專利名稱：傳輸電路、探針板、探針卡、半導(dǎo)體檢查裝置及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及適用于傳輸電路、連接用薄板、探針板、探針卡、半導(dǎo)體檢查裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法的有效的技術(shù)。
背景技術(shù)：
圖18中，以作為代表性的半導(dǎo)體裝置的出廠狀態(tài)的封裝產(chǎn)品、芯片對(duì)及CSP為例，示出了例如半導(dǎo)體裝置的制造技術(shù)中，在晶片上形成了半導(dǎo)體元件電路之后進(jìn)行的半導(dǎo)體裝置制造工序中的主要檢查工序的流程一例。
在半導(dǎo)體裝置的制造工序中，如圖18所示地大致執(zhí)行以下3種檢查。首先是在晶片上形成了半導(dǎo)體元件電路及電極的晶片狀態(tài)下進(jìn)行的、掌握導(dǎo)通狀態(tài)及半導(dǎo)體元件的電氣信號(hào)工作狀態(tài)的晶片檢查；接著是使半導(dǎo)體元件在高溫或高施加電壓等的狀態(tài)下篩選出不穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件的老化檢查；然后是在半導(dǎo)體裝置出廠前掌握產(chǎn)品性能的篩選檢查。
在晶片的表面上設(shè)置有多個(gè)半導(dǎo)體裝置(芯片)，將其裁切成單個(gè)供使用。裁切成單個(gè)的半導(dǎo)體裝置在其表面并排設(shè)置有多個(gè)電極。為了在工業(yè)上大量生產(chǎn)這樣的半導(dǎo)體裝置，在檢查其電氣特性時(shí)，目前使用由從探針卡斜伸出的鎢針構(gòu)成的探頭所構(gòu)成的連接裝置(以下稱之為“現(xiàn)有技術(shù)1”)。用這種連接裝置進(jìn)行的檢查中，目前使用利用了探頭彎曲產(chǎn)生的接觸壓力來摩擦電極而取得接觸，檢查其電氣特性的方法。
近年來隨著半導(dǎo)體元件的高密度化，制造半導(dǎo)體時(shí)的檢查工序中檢查用的探頭不斷窄間距且多探針化，希望開發(fā)使用了下述連接裝置的半導(dǎo)體元件的檢查裝置該連接裝置能夠在半導(dǎo)體元件的電極與檢查電路之間傳輸高速電信號(hào)，在檢查實(shí)際動(dòng)作的工序中能夠?qū)φg距多引線的半導(dǎo)體元件進(jìn)行檢查，而且能夠防止對(duì)半導(dǎo)體元件造成損傷。因此，作為傳輸高速信號(hào)的傳輸電路，一般使用利用了探針板的方法，該探針板是通過在形成于絕緣層上的信號(hào)布線的對(duì)置面上形成接地層而形成微帶傳輸線路的光刻蝕技術(shù)制成的。
隨著半導(dǎo)體元件的高密度化，窄間距化進(jìn)一步發(fā)展，作為能夠檢查需要高速信號(hào)的動(dòng)作試驗(yàn)時(shí)的半導(dǎo)體元件的特性的檢查方法和檢查裝置，有非專利文獻(xiàn)1(1988年度ITC(國際測試大會(huì))演講論文集(601頁～607頁)中記載的技術(shù)。圖15是該技術(shù)的結(jié)構(gòu)概略圖，圖16是該技術(shù)的主要部分放大立體圖。在此使用的導(dǎo)體檢查用的探頭是，利用光刻蝕技術(shù)在柔性絕緣膜40的上表面形成布線41，在絕緣膜40的下表面形成接地層44，將在與被檢查對(duì)象的半導(dǎo)體的電極相對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置的絕緣膜40的通孔42中通過電鍍形成了半球狀的凸起43的結(jié)構(gòu)作為接觸端子使用。該技術(shù)是利用板簧46使凸起43與檢查對(duì)象的半導(dǎo)體元件的電極摩擦進(jìn)行接觸，使在絕緣膜40的表面形成的布線41和穿過布線基板45同檢查電路(未圖示)連接的凸起43進(jìn)行信號(hào)的交換來進(jìn)行檢查的方法。
