專利名稱：半導(dǎo)體器件檢測(cè)系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種檢測(cè)裝置，更特別涉及一種用于檢測(cè)半導(dǎo)體器件的檢測(cè)裝置和系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體集成電路的制造過程中，結(jié)束一個(gè)處理過程之后，該處理過程的結(jié)果被調(diào)查研究。這時(shí)，沉積在晶片上的薄膜的厚度通過一個(gè)不同于執(zhí)行該處理的制造裝置的檢測(cè)裝置進(jìn)行測(cè)量，其中在該晶片上形成半導(dǎo)體集成電路。此外，也可以進(jìn)行粒子檢測(cè)。從而，完成了對(duì)于一個(gè)處理過程的校驗(yàn)。即，當(dāng)通過這樣的校驗(yàn)發(fā)現(xiàn)被檢測(cè)對(duì)象中的瑕疵時(shí)，可以確定在制造裝置中存在某種缺陷，并且修理制造裝置。此外，因?yàn)槿绻械木急贿M(jìn)行檢測(cè)，生產(chǎn)率就會(huì)下降，所以僅有一個(gè)通過隨機(jī)抽樣取出的晶片被檢測(cè)。
近些年，上述檢測(cè)裝置被安裝在執(zhí)行所述處理的制造裝置的內(nèi)部。從而，可以檢測(cè)所有晶片而不會(huì)降低生產(chǎn)率的制造裝置也被開發(fā)出來。在這種類型的制造裝置中，因?yàn)闄z測(cè)單元內(nèi)置，在所制造的晶片中探測(cè)到有缺陷的部分后，探測(cè)結(jié)果立刻被反饋到制造裝置，以便采取措施自動(dòng)改變處理?xiàng)l件。
但是，在晶片上形成的薄膜的厚度對(duì)于各個(gè)單獨(dú)的晶片來說可能不同，或者在每一個(gè)晶片內(nèi)也可能不同，在諸如溫度和壓力的處理?xiàng)l件中，存在著基于由于時(shí)間的推移和位置的差異等帶來的變化而導(dǎo)致的不平均的不穩(wěn)定性?？赡艽嬖谟捎诓环€(wěn)定或缺陷程度小而導(dǎo)致缺陷部分沒有被探測(cè)到的情況。在這樣的情況中，制造過程繼續(xù)進(jìn)行而不改變處理?xiàng)l件。
在制造過程完成之后所執(zhí)行的最后探針檢測(cè)處理中，對(duì)在晶片上形成的半導(dǎo)體集成電路進(jìn)行電氣功能測(cè)試以判斷半導(dǎo)體集成電路的質(zhì)量是否合格。
因此，即使當(dāng)上述的最后處理階段的檢驗(yàn)判斷出半導(dǎo)體集成電路是有缺陷的，也對(duì)于所有在其中形成了半導(dǎo)體集成電路的芯片進(jìn)行了探針檢測(cè)。因此，在不被作為產(chǎn)品采用的有缺陷的半導(dǎo)體集成電路上執(zhí)行了探針檢測(cè)。于是，存在一個(gè)問題，即，不必要地在有缺陷的半導(dǎo)體集成電路上執(zhí)行了探針檢測(cè)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明總的目的是提供一種改進(jìn)且有用的器件檢測(cè)裝置，其可以消除上述問題。
本發(fā)明更具體的目的是提供一種器件檢測(cè)裝置和檢測(cè)半導(dǎo)體器件的方法，其中半導(dǎo)體器件能被高效地檢測(cè)以提高生產(chǎn)率和性能價(jià)格比。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種用于基于單獨(dú)的器件檢測(cè)多個(gè)器件的器件檢測(cè)裝置，其特征為檢測(cè)目標(biāo)分類部分根據(jù)指出有缺陷的器件的信息省略應(yīng)用于器件的檢測(cè)的執(zhí)行，該有缺陷的器件在已經(jīng)應(yīng)用到器件的制造過程中已被判定為有缺陷。
根據(jù)上述發(fā)明，檢測(cè)目標(biāo)分類部分可以省略要應(yīng)用于有缺陷器件的檢測(cè)，因此減少了花在器件被完成后所執(zhí)行的檢測(cè)上的時(shí)間。
