專(zhuān)利名稱(chēng)：探測(cè)裝置及其制造方法與使用它的基板檢測(cè)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及檢查液晶面板等時(shí)所采用的探測(cè)裝置及其制造方法與使用它的基板檢測(cè)方法、背景技術(shù)以往，如眾所周知，在檢測(cè)液晶面板等(以下，僅稱(chēng)為檢測(cè)對(duì)象基板)時(shí)，實(shí)用上廣泛采用各種形式的探測(cè)裝置。
參照?qǐng)D9以及圖10對(duì)于其中的一示例進(jìn)行說(shuō)明。圖9是表示以往的探測(cè)裝置的檢測(cè)情況的主視圖，圖10是其平面圖。
該探測(cè)裝置具備檢測(cè)設(shè)備10、中間基板3、探測(cè)基板4。檢測(cè)設(shè)備10與中間基板3的基端側(cè)e1電氣連接。中間基板3的前端側(cè)e2與探測(cè)基板4的基端側(cè)b1電氣連接。探測(cè)基板4的前端側(cè)b2可與檢測(cè)對(duì)象基板11電氣連接。檢測(cè)設(shè)備10具備TAB(Tape Automated bonding，磁帶自動(dòng)連接)盒2、控制基板1、信號(hào)發(fā)生器9。信號(hào)發(fā)生器9通過(guò)信號(hào)發(fā)送線(xiàn)12與控制基板1電氣連接?？刂苹?與TAB盒2的基端側(cè)c2電氣連接。TAB盒2的前端側(cè)c 1與中間基板3的基端側(cè)e1電氣連接。
控制基板1、中間基板3以及探測(cè)基板4都為細(xì)長(zhǎng)的矩形，在控制基板1與中間基板3的中間，以規(guī)定間隔設(shè)有多個(gè)TAB盒2。
在探測(cè)基板4上，例如以50μm這樣的極小間隔并列設(shè)有多個(gè)檢測(cè)端子4a。使得這些檢測(cè)端子4a的前端側(cè)與形成在檢測(cè)對(duì)象物11上的多個(gè)焊盤(pán)(pad)在位置上精確重合，在通過(guò)加壓并使兩者接觸而導(dǎo)通的狀態(tài)下，能夠進(jìn)行規(guī)定的檢測(cè)。
然而，對(duì)于上述檢測(cè)端子4a，由于它的端子寬例如為20μm的這樣地微小，在用加壓沖頭對(duì)檢測(cè)基板4施加壓力并使得檢測(cè)端子4a與檢測(cè)對(duì)象基板11的焊盤(pán)接觸時(shí)等的情況下，容易損傷檢測(cè)端子4a。而且，由于檢測(cè)基板4為長(zhǎng)條形尺寸，當(dāng)多個(gè)檢測(cè)端子4a中的一個(gè)產(chǎn)生斷線(xiàn)等的缺陷時(shí)，必須將長(zhǎng)條形的檢測(cè)基板全體替換成新的檢測(cè)基板，不僅價(jià)格上昂貴，而且，進(jìn)行交換的成品率較差，在經(jīng)濟(jì)方面較為不利。
而且，上述的探測(cè)裝置一般是通過(guò)ACF(Anisotropic Conducttive Film，各向異性導(dǎo)電膜)分別接合“探測(cè)基板4與中間基板3”、“中間基板3與TAB盒2”，將“TAB盒2與控制基板1”進(jìn)行焊錫接合，故由高分子樹(shù)脂膜構(gòu)成的探測(cè)基板4會(huì)受到熱量或應(yīng)力等的影響而容易產(chǎn)生變形。結(jié)果，對(duì)于形成越長(zhǎng)的探測(cè)基板，越容易產(chǎn)生檢測(cè)端子4a的間距不一致的情況，而影響到端子圖案的精度提高。又，還存在這樣的缺陷，例如，即使制造獲得了高精度的探測(cè)裝置，隨著此后環(huán)境條件的變化，也容易產(chǎn)生檢測(cè)端子4a的間距不一致的情況，而導(dǎo)致探測(cè)基板4的壽命(能夠維持高精度狀態(tài)的期間)較短。
再者，由于如此的原因，在檢測(cè)中很難維持多個(gè)檢測(cè)端子4a與檢測(cè)對(duì)象基板11的焊盤(pán)的精度位置的一致，存在很難進(jìn)行穩(wěn)定檢測(cè)的問(wèn)題。
