專利名稱：基于電磁波強(qiáng)度測量微熱板表面溫度的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于測溫技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種基于電磁波強(qiáng)度測量傳感器微熱板表面溫度的方法。
背景技術(shù)：
氣體傳感器已經(jīng)廣泛應(yīng)用于工業(yè)、農(nóng)業(yè)、電子業(yè)以及家居生活等領(lǐng)域。傳統(tǒng)的氣體傳感器以燒結(jié)型為主，其功耗高，一致性差。新型的微結(jié)構(gòu)氣體傳感器通常以Si為基底，采用半導(dǎo)體制作技術(shù)，在一致性、均勻性、微型化等方面較傳統(tǒng)傳感器相比有很多優(yōu)勢，易于實(shí)現(xiàn)傳感器的集成化和低功耗。微結(jié)構(gòu)氣體傳感器屬于化學(xué)傳感器，敏感材料只有被加熱到一定溫度，它的化學(xué)活性才能被有效地激發(fā)出來。微熱板作為微結(jié)構(gòu)氣體傳感器的一個(gè)重要組成部分，為敏感層提供必要的熱量，使其達(dá)到工作溫度。微熱板的性能，將直接關(guān)系到敏感材料能否正常發(fā)揮其特性。因此，對微熱板表面溫度的測量是一項(xiàng)極具實(shí)際意義的工作。
傳統(tǒng)的測溫方法分為接觸式與非接觸式兩種。接觸式的測溫方式以熱電偶式和熱電阻式為主，其基本原理是將測量探頭與待測物體相接觸，通過熱傳導(dǎo)改變測量探頭的溫度，從而引起測量探頭的電流或者電阻的變化，對于微熱板來說，由于它的表面積與探頭的面積相當(dāng)或者還要小，這種測溫方式會(huì)改變其表面的溫度分布，導(dǎo)致測量的不準(zhǔn)確。非接觸式測溫是將被測物體發(fā)出的輻射能經(jīng)過聚焦后入射到光電器件產(chǎn)生脈沖電流來進(jìn)行測溫，但是由于微熱板的表面積小(一般小于2×2mm2)，而這種測溫方式中的光斑區(qū)相對過大，因而無法進(jìn)行準(zhǔn)確測量。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是利用微熱板表面電磁波強(qiáng)度與溫度的關(guān)系，提供一種基于電磁波強(qiáng)度的測量傳感器微熱板表面溫度的方法，從而能夠以非接觸的方式測量微熱板表面溫度。
任何溫度高于絕對零度的物體都具有一定的電磁能量，能量的大小取決于物體的物理特性和溫度。物體在某一溫度下，一定立體角內(nèi)的一定波長的電磁波強(qiáng)度是一定的。我們利用電磁波強(qiáng)度和溫度之間的對應(yīng)關(guān)系來測量微熱板的表面溫度。單個(gè)的微熱板很難直接測量出電磁波強(qiáng)度和溫度之間的關(guān)系曲線。但是大部分微熱板都是基于半導(dǎo)體工藝生長在Si基底上的，其結(jié)構(gòu)如圖1所示微熱板是通過在Si襯底101上生長SiO2絕緣層102，并濺射上金屬Ti作為粘合層103，再濺射金屬Pt作為信號電極與加熱電極104，最后進(jìn)行切割并連接引線來實(shí)現(xiàn)的。選擇微熱板被切割前的Si基樣品片來測定標(biāo)定曲線，這種Si基樣品片的面積足夠大，熱電偶對其溫度的影響可以忽略，并且具有和單個(gè)微熱板相同的結(jié)構(gòu)屬性，因而具有相同的電磁波強(qiáng)度和溫度關(guān)系(即電磁波強(qiáng)度與溫度關(guān)系標(biāo)定曲線)。測量得到標(biāo)定曲線后，每次測量微熱板的電磁波強(qiáng)度，就可以對照標(biāo)定曲線得到其表面溫度。
本方法包括如下步驟a、在Si襯底上生長出厚度為1000～5000的SiO2作為絕緣層，并濺射上厚度為100～1000的金屬Ti作為粘合層，再濺射厚度為1000～5000的金屬Pt作為信號電極和加熱電極層，然后刻蝕掉版圖形狀以外的Pt與Ti并進(jìn)行切割，最后連接引線使微熱板得以實(shí)現(xiàn)。