而且，還有非專利文獻(xiàn)2(カスケ一ド·マイクロテツク公司的產(chǎn)品介紹(PYRA MIDDS-0497-J0997-0502)中記載的技術(shù)。圖17是其布線結(jié)構(gòu)的示意圖。這是一種在形成有布線47的絕緣層(圖中省略)的對(duì)置面上的該布線的正下方部分，形成線寬較寬的接地布線48以及與該接地布線重疊的格子狀圖案的接地層48a的方法。
但是，在半導(dǎo)體裝置的制造技術(shù)中，希望開發(fā)使用了能夠在窄間距多引線的半導(dǎo)體元件的電極與檢查電路之間傳輸高速電信號(hào)且能夠進(jìn)行實(shí)際動(dòng)作檢查的連接裝置的半導(dǎo)體元件的檢查裝置，或者能夠傳輸高速電信號(hào)的連接薄板(插入物)。因此，從這種觀點(diǎn)出發(fā)，對(duì)上述技術(shù)進(jìn)行了研究。
現(xiàn)有技術(shù)的由鎢針構(gòu)成的探頭和形成了上述半球形凸起的探頭中，使接觸端子同在鋁電極或焊錫電極等的材料表面生成氧化物的被接觸材料摩擦，通過摩擦掉電極材料表面的氧化物使來與其下面的金屬導(dǎo)體材料接觸，這樣確保接觸。結(jié)果，通過用接觸端子摩擦電極產(chǎn)生電極材料的碎片，成為布線之間短路或產(chǎn)生異物的原因，并且，由于使探頭一邊向電極施加數(shù)百mN以上的負(fù)載一邊進(jìn)行摩擦而確保接觸，因此經(jīng)常給電極帶來損傷。
如上所述，圖15、圖16和圖17所示的將通過電鍍?cè)阢~線的一部分形成的凸起作為探頭的方法，由于凸起的頂端平坦或?yàn)榘肭蛐?，因此?duì)于在鋁電極或釬焊電極等的材料表面生成氧化物的被接觸材料的接觸阻力不穩(wěn)定，需要使接觸時(shí)的負(fù)載在數(shù)百mN以上。但是，接觸時(shí)的負(fù)載過大又存在問題。即，隨著半導(dǎo)體元件的高集成化，為了在半導(dǎo)體元件的表面形成高密度多引腳、窄間距的電極，多數(shù)情況下在電極的正下方形成有多個(gè)有源元件或細(xì)微的布線，如果檢查半導(dǎo)體元件時(shí)探頭對(duì)電極的接觸壓力過大，則有對(duì)電極及其正下方的有源元件和布線造成損傷的危險(xiǎn)，因此探測時(shí)需要嚴(yán)格注意控制動(dòng)作，有招致生產(chǎn)能力降低的可能。
再者，由于考慮到凸起的形狀等產(chǎn)生不均，為了使接觸不完全的凸起充分接觸，整體上需要大的接觸壓力，在一部分存在接觸壓力過大的問題。因此，除了接觸端子需要有能夠貫穿接觸對(duì)象的材料表面的氧化物等、能夠確保穩(wěn)定的接觸特性的形狀外，為了在推壓探針板時(shí)確實(shí)地與接觸對(duì)象的電極接觸，還需要具有柔軟性的探針板。
圖15、圖16所示的在絕緣層的下表面形成了接地層的微帶傳輸(micro strip)式薄板中，絕緣層厚度例如為12.5μm的情況下，為了將阻抗調(diào)整到50Ω，布線寬度為25μm左右，信號(hào)布線的表面積變小，布線的表面積越小，受高速輸送信號(hào)的表面效應(yīng)的影響，形狀造成的損失越大，或者由于在絕緣層的整個(gè)下表面形成金屬接地層，這樣有損于探針板的柔軟性，難以確保穩(wěn)定的接觸。
圖17所示的在絕緣層的一個(gè)面上形成了格子形狀的接地層的探針板中，雖然能夠確保一定程度的探針板的柔軟性，但與上述例一樣存在為了調(diào)整阻抗而布線寬度窄、損失大的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是要提供一種探針板或連接薄板，具有不會(huì)給被接觸對(duì)象的電極凸起帶來損傷、能夠多點(diǎn)且高密度地接觸的接觸端子，傳輸特性好且具有柔軟性。
并且，本發(fā)明還要提供一種探針板或連接薄板，即使在厚度薄的絕緣膜中也能夠?qū)⑦M(jìn)行了阻抗匹配的信號(hào)布線的寬度設(shè)計(jì)得比較寬，能實(shí)現(xiàn)高速傳輸用電路，減小了高速傳輸信號(hào)的損失。
本發(fā)明的新的特征應(yīng)該能夠從本說明書的描述和附圖中了解。
如果簡單說明在本申請(qǐng)中公開的發(fā)明中的代表性的內(nèi)容概要，則如下所述。