本發(fā)明鑒于上述問(wèn)題，其第1目的在于，提供一種在產(chǎn)生斷線(xiàn)等問(wèn)題的情況下能夠經(jīng)濟(jì)地替換成新的探測(cè)基板的探測(cè)裝置。
又，本發(fā)明的第2目的在于提供一種使用壽命長(zhǎng)的探測(cè)裝置，它在制作探測(cè)裝置時(shí)能夠減小探測(cè)基板的檢測(cè)端子間距不一致的情況并能夠提高端子圖案的精度，同時(shí)，即使在制作裝置之后，也能夠長(zhǎng)時(shí)間維持裝置的精度。
又，本發(fā)明的第3目的在于，提供一種采用上述探測(cè)裝置能夠進(jìn)行穩(wěn)定檢測(cè)的方法。

發(fā)明內(nèi)容
為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的第一方面提供了一種探測(cè)裝置的制造方法，所述探測(cè)裝置具備檢測(cè)設(shè)備、中間基板以及探測(cè)基板，所述檢測(cè)設(shè)備與所述中間基板的基端側(cè)電氣連接，所述中間基板的前端側(cè)與所述探測(cè)基板的基端側(cè)電氣連接，所述探測(cè)基板的前端側(cè)可以與檢測(cè)對(duì)象基板電氣連接，其中，對(duì)于無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的一個(gè)所述中間基板并列設(shè)置多個(gè)所述探測(cè)基板，所述檢測(cè)設(shè)備具備與信號(hào)發(fā)生器電氣連接的控制基板、以及多個(gè)TAB盒，所述多個(gè)TAB盒各自的基端側(cè)與所述控制基板電氣連接，并且多個(gè)TAB盒的各自的前端側(cè)與所述中間基板的基端側(cè)電氣連接，所述探測(cè)基板具備并列設(shè)置的多個(gè)檢測(cè)端子，這些檢測(cè)端子的基端側(cè)與并列設(shè)置于中間基板上的多個(gè)電極的前端側(cè)連接，并且所述各檢測(cè)端子的前端側(cè)與并列設(shè)置于所述檢測(cè)對(duì)象基板上的多個(gè)焊盤(pán)連接，所述探測(cè)基板的檢測(cè)端子的寬度尺寸比所述檢測(cè)對(duì)象基板的各焊盤(pán)的寬度尺寸以及所述焊盤(pán)間的間隔尺寸兩者都小，其特征在于，所述方法采用ACF(Anisotropic Conductive Film，各向異性導(dǎo)電膜)、ACP(Anisotropic Conductive Paste，各向異性導(dǎo)電膠)、NCF(Non-ConductiveFilm，非導(dǎo)電膜)、NCP(Non-Conductive Paste，非導(dǎo)電膠)中的任意一種，將所述探測(cè)基板與所述中間基板熱壓接，形成所述探測(cè)基板，以使得與所述檢測(cè)對(duì)象基板的焊盤(pán)組連接的所述探測(cè)基板的前端側(cè)端子組形成的間隔p3比所述焊盤(pán)組形成的間距p1大，并且與所述中間基板的電極組連接的所述探測(cè)基板的基端側(cè)端子組的形成間距p4比所述電極組的形成間距p2小。


圖1是表示本發(fā)明的探測(cè)裝置的一示例的平面圖。
圖2表示檢測(cè)對(duì)象基板的焊盤(pán)、探測(cè)基板的檢測(cè)端子以及中間基板的電極之間的關(guān)系，(A)是表示檢測(cè)對(duì)象基板的焊盤(pán)的平面圖，(B)是表示檢測(cè)基板的檢測(cè)端子的平面圖，(C)是表示中間基板的電極的平面圖。
圖3是表示本發(fā)明的探測(cè)裝置的其他示例的平面圖。
圖4是表示本發(fā)明的探測(cè)裝置的其他示例的平面圖。
圖5是表示本發(fā)明的探測(cè)裝置的其他示例的主視圖。
圖6是表示本發(fā)明的探測(cè)裝置的其他示例的平面圖。
