專利名稱：自動傳輸線脈沖系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)半導(dǎo)體元件的電氣特性的測量。詳言之，本發(fā)明系有關(guān)測量半導(dǎo)體元件的靜電放電ESD特性的系統(tǒng)及方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體集成電路(IC)一般而言皆容易受到靜電放電(ESD)的影響而可能遭破壞或損毀。
所謂的ESD是指在短瞬間因電流(正或負(fù)極性)的放電而使大量電流流入IC的現(xiàn)象。此種大電流的發(fā)生有許多原因，例如是因人體或機(jī)器所導(dǎo)致，分別稱為人體模式(HBM)與機(jī)器模式(MM)。IC在制造、運(yùn)送或處理時(shí)特別容易受到HBM及MM的影響。
以互補(bǔ)式金氧半(CMOS)制程來備制的習(xí)知ESD防護(hù)元件通常包括某些型式的ESD防護(hù)元件，例如NMOS/PMOS晶體管、硅控整流器(SCR)、厚層氧化物元件(FOD)及寄生式垂直/橫向接面晶體管(BJT)等。這些ESD防護(hù)元件在ESD發(fā)生時(shí)，可通過由ESD檢測電路將部分ESD脈沖的能量耦合至ESD防護(hù)元件的閘極或基極來予以開啟。圖1A、1B所示為使用閘極或基極驅(qū)動技術(shù)的習(xí)知ESD防護(hù)電路結(jié)構(gòu)的電路圖，是具有ESD防護(hù)元件與ESD檢測電路的電路結(jié)構(gòu)的范例。
圖1A為使用閘極驅(qū)動技術(shù)的習(xí)知ESD防護(hù)電路10的電路圖。請參閱圖1A，電路10包括一個墊片12、一個ESD檢測電路14、一個作為ESD防護(hù)元件的NMOS晶體管16、以及IC(未標(biāo)號)之內(nèi)部電路18。作為ESD防護(hù)元件的晶體管16包括閘極16-2、汲極16-4、源極16-6與基極16-8。閘極16-2連接至ESD檢測電路14。汲極16-4連接在墊片12與內(nèi)部電路18之間。源極16-6與基極16-8則連接至地電位或參考電壓VSS。當(dāng)有正極性ESD出現(xiàn)在墊片12時(shí)，ESD脈沖的部分能量由ESD檢測電路14耦合至閘極16-2。作為ESD防護(hù)元件的晶體管16于是開啟而將ESD電流由墊片12排放至VSS電源端。
圖1B為使用基極觸發(fā)技術(shù)的習(xí)知ESD防護(hù)電路結(jié)構(gòu)20的電路圖。請參閱圖1B，電路結(jié)構(gòu)20包括一個墊片22、ESD檢測電路24、作為ESD防護(hù)元件的NMOS晶體管26、以及IC(未標(biāo)號)的內(nèi)部電路28。ESD防護(hù)元件26包括閘極26-2、汲極26-4、源極26-6與基極26-8。閘極26-2與源極26-6連接至地電位或VSS。基極26-8連接至ESD檢測電路24。汲極26-4則連接在墊片22與內(nèi)部電路28之間。當(dāng)有正極性ESD脈沖出現(xiàn)在墊片22時(shí)，ESD檢測電路24將部份ESD脈沖的能量耦合至基極26-8。ESD防護(hù)元件26中的寄生式橫向npn雙載子晶體管30便開啟以將ESD電流由墊片22排放至VSS電源端。
在設(shè)計(jì)IC之ESD防護(hù)電路結(jié)構(gòu)時(shí)，此電路結(jié)構(gòu)的ESD防護(hù)元件的ESD特性最好能在ESD防護(hù)元件制作前先予以測量或測試。ESD防護(hù)元件的ESD特性通常以其對ESD脈沖的響應(yīng)來表現(xiàn)。例如，本行技藝中已知若ESD防護(hù)元件的二次崩潰電流較高，則能耐受較大的ESD電流。諸如二次崩潰電流的ESD特性可利用傳輸線(TLP)技術(shù)來加以測量。TLP技術(shù)提供與ESD電流相同時(shí)間長短與相同電流等級的方波脈沖。
