹽，尤其是銨磷，例如NH4PO4. 3H20。優(yōu)選地，根據(jù)該變型，混合物內(nèi)的Si/Zr摩爾比例如在I. 5到3之間，并且可以在
I.5到2. 5之間，該比值優(yōu)選地至少為I. 8。在與液態(tài)鈉接觸時，化合物的混合物形成改性材料，即包括硅酸鹽的Nasicon型導(dǎo)電陶瓷，其電導(dǎo)率明顯高于初始的鋯鹽和ニ氧化硅混合物。觀察到的變化可以明顯檢測出裂縫的現(xiàn)象。根據(jù)該變型，中間層有利地完全由上述類型的Naiscon陶瓷前體化合物的密切混合物構(gòu)成。根據(jù)實施方式，中間層完全由不包括其它化合物的氧化鋯ZrO2、ニ氧化硅SiO2和作為選擇的磷酸鹽的混合物構(gòu)成。根據(jù)另一有意義的實施方式，中間層中存在的反應(yīng)材料除了氧化鋯ZrO2、ニ氧化硅SiO2和磷酸鹽外，還包括碳酸鋰LiHC03。在這種情況下，存在磷酸鹽是最常要求的。在這種情況下，化合物的混合物有隨時間全部或部分轉(zhuǎn)化為含磷酸鹽的Lisicon型陶瓷的趨勢。則中間層內(nèi)存在的Lisicon型陶瓷在與液態(tài)鈉接觸時按照第一變型范圍內(nèi)描述的機理形成Nasicon型陶瓷，這樣仍可保證明顯檢測出裂縫現(xiàn)象。
另外，無論第二變型的實施方式如何，中間層內(nèi)存在的鋅鹽和ニ氧化硅混合物與液態(tài)鈉的反應(yīng)和前面的變型一祥，伴隨中間層的膨脹現(xiàn)象，和前面的變型中一祥，這可以有至少臨時填補形成過程中的裂縫的作用。因此，同樣，除了檢測可能導(dǎo)致液態(tài)鈉泄漏的裂縫現(xiàn)象外，使用中間層的反應(yīng)材料可以延遲甚至阻止形成泄漏，這樣可以提供補充延遲，以保證管道的維修。 根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，用于輸送液態(tài)鈉的管狀管道有利地可以具有下述ー個或多個優(yōu)選特征。在符合本發(fā)明的管道中，在內(nèi)層中存在的以反應(yīng)材料為基礎(chǔ)的中間層有利地是優(yōu)選具有恒定厚度的連續(xù)層，該厚度優(yōu)選至少為50nm，例如為100-500nm，并且更優(yōu)選地為150_250nmo 典型地，可以通過形成構(gòu)成內(nèi)層的反應(yīng)材料沉積在管道體的內(nèi)表面上而得到符合本發(fā)明的管道內(nèi)層存在的中間層，典型地通過使反應(yīng)材料以包括溶解或分散狀態(tài)的反應(yīng)材料(或反應(yīng)材料的前體物)的薄膜形式沉積(例如通過浸潤、浸泡、或霧化)，然后干燥或熱處理。中間層的沉積也可通過電沉積或溶膠凝膠技術(shù)進行，例如按照US6，911，280中描述的技術(shù)。更特別的是，典型地可以按照W02008/015593中描述的技術(shù)得到上述以Lisicon和Nasicon陶瓷為基礎(chǔ)的內(nèi)層。另外，在符合本發(fā)明的管道中，用干與由管狀管道輸送的液態(tài)鈉接觸的陶瓷或以金屬或金屬合金為基礎(chǔ)的層(即覆蓋中間層的層)的厚度優(yōu)選是恒定的，該厚度有利地為50-500nm，例如為100_300nm，并且更優(yōu)選地為150_250nm。該覆蓋中間層的連續(xù)層典型地可以是可以按照任何已知技術(shù)沉積的陶瓷層。作為替代，也可以涉及金屬層或聚合金屬層，例如按照文章《In-situ nuclear steamgenerator repair using electrodeposited nanocrystal line nickel)) de G. Palumboa,F. Gonzaleza, A. M. Brennenstuhla, U. Erba, b, ff. Shmaydaa et P. C. Lichtenbergera.中描述的Eectrosleeve(B)技術(shù)沉積的單晶鎳層。符合本發(fā)明的管道體可以以任何適于輸送液態(tài)鈉的材料為基礎(chǔ)。典型地，該管道體可以是不銹鋼、鋯合金或鋼制的。


還可從附圖更多地表示本發(fā)明，該附圖示意性地示出符合本發(fā)明的管狀管道的剖面圖。在該附圖中，表示包括管道體20 (典型地為鋼制)的管道10。在該管道體20的內(nèi)空間30中輸送液態(tài)鈉。