圖7是表示對(duì)于一個(gè)探測(cè)基板設(shè)置多個(gè)TAB盒的示例的平面圖。
圖8是表示使得TAB盒與探測(cè)基板的位置關(guān)系向左右的任何一方偏移的示例的平面圖。
圖9是表示以往的探測(cè)裝置的檢測(cè)狀態(tài)的主視圖。
圖10是圖9的平面圖。
最佳實(shí)施形態(tài)以下，參照附圖對(duì)于本發(fā)明的最佳實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說(shuō)明。
圖1是本發(fā)明的探測(cè)裝置的一實(shí)施例的平面圖。又，本實(shí)施例的探測(cè)裝置的側(cè)面情況與圖9相同。
如圖所示，該探測(cè)裝置具備檢測(cè)設(shè)備10、一個(gè)中間基板3、多個(gè)探測(cè)基板4。中間基板呈現(xiàn)為細(xì)長(zhǎng)的(例如，200mm以上的)矩形狀，將檢測(cè)設(shè)備10與該中間基板3的基端側(cè)e1電氣連接。沿著中間基板3的前端側(cè)e2的端邊緣，以規(guī)定間隔并列設(shè)置多個(gè)呈現(xiàn)短(例如，20mm左右的)矩形狀的探測(cè)基板4，各探測(cè)基板4的基端側(cè)b1分別與一個(gè)中間基板3的前端側(cè)e2電氣連接。通過(guò)加壓使得各探測(cè)基板4的前端側(cè)b2與檢測(cè)對(duì)象基板11(參照?qǐng)D9)接觸并能電氣連接。
檢測(cè)設(shè)備10具備多個(gè)TAB(tape automated bongding，磁帶自動(dòng)連接)盒2、細(xì)長(zhǎng)的(例如，200mm以上的)矩形狀的控制基板1、信號(hào)發(fā)生器9。TAB盒2是在聚酰亞胺樹(shù)脂等的高耐熱性的薄膜上層壓成銅箔等的金屬膜并通過(guò)蝕刻形成布線(xiàn)圖案的集成電路元件密封用的盒體。在本實(shí)施例中，各TAB盒2中密封有作為檢測(cè)對(duì)象基板11的例如用于點(diǎn)亮驅(qū)動(dòng)液晶面板的驅(qū)動(dòng)用集成元件。各TAB盒2具備分別用于連接基端側(cè)(控制基板1的側(cè))c2與前端側(cè)(中間基板3的側(cè))c1的電極組，各TAB盒2的基端側(cè)c2與控制基板1電氣連接，各TAB盒的前端側(cè)c 1與中間基板3的基端側(cè)e1電氣連接。又，在控制基板1上電氣連接著信號(hào)發(fā)生器9。
這里，“電氣連接”是指使之成為導(dǎo)通狀態(tài)，例如，接合形成于中間基板3的多個(gè)電極3a的前端側(cè)與形成于探測(cè)基板4的多個(gè)檢測(cè)端子4a的基端側(cè)并使之成為導(dǎo)通狀態(tài)。同樣地，接合形成于中間基板3的多個(gè)電極3a的基端側(cè)與形成于TAB盒2的前端側(cè)的多個(gè)電極并使之成為導(dǎo)通狀態(tài)。而且，接合形成于TAB盒2的基端側(cè)的多個(gè)電極與形成于控制基板1的多個(gè)電極并使之為導(dǎo)通狀態(tài)。
又，焊錫接合TAB盒2與控制基板1并使它們?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。而且，也可以采用ACF、壓接等的其他接合方法。又，通過(guò)信號(hào)發(fā)送線(xiàn)12使得控制基板1與信號(hào)發(fā)生器9為導(dǎo)通狀態(tài)。另一方面，利用ACF(Anisotropic Conductive Film各向異性導(dǎo)電膜)接合探測(cè)基板4與中間基板3并使它們?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。中間基板3與TAB盒2也同樣用ACF進(jìn)行接合構(gòu)成導(dǎo)通狀態(tài)。這里，ACF是指同時(shí)具有膠接、導(dǎo)電、絕緣這3種功能的連接材料，它是通過(guò)熱壓接而在膜厚方向上具有導(dǎo)通性、在表面方向上具有絕緣性的這樣的在電氣上各向異性的高分子膜，它是通過(guò)在具有膠接性以及絕緣性的高分子材料中混合導(dǎo)電性微顆粒而形成的材料。
