專利名稱：基于脈沖耦合的硅納米線cmos神經(jīng)元電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及納米神經(jīng)元電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于脈沖耦合的硅納米線 CMOS神經(jīng)元電路。
背景技術(shù)：
在過去的30多年中，集成電路技術(shù)遵循Moore定律發(fā)展，傳統(tǒng)平面CMOS晶體管從 微米尺度向納米尺度不斷等比例縮小，目前基于45nm柵長平面CMOS晶體管的CPU芯片已 經(jīng)商品化。然而，平面CMOS器件等比例縮小導(dǎo)致開關(guān)性能下降、功耗密度提高。低成本、低 功耗、高集成度仍在繼續(xù)驅(qū)動CMOS器件的納米化進程。納米CMOS晶體管從平面結(jié)構(gòu)向立 體納米線結(jié)構(gòu)發(fā)展已經(jīng)成為一種趨勢。基于SOI的鰭形柵硅納米線晶體管(FinFET)表現(xiàn) 出優(yōu)良的柵控能力，已經(jīng)接近CMOS理想的開關(guān)性能。硅納米線CMOS反相器表現(xiàn)出寬的低壓噪聲容限和優(yōu)良的瞬態(tài)響應(yīng)特性。國際半 導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS 2007)會議曾預(yù)測2010年硅納米線晶體管將取代傳統(tǒng)平面CMOS 晶體管。硅納米線CMOS晶體管也存在潛在的缺點，如驅(qū)動電流較小，總的驅(qū)動電流取決于 平行的硅納米線數(shù)目等。納米電子器件尺寸的縮小將不可避免地帶來器件性能波動，器件 可靠性的降低，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)容錯設(shè)計理念十分適合構(gòu)架硅納米線晶體管電路。神經(jīng)元電路可 僅與附近神經(jīng)元電路發(fā)生局部聯(lián)系，能夠自適應(yīng)耦合調(diào)整信息傳遞，十分適合于硅納米線 CMOS器件低電流驅(qū)動、低功耗和魯棒性特點。神經(jīng)元是構(gòu)成神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)和功能的基本單位。在生物學(xué)上，神經(jīng)元由一 個細胞胞體和一些連接到相鄰細胞的樹突和軸突組成。通常樹突接受刺激信號，并向胞體 傳送，經(jīng)胞體整合后從軸突傳出。一個神經(jīng)元的軸突與另一個神經(jīng)元的樹突以突觸的方式 相互連接。組成神經(jīng)系統(tǒng)的生物神經(jīng)元具有如下特性神經(jīng)元工作于興奮和抑制兩種狀態(tài)， 超過神經(jīng)元細胞膜靜止電位閾值點就處于興奮狀態(tài)，否則處于抑制狀態(tài)；具有多輸入單輸 出的特點，每個神經(jīng)元對周圍其他神經(jīng)元輸入信號的特定組合的反應(yīng)通過其軸突上許多分 枝以電脈沖形式傳輸?shù)酵挥|上，而這些電脈沖是以相同的模式被分布在不同的突觸上，一 個神經(jīng)元在它的某個突觸上接收到的信號與其他許多神經(jīng)元接收到的是一樣的；突觸部分 的連接強度可以調(diào)節(jié)。基于以上特征的生物神經(jīng)元是一個復(fù)雜的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)負責(zé)接受數(shù)百個激勵性和 抑制性輸入脈沖信號。這些輸入脈沖在“隱蔽求和”過程中被賦予以不同的加權(quán)系數(shù)(平 均的)之后再進行求和。如果求和的值比門限值高，那么神經(jīng)元自身就會生成一個動作脈 沖，該脈沖稍后被輸入到相鄰的神經(jīng)單元中。動作脈沖作為特征神經(jīng)電信號，是神經(jīng)元在靜 息電位基礎(chǔ)上，受到刺激后膜電位所發(fā)生的快速翻轉(zhuǎn)和復(fù)原過程。