根據(jù)本發(fā)明的器件檢測(cè)裝置還可以包括一個(gè)標(biāo)記部分，該標(biāo)記部分為被檢測(cè)目標(biāo)分類部分省略了檢測(cè)的器件之一提供標(biāo)記。因此，有缺陷的器件能通過標(biāo)記輕易地識(shí)別。
此外，在根據(jù)本發(fā)明的器件檢測(cè)裝置中，指明有缺陷的器件的信息可以存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部分中。因此，如果需要，可以在合適的時(shí)候使用該信息，從而獲得沒有有缺陷器件的可靠器件。
此外，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種器件制造系統(tǒng)，包括器件制造裝置，用于制造多個(gè)器件并獲取指明包含有缺陷部分的器件的信息；和器件檢測(cè)裝置，用于檢測(cè)由所述器件制造裝置制造的器件；其特征為所述器件檢測(cè)裝置包括檢測(cè)目標(biāo)分類部分，其根據(jù)指出包含有缺陷部分的器件的信息省略應(yīng)用于器件的檢測(cè)的執(zhí)行，該有缺陷部分在所述器件制造裝置執(zhí)行的制造過程中形成。
根據(jù)上述發(fā)明，檢測(cè)目標(biāo)分類部分可以省略要應(yīng)用于有缺陷器件的檢測(cè)，因此減少了花在器件被完成后所執(zhí)行的檢測(cè)上的時(shí)間。
此外，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種器件制造系統(tǒng)，包括多個(gè)器件制造裝置；和檢測(cè)裝置，用于檢測(cè)由所述器件制造裝置執(zhí)行的制造過程所制造的器件，其特征為檢測(cè)部分在器件經(jīng)歷了由至少兩個(gè)所述器件制造裝置執(zhí)行的制造過程后執(zhí)行檢測(cè)來判定，在器件的制造過程中是否有缺陷在器件中出現(xiàn)，并獲取指明被判定為有缺陷的器件之一的信息；以及所述檢測(cè)裝置包含檢測(cè)目標(biāo)分類部分，其根據(jù)指明有缺陷的器件的信息省略應(yīng)用于器件的檢測(cè)的執(zhí)行，該有缺陷的器件在器件的制造過程中被判定為有缺陷。
根據(jù)上述發(fā)明，檢測(cè)目標(biāo)分類部分可以省略要應(yīng)用于有缺陷器件的檢測(cè)，因此減少了花在器件被完成后所執(zhí)行的檢測(cè)上的時(shí)間。
此外，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種基于單獨(dú)的器件檢測(cè)多個(gè)器件的器件檢測(cè)方法，其特征在于包括步驟準(zhǔn)備用于指明在所述器件的制造過程中被判定為有缺陷的器件的信息；和根據(jù)所述準(zhǔn)備步驟中所準(zhǔn)備的信息省略應(yīng)用于所述被判定為有缺陷的器件之一的檢測(cè)的執(zhí)行。該器件檢測(cè)方法還包括為所述省略了檢測(cè)的器件之一作標(biāo)記的步驟。另外，所述器件檢測(cè)方法還可以包括存儲(chǔ)在準(zhǔn)備步驟中所準(zhǔn)備的信息的步驟。
通過下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)更加清楚。


圖1為根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路制造系統(tǒng)的示意結(jié)構(gòu)框圖。
圖2為圖1所示的探針檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。
圖3為圖2所示的探針檢測(cè)裝置的操作的流程圖。