然而，習(xí)知測試系統(tǒng)以TLP技術(shù)來進(jìn)行測量時(shí)通常測量兩個端點(diǎn)。因此，舉例而言若測量ESD防護(hù)元件如金氧半(MOS)晶體管的汲極與源極，則閘極與基極便和源極連接在一起。由于閘極與基極的ESD特性在設(shè)計(jì)ESD防護(hù)電路結(jié)構(gòu)時(shí)相當(dāng)重要，因此希望能有可測量ESD防護(hù)元件的至少三個端點(diǎn)的系統(tǒng)及方法，以獲得更多有關(guān)ESD防護(hù)元件的ESD特性的信息。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種ESD防護(hù)系統(tǒng)及方法的自動傳輸線脈沖系統(tǒng)來克服習(xí)知技術(shù)的種種缺失及限制。
下文的實(shí)施例將針對部分本發(fā)明的目的及優(yōu)點(diǎn)予以描述，而另一部分的目的及優(yōu)點(diǎn)則可隨本說明書之描述或本發(fā)明的實(shí)施而得以了解。利用權(quán)利要求書中所特別界定出的元件與方法，可實(shí)施并達(dá)成本發(fā)明的種種目的及優(yōu)點(diǎn)。
為達(dá)成上述的優(yōu)點(diǎn)，依據(jù)實(shí)施例及說明書中所廣義描述的發(fā)明目的，本發(fā)明提供一種測量半導(dǎo)體元件的靜電放電(ESD)特性的系統(tǒng)，包括至少一個產(chǎn)生ESD級脈沖的脈沖產(chǎn)生器；半導(dǎo)體元件的第一端點(diǎn)用以接收來自該至少一個脈沖產(chǎn)生器的第一ESD級脈沖；半導(dǎo)體元件的第二端點(diǎn)用以相對于第一端點(diǎn)接地；半導(dǎo)體元件的至少一個第三端點(diǎn)用以接收來自該至少一個脈沖產(chǎn)生器的第二ESD級脈沖；以及一個資料收集器用以收集半導(dǎo)體元件的ESD特性。
本發(fā)明亦提供一種測量多端點(diǎn)元件的靜電放電(ESD)特性的系統(tǒng)，包括一個第一脈沖產(chǎn)生器用以提供第一ESD級脈沖；一個第二脈沖產(chǎn)生器用以提供第二ESD級脈沖；多端點(diǎn)元件的第一端點(diǎn)連接至第一脈沖產(chǎn)生器以接收第一ESD級脈沖；多端點(diǎn)元件的第二端點(diǎn)相對于第一端點(diǎn)接地；多端點(diǎn)組元件的第三端點(diǎn)連接至第二脈沖產(chǎn)生器以接收第二ESD級脈沖；以及一個檢測器用以檢測多端點(diǎn)元件的漏電流，其中當(dāng)檢測器檢測出多端點(diǎn)元件有不正常漏電流時(shí)決定該多端點(diǎn)元件的ESD特性。
本發(fā)明亦提供一種測量半導(dǎo)體元件的靜電放電(ESD)特性的方法，包括提供至少一個脈沖產(chǎn)生器來產(chǎn)生ESD級脈沖；確定半導(dǎo)體元件的第一端點(diǎn)；確定半導(dǎo)體元件的第二端點(diǎn)；確定半導(dǎo)體元件的第三端點(diǎn)；提供一個第一ESD級脈沖至半導(dǎo)體元件的第一或第二端點(diǎn)，未接受到第一ESD級脈沖的另一端點(diǎn)則相對接地；以及提供一個第二ESD級脈沖至半導(dǎo)體元件的至少該第三端點(diǎn)。
本發(fā)明亦提供一種靜電放電(ESD)測試方法，包括提供一個多端點(diǎn)元件；產(chǎn)生至少一個ESD級脈沖；將該至少一個ESD級脈沖的第一ESD級脈沖提供至多端點(diǎn)元件的第一或第二端點(diǎn)，未接受到第一ESD級脈沖之另一端點(diǎn)則相對接地；將該至少一個ESD級脈沖的第二ESD級脈沖提供至多端點(diǎn)元件的至少一個第三端點(diǎn)；于第一與第二ESD級脈沖作用下收集多端點(diǎn)元件的ESD特性；以及檢測多端點(diǎn)元件是否有不正常漏電流。
本發(fā)明的有益效果在于提供了可測量靜電放電ESD防護(hù)元件的至少三個端點(diǎn)的系統(tǒng)和方法，以獲得更多有關(guān)ESD防護(hù)元件的ESD特性資料。
本說明書如前所揭的一般描述以及下文的詳細(xì)說明皆僅為例示、解說性質(zhì)，其用意在于進(jìn)一步描述本發(fā)明。


圖1A為使用閘極驅(qū)動技術(shù)的習(xí)知靜電放電(ESD)防護(hù)電路結(jié)構(gòu)的電路圖；