(1)一種傳輸電路，其布線結(jié)構(gòu)是，具有在絕緣層的上表面形成的信號(hào)布線和在上述絕緣層的下表面形成的接地布線，將夾著上述絕緣層的上述信號(hào)布線正下方的上述接地布線部分除去。
(2)一種傳輸電路，其布線結(jié)構(gòu)是，具有在絕緣層的上表面形成的信號(hào)布線和在上述絕緣層的下表面形成的接地布線，將夾著上述絕緣層的上述信號(hào)布線正下方的上述接地布線部分除去；上述信號(hào)布線和上述接地布線形成為放射狀圖案。
(3)在如(2)所述的傳輸電路中，在上述放射狀圖案的接地布線的途中設(shè)置有使接地布線互相導(dǎo)通的1個(gè)或多個(gè)布線。
(4)在如(1)～(3)中任一項(xiàng)所述的傳輸電路中，上述接地布線由相隔上述信號(hào)布線的寬度以上的間隔、且寬度比上述信號(hào)布線的寬度的2倍窄的2根接地布線形成。
(5)在如(1)～(3)中任一項(xiàng)所述的傳輸電路中，上述信號(hào)布線由2根一組的差動(dòng)布線構(gòu)成；在上述2根一組的差動(dòng)布線的布線之間的正下方設(shè)有1根接地布線，在上述2根一組的差動(dòng)布線外側(cè)的下面分別設(shè)置有接地布線。
(6)在如(5)所述的傳輸電路中，上述2根一組的差動(dòng)布線的間隔是上述差動(dòng)布線的寬度以上；上述接地布線由寬度比上述差動(dòng)布線的寬度的2倍窄的接地布線形成。
(7)一種探針板，具有晶片電極連接用接觸端子，以在晶片上形成的半導(dǎo)體元件的電極的排列為基準(zhǔn)配置；布線，從上述晶片電極連接用接觸端子引出；以及基板連接用接觸端子，與上述布線電連接；上述布線是(1)～(6)中的任一項(xiàng)所述的傳輸電路。
(8)在如(7)所述的探針板中，上述晶片電極連接用接觸端子是將具有結(jié)晶性的基板的通過各向異性蝕刻形成的孔作為型材而制作的。
(9)在如(7)所述的探針板中，上述晶片電極連接用接觸端子和上述基板連接用接觸端子兩者都是將具有結(jié)晶性的基板的通過各向異性蝕刻形成的孔作為型材而制作的。
(10)一種探針卡，具有晶片電極連接用接觸端子，與設(shè)在晶片上的電極接觸；布線，從上述晶片電極連接用接觸端子引出；基板連接用接觸端子，與上述布線電連接；以及多層布線基板，具有與上述基板連接用接觸端子電連接的電極；上述布線是(1)～(6)中的任一項(xiàng)所述的傳輸電路。
(11)在如(10)所述的探針卡中，上述晶片電極連接用接觸端子是將具有結(jié)晶性的基板的通過各向異性蝕刻形成的孔作為型材而制作的棱錐形或棱錐臺(tái)形的端子。
(12)一種半導(dǎo)體檢查裝置，具有承載晶片的試樣臺(tái)；晶片電極連接用接觸端子，與在上述晶片上形成的半導(dǎo)體元件的電極接觸；以及探針卡，與檢查上述半導(dǎo)體元件的電氣特性的測試裝置電連接；上述探針卡具有晶片電極連接用接觸端子，與設(shè)于上述晶片上的電極接觸；布線，從上述晶片電極連接用接觸端子引出；基板連接用接觸端子，與上述布線電連接；以及多層布線基板，設(shè)有與上述基板連接用接觸端子電連接的電極；上述布線是(1)～(6)中任一項(xiàng)所述的傳輸電路。
(13)在如(12)所述的半導(dǎo)體檢查裝置中，上述晶片電極連接用接觸端子和上述基板連接用接觸端子這兩者或其中的一個(gè)接觸端子，是將具有結(jié)晶性的基板的通過各向異性蝕刻形成的孔作為型材而制作的棱錐形或棱錐臺(tái)形的端子。
(14)一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，具有以下工序在晶片中制作電路形成半導(dǎo)體元件的工序；檢查上述半導(dǎo)體元件的電氣特性的工序；切割上述晶片分割成各個(gè)上述半導(dǎo)體元件的工序；在檢查上述半導(dǎo)體元件的電氣特性的工序中，使用具有探針板和多層布線基板的探針卡檢查上述半導(dǎo)體元件，上述探針板具有與上述半導(dǎo)體元件的電極接觸的晶片電極連接用接觸端子、從上述晶片電極連接用接觸端子引出的布線、與上述布線電連接的基板連接用接觸端子，上述多層布線基板具有與上述基板連接用接觸端子電連接的電極；上述布線(1)～(6)中任一項(xiàng)所述的傳輸電路。