圖4為解釋由圖2所示的探針檢測(cè)裝置所執(zhí)行的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換的圖例說明。
圖5為根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路制造系統(tǒng)的示意結(jié)構(gòu)框圖。
本發(fā)明的最佳實(shí)施方式下面將參照附圖給出本發(fā)明的實(shí)施例的說明。在下述說明中，雖然半導(dǎo)體集成電路的制造被當(dāng)作一個(gè)例子來解釋，本發(fā)明并不局限于半導(dǎo)體集成電路的制造，而能夠被廣泛地應(yīng)用于含有液晶顯示板等的器件的制造中。
圖1為根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路制造系統(tǒng)的示意結(jié)構(gòu)框圖。如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路制造系統(tǒng)包含多個(gè)在半導(dǎo)體集成電路制造過程中使用的裝置，例如擴(kuò)散裝置1、光刻裝置3和蝕刻裝置5；探針檢測(cè)裝置7，其用于基于單獨(dú)的芯片檢測(cè)通過制造過程制造的半導(dǎo)體集成電路；通信線9，其用于連接這些裝置。
在上述擴(kuò)散裝置1中，通過離子注入的擴(kuò)散處理被應(yīng)用到在其上形成半導(dǎo)體集成電路的晶片上。此外，在光刻裝置3中，在將感光物質(zhì)涂敷到晶片表面并通過照相掩模曝光后，通過印制和顯影預(yù)定的圖案來實(shí)現(xiàn)電路圖案。此外，在蝕刻裝置5中，執(zhí)行蝕刻處理，例如有選擇地去除氧化薄膜。在探針檢測(cè)裝置7中，令探針基于單獨(dú)的芯片與形成在芯片中的電極相接觸，以對(duì)于這些芯片中形成的電路進(jìn)行連接測(cè)試，其中所述芯片形成在所述晶片上。
如圖1所示，檢測(cè)部分2、4和6分別并入擴(kuò)散裝置1、光刻裝置3和蝕刻裝置5。檢測(cè)目標(biāo)分類部分8安裝在探針檢測(cè)裝置7中。檢測(cè)部分2、4和6和檢測(cè)目標(biāo)分類部分8通過通信線9連接。
現(xiàn)將給出具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體集成電路制造系統(tǒng)的操作概要的說明。首先，圖1所示的每個(gè)檢測(cè)部分2、4和6基于單獨(dú)的晶片檢測(cè)通過每個(gè)制造過程的晶片是否含有缺陷。就是說，例如，安裝于蝕刻裝置5內(nèi)的檢測(cè)部分6測(cè)量在蝕刻裝置5中進(jìn)行了預(yù)定蝕刻的晶片的厚度，并根據(jù)設(shè)計(jì)值檢測(cè)該晶片的厚度是否落入允許的范圍內(nèi)。如果測(cè)量出的厚度不落入允許的范圍內(nèi)，則確定該晶片是有缺陷的。
這時(shí)，每個(gè)檢測(cè)部分2、4和6指明晶片上的被每個(gè)檢測(cè)部分2、4和6所執(zhí)行的檢測(cè)確定為一個(gè)有缺陷部分的位置，并通過通信線9將指明該位置的信息(例如映射數(shù)據(jù)，如位置坐標(biāo)數(shù)據(jù))送入到探針檢測(cè)裝置7的檢測(cè)目標(biāo)分類部分8。
因此，根據(jù)所輸入的信息，檢測(cè)目標(biāo)分類部分8從要進(jìn)行探針檢測(cè)的目標(biāo)對(duì)象中排除包含有被檢測(cè)部分2、4和6中的一個(gè)判斷為有缺陷的部分的芯片。因此，由于可以省略對(duì)于被確定為有缺陷產(chǎn)品的芯片的探針檢測(cè)，則可以省去花在無用檢測(cè)上的時(shí)間，從而縮短探針檢測(cè)時(shí)間。