圖1B為使用基極驅(qū)動技術(shù)的習(xí)知ESD防護(hù)電路結(jié)構(gòu)的電路圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例之用以測量半導(dǎo)體元件之ESD特性的系統(tǒng)示意圖；圖3為本發(fā)明另一實(shí)施例之用以測量半導(dǎo)體元件的ESD特性的系統(tǒng)示意圖；以及圖4為本發(fā)明實(shí)施例的方法流程圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的實(shí)施例將參閱附圖作做詳細(xì)說明。圖中相同或類似的元件盡可能以相同的標(biāo)號予以表示。
圖2為本發(fā)明實(shí)施例之用以測量半導(dǎo)體元件60的ESD特性的系統(tǒng)50的示意圖。請參閱圖2，系統(tǒng)50包括半導(dǎo)體元件60與至少一個脈沖產(chǎn)生器70。半導(dǎo)體元件60為多端點(diǎn)元件，其至少包括第一端點(diǎn)62、第二端點(diǎn)64與第三端點(diǎn)66。在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體元件60包括金氧半(MOS)晶體管、硅控整流器(SCR)、低電壓觸發(fā)之SCR或LVTSCR、厚層氧化物元件(FOD)或雙載子接面晶體管(BJT)。脈沖產(chǎn)生器70產(chǎn)生模擬ESD的信號。舉例而言，脈沖產(chǎn)生器70產(chǎn)生與ESD電流或電壓的發(fā)生時(shí)間、持續(xù)期間及強(qiáng)度相同的方波信號。在一實(shí)施例中，脈沖產(chǎn)生器70所產(chǎn)生的ESD級脈沖其時(shí)間寬度約為2納秒(ns)至500納秒。
脈沖產(chǎn)生器70詳言之可利用傳輸線脈沖(TLP)產(chǎn)生器來實(shí)施。TLP產(chǎn)生器系由Intel公司T.J.Maloney與N.Khurana在1985年ESD研討會中所發(fā)表，其論文標(biāo)為「傳輸線脈沖技術(shù)之電路模型」(Transmission Line Pulsing Techniquesfor Circuit Modeling)。
在一實(shí)施例中，脈沖產(chǎn)生器70包括一個TLP產(chǎn)生器(圖中未示)以及一個偏壓源(圖中未示)。TLP產(chǎn)生器提供第一ESD級脈沖至半導(dǎo)體元件60的第一端點(diǎn)62或第二端點(diǎn)64，而未接受第一ESD級脈沖的第一端點(diǎn)62或第二端點(diǎn)64則相對接地。偏壓源提供第二ESD級脈沖至半導(dǎo)體元件60的第三端點(diǎn)66。在半導(dǎo)體元件60為MOS晶體管的實(shí)施例中，第一端點(diǎn)62與第二端點(diǎn)64分別是MOS晶體管的汲極與源極，而第三端點(diǎn)66則為MOS晶體管的閘極或基極。在半導(dǎo)體元件60為SCR或LVTSCR的實(shí)施例中，第一端點(diǎn)62與第二端點(diǎn)64分別是SCR或LVTSCR的陽極與陰極，而第三端點(diǎn)66則為SCR或LVTSCR的基極或半導(dǎo)體井區(qū)。在半導(dǎo)體元件60為BJT或FOD的實(shí)施例中，第一端點(diǎn)62與第二端點(diǎn)64分別是BJT或FOD的集極與射極，而第三端點(diǎn)66則為BJT或FOD的基極。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，偏壓源提供第二ESD級脈沖至半導(dǎo)體元件60的第三與第四端點(diǎn)。在ESD防護(hù)元件為MOS晶體管的實(shí)施例中，第二ESD級脈沖系施加至MOS晶體管的閘極與基極。在ESD防護(hù)元件為SCR或LVTSCR的實(shí)施例中，第二ESD級脈沖系施加至SCR或LVTSCR的基極與半導(dǎo)體井區(qū)。
