本技術(shù)涉及微波等離子體化學(xué)氣相沉積，具體而言，涉及一種聯(lián)軸器、樣品臺(tái)組件及mpcvd裝置。

背景技術(shù)：

1、聯(lián)軸器，是電機(jī)與軸、或軸與軸之間相互連接的中間件，其在傳遞運(yùn)動(dòng)和動(dòng)力的過程中與軸一同回轉(zhuǎn)。

2、現(xiàn)有技術(shù)中的聯(lián)軸器結(jié)構(gòu)復(fù)雜，給生產(chǎn)帶來了極大的不便。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的，在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的聯(lián)軸器。

2、本實(shí)用新型的另一目的，在于提供了一種樣品臺(tái)組件，其采用了上述聯(lián)軸器。

3、本實(shí)用新型的又一目的，在于提供了一種mpcvd裝置，其采用了上述樣品臺(tái)組件。

4、本實(shí)用新型的目的通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)：

5、一種聯(lián)軸器，包括與鎖緊筒連接的連接板，所述鎖緊筒與連接板之間設(shè)置有第一缺口，所述第一缺口沿鎖緊筒的徑向延伸，所述鎖緊筒的端面設(shè)置有第二缺口，所述第二缺口沿鎖緊筒的軸向延伸并貫通第一缺口，所述鎖緊筒的軸向設(shè)置有第一通孔，所述第一通孔的徑向設(shè)置有緊固件，轉(zhuǎn)動(dòng)所述緊固件，能夠改變所述第一通孔的直徑大小。

6、進(jìn)一步的，所述連接板設(shè)置有第二通孔，所述第二通孔的直徑與第一通孔的直徑不相等，所述第二通孔與第一通孔相互貫通且同軸。

7、進(jìn)一步的，所述第一通孔的直徑小于第二通孔的直徑。

8、進(jìn)一步的，所述連接板的下表面設(shè)置有盲孔，所述盲孔與第二通孔同軸。

9、進(jìn)一步的，所述第一通孔的孔壁上設(shè)置有用于防滑的紋路或鍵槽。

10、進(jìn)一步的，所述第一通孔內(nèi)設(shè)置有用于防滑的橡膠墊。

11、一種樣品臺(tái)組件，所述樣品臺(tái)組件包括所述聯(lián)軸器。

12、一種mpcvd裝置，所述mpcvd裝置包括所述樣品臺(tái)組件。

13、本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)：

14、本實(shí)用新型的聯(lián)軸器，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、便于加工制作；采用了本實(shí)用新型聯(lián)軸器的樣品臺(tái)組件，其結(jié)構(gòu)得以大幅簡(jiǎn)化；而采用了本實(shí)用新型樣品臺(tái)組件的mpcvd裝置，其樣品臺(tái)可轉(zhuǎn)動(dòng)的設(shè)置在反應(yīng)腔中，使樣品臺(tái)受熱更均勻，提高了沉積的均勻性。

技術(shù)特征：

1.一種聯(lián)軸器，其特征在于：包括與鎖緊筒（1）連接的連接板（2），所述鎖緊筒（1）與連接板（2）之間設(shè)置有第一缺口（3），所述第一缺口（3）沿鎖緊筒（1）的徑向延伸，所述鎖緊筒（1）的端面設(shè)置有第二缺口（4），所述第二缺口（4）沿鎖緊筒（1）的軸向延伸并貫通第一缺口（3），所述鎖緊筒（1）的軸向設(shè)置有第一通孔（5），所述第一通孔（5）的徑向設(shè)置有緊固件，轉(zhuǎn)動(dòng)所述緊固件，能夠改變所述第一通孔（5）的直徑大小。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聯(lián)軸器，其特征在于：所述連接板（2）設(shè)置有第二通孔（6），所述第二通孔（6）的直徑與第一通孔（5）的直徑不相等，所述第二通孔（6）與第一通孔（5）相互貫通且同軸。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聯(lián)軸器，其特征在于：所述第一通孔（5）的直徑小于第二通孔（6）的直徑。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聯(lián)軸器，其特征在于：所述連接板（2）的下表面設(shè)置有盲孔（7），所述盲孔（7）與第二通孔（6）同軸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的聯(lián)軸器，其特征在于：所述第一通孔（5）的孔壁上設(shè)置有用于防滑的紋路或鍵槽。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的聯(lián)軸器，其特征在于：所述第一通孔（5）內(nèi)設(shè)置有用于防滑的橡膠墊。

7.一種樣品臺(tái)組件，其特征在于：所述樣品臺(tái)組件包括權(quán)利要求1至6任意一項(xiàng)所述的聯(lián)軸器。

8.一種mpcvd裝置，其特征在于：所述mpcvd裝置包括權(quán)利要求7所述的樣品臺(tái)組件。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及微波等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種聯(lián)軸器、樣品臺(tái)組件及MPCVD裝置，所述聯(lián)軸器包括與鎖緊筒連接的連接板，所述鎖緊筒與連接板之間設(shè)置有第一缺口，所述第一缺口沿鎖緊筒的徑向延伸，所述鎖緊筒的端面設(shè)置有第二缺口，所述第二缺口沿鎖緊筒的軸向延伸并貫通第一缺口，所述鎖緊筒的軸向設(shè)置有第一通孔，所述第一通孔的徑向設(shè)置有緊固件，轉(zhuǎn)動(dòng)所述緊固件，能夠改變所述第一通孔的直徑大小，提供了一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的聯(lián)軸器，所述樣品臺(tái)組件包括所述聯(lián)軸器，所述MPCVD裝置包括所述樣品臺(tái)組件。

技術(shù)研發(fā)人員：鄢敏,劉文科,李俊宏
受保護(hù)的技術(shù)使用者：成都沃特塞恩電子技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240511
技術(shù)公布日：2024/12/19