需要注意的是，雖然用于指明有缺陷的芯片的信息被解釋為那些從檢測(cè)部分2、4和6通過通信線9輸入到檢測(cè)目標(biāo)分類部分8的信息，但使用通信線9并不是必需的。例如，在檢測(cè)部分2、4和6的每個(gè)中獲得的信息能夠被記錄在記錄介質(zhì)例如軟盤或者CD-ROM上。然后，記錄介質(zhì)可以附加在探針檢測(cè)裝置7上，以將記錄在記錄介質(zhì)上的信息輸入到檢測(cè)目標(biāo)分類部分8。
現(xiàn)將詳細(xì)給出圖1所示的半導(dǎo)體集成電路制造系統(tǒng)的說明。圖2為表示圖1所示的探針檢測(cè)裝置7的結(jié)構(gòu)的框圖。如圖2所示，探針檢測(cè)裝置7包含檢測(cè)目標(biāo)分類部分8，標(biāo)記部分18和探針檢測(cè)部分20。檢測(cè)目標(biāo)分類部分8包含總線10，存儲(chǔ)部分11，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換部分13，中央處理單元(CPU)15，映射構(gòu)成部分17，和參數(shù)輸入部分19。存儲(chǔ)部分11，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換部分13，CPU15，映射構(gòu)成部分17，標(biāo)記部分18，參數(shù)輸入部分19和探針檢測(cè)部分20被連接到總線10。該總線通過通信接口12連接到如圖1所示的通信線9。
參照?qǐng)D3，現(xiàn)將描述探針檢測(cè)裝置7的一個(gè)操作。首先，當(dāng)半導(dǎo)體集成電路制造系統(tǒng)被通電時(shí)，CPU15發(fā)出一個(gè)要求用戶輸入?yún)?shù)到參數(shù)輸入部分19的命令。接著，如圖3中步驟S1所示，用戶輸入不同的參數(shù)到參數(shù)輸入部分19。例如，這些參數(shù)包含有關(guān)于晶片大小、晶片上形成的每一個(gè)芯片的大小以及起始平面(凹槽)的方位的信息，所述凹槽是指明在晶片上形成的芯片的位置的標(biāo)記。
接著，在步驟S2中，探針檢測(cè)部分20將作為被檢測(cè)的對(duì)象的晶片傳送到預(yù)先指定的位置，并基于晶片上形成的起始平面進(jìn)行定位。需要注意的是干涉儀所控制的X-Y平臺(tái)被用于定位操作。在預(yù)校準(zhǔn)被執(zhí)行以粗略定位晶片后，執(zhí)行精確校準(zhǔn)。
其后，在步驟S3，CPU15判斷在步驟S2中被傳送的晶片是否為被檢測(cè)的晶片的第一個(gè)。如果確定該晶片為第一個(gè)，程序前進(jìn)到步驟S10。另一方面，如果確定該晶片不是第一個(gè)，程序前進(jìn)到步驟S4。
就是說，在最初的測(cè)試中，放置包含芯片的晶片的基座被人工移動(dòng)來實(shí)現(xiàn)定位，以使探針檢測(cè)部分20的探針與被測(cè)試芯片的電極相連。需要注意的是初始設(shè)置只需要一次，因?yàn)榈诙€(gè)以及第二個(gè)之后的晶片的定位能夠基于在初始設(shè)置中獲得并存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部分11中的位置信息自動(dòng)實(shí)現(xiàn)。
接著，在步驟S4中，由探針檢測(cè)部分20進(jìn)行測(cè)試的晶片的四個(gè)方向末端的芯片的位置被測(cè)量。映射構(gòu)成部分17創(chuàng)建一個(gè)基本映射，該映射根據(jù)由所述測(cè)量獲得的位置信息來指出作為探針檢測(cè)對(duì)象的芯片的位置。
另一方面，CPU15存儲(chǔ)根據(jù)如圖1所示的檢測(cè)部分2、4和6的每一個(gè)檢測(cè)的結(jié)果而確定為有缺陷的芯片的位置信息到存儲(chǔ)部分11中，并使映射構(gòu)成部分17基于位置信息創(chuàng)建一個(gè)檢測(cè)映射，該映射指出在前面的處理中被檢測(cè)判定為有缺陷的芯片的位置。