在又一實(shí)施例中，偏壓源提供第二ESD級脈沖至半導(dǎo)體元件60的第五端。在ESD防護(hù)元件為LVTSCR的實(shí)施例中，第二ESD級脈沖系施加至LVTSCR的寄生MOS晶體管的閘極。
圖3為本發(fā)明另一實(shí)施例的用以測量半導(dǎo)體元件60的ESD特性的系統(tǒng)90的示意方塊圖。請參閱圖3，系統(tǒng)90包括半導(dǎo)體元件60、開關(guān)元件92、脈沖產(chǎn)生器70、檢測量94、資料收集器96與計(jì)算機(jī)98。
在一實(shí)施例中，開關(guān)元件92為一開關(guān)陣列，可切換半導(dǎo)體元件60對檢測器94及脈沖產(chǎn)生器的連接。檢測器94包括電子分析儀(圖中未示)，例如惠普公司的HP4155分析儀。當(dāng)開關(guān)元件92將檢測器94電連接至半導(dǎo)體元件60時(shí)，檢測器94提供一個信號，例如是直流(DC)信號，至半導(dǎo)體元件60，以檢測半導(dǎo)體元件60是否有漏電流。若檢測器94檢測出有漏電流，半導(dǎo)體元件60即被判定為損毀。若未檢測出有漏電流，則將半導(dǎo)體元件60的連接切換至脈沖產(chǎn)生器70以進(jìn)行后續(xù)的測量。
資料收集器96，例如為示波器，收集有關(guān)半導(dǎo)體元件60的ESD特性的電壓及電流資料。計(jì)算機(jī)98則協(xié)調(diào)脈沖產(chǎn)生器70、資料收集器96與檢測器94之間的作業(yè)。在圖3所示的實(shí)施例中，資料收集器96系電連接至半導(dǎo)體元件60。而在另一實(shí)施例中，資料收集器96則電連接至半導(dǎo)體元件60與開關(guān)元件92之間。
本發(fā)明因此亦提供一種測量半導(dǎo)體元件60的ESD特性的方法。請參閱圖2，提供脈沖產(chǎn)生器70來產(chǎn)生ESD級脈沖。將第一ESD級脈沖提供至半導(dǎo)體元件60的第一端點(diǎn)62或第二端點(diǎn)64，而未接受第一ESD級脈沖的第一端點(diǎn)62或第二端點(diǎn)64則相對接地。將第二ESD級脈沖提供至半導(dǎo)體元件60的第三端點(diǎn)。在一實(shí)施例中，系將第二ESD級脈沖提供至半導(dǎo)體元件60的至少第三或第四端點(diǎn)。在另一實(shí)施例中，則將第二ESD級脈沖提供至半導(dǎo)體元件60的第五端點(diǎn)。
圖4為本發(fā)明實(shí)施例的方法流程圖。請參閱圖4，在步驟100，提供一個具有至少第一端點(diǎn)、第二端點(diǎn)與第三端點(diǎn)的半導(dǎo)體元件60。接著在步驟102中檢測半導(dǎo)體元件60以確定是否有漏電流。如果檢測出漏電流，即判定半導(dǎo)體元件60已損毀，本方法的流程到此結(jié)果。
然而若檢測不到漏電流，則在步驟104產(chǎn)生ESD級脈沖。第一ESD級脈沖在步驟106施加至半導(dǎo)體元件60的第一端點(diǎn)或第二端點(diǎn)，未接受第一ESD級脈沖的第一端點(diǎn)或第二端點(diǎn)則相對接地，而第二ESD級脈沖則施加至半導(dǎo)體元件60的至少第三端點(diǎn)。在一實(shí)施例中，第一與第二ESD級脈沖由TLP脈沖產(chǎn)生器所產(chǎn)生。在另一實(shí)施例中，第一ESD級脈沖由TLP脈沖產(chǎn)生器來產(chǎn)生，而第二ESD級脈沖則由偏壓源來產(chǎn)生。另依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在步驟106，將第一ESD級脈沖施加至第一或第二端點(diǎn)之前可先將第二ESD級脈沖施加至第三端點(diǎn)，以協(xié)助判斷半導(dǎo)體元件60的工作點(diǎn)。在又一實(shí)施例中，在步驟106，系大約同時(shí)將第二ESD級脈沖施加至第三端點(diǎn)，以及將第一ESD級脈沖施加至第一或第二端點(diǎn)。