具體實施例方式管道體20由兩個連續(xù)層40和50構(gòu)成的內(nèi)連續(xù)層覆蓋，即與液態(tài)鈉接觸的層40,該層40典型地為陶瓷層或通過Electrosleeve 技術(shù)沉積的鎳層；以及位于管道體20與陶瓷層40之間的中間層50。該中間層50包括反應(yīng)材料并且典型地由反應(yīng)材料構(gòu)成，該反應(yīng)材料在與鈉接觸時轉(zhuǎn)換為電導(dǎo)率與反應(yīng)材料的電導(dǎo)率不同的改性材料。在運行過程中，管道處開始出現(xiàn)裂縫時，在陶瓷層40處產(chǎn)生一條或多條裂縫，這使管道內(nèi)空間30中存在的液態(tài)鈉與層40的反應(yīng)材料接觸。于是可以很容易通過前面描述的技術(shù)檢測出反應(yīng)堆壁電導(dǎo)率的改變(在附圖中沒有示出對該作用有用的電極或磁傳感器)。另外，在層40的反應(yīng)材料是含磷酸鹽或上述類型的Nasicon前體化合物的混合物的Lisicon陶瓷的情況下，鈉與層40接觸可以至少臨時填補可能在該層內(nèi)形成的裂縫。因此概括地說，該過程導(dǎo)致管道內(nèi)層的臨時或持久的“自動修復(fù)”，這可以至少在足夠長的時 間內(nèi)使該層保持足夠的機械強度，以便可以對管道進行預(yù)防性維修，從而排除與通過電導(dǎo)率變化檢測出的現(xiàn)象有關(guān)的任何泄漏風險。
權(quán)利要求
1.用于輸送液態(tài)鈉的管狀管道(10)，所述管狀管道(10)包括內(nèi)部由內(nèi)層覆蓋的管道體(20)，其特征在干，所述內(nèi)層具有至少雙層的結(jié)構(gòu)，包括 連續(xù)的陶瓷或金屬或金屬合金的第一層(40)，所述第一層(40)用干與由所述管狀管道(10)輸送的液態(tài)鈉接觸；以及 在所述管道體(20)與所述第一層(40)之間以反應(yīng)材料為基礎(chǔ)的中間層(50)，所述反應(yīng)材料在與液態(tài)鈉接觸時發(fā)生改變，從而轉(zhuǎn)化為電導(dǎo)率 與所述反應(yīng)材料不同的改性材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的管道，其中在所述中間層(50)中存在的所述反應(yīng)材料包括符合如下分子式的導(dǎo)電陶瓷Li1+xZr2SixP3_x012，其中O彡X < 3。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的管道，其中所述中間層(50)由所述導(dǎo)電陶瓷構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的管道，其中在所述中間層(50)中存在的所述反應(yīng)材料作為混合物包括氧化鋯ZrO2、ニ氧化硅SiO2、并且優(yōu)選地包括磷酸鹽。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的管道，其中在所述中間層(50)中存在的所述反應(yīng)材料包括具有氧化鋯ZrO2、ニ氧化硅SiO2、磷酸鹽和LiHCO3的混合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的管道，其中混合物內(nèi)的Si/Zr摩爾比為I.5到3之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項所述的管道，其中以反應(yīng)材料為基礎(chǔ)的所述中間層(50)是厚度至少為50nm的連續(xù)層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項所述的管道，其中用干與由所述管狀管道輸送的液態(tài)鈉接觸的連續(xù)的陶瓷層(40)的厚度為50-500nm。
9.一種可以抑制鈉泄漏風險的輸送液態(tài)鈉的方法,所述方法使用權(quán)利要求1-8中任一項所述的管狀管道(10)，該方法包括 在所述管道內(nèi)輸送鈉期間，測量所述管狀管道的電導(dǎo)率；以及 當檢測出電導(dǎo)率變化時，預(yù)防維修所述管道，以排除任何與通過電導(dǎo)率變化檢測出的現(xiàn)象有關(guān)的泄漏風險。
全文摘要
本發(fā)明涉及可以抑制鈉泄漏到管道外的用于輸送液態(tài)鈉的管狀管道(10)。該管道包括內(nèi)部由內(nèi)層覆蓋的管道體(20)，內(nèi)層包括由陶瓷或金屬或金屬合金制成的第一連續(xù)層(40)，用于與由管狀管道輸送的液態(tài)鈉接觸；以及在管道體與所述第一陶瓷層之間由反應(yīng)材料制成的中間層(50)，該中間層(50)在與液態(tài)鈉接觸時，轉(zhuǎn)化為電導(dǎo)率與反應(yīng)材料不同的改性材料。
文檔編號F17D5/02GK102696072SQ201080056189
公開日2012年9月26日 申請日期2010年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月30日
發(fā)明者A·阿姆布若斯, M·穆薩維 申請人:阿?，m