選擇面積大于1×1cm2切割制作微熱板前的Si基樣品片作為標(biāo)定曲線測量樣品。由于微熱板的工作溫度通常在300℃左右，所以我們在測量標(biāo)定曲線時(shí)通常將Si基樣品片從室溫加熱到400℃左右；b、在絕熱隔光環(huán)境中，利用電磁波強(qiáng)度測定儀通過測定儀探頭探測置于樣品放置平臺上的Si基樣品片表面的一定立體角內(nèi)的某一波長的電磁波強(qiáng)度，利用熱電偶探頭與熱電偶測溫計(jì)對Si基樣品片表面溫度進(jìn)行測量，調(diào)節(jié)直流穩(wěn)壓電源的輸出電流，以控制加熱絲熱生成率，記錄不同溫度時(shí)Si基樣品片的電磁波強(qiáng)度，以此獲得電磁波強(qiáng)度與Si基樣品片表面溫度關(guān)系標(biāo)定曲線；c、將切割獲得的微熱板置于在絕熱隔光環(huán)境中，利用電磁波強(qiáng)度測定儀通過測定儀探頭探測置于樣品放置平臺上的微熱板表面的相同立體角內(nèi)的同一波長的電磁波強(qiáng)度，調(diào)節(jié)直流穩(wěn)壓電源至所需輸入電流，記錄此時(shí)電磁波強(qiáng)度大小，對照電磁波強(qiáng)度與溫度關(guān)系標(biāo)定曲線，即可獲得該電流時(shí)微熱板表面被測區(qū)域的溫度；d、通過調(diào)節(jié)底座，改變所測微熱板微區(qū)位置，逐點(diǎn)測量即得到微熱板表面溫度分布圖。
即本專利是先制作Si基樣品片和微熱板，然后在絕熱隔光環(huán)境中，對Si基樣品片表面一定立體角內(nèi)的某一波長的電磁波強(qiáng)度和溫度進(jìn)行測量，記錄不同溫度時(shí)Si基樣品片的電磁波強(qiáng)度，以此獲得Si基樣品片電磁波強(qiáng)度與表面溫度關(guān)系的標(biāo)定曲線；再將切割Si基樣品片獲得的微熱板置于在絕熱隔光環(huán)境中，對微熱板表面相同立體角內(nèi)的相同波長的電磁波強(qiáng)度進(jìn)行測量，對照電磁波強(qiáng)度與溫度關(guān)系的標(biāo)定曲線，即可獲得微熱板表面被測區(qū)域的溫度。通過選擇不同直徑的電磁波強(qiáng)度測定儀探頭可以對不同面積大小的微區(qū)進(jìn)行測量，通過調(diào)節(jié)底座，可以精確定位微熱板的位置，并且能夠?qū)ξ岚灞砻孢M(jìn)行逐點(diǎn)測量，得到微熱板表面的溫度分布情況，從而實(shí)現(xiàn)以非接觸的方式測量微熱板表面溫度。
本專利所述方法，所測量樣品可以是任意基底上生長制造出的微熱板。隔光絕熱外殼可以為任何能阻礙測量系統(tǒng)與外界進(jìn)行熱交換和減小外界輻射影響的外殼。電磁波強(qiáng)度測定儀探頭可以為任意口徑，以滿足不同大小的微區(qū)溫度測量。


下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)一步說明。
圖1基于半導(dǎo)體工藝生長在Si基底上的微熱板結(jié)構(gòu)示意圖；圖2Si基樣品片電磁波強(qiáng)度與溫度關(guān)系標(biāo)定曲線測量裝置示意圖；圖3微熱板電磁波強(qiáng)度測量裝置示意圖；圖4制作微熱板的版圖結(jié)構(gòu)示意圖；圖5獲得的Si基樣品片電磁波強(qiáng)度與溫度關(guān)系的標(biāo)定曲線；圖6實(shí)驗(yàn)測得的微熱板表面溫度分布云圖。
如圖1所示，其各部件的名稱為Si襯底101，SiO2絕緣層102，金屬Ti粘合層103，金屬Pt信號電極與加熱電極104。