接著在步驟108收集在ESD級脈沖的作用下，半導(dǎo)體元件60的電壓、電流等ESD特性。然后在步驟110檢測半導(dǎo)體元件60以確定是否有漏電流。若檢測出漏電流，本方法的流程便到此為止。若檢測不到漏電流，則于步驟112增加至少第一或第二ESD級脈沖的強(qiáng)度。于是在后續(xù)的測量中，所產(chǎn)生的ESD級脈沖位準(zhǔn)會較高。步驟104、106、108及112會重復(fù)進(jìn)行以測量半導(dǎo)體元件60的ESD特性，直到檢測出漏電流為止。
熟悉本行人士可了解在不脫離本發(fā)明的范圍及精神下，能對本說明書所揭示的實(shí)施例做種種修改與變化。本行人士經(jīng)由參閱本說明書與實(shí)施例，亦可了解本發(fā)明尚有其它的實(shí)施例。本說明書及其中之實(shí)施例僅為范例性質(zhì)。本發(fā)明的實(shí)際范圍與精神由權(quán)利要求書予以界定。
權(quán)利要求
1.一種測量半導(dǎo)體元件的靜電放電ESD特性的系統(tǒng)，包括至少一個產(chǎn)生ESD級脈沖的脈沖產(chǎn)生器；半導(dǎo)體元件的第一端點(diǎn)用以接收來自該至少一個脈沖產(chǎn)生器的第一ESD級脈沖；半導(dǎo)體元件的第二端點(diǎn)用以相對于第一端點(diǎn)接地；半導(dǎo)體元件的至少一個第三端點(diǎn)用以接收來自該至少一個脈沖產(chǎn)生器的第二ESD級脈沖；以及一個資料收集器用以收集半導(dǎo)體元件的ESD特性。
2.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于其中的半導(dǎo)體元件包括金氧半MOS晶體管、硅控整流器SCR、低電壓觸發(fā)的SCR或LVTSCR、厚層氧化物元件FOD或雙載子接面晶體BJT。
3.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于該至少一個脈沖產(chǎn)生器包括一個傳輸線脈沖TLP產(chǎn)生器來產(chǎn)生該等ESD級脈沖。
4.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于該至少一個脈沖產(chǎn)生器包括一個傳輸線路脈沖TLP產(chǎn)生器來產(chǎn)生第一ESD級脈沖。
5.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于該至少一個脈沖產(chǎn)生器包括一個偏壓源來產(chǎn)生第二ESD級脈沖。
6.如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其特征在于MOS晶體管包括一個源極或汲極來接收第一ESD級脈沖，未接受到第一ESD級脈沖之另一極則相對接地，以及至少一個閘極或基極來接收第二ESD級脈沖。
7.如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其特征在于SCR或LVTSCR包括一個陽極或陰極來接收第一ESD級脈沖，未接受到第一ESD級脈沖的另一極則相對接地，以及至少一個基極或半導(dǎo)體井區(qū)來接收第二ESD級脈沖。
8.如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其特征在于LVTSCR包括一個閘極來接收第二ESD級脈沖。
9.如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其特征在于FOD或BJT包括一個射極或集極來接收第一ESD級脈沖，未接受到第一ESD級脈沖的另一極則相對接地，以及一個基極來接收第二ESD級脈沖。
10.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于另包括一個檢測器來檢測半導(dǎo)體元件之漏電流。
11.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其特征在于另包括一個連接到該至少一個脈沖產(chǎn)生器與檢測器的開關(guān)元件以于該至少一個脈沖產(chǎn)生器與檢測器之間做連接的切換。