現(xiàn)將給出檢測(cè)映射的創(chuàng)建的說明。如圖1所示的檢測(cè)部分2、4和6中的每一個(gè)測(cè)量晶片上被判定有缺陷部分的位置，并獲取關(guān)于該部分的位置信息。這時(shí)，如圖4所示的x-y(或X-Y)坐標(biāo)系統(tǒng)被使用。該x-y(或X-Y)坐標(biāo)系統(tǒng)的坐標(biāo)原點(diǎn)對(duì)應(yīng)于晶片21的中心PA，或晶片21的切線23和24的交點(diǎn)PB。如圖4所示，在晶片中心PA為坐標(biāo)原點(diǎn)的x-y坐標(biāo)系統(tǒng)中，坐標(biāo)(x1，y1)作為芯片22的位置信息而獲得。
然后，被檢測(cè)部分2、4和6中的每一個(gè)所獲得的位置信息作為映射數(shù)據(jù)通過通信線9輸入到存儲(chǔ)部分11中。這時(shí)，指明用作創(chuàng)建位置信息的基準(zhǔn)的坐標(biāo)系統(tǒng)的信息與位置坐標(biāo)一起被輸入到存儲(chǔ)部分11。
于是，如果判定建立在檢測(cè)部分2、4和6輸入信息中指定的上述基準(zhǔn)中的坐標(biāo)系統(tǒng)互不相同，CPU15發(fā)出一條指令給數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換部分13來實(shí)現(xiàn)坐標(biāo)轉(zhuǎn)換，以使所有的位置信息都在一個(gè)坐標(biāo)系統(tǒng)內(nèi)表示。
因此，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換部分13通過初級(jí)轉(zhuǎn)換或類似的轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)坐標(biāo)轉(zhuǎn)換。由此獲得的位置信息被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部分11中，也被輸入到映射構(gòu)成部分17中。然后，CPU15使映射構(gòu)成部分17基于位置信息創(chuàng)建檢測(cè)映射，該映射指出在前面的步驟中被檢測(cè)判定為有缺陷的部分的位置。需要注意的是，由此創(chuàng)建的檢測(cè)映射被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部分11中。
接著，在步驟S5中判斷，在做出選擇芯片作為探針檢測(cè)對(duì)象的決定時(shí)是否應(yīng)該考慮檢測(cè)映射。使用檢測(cè)映射的決定是用戶響應(yīng)于CPU15的要求做出的。如果用戶通過鍵盤輸入或類似的方式指示考慮檢測(cè)映射，程序前進(jìn)到步驟S6。否則，程序前進(jìn)到步驟S7。
在步驟S6中，根據(jù)CPU15的指示，映射構(gòu)成部分17將在步驟S4中創(chuàng)建的檢測(cè)映射疊加在一個(gè)基本映射上以創(chuàng)建新的檢測(cè)目標(biāo)指示映射。該新的檢測(cè)目標(biāo)指示映射僅指出作為探針檢測(cè)對(duì)象的晶片上的所有芯片中除包含有在前面處理中被判定為有缺陷的部分的芯片的芯片的位置。該檢測(cè)目標(biāo)指示映射也存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部分11中。
接著，在步驟S7中，探針檢測(cè)部分20逐一地對(duì)其位置在檢測(cè)目標(biāo)指示映射中清楚指出的芯片執(zhí)行探針檢測(cè)。然后，當(dāng)對(duì)于檢測(cè)目標(biāo)指示映射中指出的所有芯片的探針檢測(cè)完成以后，程序前進(jìn)到步驟S8。在步驟S8中，CPU15判斷是否存在一個(gè)要進(jìn)行探針檢測(cè)的后續(xù)晶片。如果判定有后續(xù)晶片，程序前進(jìn)到S2。另一方面，如果判定沒有后續(xù)晶片，程序結(jié)束。