如圖2所示，各部分名稱分別為電磁波強(qiáng)度測定儀1(還可以選用光電高溫計(jì)、輻射溫度計(jì)、比色溫度計(jì)、光功率計(jì)、光纖溫度傳感器或光纖輻射溫度計(jì))、電磁波強(qiáng)度測定儀探頭2(或光電高溫計(jì)探頭、輻射溫度計(jì)探頭、比色溫度計(jì)探頭、光功率計(jì)探頭、光纖溫度傳感器探頭、光纖輻射溫度計(jì)探頭)、探頭位置調(diào)節(jié)螺旋3、熱電偶測溫計(jì)4(或玻璃液體溫度計(jì)、壓力式溫度計(jì)、雙金屬溫度計(jì)、熱電阻測溫計(jì)、集成溫度傳感器測溫計(jì)、石英晶體溫度計(jì))、熱電偶探頭5(或玻璃液體溫度計(jì)探頭、壓力式溫度計(jì)探頭、雙金屬溫度計(jì)探頭、熱電阻測溫計(jì)探頭、集成溫度傳感器測溫計(jì)探頭、石英晶體溫度計(jì)探頭)、Si基樣品片6、置于導(dǎo)熱樣品平臺8下面的加熱絲7、導(dǎo)熱樣品平臺8、底座9、直流穩(wěn)壓電源10、絕熱隔光外殼11，底座9和絕熱隔光外殼11共同構(gòu)成密閉的絕熱隔光環(huán)境。
電磁波強(qiáng)度測定儀探頭2、熱電偶探頭5、Si基樣品片6、加熱絲7、導(dǎo)熱樣品平臺8均放置在絕熱隔光外殼11中，電磁波強(qiáng)度測定儀探頭2通過探頭位置調(diào)節(jié)螺旋3與電磁波強(qiáng)度測定儀1連接，熱電偶探頭5與熱電偶測溫計(jì)4連接。探頭位置調(diào)節(jié)螺旋3能夠調(diào)節(jié)探頭在垂直方向上的位置，它固定在絕熱隔光外殼11上，對電磁波強(qiáng)度測定儀探頭2相對于Si基樣品片6的垂直距離進(jìn)行調(diào)節(jié)，電磁波強(qiáng)度測定儀探頭2與Si基樣品片6的垂直距離決定了所測量的范圍的大小，也就是決定了所測量區(qū)域與探頭所形成的圓錐體的頂角(空間角)的大小(理論上的測量范圍為0°到180°，但實(shí)際實(shí)驗(yàn)中的范圍小于此數(shù)值)。導(dǎo)熱樣品平臺8固定在底座9上，底座9具有橫向位置調(diào)節(jié)螺旋、縱向位置調(diào)節(jié)螺旋與角度調(diào)節(jié)螺旋，能夠調(diào)節(jié)導(dǎo)熱樣品平臺8相對于電磁波強(qiáng)度測定儀探頭2的位置以及角度，從而控制Si基樣品片6的位置以及角度。加熱絲7放置在導(dǎo)熱樣品平臺8下，直流穩(wěn)壓電源11給加熱絲7提供電流，所產(chǎn)生的熱量通過導(dǎo)熱樣品平臺8傳導(dǎo)至Si基樣品片6。
如圖3所示，圖中的各部分名稱分別是電磁波強(qiáng)度測定儀1、電磁波強(qiáng)度測定儀探頭2、探頭位置調(diào)節(jié)螺旋3、底座9、直流穩(wěn)壓電源10、絕熱隔光外殼11、微熱板12、絕熱樣品放置平臺13。
電磁波強(qiáng)度測定儀探頭2、微熱板12、絕熱樣品放置平臺13放置在絕熱隔光外殼11中，微熱板12加熱電極的引線通過絕熱樣品放置平臺13的導(dǎo)線與直流穩(wěn)壓電源10相連。電磁波強(qiáng)度測定儀探頭2通過探頭位置調(diào)節(jié)螺旋3與電磁波強(qiáng)度測定儀1相連，并通過探頭位置調(diào)節(jié)螺旋3來調(diào)節(jié)電磁波強(qiáng)度測定儀探頭2相對于微熱板13的垂直距離、進(jìn)而控制測量的空間角大小。直流穩(wěn)壓電源10給微熱板提供電流使其產(chǎn)生熱量。底座9能夠調(diào)節(jié)樣品絕熱放置平臺13的角度以及位置，使我們利用電磁波強(qiáng)度測定儀探頭2能夠逐點(diǎn)的對微熱板表面的電磁波強(qiáng)度進(jìn)行測量。