又，探測(cè)基板4是FPC(Flexible Printed Circuit，柔性印刷電路)，它由低吸濕性玻璃環(huán)氧、液晶聚合物、聚酰亞胺、聚苯撐氧或者聚苯撐乙醚(polyphenylether etty 1 ether)等的有機(jī)類(lèi)材料的絕緣基板與形成在該絕緣基板上的銅、鎳、金等的導(dǎo)電性電極構(gòu)成，并采用吸濕膨脹系數(shù)為10ppm/％RH以下的物質(zhì)，而最好采用吸濕膨脹系數(shù)為5ppm/％RH以下的物質(zhì)。
又，若以玻璃環(huán)氧基板構(gòu)成探測(cè)基板4，則在加壓連接時(shí)電極導(dǎo)通容易變得不均勻，同時(shí)重復(fù)加壓時(shí)，容易產(chǎn)生裂縫，而若以聚酰亞胺薄膜等的耐熱性膜構(gòu)成檢測(cè)基板4時(shí)，則能夠解決上述問(wèn)題。
又，中間基板3由玻璃、氧化鋁、氮化鋁、碳化硅、富鋁紅柱石(mullite)等的陶瓷材料或者涂有陶瓷的低熱膨脹率金屬材料等的無(wú)機(jī)類(lèi)材料的絕緣基板與形成在該絕緣基板上的ITO(indium Tin Oxide，氧化銦錫)、鋁、鉻等的導(dǎo)電性電極構(gòu)成，采用其吸濕膨脹系數(shù)在1ppm/％RH以下的物質(zhì)。又，將中間基板3與檢測(cè)對(duì)象基板的熱膨脹率差設(shè)定在5ppm/℃以下。
如上所述，在本探測(cè)裝置中，由于將探測(cè)基板4以及中間基板3的吸濕膨脹系數(shù)設(shè)定在上述范圍內(nèi)，故能夠高精度地接合中間基板3的電極3a以及探測(cè)基板4的檢測(cè)端子4a。
即，當(dāng)全長(zhǎng)為30mm的探測(cè)基板4的吸濕膨脹系數(shù)為10ppm/％RH的情況下，當(dāng)使得濕度為40％左右時(shí)，全長(zhǎng)為增減12μm。對(duì)此，由于檢測(cè)端子4a的間距一般為50μm，故最好使得探測(cè)基板4的吸濕膨脹系數(shù)在10ppm/％RH以下。
又，關(guān)于熱膨脹率(coefficient of thermal expansion一般稱(chēng)為CTE)差，當(dāng)中間基板3與檢測(cè)對(duì)象基板11的熱膨脹率差為5ppm/℃時(shí)，對(duì)于全長(zhǎng)為300mm的中間基板3，若溫度上升10℃，則增長(zhǎng)15μm。即便從該方面出發(fā)，也最好中間基板3與檢測(cè)對(duì)象基板11的熱膨脹率差為5ppm/℃以下。
又，為了避免探測(cè)基板4的尺寸變化影響到中間基板3的變形，而最好使得中間基板3的厚度為探測(cè)基板4的厚度2.5倍以上。又，可以分別通過(guò)半添加法(semi-additive)、減法使得探測(cè)基板4的檢測(cè)端子4a以及中間基板3的電極3a形成規(guī)定的圖案，而也可以采用其他方法。
在圖2(A)中表示形成于檢測(cè)對(duì)象基板11的導(dǎo)電性焊盤(pán)11a，在圖2(B)中表示形成于探測(cè)基板4的檢測(cè)端子4a，再者，在圖2(C)中表示形成于中間基板3的電極3a。使得形成于探測(cè)基板4的多個(gè)檢測(cè)端子4a的寬度尺寸w2小于焊盤(pán)11a的寬度尺寸w1以及焊盤(pán)11a相互間的間隔尺寸s1，所述探測(cè)基板4與形成于檢測(cè)對(duì)象基板11的多個(gè)焊盤(pán)11a連接。
結(jié)果，在將探測(cè)基板4的前端側(cè)b2與檢測(cè)對(duì)象基板11連接的情況下，相對(duì)于焊盤(pán)11a組，檢測(cè)端子4a組的定位精度許可范圍變寬，能夠防止相鄰的焊盤(pán)11a間的短路。