(15)一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，具有以下工序在晶片中制作電路形成半導(dǎo)體元件的工序，用樹脂密封上述晶片的工序，檢查在上述被密封的晶片中形成的半導(dǎo)體元件的電氣特性的工序；在檢查上述半導(dǎo)體元件的電氣特性的工序中，使用具有探針板和多層布線基板的探針卡檢查上述半導(dǎo)體元件，上述探針板具有與上述半導(dǎo)體元件的電極接觸的晶片電極連接用接觸端子、從上述晶片電極連接用接觸端子引出的布線、與上述布線電連接的基板連接用接觸端子，上述多層布線基板具有與上述基板連接用接觸端子電連接的電極；上述布線是(1)～(6)中任一項(xiàng)所述的傳輸電路。
(16)如(14)或(15)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，上述晶片電極連接用接觸端子和上述基板連接用接觸端子這兩者或其中的一個(gè)接觸端子，是將具有結(jié)晶性的基板的通過各向異性蝕刻形成的孔作為型材而制作的棱錐形或棱錐臺(tái)形的端子。
(17)一種連接用薄板，具有第1電極連接用接觸端子，與設(shè)在第1接觸對(duì)象物上的電極接觸；第2電極連接用接觸端子，與設(shè)在第2接觸對(duì)象物上的電極接觸；以及布線，從上述第1電極連接用接觸端子引向上述第2電極連接用接觸端子；上述布線是(1)～(6)中的任一項(xiàng)所述的傳輸電路。
(18)在如(17)所述的連接用薄板中，上述第1電極連接用接觸端子和上述第2電極連接用接觸端子這兩者或其中的一個(gè)接觸端子，是將具有結(jié)晶性的基板的通過各向異性蝕刻形成的孔作為型材而制作的。
本發(fā)明的上述及其他組成、特性和優(yōu)點(diǎn)，通過以下的參照附圖的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的詳細(xì)描述將變得更加明了。
圖1(a)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的排列了半導(dǎo)體元件(芯片)的被接觸對(duì)象即晶片的立體圖；圖1(b)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的半導(dǎo)體元件(芯片)的立體圖。
圖2(a1)是本發(fā)明的實(shí)施方式中的本發(fā)明涉及的單信號(hào)布線方式的傳輸電路圖案的基本結(jié)構(gòu)圖；圖2(a2)是圖2(a1)的電力線的示意圖；圖2(b1)是本發(fā)明的實(shí)施方式中在信號(hào)布線的正下方形成了接地布線的基本結(jié)構(gòu)圖；圖2(b2)是圖2(b1)的電力線的示意圖；圖2(c1)是本發(fā)明的實(shí)施方式中的微帶傳輸?shù)幕窘Y(jié)構(gòu)圖；圖2(c2)是圖2(c1)的電力線的示意圖。
圖3(a1)是本發(fā)明的實(shí)施方式中本發(fā)明涉及的差動(dòng)信號(hào)布線方式的傳輸電路圖案的基本結(jié)構(gòu)圖；圖3(a2)是圖3(a1)的電力線的示意圖；圖3(b1)是本發(fā)明的實(shí)施方式中的微帶傳輸?shù)牟顒?dòng)信號(hào)布線的基本結(jié)構(gòu)圖；圖3(b2)是圖3(b1)的電力線的示意圖。
圖4(a)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中本發(fā)明涉及的探針板的一例的俯視概略圖；圖4(b)是表示形成了接觸端子的圖2(a1)的單信號(hào)布線方式的探針板結(jié)構(gòu)的一例的主要部分立體圖；圖4(c)是形成了接觸端子的圖3(a1)的差動(dòng)布線方式的探針板結(jié)構(gòu)的一例的主要部分立體圖。