圖4是我們選擇作為實(shí)例的微熱板版圖，圖中的各部分分別是信號電極正極401、加熱電極正極402，信號電極與加熱電極的公共負(fù)極403。我們將加熱電極和信號電極設(shè)計(jì)在同一平面上，有利于將熱量集中在敏感材料涂敷區(qū)域，并獲得了較高的加熱效率，同時(shí)降低了工藝復(fù)雜度，使得其整體性能得以提高(參見文獻(xiàn)微結(jié)構(gòu)氣體傳感器的優(yōu)化設(shè)計(jì)，張彤，李春明等，傳感器技術(shù)，2005，Vol.24，P84-88)。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合所選Si基樣品片及微熱板對本發(fā)明內(nèi)容進(jìn)行具體實(shí)施。
實(shí)施例1在<100>晶向Si襯底101上通過PECVD方法在300℃的條件下生長出3000厚度的SiO2作為絕緣層102，并利用磁控濺射儀濺射上厚度為450的金屬Ti作為粘合層103和厚度為1800的金屬Pt作為信號電極和加熱電極層104(氣壓0.95Pa，溫度300℃，射頻功率60W)。然后利用光刻工藝將如圖4所示電極圖形的光刻膠固化在Si片上，我們所設(shè)計(jì)的這個(gè)微熱板的面積為5×1.5mm2，加熱電極、信號電極的寬度為50μm，電極間距為25μm，將涂膠后的Si片放置于磁控濺射儀的靶的位置上，利用Ar離子的沖擊將Si片上光刻膠以外部分的Pt與Ti刻蝕掉(氣壓0.95Pa，溫度100℃，射頻功率30W)，并進(jìn)行切割為長5mm、寬1.5mm的單個(gè)微熱板，利用金屬Pt絲作為引線，利用金漿為焊接劑將引線與微熱板連接。選擇面積為2×2cm2的切割制作微熱板前的Si基樣品片作為標(biāo)定曲線測量樣品，由于該Si片是多個(gè)微熱板組成，所以具有與單個(gè)微熱板完全相同的表面屬性，因此具有相同的電磁波強(qiáng)度溫度關(guān)系。選擇一個(gè)微熱板作為微熱板電磁波強(qiáng)度測量的測量樣品。
圖2中，電磁波強(qiáng)度測定儀1(JW3203R型)通過直徑為50μm電磁波強(qiáng)度測試儀探頭2探測Si基樣品片6表面的電磁波強(qiáng)度。調(diào)節(jié)精度為0.01mm的探頭位置調(diào)節(jié)螺旋3使電磁波強(qiáng)度測試儀探頭2垂直于Si樣品片的表面，并且距離Si基樣品片6表面1.00mm。利用底座9的橫向位置調(diào)節(jié)螺旋(精度為0.01mm)、縱向位置調(diào)節(jié)螺旋(精度為0.01mm)與角度調(diào)節(jié)螺旋(精度為0.1°)調(diào)節(jié)導(dǎo)熱樣品平臺8位置使電磁波強(qiáng)度測試儀探頭2對準(zhǔn)待測量區(qū)域，熱電偶測溫計(jì)4(DT9977型)與Ni-Cr型熱電偶5用來探測Si基樣品片表面的溫度。緩慢調(diào)節(jié)精度為0.1mA，最大輸出10A的恒流電源10的輸出電流，使鎳絡(luò)(K型)加熱絲7產(chǎn)生不同大小的熱量，金屬Cu導(dǎo)熱樣品平臺8將加熱絲7產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)至Si基樣品片6。JW3203R型電磁波強(qiáng)度測定儀可以測量4種波長的電磁波強(qiáng)度(850nm、980nm、1310nm、1550nm)，在此次實(shí)驗(yàn)中我們選擇對波長為1310nm的電磁波強(qiáng)度進(jìn)行測量(樣品片發(fā)出的電磁波波長是一段連續(xù)的波段，而且根據(jù)溫度的不同是變化的，所選波長主要由測量儀器決定)，從室溫緩慢加熱，每隔5℃記錄一次電磁波強(qiáng)度的大小與溫度的高低。當(dāng)Si基樣品片6溫度升至400℃左右后，緩慢降低恒流電源10的輸出電流，在降溫的過程中再次以5℃為間隔記錄電磁波強(qiáng)度的大小與溫度的高低。利用軟件OriginPro7.5中的“Average-Multiple Curves”命令對所得數(shù)據(jù)進(jìn)行處理擬合(也可以根據(jù)使用者的習(xí)慣選擇不同的處理軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)擬合)進(jìn)而獲得電磁波強(qiáng)度與溫度關(guān)系的標(biāo)定曲線。