需要注意的是，可以給被探針檢測(cè)判定為有缺陷的芯片作標(biāo)記，以便在后續(xù)處理中封裝那些未作標(biāo)記的芯片。此外，可以給在前面的處理中被判定為包含有缺陷部分的芯片作標(biāo)記，所述前面的處理包括例如在探針檢測(cè)執(zhí)行前由擴(kuò)散裝置1，光刻裝置3或蝕刻裝置5所進(jìn)行的處理。也就是，如果用戶輸入一條命令，指示根據(jù)在前面處理中的檢測(cè)進(jìn)行標(biāo)記，CPU15讀取存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部分11中的檢測(cè)映射，以將該檢測(cè)映射輸入到標(biāo)記部分18。然后，標(biāo)記部分18逐一地對(duì)在輸入的檢測(cè)映射中指出的包含有缺陷部分的芯片作標(biāo)記。
因此，由于在拾取芯片時(shí)，那些沒有標(biāo)記的芯片能夠輕易地被作為好產(chǎn)品而辨認(rèn)出來，所以就確實(shí)能夠制造可靠的半導(dǎo)體集成電路。
此外，因?yàn)闄z測(cè)映射儲(chǔ)存在存儲(chǔ)部分中，所以將檢測(cè)映射記錄在如軟盤或CD-ROM這樣的記錄介質(zhì)上是有用的，其中所述檢測(cè)映射指出了在前面處理過程的檢測(cè)中判定為有缺陷的芯片的位置。記錄介質(zhì)可以附加到拾取芯片的拾取裝置上以將檢測(cè)映射輸入到該拾取裝置中?；蛘撸梢酝ㄟ^通信線將檢測(cè)映射輸入到拾取裝置。也就是，如果在檢測(cè)映射中作為包含有缺陷部分而指出的芯片不被拾取裝置拾取，那么不必要的拾取操作就能夠被省略，而帶來半導(dǎo)體集成電路生產(chǎn)效率的提高。
此外，圖1所示的擴(kuò)散裝置1、光刻裝置3、蝕刻裝置5和探針檢測(cè)裝置7可以構(gòu)成一個(gè)單一的安裝于一套傳送系統(tǒng)內(nèi)的晶片處理系統(tǒng)。根據(jù)這樣的系統(tǒng)，晶片被依次送到系統(tǒng)中設(shè)置的各個(gè)裝置，晶片被自動(dòng)送入和送出這些裝置，以對(duì)晶片進(jìn)行處理和檢測(cè)。于是，探針檢測(cè)所需的時(shí)間減少了，因此探針檢測(cè)的效率得到提高，同時(shí)能夠獲得具有高生產(chǎn)率的半導(dǎo)體集成電路制造系統(tǒng)。
參照?qǐng)D5，現(xiàn)將給出根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路制造系統(tǒng)的說明。圖5為根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路制造系統(tǒng)的示意結(jié)構(gòu)框圖。如圖5所示，雖然根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路制造系統(tǒng)與圖1所示的根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路制造系統(tǒng)有著相同的組成，但是它們的不同之處在于，根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路制造系統(tǒng)配備了一次傳送一塊晶片的單一晶片傳送系統(tǒng)。該單一晶片傳送系統(tǒng)包含供給部分29、傳送軌道30和31、儲(chǔ)料器33和存放裝置35。
此外，如圖5所示，沿傳送軌道平行放置了多個(gè)其中沒有檢測(cè)部分的蝕刻裝置25。另外，沿相同的傳送軌道31，在蝕刻裝置的行中提供了一個(gè)獨(dú)立的檢測(cè)部分6。
需要注意的是上述供給部分29與傳送軌道30的一端相連，儲(chǔ)料器33與傳送軌道31的一端相連。存放裝置35與探針檢測(cè)裝置7相連。