圖5(a)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的本發(fā)明涉及的單信號(hào)布線方式的傳輸電路圖案與現(xiàn)有技術(shù)的微帶傳輸方式的通過特性的測量結(jié)果的一例的圖；圖5(b)是使用了本發(fā)明涉及的單信號(hào)布線方式的傳輸電路圖案的探針板的傳輸波形測量結(jié)果的一例；圖5(c)是使用了本發(fā)明涉及的差動(dòng)信號(hào)布線方式的傳輸電路圖案的探針板的傳輸波形測量結(jié)果的一例。
圖6(a)～(g)是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式中，形成本發(fā)明涉及的探針卡中的探針板(結(jié)構(gòu)體)部分的制造工序的一部分的圖。
圖7(h)～(j)是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式中繼圖6(a)～(g)之后的制造工序的圖。
圖8(a)～(e)是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式中形成本發(fā)明涉及的探針卡中的探針板(結(jié)構(gòu)體)部分的其他制造過程的圖。
圖9是分解表示了本發(fā)明的實(shí)施方式中的圖7(j)和圖8(e)的主要部件的立體圖。
圖10(a)～(f)是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式中形成本發(fā)明涉及的探針卡中的探針板(結(jié)構(gòu)體)部分的制造過程另一例的圖。
圖11(a)～(d)是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式中形成本發(fā)明涉及的探針卡中的探針板(結(jié)構(gòu)體)部分的制造過程的另一例的圖。
圖12是分解表示了本發(fā)明的實(shí)施方式中的圖10(f)和圖11(d)的主要部件的立體圖。
圖13是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的本發(fā)明涉及的檢查系統(tǒng)的一例的整體結(jié)構(gòu)概略圖。
圖14(a)～(d)是分別表示本發(fā)明的第5實(shí)施方式中的本發(fā)明涉及的連接用薄板的結(jié)構(gòu)概略截面的一例的圖。
圖15是現(xiàn)有技術(shù)的使用了通過電鍍形成的凸起的半導(dǎo)體元件檢查裝置的主要部分剖面圖。
圖16是表示圖15的通過電鍍形成的凸起部分的立體圖。
圖17是示意示出現(xiàn)有技術(shù)的使用了通過電鍍形成的凸起的半導(dǎo)體元件檢查裝置的主要部分的布線結(jié)構(gòu)的立體圖。
圖18是表示一般的半導(dǎo)體裝置的檢查工序的一例的工序圖。
具體實(shí)施例方式
下面，根據(jù)附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式。另外，在用于說明實(shí)施方式的所有附圖中，具有相同功能的部件原則上賦予相同的附圖標(biāo)記，省略其重復(fù)說明。
本說明書中主要術(shù)語如下定義。半導(dǎo)體裝置與其形態(tài)無關(guān)，既可以是形成有電路的晶片狀態(tài)，也可以是半導(dǎo)體元件，還可以是之后封裝的產(chǎn)品(QFP、BGA、CSP等)。探針板是指設(shè)置有與檢查對(duì)象接觸的接觸端子和從該端子上引出的布線，在該布線上形成了外部連接用的電極的薄膜，以厚度為10μm～100μm左右的物體為對(duì)象。探針卡表示具有與檢查對(duì)象接觸的端子和多層布線基板等的結(jié)構(gòu)體(例如圖7(j)所示的結(jié)構(gòu)體)。半導(dǎo)體檢查裝置是指具有探針卡和承載檢查對(duì)象的試料支承系統(tǒng)的檢查裝置。
作為檢查對(duì)象的一例的LSI用半導(dǎo)體元件(芯片)2如圖1所示在晶片1上形成有多個(gè)，然后切開供使用。圖1(a)是表示并排設(shè)置了多個(gè)LSI用半導(dǎo)體元件2的晶片1的立體圖，圖1(b)是放大表示1個(gè)半導(dǎo)體元件2的立體圖。在半導(dǎo)體元件2的表面沿周邊排列有多個(gè)電極3。