神經(jīng)單元在起始脈沖之 后會沉寂一段時間，稱為不應(yīng)期。不應(yīng)期為輸出脈沖頻率設(shè)定了軟上限。動作脈沖的大小 形態(tài)并不受刺激信號強度影響，具有“全或無”的閾值現(xiàn)象，能無衰減性傳導(dǎo)。動作脈沖是 神經(jīng)元興奮和活動的標志，是神經(jīng)信息編碼的基本單元，在極為復(fù)雜的神經(jīng)系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)中，是 信息賴以產(chǎn)生、編碼、傳輸、加工和整合的載體。
神經(jīng)元對信息的處理加工是神經(jīng)元集群共同完成的，因此神經(jīng)元集群的運動模式 對信息的傳遞是非常重要的。一個神經(jīng)元不能完成對連續(xù)峰放電的時間編碼，而神經(jīng)元集 群能以同步的方式反映共同的突觸流。耦合神經(jīng)元系統(tǒng)的同步問題是其信息處理的關(guān)鍵。 時滯普遍存在生態(tài)系統(tǒng)中，正是時滯的出現(xiàn)增加了神經(jīng)元間的同步作用。通過時滯自適應(yīng) 地降低系統(tǒng)速度，兩弱耦合的神經(jīng)元調(diào)節(jié)初始狀態(tài)，達到最優(yōu)耦合強度并取得同步。不同的 連接形式對耦合同步有著不同的作用，鏈式連接需要的耦合強度最大，其次是環(huán)式連接，而 全局耦合需要最小的耦合強度就可實現(xiàn)完全同步。在Hopfield網(wǎng)絡(luò)中使用“Hebb規(guī)則”來 調(diào)節(jié)神經(jīng)元之間的連接權(quán)重，如果兩個單元具有相同的輸出，它們之間的相互連接權(quán)重被 激勵；如果它們具有相反的輸出，則權(quán)重被削弱。在不斷地調(diào)節(jié)各個單元的輸出之后，網(wǎng)絡(luò) 所揭示的是單元活動的穩(wěn)定聯(lián)系。最終它將有效地從某些僅僅與其存儲的“記憶”接近的 信息中恢復(fù)出該記憶。神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的初始連接是由遺傳機制控制的，神經(jīng)元不可避免在時間 延遲和處理過程中不斷變化，幾乎可以肯定生物的進化就建立在這些改變和時間延遲上， 并從中獲益。真實神經(jīng)元不可避免地存在時間延遲和處理過程的不斷優(yōu)化。而以基于誤差反向 傳播算法(Back Propagation, BP)的人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)利用生物神經(jīng)元有限屬性簡化模型構(gòu) 建，忽略了神經(jīng)元具有的延遲特性、非線性耦合調(diào)制特性等，因此，它們與實際神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)差 距很大，處理信息之前要經(jīng)過樣本學(xué)習(xí)或訓(xùn)練的處理過程。盡管存在種種局限性，但是它們 仍顯示出驚人的完成任務(wù)能力。整個領(lǐng)域內(nèi)充滿了新觀點。隨著生物神經(jīng)學(xué)的發(fā)展，作為 第三代神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的一個重要分支，一種被稱為脈沖耦合神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(Pulse Coupled Neural Network, PCNN)的人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的研究正在逐漸升溫。PCNN模型直接來自于20世紀90年 代Eckhorn等對貓的視覺皮層神經(jīng)細胞研究，是模擬視覺神經(jīng)細胞脈沖發(fā)放而得到的人工 神經(jīng)元模型。