因?yàn)楦鶕?jù)本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路制造系統(tǒng)的操作基本上與圖1所示的根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路制造系統(tǒng)相同，下面將給出二者之間不同之處的說明。
首先，送入到供給部分29的晶片逐一沿著傳送軌道30傳送到擴(kuò)散裝置1，以在擴(kuò)散裝置1中對(duì)每一個(gè)晶片進(jìn)行擴(kuò)散處理。然后進(jìn)行檢測(cè)以判定是否存在其中發(fā)生有缺陷的擴(kuò)散的部分。如果有判定為有缺陷發(fā)生的部分，則獲取該有缺陷部分的位置信息，并通過通信線9將該位置信息輸入到檢測(cè)目標(biāo)分類部分8。
然后，已經(jīng)進(jìn)行了擴(kuò)散處理的晶片被傳送到光刻裝置3，該晶片在光刻裝置3中形成圖案。然后，檢測(cè)部分4執(zhí)行檢測(cè)以判斷是否存在產(chǎn)生了有缺陷的圖案的部分。如果判定存在有缺陷的圖案，則獲取該有缺陷部分的位置信息，并通過通信線9將該位置信息輸入到檢測(cè)目標(biāo)分類部分8。
接著，形成了圖案后的晶片沿著傳送軌道31送到蝕刻裝置25，在蝕刻裝置25中執(zhí)行蝕刻處理。然后，蝕刻后的晶片被送到檢測(cè)部分6，檢測(cè)部分6進(jìn)行檢測(cè)，以判斷是否存在有缺陷的蝕刻部分。如果存在有缺陷的蝕刻部分，則獲取該有缺陷的蝕刻部分的位置信息，并通過通信線9將該位置信息輸入到檢測(cè)目標(biāo)分類部分8。這時(shí)，多個(gè)晶片可以同時(shí)被沿著傳送軌道31放置的多個(gè)蝕刻裝置進(jìn)行蝕刻處理。此外，為了調(diào)節(jié)處理速度與其他的制造過程一致，蝕刻后的晶片可以臨時(shí)存放在儲(chǔ)料器33中。
被檢測(cè)部分6所檢測(cè)的晶片再次沿傳送軌道30被傳送到后續(xù)的處理裝置(未示出)，并且預(yù)定的處理被依次執(zhí)行。然后，經(jīng)處理的晶片被傳送到探針檢測(cè)裝置7，在第一個(gè)實(shí)施例中詳細(xì)說明的探針檢測(cè)被應(yīng)用于該晶片。需要注意的是，經(jīng)過探針檢測(cè)的晶片被傳送并存放在存放裝置35中，以進(jìn)行后續(xù)處理。
此外，在上述結(jié)構(gòu)中，供給部分29、儲(chǔ)料器33和存放裝置35并不一定要相互分開。例如，供給部分29可以具有儲(chǔ)料器33或存放裝置35的功能。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路制造系統(tǒng)，因?yàn)闄z測(cè)部分6被提供給多個(gè)蝕刻裝置25，所以沒有必要為每一個(gè)蝕刻裝置25提供一個(gè)檢測(cè)部分。因此，蝕刻裝置25的成本減少了，這也導(dǎo)致整個(gè)半導(dǎo)體集成電路制造系統(tǒng)的成本減少。此外，雖然在檢測(cè)部分被提供給每一個(gè)處理裝置的情況下，全部檢測(cè)部分的總的非操作時(shí)間增加了，但是通過將檢測(cè)部分6提供給多個(gè)處理裝置共用，性能價(jià)格比提高了。
需要注意的是，雖然在本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例中，說明了只有蝕刻裝置25被平行放置的結(jié)構(gòu)，其他裝置如清洗裝置或化學(xué)氣相沉積(CVD)裝置也可以平行放置。此外，通過提供由多個(gè)平行放置的處理裝置共用的多個(gè)檢測(cè)部分能夠獲得與如圖5所示的半導(dǎo)體集成電路制造系統(tǒng)相同的效果。
本發(fā)明并不局限于具體公開的實(shí)施例，在不超出本發(fā)明的范圍內(nèi)，可以做出變化和調(diào)整。
權(quán)利要求