但是，半導(dǎo)體元件處于隨著高集成化上述電極3不斷高密度化和窄間距化的狀況。作為電極的窄間距化，已經(jīng)在0.1mm左右以下，在例如0.08mm、0.04mm及其以下；作為電極的高密度化具有沿周邊從1列變成2列，進(jìn)而排列在整個(gè)面上的傾向。
而且，具有實(shí)施通過在高溫下對(duì)半導(dǎo)體元件進(jìn)行動(dòng)作試驗(yàn)，更明確地掌握半導(dǎo)體元件的特性和可靠性的高溫動(dòng)作試驗(yàn)(85℃～150℃)的傾向。
本發(fā)明的半導(dǎo)體檢查裝置是能夠適應(yīng)上述電極的高密度化和窄間距化，并且能夠通過多個(gè)芯片同時(shí)進(jìn)行探測、用高速電氣信號(hào)(100MHz～20GHz)進(jìn)行檢查的裝置。
并且，通過使用具有150℃的耐熱性并且線膨脹率與被檢查對(duì)象同等程度的材料作為半導(dǎo)體檢查裝置中的探針卡的一部分的構(gòu)成材料，能夠防止環(huán)境溫度引起的探頭頂端部的位置偏移。
下面，利用圖2、圖3和圖4說明本發(fā)明的高速傳輸用電路的結(jié)構(gòu)。
圖2示出了單信號(hào)布線方式的接地布線和接地層的代表例的主要部分立體圖。圖2(a1)是本發(fā)明涉及的單信號(hào)布線方式的傳輸電路圖案的基本結(jié)構(gòu)圖，圖2(a2)是圖2(a1)的電力線的示意圖。為了與本發(fā)明的傳輸電路圖案相比較，圖2(b1)是表示了在信號(hào)布線71的正下方形成了接地布線72a的基本結(jié)構(gòu)圖，圖2(b2)表示圖2(b1)的電力線的示意圖，圖2(c1)是在形成了信號(hào)布線71的絕緣層70的對(duì)置面上形成接地層73的現(xiàn)有技術(shù)的微帶傳輸?shù)幕窘Y(jié)構(gòu)圖，圖2(c2)表示了圖2(c1)的電力線的示意圖。
圖2(a1)所示的傳輸電路的布線結(jié)構(gòu)是在絕緣層70上形成了信號(hào)布線71；在絕緣層70的與該信號(hào)布線71相反的一面、即正對(duì)信號(hào)布線71的正下方的面上，隔開該信號(hào)布線71的寬度A以上的間隔C形成有2根寬度為比該信號(hào)布線71的寬度A的2倍細(xì)的寬度B的接地布線72。
即，圖2(a1)所示的傳輸電路是在絕緣層70的上表面形成信號(hào)布線71、在絕緣層70的下表面形成接地布線72并除去了接地布線72的隔著絕緣層70與信號(hào)布線71正對(duì)的部分的布線結(jié)構(gòu)，尤其是接地布線72由隔開信號(hào)布線71的寬度A以上的間隔、且比信號(hào)布線71的寬度A的2倍細(xì)的2根接地布線構(gòu)成(C＞A，B＜2×A)。
圖3表示了差動(dòng)信號(hào)布線方式中的接地布線和接地層的代表例的主要部分立體圖。圖3(a1)是本發(fā)明涉及的差動(dòng)信號(hào)布線方式的傳輸電路圖案的基本結(jié)構(gòu)圖，圖3(a2)是圖3(a1)的電力線的示意圖。為了與本發(fā)明的傳輸電路圖案相比較，圖3(b1)是現(xiàn)有技術(shù)的形成了接地層77的微帶傳輸?shù)牟顒?dòng)信號(hào)布線的基本結(jié)構(gòu)圖，圖3(b2)中示出了圖3(b1)的電力線的示意圖。
圖3(a1)所示的傳輸電路的布線結(jié)構(gòu)是在絕緣層70上形成的2根一組的差動(dòng)布線74和75的布線之間的正下方形成了1根接地布線76a；在該差動(dòng)布線74和75的外側(cè)的絕緣層70下面分別形成了接地布線76b。例如，可以將這2根一組的差動(dòng)布線74和75的布線間隔E設(shè)置成大于等于該差動(dòng)布線的寬度D，形成比該差動(dòng)布線的寬度D的2倍細(xì)的寬度F的接地布線76a和76b即可(E＞D，F(xiàn)＜2×D)。這種結(jié)構(gòu)中，也希望接地布線76a與76b隔開差動(dòng)布線74(75)的寬度D以上的間隔G。