該模型利用了神經(jīng)元特有的線性相加、非線性相與調(diào)制耦合兩種特性，考慮了 生物電傳輸?shù)臅r延特性和指數(shù)衰減特性，考慮了相鄰連接神經(jīng)元同步脈沖發(fā)放現(xiàn)象；還有 內(nèi)部活動項的偏執(zhí)一項，當(dāng)神經(jīng)元處于抑制狀態(tài)時，內(nèi)部活動平衡態(tài)的一種等效表示。PCNN 為單層模型神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，不需要訓(xùn)練過程即可實現(xiàn)模式識別、圖像分割、目標分類等，因此非 常適合實時圖像處理環(huán)境。Eckhorn描述的PCNN模型的工作過程是這樣的如果神經(jīng)元有 脈沖輸出，則其動態(tài)門限突然增加，這樣因為門限增大使得第二次不可能產(chǎn)生脈沖輸出，于 是門限又開始衰減，當(dāng)門限值衰減到小于其內(nèi)部活動項值時，脈沖又再次產(chǎn)生，如此周而復(fù) 始。PCNN將圖像的二維空間變量轉(zhuǎn)化為一維時間脈沖序列。神經(jīng)元的個數(shù)等于輸入 圖像中像素點的個數(shù)，神經(jīng)元與像素點一一對應(yīng)，像素點的亮度值越大，則該神經(jīng)元的點火 頻率就越高。亮度值大的像素點對應(yīng)神經(jīng)元先點火，發(fā)放出脈沖，通過脈沖的傳播，使得對 應(yīng)像素點亮度值相似且空間相鄰的神經(jīng)元發(fā)放出同步脈沖。相似的多個神經(jīng)元對應(yīng)著圖像 中相同的區(qū)域，從而利用PCNN集群發(fā)放同步脈沖串序列傳播特性實現(xiàn)圖像區(qū)分識別。PCNN 中相似輸入的神經(jīng)元具有同時發(fā)生脈沖的特性，可以彌補輸入數(shù)據(jù)的空間不連貫和幅度上 的微小變化，從而較完整地保留了圖像的區(qū)域信息，這對于圖像分割無疑是非常有利的。然 而將PCNN的網(wǎng)絡(luò)模型應(yīng)用于圖像分割中，仍然有很多不利之處，如網(wǎng)絡(luò)系數(shù)難以確定、脈 沖門限處理復(fù)雜以及迭代次數(shù)無法確定等缺點，尤其是模型中的脈沖門限值是按指數(shù)規(guī)律 衰減的，這種變化規(guī)律雖然符合人眼對亮度強度響應(yīng)的非線性特性，但計算機處理時，需要將時間劃分為離散的時間段，而時間段的劃分不僅直接影響處理速度和分割效果。PCNN的 神經(jīng)元模型還需改進和優(yōu)化。PCNN有它的生物學(xué)依據(jù)，與傳統(tǒng)的人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)相比有許多的不同點，是對高級 哺乳動物視覺的仿生.在圖像處理應(yīng)用中，PCNN為單層模型神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，不需要訓(xùn)練過程即 可實現(xiàn)模式識別、圖像分割、目標分類。PCNN在圖像處理應(yīng)用中具有優(yōu)勢是與其生物學(xué)背景 相一致的，同時作為生物視覺這一復(fù)雜系統(tǒng)的仿生，目前對它的研究還停留在應(yīng)用探索階 段。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，為了能夠提供適合于硅納米線CMOS晶體管工作的電路，本發(fā)明提出了 基于脈沖耦合神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(PCNN)模型的硅納米線CMOS晶體管神經(jīng)元電路。生物神經(jīng)元靜息時細胞膜是極化的，相當(dāng)于細胞膜電容處于充電狀態(tài)。當(dāng)受到刺 激以后，Na+離子通道開放，使細胞膜去極化，產(chǎn)生動作脈沖，相當(dāng)于軸突電容放電。Na+離子 的內(nèi)流會增強K+離子外流的驅(qū)動力，形成復(fù)極化，這相當(dāng)于去極化過程產(chǎn)生反饋，抑制局 部觸發(fā)電位，使細胞膜電容向充電方向變化，恢復(fù)極化狀態(tài)。