12.一種測量多端點(diǎn)元件的靜電放電ESD特性的系統(tǒng)，其特征在于包括一個第一脈沖產(chǎn)生器用以提供第一ESD級脈沖；一個第二脈沖產(chǎn)生器用以提供第二ESD級脈沖；多端點(diǎn)元件的第一端點(diǎn)連接至第一脈沖產(chǎn)生器以接收第一ESD級脈沖；多端點(diǎn)元件的第二端點(diǎn)相對于第一端點(diǎn)接地；多端點(diǎn)元件的第三端點(diǎn)連接至第二脈沖產(chǎn)生器以接收第二ESD級脈沖；以及一個檢測器用以檢測多端點(diǎn)元件的漏電流，其中當(dāng)檢測器檢測出多端點(diǎn)元件有不正常漏電流時(shí)決定該多端點(diǎn)元件的ESD特性。
13.如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其特征在于第一及第二脈沖產(chǎn)生器包括一個傳輸線脈沖TLP產(chǎn)生器來產(chǎn)生第一及第二ESD級脈沖。
14.如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其特征在于第一脈沖產(chǎn)生器包括一個TLP產(chǎn)生器來產(chǎn)生第一ESD級脈沖。
15.如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其特征在于第二脈沖產(chǎn)生器包括一個偏壓源來產(chǎn)生第二ESD級脈沖。
16.如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其特征在于另包括一個連接至第一、第二脈沖產(chǎn)生器與檢測器的開關(guān)元件以切換多端點(diǎn)元件對第一、第二脈沖產(chǎn)生器與檢測器的連接。
17.如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其特征在于多端點(diǎn)元件包括金氧半MOS晶體管、硅控整流器SCR、低電壓觸發(fā)之SCR或LVTSCR、厚層氧化物組件FOD或雙載子接面晶體管BJT。
18.一種測量半導(dǎo)體元件的靜電放電ESD特性的方法，其特征在于包括提供至少一個脈沖產(chǎn)生器來產(chǎn)生ESD級脈沖；確定半導(dǎo)體元件的第一端點(diǎn)；確定半導(dǎo)體元件的第二端點(diǎn)；確定半導(dǎo)體元件的第三端點(diǎn)；提供一個第一ESD級脈沖至半導(dǎo)體元件的第一或第二端點(diǎn)，未接受到第一ESD級脈沖的另一端點(diǎn)則相對接地；以及提供一個第二ESD級脈沖至半導(dǎo)體元件的至少該第三端點(diǎn)。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于另包括提供一個傳輸線脈沖TLP產(chǎn)生器來產(chǎn)生第一與第二ESD級脈沖。
20.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于另包括提供一個TLP產(chǎn)生器來產(chǎn)生第一ESD級脈沖。
21.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于另包括提供一個偏壓源來產(chǎn)生第二ESD級脈沖。
22.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于另包括提供金氧半MOS晶體管、硅控整流器SCR、低電壓觸發(fā)的SCR或LVTSCR、厚層氧化物組件FOD或雙載子接面晶體管BJT來作為該半導(dǎo)體元件。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于另包括提供第一ESD級脈沖至MOS晶體管的源極或汲極，未接受到第一ESD級脈沖的另一極則相對接地，以及提供第二ESD級脈沖至MOS晶體管的閘極或基極的至少其中之一。
24.如權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于另包括提供第一ESD級脈沖至SCR的陽極或陰極，未接受到第一ESD級脈沖的另一極則相對接地，以及提供第二ESD級脈沖至SCR的基極或半導(dǎo)體井區(qū)的至少其中之一。