下面用圖4說明本發(fā)明的探針板。
圖4(a)是表示本發(fā)明涉及的探針板的實(shí)施方式的一例的俯視概略圖。單布線方式的各接地布線72采用由配置成同心圓形狀的接地布線78a導(dǎo)通的結(jié)構(gòu)。
另外，雖然圖4(a)是表示了圖2所示的單布線方式的探針板的圖，但圖3所示的差動(dòng)布線方式或兩種方式混合的探針板當(dāng)然也可以采取用配置成同心圓形狀的接地布線78a或接地布線群(72)將各接地布線導(dǎo)通，或者用接地布線78b或78a使接地布線群(76a、76b)導(dǎo)通的結(jié)構(gòu)。
圖4(b)是上述圖2(a1)的單布線方式的探針板結(jié)構(gòu)的主要部分立體圖。是在絕緣層70上形成了將形成有接觸端子4的信號(hào)布線71、接地布線72和接地布線群(72)之間導(dǎo)通的接地布線78b的探針板結(jié)構(gòu)。
圖4(c)是表示上述圖3(a1)的差動(dòng)布線方式的探針板結(jié)構(gòu)的主要部分立體圖。是在絕緣層70上形成了使形成有接觸端子4的差動(dòng)布線74/75、接地布線76a/76b以及該接地布線群(76a、76b)之間導(dǎo)通的接地布線78b的探針板結(jié)構(gòu)。
另外，不管是單布線方式還是差動(dòng)布線方式，用于導(dǎo)通各接地布線的接地布線都不局限于同心圓形狀的配置，可以是直線或曲線，當(dāng)然也可以是用于導(dǎo)通接地布線之間的自由的形狀。
(第1實(shí)施方式)下面參照?qǐng)D6、圖7說明上述探針卡中使用的探針板(結(jié)構(gòu)體)的一例的制造方法。
圖6是按工序順序表示形成圖13所示的探針卡的制造過程，尤其是形成探針板6的下述制造過程的圖，該制造過程為用在作為型材的硅晶片80上通過各向異性蝕刻加工法形成的棱錐臺(tái)狀的孔作為型材，在聚酰亞胺膜84上一體形成已經(jīng)形成有棱錐臺(tái)狀接觸端子4的接觸端子部8和引出布線用的布線材料88，再在其表面上形成聚酰亞胺膜89和布線材料91，然后用粘接層92粘接金屬膜93，將框體21及其周邊電極固定板9固定在該金屬膜93上。
首先進(jìn)行圖6(a)所示的工序。該工序執(zhí)行下述過程通過熱氧化法在厚度為0.2～0.6mm的硅晶片80的(100)面的兩面形成0.5μm左右的二氧化硅膜81，涂敷光致抗蝕劑，通過光刻工序形成除去了開設(shè)棱錐臺(tái)狀孔的位置上的光致抗蝕劑的結(jié)構(gòu)，然后以該光致抗蝕劑作為掩模，用氟酸與氟化銨的混合液通過蝕刻加工除去二氧化硅膜81，再以上述二氧化硅膜81作為掩模，利用強(qiáng)堿溶液(例如氫氧化鉀)通過各向異性蝕刻加工硅晶片80，形成由(111)面包圍的棱錐臺(tái)狀蝕刻加工孔80a。
其中，雖然本實(shí)施方式中將硅晶片80作為型材，但作為型材只要具有結(jié)晶性的材料就可以，當(dāng)然可以在該范圍內(nèi)作各種變更。并且，雖然本實(shí)施方式中用各向異性蝕刻加工將孔加工成棱錐臺(tái)狀，但其形狀也可以是棱錐狀，在能夠形成以小的針壓確保穩(wěn)定的接觸阻力的接觸端子4的形狀范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種變形。并且，作為接觸對(duì)象的電極當(dāng)然也可以用多個(gè)接觸端子接觸。
接著進(jìn)行圖6(b)所示的工序。該工序進(jìn)行以下過程用氟酸和氟化銨的混合液通過蝕刻加工除去作為掩模使用的二氧化硅膜81，再次通過濕氧中的熱氧化在硅晶片80的整個(gè)面上形成0.5μm左右的二氧化硅膜82，在其表面上形成導(dǎo)電性被覆層83，接著在該導(dǎo)電性被覆層83的表面形成光致抗蝕劑掩模85，以便將接觸端子部8開口。
接著，進(jìn)行如下工序?qū)⑷鐖D6(c)所示的上述光致抗蝕劑掩模85作為掩模，將上述導(dǎo)電性被覆層83作為供電層，將硬度高的材料作為主要成分進(jìn)行電鍍，一體形成接觸端子4和連接電極部4b，再除去該光致抗蝕劑掩模85。