根據(jù)以上電學(xué)仿生分析，可以 用并聯(lián)的電容和硅納米線CMOS晶體管模仿生物神經(jīng)元細胞膜電學(xué)功能，將輸入信號進行 積分求和；用帶有反饋回路的硅納米線CMOS反相器結(jié)構(gòu)模仿Na+、K+離子擴散形成的閾值 動作脈沖。既然生物神經(jīng)元的輸出脈沖序列是由神經(jīng)元膜上一系列離子通道的開關(guān)和信號 傳遞、反饋所產(chǎn)生的，那么神經(jīng)元電路可以設(shè)計為奇數(shù)級CMOS反相器串聯(lián)的反饋回路結(jié) 構(gòu)，并將某一級反相器的電源端作為刺激信號輸入端，來模仿神經(jīng)元細胞體生成脈沖串功 能。輸入電壓越高，電路電容的充放電時間越短，輸出脈沖的頻率越高。這正對應(yīng)了生物神 經(jīng)元接受的刺激信號越強，神經(jīng)元越興奮，動作脈沖放電頻率就越高。脈沖耦合硅納米線CMOS晶體管神經(jīng)元電路利用閉合回路中的延遲反饋作用產(chǎn)生 脈沖，并利用輸入刺激信號電壓來調(diào)制輸出脈沖頻率。互聯(lián)神經(jīng)元間通過脈沖信號耦合可 以實現(xiàn)自適應(yīng)同步，提高耦合強度，實現(xiàn)神經(jīng)元集群共同完成信息處理。為達到上述目的，本發(fā)明提供的一種基于脈沖耦合的硅納米線CMOS神經(jīng)元電路， 其特征在于，包括一樹突電路，該樹突電路由一組并聯(lián)的P型硅納米線MOS晶體管與一 N型硅納米 線MOS晶體管通過漏端節(jié)點相串聯(lián)而構(gòu)成硅納米線CMOS電路，輸入脈沖電壓信號；一積分求和器，該積分求和器由一電容Cs構(gòu)成，該電容(^與樹突電路中的P型與 N型硅納米線MOS晶體管的漏端節(jié)點相連接，積累加權(quán)電流形成觸發(fā)電壓信號；一脈沖發(fā)生電路，該脈沖發(fā)生電路由偶數(shù)個串聯(lián)的CMOS反相器與樹突CMOS電路 形成反饋回路，產(chǎn)生脈沖序列串輸出，輸出脈沖序列串的頻率受到輸入信號的調(diào)制。上述方案中，所述樹突電路中一組并聯(lián)的P型硅納米線MOS晶體管與串聯(lián)的一 N 型硅納米線MOS晶體管的硅納米線數(shù)量之比為電流加權(quán)比例。該樹突CMOS電路1中的并 行通道具有不同的開啟電壓，可根據(jù)開啟的通道數(shù)量實現(xiàn)電流的加權(quán)分配和求和。上述方案中，所述樹突電路中由并聯(lián)的P型硅納米線MOS晶體管的源端節(jié)點作為 脈沖信號的并行輸入端。
上述方案中，所述脈沖發(fā)生電路的反饋回路由輸出端與樹突電路中P型與N型納 米線MOS晶體管的柵極相連接。上述方案中，所述脈沖發(fā)生電路的CMOS反相器包括硅納米線CMOS晶體管Tp2和 Tn2、…Tpk 禾口 Tnk O本發(fā)明的有益效果是1、該脈沖耦合神經(jīng)元電路的輸入端可加載電壓脈沖，樹突CMOS電路的并行通道 具有不同的開啟電壓，可根據(jù)開啟的通道數(shù)量實現(xiàn)電流的加權(quán)分配和求和，為模式自動識 別提供了硬件途徑。2、該脈沖耦合神經(jīng)元電路的輸出是以頻率可調(diào)的脈沖序列串作為信息載體，突破 了傳統(tǒng)0與1的二值數(shù)字式信息描述，可用于具有魯棒性的模糊處理系統(tǒng)。3、脈沖耦合神經(jīng)元電路具有環(huán)路反饋結(jié)構(gòu)，能夠利用電路延遲實現(xiàn)脈沖輸出和神 經(jīng)元間的自適應(yīng)耦合。3、脈沖耦合神經(jīng)元電路的積分求和器可以提供穩(wěn)定的點火閾值，可提高運算速度 和系統(tǒng)信號的穩(wěn)定性。4、脈沖耦合神經(jīng)元電路不需訓(xùn)練，通過輸入信號電壓來調(diào)制輸出脈沖頻率，就可 自適應(yīng)地調(diào)節(jié)神經(jīng)元間的耦合權(quán)重。5、脈沖耦合神經(jīng)元電路可用于圖像信息處理，空間圖像信號可以轉(zhuǎn)化為一維時間 脈沖序列，便于信息分類、檢索和識別。