又，在該探測(cè)裝置中，與檢測(cè)對(duì)象基板11的焊盤(pán)11a組連接的探測(cè)基板4的前端側(cè)檢測(cè)端子4a組的間隔p3大于焊盤(pán)11a組所形成的間距p1，并且與中間基板3的電極3a組連接的探測(cè)基板4的基端側(cè)檢測(cè)端子4a組所形成的間距p4小于中間基板3的電極3a組所形成的間距p2。通過(guò)ACF將這樣的探測(cè)基板4與中間基板3進(jìn)行熱壓接而進(jìn)行制造。
結(jié)果，由于在電氣連接探測(cè)基板4與中間基板3時(shí)能夠?qū)?yīng)地獲得因探測(cè)基板4的基端側(cè)的熱膨脹以及探測(cè)基板4的前端側(cè)的收縮所引起的間距變化，故能夠獲得一定精度(精度偏差小的狀態(tài))的探測(cè)裝置。
又，對(duì)于探測(cè)基板4的檢測(cè)端子4a組，各檢測(cè)端子4a的前端位于比探測(cè)基板4的前端側(cè)的端邊緣更內(nèi)側(cè)的位置，即使得位于比基端邊緣僅s2(例如，0.1～0.2mm)的內(nèi)側(cè)，故在使得探測(cè)基板4與檢測(cè)對(duì)象基板11接觸并連接時(shí)，不會(huì)產(chǎn)生檢測(cè)端子4a組從前端側(cè)剝離的故障情況。
又，替代將探測(cè)基板4連接到中間基板3時(shí)所使用的上述ACF，而可以采用ACP(Anisotropic Conductive Paste，各向異性導(dǎo)電膠)或NCF(Non-Conductive Film，非導(dǎo)電膜)或NCF(Non-Conductive Paste，非導(dǎo)電膠)中的任意一種。ACP是與ACF相同地同時(shí)具有膠接、導(dǎo)電、絕緣這3種功能的連接材料，是糊狀的材料。NCF以及NCP是具有絕緣功能的薄膜狀連接材料或糊狀連接材料。
根據(jù)本探測(cè)裝置，將探測(cè)基板4的檢測(cè)端子4a與檢測(cè)對(duì)象基板11(例如，液晶面板)的焊盤(pán)11a加壓接觸并進(jìn)行電氣連接，由此能夠進(jìn)行必要的檢測(cè)。此時(shí)，信號(hào)發(fā)生器9產(chǎn)生點(diǎn)亮圖案信號(hào)。
控制基板1具有變換信號(hào)電平的電路，而一般信號(hào)發(fā)生器9與控制基板1隔開(kāi)一定距離，則能夠施行對(duì)付噪聲的措施并處理信號(hào)?？刂苹?將從信號(hào)發(fā)生器9獲得信號(hào)例如變換成LVDS(Low Voltage Differential Signal，低壓差動(dòng)信號(hào))，并提供給TAB盒2。
TAB盒2接收點(diǎn)亮圖案信號(hào)并產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)檢測(cè)對(duì)象基板11的電壓。由此，在檢測(cè)對(duì)象基板11為液晶面板等的情況下，能夠以目測(cè)進(jìn)行檢測(cè)。
如上所述，本發(fā)明的探測(cè)裝置是相對(duì)于一個(gè)長(zhǎng)的中間基板3以規(guī)定間距并列設(shè)置多個(gè)探測(cè)基板4。結(jié)果，當(dāng)在這些探測(cè)基板4內(nèi)產(chǎn)生斷線(xiàn)等的缺陷的情況下，能夠僅交換產(chǎn)生缺陷的特定探測(cè)基板4，能夠經(jīng)濟(jì)地進(jìn)行探測(cè)基板4的交換。
又，通過(guò)加工工序由不易受到濕度影響的無(wú)機(jī)類(lèi)材料構(gòu)成中間基板3，采用其吸濕膨脹系數(shù)為1ppm/％RH以下的中間基板3，對(duì)于這樣的中間基板3連接探測(cè)基板4，因此，在制作探測(cè)裝置時(shí)，能夠減小因濕度影響導(dǎo)致的加工精度的不穩(wěn)定性。而且，能夠減小檢測(cè)端子4a的間距不一致的情況，能夠提高端子圖案的精度。