電磁波強(qiáng)度測定儀探頭2、熱電偶探頭5、Si基樣品片6、加熱絲7、金屬Cu導(dǎo)熱樣品平臺8均放置在絕熱隔光外殼11中，探頭位置調(diào)節(jié)螺旋3固定在絕熱隔光外殼11上，絕熱隔光外殼由0.1mm厚度的金屬隔光層Al與5mm厚度SiO2隔熱層覆合而成。圖5為我們實(shí)驗(yàn)所獲得的1310nm電磁波強(qiáng)度與溫度關(guān)系的標(biāo)定曲線，在圖中可以看出溫度上升時(shí)測得的電磁波強(qiáng)度與下降時(shí)測得的電磁波強(qiáng)度基本重合，說明該測量系統(tǒng)受外界干擾小，穩(wěn)定性高。
圖3中，電磁波強(qiáng)度測定儀1通過直徑為50μm電磁波強(qiáng)度測定儀探頭2探測置于絕熱樣品放置平臺13上的微熱板12表面的電磁波強(qiáng)度。絕熱樣品放置平臺13我們選擇導(dǎo)熱系數(shù)小的陶瓷材料制作，以減小微熱板熱量的流失。精度為0.01mm探頭位置螺旋3用來的調(diào)節(jié)電磁波強(qiáng)度測定儀探頭2使其垂直于微熱板的表面，并距離微熱板1.00mm，因此具有與測量標(biāo)定曲線時(shí)相同的空間角。通過底座9控制絕熱樣品放置平臺13的位置，使得電磁波強(qiáng)度測定儀探頭能夠精確的對準(zhǔn)于微熱板表面的待測區(qū)域。精度為0.1mA，最大輸出10A的恒流電源10為微熱板提供電流以控制其溫度的大小，調(diào)節(jié)恒流電源10的輸出電流至需要的電流大小，測量出1310nm波長電磁波強(qiáng)度大小后，對照電磁波強(qiáng)度與溫度關(guān)系標(biāo)定曲線，得到所測微區(qū)的溫度。
微熱板12處于由0.1mm厚度的金屬Al隔光層與5mm厚度SiO2隔熱層覆合而成的絕熱隔光外殼11之中。利用底座9控制微熱板的位置以50μm為間距對微熱板表面進(jìn)行逐點(diǎn)測量可以得到微熱板表面溫度分布情況。
圖6為我們實(shí)驗(yàn)所獲得的微熱板表面溫度分布云圖，圖中可以看出溫度最高區(qū)域(345.0℃)為焊點(diǎn)部分，這是由于焊接金屬Pt引線與金屬Pt電極時(shí)引起的接觸電阻造成，次高溫區(qū)域(337℃)集中在我們將要涂敷敏感材料的區(qū)域，與我們設(shè)計(jì)目的相符。
權(quán)利要求
1.一種基于電磁波強(qiáng)度測量微熱板表面溫度的方法，其步驟包括(a)在Si襯底(101)上生長出厚度為1000～5000的SiO2作為絕緣層(102)，并濺射上厚度為100～1000的金屬Ti作為粘合層(103)，再濺射厚度為1000～5000的金屬Pt作為信號電極和加熱電極層(104)，然后刻蝕掉版圖形狀以外的Pt與Ti并進(jìn)行切割，最后連接引線使微熱板(35)得以實(shí)現(xiàn)；(b)在絕熱隔光環(huán)境中，利用電磁波強(qiáng)度測定儀(1)通過電磁波強(qiáng)度測定儀探頭(2)探測置于導(dǎo)熱樣品放置平臺(8)上的Si基樣品片(6)表面一定立體角內(nèi)的某一波長電磁波強(qiáng)度，利用熱電偶探頭(5)與熱電偶測溫計(jì)(4)對Si基樣品片(6)表面溫度進(jìn)行測量，調(diào)節(jié)直流穩(wěn)壓電源(10)的輸出電流，以控制加熱絲(7)熱生成率，記錄不同溫度時(shí)Si基樣品片表面某一波長的電磁波強(qiáng)度，以此獲得電磁波強(qiáng)度與表面溫度關(guān)系標(biāo)定曲線；(c)將切割獲得的微熱板(12)置于在絕熱隔光環(huán)境中，利用電磁波強(qiáng)度