1.一種器件檢測(cè)裝置，用于基于單獨(dú)的器件檢測(cè)多個(gè)器件，其特征為檢測(cè)目標(biāo)分類部分(8)根據(jù)指出有缺陷的器件的信息省略應(yīng)用于器件的檢測(cè)的執(zhí)行，該有缺陷的器件在已經(jīng)應(yīng)用到器件的制造過程中已被判定為有缺陷。
2.如權(quán)利要求1所述的器件檢測(cè)裝置，其特征為標(biāo)記部分(18)為被所述檢測(cè)目標(biāo)分類部分(8)省略了檢測(cè)的所述器件中的一個(gè)作標(biāo)記。
3.如權(quán)利要求1所述的器件檢測(cè)裝置，其特征為指明有缺陷器件的信息存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部分(11)中。
4.一種器件制造系統(tǒng)，包含器件制造裝置(1，3，5)，用于制造多個(gè)器件并獲取指明包含有缺陷部分的器件的信息；和器件檢測(cè)裝置(7)，用于檢測(cè)由所述器件制造裝置制造的器件；其特征為所述器件檢測(cè)裝置(7)包括檢測(cè)目標(biāo)分類部分(8)，其根據(jù)指出包含有缺陷部分的器件的信息省略應(yīng)用于器件的檢測(cè)的執(zhí)行，該有缺陷部分在所述器件制造裝置執(zhí)行的制造過程中形成。
5.如權(quán)利要求4所述的器件制造系統(tǒng)，其特征為標(biāo)記部分(18)為被所述檢測(cè)目標(biāo)分類部分(8)省略了檢測(cè)的所述器件中的一個(gè)作標(biāo)記。
6.如權(quán)利要求4所述的器件制造系統(tǒng)，其特征為指明有缺陷器件的信息存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部分(11)中。
7.一種器件制造系統(tǒng)，包含多個(gè)器件制造裝置(25)；和檢測(cè)裝置(7)，用于檢測(cè)由所述器件制造裝置執(zhí)行的制造過程所制造的器件，其特征為檢測(cè)部分(6)在器件經(jīng)歷了由至少兩個(gè)所述器件制造裝置所執(zhí)行的制造過程后執(zhí)行檢測(cè)來判定，在器件的制造過程中是否有缺陷在器件中出現(xiàn)，并獲取指明被判定為有缺陷的器件之一的信息；和所述檢測(cè)裝置(7)包含檢測(cè)目標(biāo)分類部分(8)，其根據(jù)指明有缺陷的器件的信息省略應(yīng)用于器件的檢測(cè)的執(zhí)行，該有缺陷的器件在器件的制造過程中被判定為有缺陷。
8.一種基于單獨(dú)的器件檢測(cè)多個(gè)器件的器件檢測(cè)方法，其特征在于包括步驟準(zhǔn)備用于指明在所述器件的制造過程中被判定為有缺陷的器件的信息；和根據(jù)所述準(zhǔn)備步驟中所準(zhǔn)備的信息省略應(yīng)用于所述被判定為有缺陷的器件之一的檢測(cè)的執(zhí)行。
9.如權(quán)利要求8所述的器件檢測(cè)方法，其特征在于包括為所述省略了檢測(cè)的器件之一作標(biāo)記的步驟。
10.如權(quán)利要求8所述的檢測(cè)方法，其特征為存儲(chǔ)在準(zhǔn)備步驟中所準(zhǔn)備的信息的步驟。
全文摘要
器件檢測(cè)裝置基于單獨(dú)的器件檢測(cè)多個(gè)半導(dǎo)體器件。檢測(cè)目標(biāo)分類部分(8)根據(jù)指出有缺陷的器件的信息省略應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的檢測(cè)的執(zhí)行，該有缺陷的器件在已經(jīng)應(yīng)用到器件的制造過程中已被判定為有缺陷。
文檔編號(hào)G01R31/28GK1434981SQ01808487
公開日2003年8月6日 申請(qǐng)日期2001年4月24日 優(yōu)先權(quán)日2000年4月25日
發(fā)明者唐沢涉 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社