又，對(duì)于探測(cè)基板4，也采用其吸濕膨脹系數(shù)在10ppm/％RH以下的材料，故能夠進(jìn)一步減小因濕度影響導(dǎo)致的加工精度的不穩(wěn)定性，同時(shí)能夠進(jìn)一步提高檢測(cè)端子的圖案精度，并且，即使在裝置制作之后，也能夠在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)維持其精度。
又，由于使得與檢測(cè)對(duì)象基板11的焊盤(pán)11a組連接的探測(cè)基板4的檢測(cè)端子4a組的寬度尺寸w2小于焊盤(pán)11a的寬度尺寸w1以及焊盤(pán)11a相互之間的間隔尺寸s1，因此，相對(duì)于焊盤(pán)11a組，檢測(cè)端子4a組的定位精度的許可范圍變大，并且可以防止相鄰的焊盤(pán)11a相互之間的短路。
又，由于使得中間基板3與檢測(cè)對(duì)象基板11之間的熱膨脹率差在5ppm/℃以下，能夠進(jìn)行穩(wěn)定的檢測(cè)，同時(shí)，由于使得中間基板的厚度為探測(cè)基板4的2.5倍以上，故能夠更穩(wěn)定地進(jìn)行檢測(cè)。
以上，對(duì)于本發(fā)明的探測(cè)裝置的一實(shí)施形態(tài)進(jìn)行了描述，本發(fā)明處理上述之外的形態(tài)，例如，也可以是圖3～圖5所示的形態(tài)。
圖1中所示的上述的探測(cè)裝置具備單一的中間基板3，與此相對(duì)，圖3所示的探測(cè)裝置具備多個(gè)中間基板3。這些中間基板3與同前述的中間基板3相同材料的細(xì)長(zhǎng)矩形狀的單一的增強(qiáng)板5膠接。然后，如圖所示，多個(gè)(該示例中為6個(gè))TAB盒2與各中間基板3電氣連接。
另一方面，在圖4中所示的探測(cè)裝置在具備多個(gè)控制基板1的這一點(diǎn)上與上述各實(shí)施例不同。該實(shí)施例也是將多個(gè)(該示例中為4個(gè))TAB盒2與各控制基板1電氣連接。
又，在圖5中，并不如上述實(shí)施形態(tài)(圖1、圖3、圖4的形態(tài))那樣將控制基板1與TAB盒2直接接合，而是進(jìn)行間接接合，即通過(guò)連接基板6電氣連接兩者。連接基板6由FPC(Flexible Printed Circuit，柔性印刷電路)構(gòu)成，如圖所示那樣以彎折壓接的方式接將連接基板6與控制基板1連接接合。使得連接基板6在長(zhǎng)度上具有一定余地，而能夠容易地交換TAB盒2。
再者，圖6所示的探測(cè)裝置在構(gòu)造上，替代TAB盒2而在中間基板3上安裝驅(qū)動(dòng)用集成電路元件7，將探測(cè)基板4以及連接基板6與這些驅(qū)動(dòng)用集成電路元件7電氣連接。
具體地，如圖所示，以規(guī)定間隔在中間基板3上安裝多個(gè)驅(qū)動(dòng)用集成電路元件7，位于各驅(qū)動(dòng)用集成電路元件7的前端側(cè)的電極7a與探測(cè)基板4的基端側(cè)電氣連接。位于驅(qū)動(dòng)用集成電路元件7的基端側(cè)的電極7a通過(guò)連接基板6與控制基板1電氣連接。
又，上述驅(qū)動(dòng)用集成電路元件7為液晶驅(qū)動(dòng)IC，并且是指定液晶的各象素的導(dǎo)通、截止以及亮度電平等。另一方面，上述的TAB盒2在形成電路的TAB磁帶上安裝驅(qū)動(dòng)IC。
因此，對(duì)于上述將驅(qū)動(dòng)用集成電路元件7直接安裝到中間基板3上的類(lèi)型(圖6所示的類(lèi)型)，能夠省略將電路元件與TAB磁帶連接的工序，故具有低成本且能夠?qū)?yīng)細(xì)微圖案的優(yōu)點(diǎn)。
又，TAB盒2、探測(cè)基板4、連接基板6、驅(qū)動(dòng)用集成電路元件7的接合間距可以是恒定或任意，也可以根據(jù)需要選擇規(guī)定的間距。