圖1為脈沖耦合的硅納米線CMOS神經(jīng)元電路圖；圖2為硅納米線CMOS反相器版圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合具體實施例，并參照 附圖，對本發(fā)明進一步詳細說明。圖1所示的脈沖耦合的硅納米線CMOS神經(jīng)元電路，該電路由樹突電路1、積分求和 器2和脈沖發(fā)生電路3三部分依次連接構(gòu)成，具體包括一樹突電路1，該樹突電路1由一組并聯(lián)的P型硅納米線MOS晶體管Tpll. . . Tplffl與 一 N型硅納米線MOS晶體管Tnl通過漏端節(jié)點相串聯(lián)而構(gòu)成硅納米線CMOS電路，輸入脈沖 電壓信號；一積分求和器2，該積分求和器2由一電容Cs構(gòu)成，該電容C ￡與樹突電路中的P 型硅納米線MOS晶體管Tpll. . . Tplffl與N型硅納米線MOS晶體管Tnl的漏端節(jié)點相連接，積累 加權(quán)電流形成觸發(fā)電壓信號V ；一脈沖發(fā)生電路3，該脈沖發(fā)生電路3由偶數(shù)個串聯(lián)的CMOS反相器，包括硅納米 線CMOS晶體管Tp2和L、…Tpk和Tnk，與樹突CMOS電路形成構(gòu)成反饋回路，產(chǎn)生脈沖序列 串輸出V。，輸出脈沖序列串的頻率受到并行輸入信號VpV2. . . Vffl的調(diào)制。其中所述的樹突電路1中，由并聯(lián)的P型硅納米線MOS晶體管的源端節(jié)點作為脈 沖信號VpV2-^vmW并行輸入端。
其中所述的樹突電路1，一組并聯(lián)的P型硅納米線MOS晶體管與串聯(lián)的一 N型硅納 米線MOS晶體管的硅納米線數(shù)量之比為電流加權(quán)比例。樹突CMOS電路1的并行通道具有 不同的開啟電壓，可根據(jù)開啟的通道數(shù)量實現(xiàn)電流的加權(quán)分配和求和，為模式自動識別提 供了硬件途徑。脈沖耦合神經(jīng)元電路不需訓(xùn)練，通過輸入信號電壓來調(diào)制輸出脈沖頻率，就 可自適應(yīng)地調(diào)節(jié)神經(jīng)元間的耦合權(quán)重。其中所述脈沖發(fā)生電路3的反饋回路，由輸出端與樹突電路1中并聯(lián)的P型硅納 米線MOS晶體管Tpll. . . Tplffl與一 N型硅納米線MOS晶體管Tnl的柵極相連接。圖2所示為硅納米線CMOS反相器版圖，是構(gòu)成神經(jīng)元電路的基本電路單元。硅納 米線CMOS反相器版圖設(shè)計基于N型SOI材料作為襯底，由P溝道硅納米線晶體管和P阱內(nèi) N溝道硅納米線晶體管組成。參閱脈沖耦合的硅納米線CMOS神經(jīng)元電路圖1和反相器版圖2，一組并行輸入振 蕩脈沖電壓信號VpV^Vm攜帶一定的頻率信息，加載到樹突CMOS電路1中一組并聯(lián)的P型 硅納米線MOS晶體管Tpll. . . Tplffl的源端，Tpll. . . Tplffl具有不同數(shù)量的納米線作為電流并行通 道，樹突CMOS電路1的具有不同的開啟電壓，可根據(jù)開啟的通道數(shù)量實現(xiàn)電流的加權(quán)分配 和求和。加權(quán)求和電流匯聚到積分求和器2中，形成求和電壓VΣ。求和電SVs作用于脈沖 發(fā)生電路3上，達到其點火閾值后，反饋環(huán)產(chǎn)生頻率依賴于輸入電壓強度的脈沖序列串。并 行輸入電壓脈沖強度越高，輸出脈沖序列串發(fā)放頻率就越高。發(fā)放脈沖的形狀和頻率還依 賴于反饋回路電容和反相器級數(shù)所帶來的延遲，電容和反相器級數(shù)越小，脈沖上升沿越陡， 該神經(jīng)元電路系統(tǒng)輸出脈沖序列串的發(fā)放頻率越高。