25.如權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于另包括提供第一ESD級脈沖至LVTSCR陽極或陰極，未接受到第一ESD級脈沖的另一極則相對接地，以及提供第二ESD級脈沖至LVTSCR的基極或半導(dǎo)體井區(qū)的至少其中之一。
26.如權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于另包括提供第一ESD級脈沖至FOD的射極或集極，未接受到第一ESD級脈沖的另一極則相對接地，以及提供第二ESD級脈沖至FOD的基極。
27.如權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于另包括提供第一ESD級脈沖至BJT的射極或集極，未接受到第一ESD級脈沖的另一極則相對接地，以及提供第二ESD級脈沖至BJT的基極。
28.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于另包括提供一個資料收集器來收集有關(guān)半導(dǎo)體元件的ESD特性的資料。
29.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于另包括提供一個檢測器來檢測半導(dǎo)體元件的漏電流。
30.如權(quán)利要求29所述的方法，其特征在于另包括提供一個連接至該至少一個脈沖產(chǎn)生器與檢測器的開關(guān)元件以切換半導(dǎo)體元件對該至少一個脈沖產(chǎn)生器與檢測器的連接。
31.一種靜電放電ESD測試方法，其特征在于包括提供一個多端點(diǎn)元件；產(chǎn)生至少一個ESD級脈沖；將該至少一個ESD級脈沖的第一ESD級脈沖提供至多端點(diǎn)元件的第一或第二端點(diǎn)，未接受到第一ESD級脈沖的另一端點(diǎn)則相對接地；將該至少一個ESD級脈沖的第二ESD級脈沖提供至多端點(diǎn)元件的至少一個第三端點(diǎn)；于第一與第二ESD級脈沖作用下收集多端點(diǎn)元件的ESD特性；以及檢測多端點(diǎn)元件是否有不正常漏電流。
32.如權(quán)利要求31所述的方法，其特征在于另包括提供金氧半MOS晶體管、硅控整流器SCR、低電壓觸發(fā)的SCR或LVTSCR、厚層氧化物組件FOD或雙載子接面晶體管BJD來作為多端點(diǎn)元件。
33.如權(quán)利要求31所述的方法，其特征在于另包括在將第一ESD級脈沖提供至第一或第二端點(diǎn)之前，先將第二ESD級脈沖提供至該至少一個第三端點(diǎn)。
34.如權(quán)利要求31所述的方法，其特征在于另包括在提供第一或第二ESD級脈沖之前，先檢測多端點(diǎn)元件是否有不正常漏電流。
35.如權(quán)利要求34所述的方法，其特征在于另包括以一個傳輸線脈沖TLP產(chǎn)生器來產(chǎn)生第一與第二ESD級脈沖。
全文摘要
本發(fā)明提供一種測量半導(dǎo)體元件的靜電放電(ESD)特性的自動傳輸線脈沖系統(tǒng)，包括至少一個產(chǎn)生ESD級脈沖的脈沖產(chǎn)生器；半導(dǎo)體元件的第一端點(diǎn)用以接收來自該至少一個脈沖產(chǎn)生器的第一ESD級脈沖；半導(dǎo)體元件的第二端點(diǎn)用以相對于第一端點(diǎn)接地；半導(dǎo)體元件的至少一個第三端點(diǎn)用以接收來自該至少一個脈沖產(chǎn)生器的第二ESD級脈沖；以及一個資料收集器用以收集半導(dǎo)體元件的ESD特性。以獲得更多的有關(guān)ESD防護(hù)元件的ESD特性資料。
文檔編號G01R31/26GK1601292SQ200410062870
公開日2005年3月30日 申請日期2004年7月2日 優(yōu)先權(quán)日2003年8月8日
發(fā)明者柯明道, 張智毅, 侯春麟 申請人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院