又，也可以如圖7所示那樣，將多個(gè)(該示例中為2個(gè))TAB盒2與一個(gè)探測(cè)基板4連接，或者，也可以如圖8所示那樣，設(shè)置使得TAB盒2與探測(cè)基板4的位置關(guān)系為朝左右任意一方偏移的關(guān)系。
工業(yè)利用性如上所述，對(duì)于本發(fā)明的探測(cè)裝置及其制造方法以及采用它的基板檢測(cè)方法，能夠經(jīng)濟(jì)地交換探測(cè)基板，同時(shí)能夠提高探測(cè)基板的檢測(cè)端子的精度，故能夠適用于檢測(cè)液晶屏等的基板。
權(quán)利要求
1.一種探測(cè)裝置的制造方法，所述探測(cè)裝置具備檢測(cè)設(shè)備、中間基板以及探測(cè)基板，所述檢測(cè)設(shè)備與所述中間基板的基端側(cè)電氣連接，所述中間基板的前端側(cè)與所述探測(cè)基板的基端側(cè)電氣連接，所述探測(cè)基板的前端側(cè)可以與檢測(cè)對(duì)象基板電氣連接，其中，對(duì)于無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的一個(gè)所述中間基板并列設(shè)置多個(gè)所述探測(cè)基板，所述檢測(cè)設(shè)備具備與信號(hào)發(fā)生器電氣連接的控制基板、以及多個(gè)TAB盒，所述多個(gè)TAB盒各自的基端側(cè)與所述控制基板電氣連接，并且多個(gè)TAB盒的各自的前端側(cè)與所述中間基板的基端側(cè)電氣連接，所述探測(cè)基板具備并列設(shè)置的多個(gè)檢測(cè)端子，這些檢測(cè)端子的基端側(cè)與并列設(shè)置于中間基板上的多個(gè)電極的前端側(cè)連接，并且所述各檢測(cè)端子的前端側(cè)與并列設(shè)置于所述檢測(cè)對(duì)象基板上的多個(gè)焊盤(pán)連接，所述探測(cè)基板的檢測(cè)端子的寬度尺寸比所述檢測(cè)對(duì)象基板的各焊盤(pán)的寬度尺寸以及所述焊盤(pán)間的間隔尺寸兩者都小，其特征在于，所述方法采用ACF(Anisotropic Conductive Film，各向異性導(dǎo)電膜)、ACP(Anisotropic Conductive Paste，各向異性導(dǎo)電膠)、NCF(Non-ConductiveFilm，非導(dǎo)電膜)、NCP(Non-Conductive Paste，非導(dǎo)電膠)中的任意一種，將所述探測(cè)基板與所述中間基板熱壓接，形成所述探測(cè)基板，以使得與所述檢測(cè)對(duì)象基板的焊盤(pán)組連接的所述探測(cè)基板的前端側(cè)端子組形成的間隔p3比所述焊盤(pán)組形成的間距p1大，并且與所述中間基板的電極組連接的所述探測(cè)基板的基端側(cè)端子組的形成間距p4比所述電極組的形成間距p2小。
全文摘要
一種探測(cè)裝置，它具備檢測(cè)設(shè)備10、中間基板3以及探測(cè)基板4，檢測(cè)設(shè)備10與中間基板3的基端側(cè)電氣連接，中間基板3的前端側(cè)與探測(cè)基板4的基端側(cè)電氣連接，探測(cè)基板4的前端側(cè)與檢測(cè)對(duì)象基板電氣連接，其中，對(duì)于一個(gè)中間基板3電氣連接多個(gè)探測(cè)基板4。由于當(dāng)特定的探測(cè)基板4損傷時(shí)，能夠僅交換該特定的探測(cè)基板4而繼續(xù)使用其他探測(cè)基板4，故很經(jīng)濟(jì)。
文檔編號(hào)G01R31/02GK1721861SQ20051008470
公開(kāi)日2006年1月18日 申請(qǐng)日期2000年11月13日 優(yōu)先權(quán)日1999年11月16日
發(fā)明者佐藤謙二, 和田浩光, 村井富士夫, 三村浩一, 秋田雅典 申請(qǐng)人:東麗工程株式會(huì)社