以上所述的具體實施例，對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進行了進一步詳 細說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡 在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保 護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種基于脈沖耦合的硅納米線CMOS神經(jīng)元電路，其特征在于，包括一樹突電路(1)，該樹突電路由一組并聯(lián)的P型硅納米線MOS晶體管Tp11...Tp1m與一N型硅納米線MOS晶體管Tn1通過漏端節(jié)點相串聯(lián)而構(gòu)成，輸入信號為脈沖電壓信號V1、V2...Vm；一積分求和器(2)，該積分求和器由一電容C∑構(gòu)成，該電容C∑與樹突電路(1)中的P型硅納米線MOS晶體管Tp11...Tp1m與N型硅納米線MOS晶體管Tn1的漏端節(jié)點相連接，積累加權(quán)電流形成觸發(fā)電壓信號V∑；一脈沖發(fā)生電路(3)，該脈沖發(fā)生電路由偶數(shù)個串聯(lián)的CMOS反相器與樹突CMOS電路形成反饋回路，產(chǎn)生脈沖序列串輸出Vo，輸出脈沖序列串的頻率受到輸入信號V1、V2...Vm的調(diào)制。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于脈沖耦合的硅納米線CMOS神經(jīng)元電路，其特征在于，所 述樹突電路(1)中一組并聯(lián)的P型硅納米線MOS晶體管與串聯(lián)的一 N型硅納米線MOS晶體 管的硅納米線數(shù)量之比為電流加權(quán)比例。
3.據(jù)權(quán)利要求1所述的基于脈沖耦合的硅納米線CMOS神經(jīng)元電路，其特征在于，所述 樹突電路(1)中由并聯(lián)的P型硅納米線MOS晶體管的源端節(jié)點作為脈沖信號的并行輸入 端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于脈沖耦合的硅納米線CMOS神經(jīng)元電路，其特征在于，所 述脈沖發(fā)生電路(3)的反饋回路由輸出端與樹突電路中P型及N型納米線MOS晶體管的柵 極相連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于脈沖耦合的硅納米線CMOS神經(jīng)元電路，其特征在于，所 述脈沖發(fā)生電路的CMOS反相器包括硅納米線CMOS晶體管Tp2和L、…Tpk和Tnk。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種基于脈沖耦合的硅納米線CMOS神經(jīng)元電路，該電路由樹突電路、積分求和器和脈沖發(fā)生電路三部分依次連接構(gòu)成。該脈沖耦合神經(jīng)元電路的特點是輸出和輸入均為脈沖序列串，該電路的器件均為硅納米線CMOS晶體管。樹突電路由一組并聯(lián)的P型納米線MOS晶體管與一N型納米線MOS晶體管通過漏端節(jié)點相串聯(lián)而構(gòu)成CMOS電路，P型納米線MOS晶體管的源端輸入脈沖電壓信號；積分求和器由一電容C∑構(gòu)成，該電容與樹突電路中的P型與N型納米線MOS晶體管的漏端節(jié)點相連接，積累加權(quán)電流形成觸發(fā)電壓信號；脈沖發(fā)生電路由偶數(shù)個串聯(lián)的CMOS反相器與樹突CMOS電路形成反饋回路，產(chǎn)生脈沖序列串輸出，輸出脈沖序列串的頻率受到輸入電壓脈沖信號的調(diào)制。
文檔編號H03K19/094GK101997538SQ20091009140
公開日2011年3月30日 申請日期2009年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月19日
發(fā)明者張嚴波, 楊富華, 楊香, 熊瑩, 王穎, 趙凱, 韓偉華 申請人:中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所