測定儀(1)通過電磁波強(qiáng)度測定儀探頭(2)探測置于絕熱樣品放置平臺(13)上的微熱板(12)表面的相同立體角內(nèi)的同一波長的電磁波強(qiáng)度，調(diào)節(jié)直流穩(wěn)壓電源(10)，記錄此時(shí)電磁波強(qiáng)度大小，對照電磁波強(qiáng)度與溫度關(guān)系標(biāo)定曲線，即可獲得此時(shí)微熱板表面被測區(qū)域的溫度；(d)通過調(diào)節(jié)底座9改變所測微熱板微區(qū)的位置，逐點(diǎn)測量得到微熱板表面溫度分布圖。
2.如權(quán)利要求1所述的基于電磁波強(qiáng)度測量微熱板表面溫度非接觸的測溫方式，其特征在于電磁波強(qiáng)度測定儀(1)是光電高溫計(jì)、輻射溫度計(jì)、比色溫度計(jì)、光功率計(jì)、光纖溫度傳感器或光纖輻射溫度計(jì)；電磁波強(qiáng)度測定儀探頭(2)是與之相對應(yīng)的光電高溫計(jì)探頭、輻射溫度計(jì)探頭、比色溫度計(jì)探頭、光功率計(jì)探頭、光纖溫度傳感器探頭或光纖輻射溫度計(jì)探頭。
3.如權(quán)利要求1所述的基于電磁波強(qiáng)度測量微熱板表面溫度非接觸的測溫方式，其特征在于熱電偶測溫計(jì)(4)是玻璃液體溫度計(jì)、壓力式溫度計(jì)、雙金屬溫度計(jì)、熱電阻測溫計(jì)、集成溫度傳感器測溫計(jì)或石英晶體溫度計(jì)；熱電偶探頭(5)是與之相對應(yīng)的玻璃液體溫度計(jì)探頭、壓力式溫度計(jì)探頭、雙金屬溫度計(jì)探頭、熱電阻測溫計(jì)探頭、集成溫度傳感器測溫計(jì)探頭或石英晶體溫度計(jì)探頭。
4.如權(quán)利要求1所述的基于電磁波強(qiáng)度測量微熱板表面溫度非接觸的測溫方式，其特征在于利用探頭位置調(diào)節(jié)螺旋(3)對電磁波強(qiáng)度測定儀探頭(2)相對于Si基樣品片(6)的距離及位置進(jìn)行調(diào)節(jié)，探頭位置調(diào)節(jié)螺旋(3)固定在絕熱隔光外殼(11)上。
5.如權(quán)利要求1所述的基于電磁波強(qiáng)度測量微熱板表面溫度非接觸的測溫方式，其特征在于加熱絲(7)所產(chǎn)生的熱量通過導(dǎo)熱樣品平臺(8)傳導(dǎo)至放置在導(dǎo)熱樣品平臺(8)表面上的Si基樣品片(6)，導(dǎo)熱樣品平臺(8)放置在底座(9)上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種基于電磁波強(qiáng)度測量傳感器微熱板表面溫度的方法。首先是制作Si基樣品片和微熱板，然后在絕熱隔光環(huán)境中，測量Si基樣品片表面一定立體角下一定波長的電磁波強(qiáng)度和Si基樣品片的表面溫度，以此獲得Si基樣品片電磁波強(qiáng)度與表面溫度關(guān)系的標(biāo)定曲線；再將切割Si基樣品片獲得的微熱板置于絕熱隔光環(huán)境中，測量微熱板表面相同的立體角下相同波長的電磁波強(qiáng)度，對照電磁波強(qiáng)度與溫度關(guān)系的標(biāo)定曲線，即可獲得微熱板表面被測區(qū)域的溫度。通過選擇不同直徑的電磁波強(qiáng)度測定儀探頭可以對不同面積大小的微區(qū)進(jìn)行測量，并且能夠?qū)ξ岚灞砻孢M(jìn)行逐點(diǎn)測量，得到微熱板表面的溫度分布情況，從而實(shí)現(xiàn)以非接觸的方式測量微熱板表面溫度。
文檔編號G01K11/00GK101038312SQ200710055489
公開日2007年9月19日 申請日期2007年4月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月5日
發(fā)明者張彤, 漆奇, 劉奎學(xué), 劉麗, 徐寶琨 申請人:吉林大學(xué)