作為硬度高的電鍍材料，可以依次電鍍例如鎳8a、銠8b、鎳8c，使接觸端子4和連接電極部4b成為一個(gè)整體而形成接觸端子部8。
接著進(jìn)行圖6(d)所示的工序。該工序中，形成覆蓋上述接觸端子部8和導(dǎo)電性被覆層83的聚酰亞胺膜84，除去位于需要形成從上述接觸端子部8引出的布線連接用的孔的位置上的、直到上述接觸端子部8的表面的聚酰亞胺膜84，在該聚酰亞胺膜84上形成導(dǎo)電性被覆層86，在形成光致抗蝕劑掩模87之后，電鍍布線材料88。
為了除去上述聚酰亞胺膜84的一部分，可以使用例如激光開孔法或在聚酰亞胺膜84的表面上形成鋁掩模然后干蝕刻加工的方法。
作為上述導(dǎo)電性被覆層86，可以例如用噴濺法或蒸鍍法形成厚度為0.1μm左右的鉻膜，在形成了該鉻膜的表面上用噴濺法或蒸鍍法形成厚度為1μm左右的銅膜。并且，作為布線材料，可以使用電鍍了銅或電鍍了銅后再電鍍鎳的材料。
然后進(jìn)行圖6(e)所示的工序。該工序中，在除去上述光致抗蝕劑掩模87、將布線材料88作為掩模用軟蝕刻加工法除去導(dǎo)電性被覆層86之后，形成聚酰亞胺膜89，除去位于需要形成從布線材料88到上部的布線材料91的連接用孔的位置上的、直到上述布線材料88的表面的該聚酰亞胺膜89，再在聚酰亞胺膜89上形成導(dǎo)電性被覆層90，在形成光致抗蝕劑掩模99之后電鍍布線材料91。
為了除去上述聚酰亞胺膜89的一部分，可以使用例如激光開孔法或在聚酰亞胺膜89的表面上形成鋁掩模然之后進(jìn)行干蝕刻加工的方法。
作為上述導(dǎo)電性被覆層90，可以例如用噴濺法或蒸鍍法形成厚度為0.1μm左右的鉻膜，在該形成了鉻膜的表面上用噴濺法或蒸鍍法形成厚度為1μm左右的銅膜。并且，作為布線材料，可以使用電鍍了銅或電鍍了銅之后再電鍍鎳的材料。
接著進(jìn)行圖6(f)所示的工序。該工序中，在除去上述光致抗蝕劑掩模99、將布線材料91作為掩模利用軟蝕刻加工法除去導(dǎo)電性被覆層90后，粘接粘接層92和金屬膜93，用光致抗蝕劑掩模蝕刻加工該金屬膜93，形成希望的金屬膜圖形。
在此，作為粘接層92可以使用例如聚酰亞胺類粘接片或環(huán)氧類粘接片。而且，作為金屬膜93，可以采用利用粘接層92將42合金(42％鎳與58％鐵的合金，線膨脹率為4ppm/0℃)或殷鋼(例如36％鎳與64％鐵的合金，線膨脹率為1.5ppm/0℃)之類的低線膨脹率且接近于硅晶片(硅型材)80的線膨脹率的金屬薄板粘貼到形成了布線材料91的聚酰亞胺膜89上的結(jié)構(gòu)，通過這樣不僅能夠提高形成的探針板6的強(qiáng)度、增大探針板6的面積，還能夠防止檢測時(shí)溫度的變化引起位置偏差等，能夠確保各種情況下的位置精度。在其主旨中，可以使用以確保檢測時(shí)的位置精度為目的、線膨脹率接近于檢查對(duì)象的半導(dǎo)體元件的線膨脹率的材料作為金屬膜93。
上述粘接工序中，例如將形成了已形成有接觸端子部8和布線材料88的聚酰亞胺膜89的硅晶片80、粘接層92和金屬膜93重疊起來，一邊施加10～200kgf/cm2的壓力，一邊施加粘接層92的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)以上的溫度，在真空中進(jìn)行加熱加壓粘接。
然后進(jìn)行圖6(g)所示的工序。該工序中，用粘接劑96將工藝環(huán)95固定粘接在上述粘接層92上，在將保護(hù)膜97粘接到該工藝環(huán)95上之后，用中間挖空的保護(hù)膜98作為掩模、用氟酸與氟化銨的混合液蝕刻除去二氧化硅膜82。
在利用42合金薄片或殷鋼薄片作為金屬膜93的情況下，用氯化鐵溶液進(jìn)行噴蝕加工就可以。并且，金屬膜93的圖案形成用的光致抗蝕劑掩模，可以是液狀抗蝕劑，也可以是膜狀抗蝕劑(干膜)。
接著進(jìn)行圖7(h)所示的工序。該工序中，剝離上述保護(hù)膜97和98，安裝硅蝕刻加工用保護(hù)模板100，蝕刻加工硅。
例如，將上述工藝環(huán)95螺釘緊固在中間固定板100d上，在不銹鋼制的固定夾具100a與不銹鋼制的蓋100b之間通過O型圈100c安裝，用強(qiáng)堿液(例如氫氧化鉀)蝕刻除去作為型材的硅晶片80。
然后進(jìn)行圖7(i)所示的工序。該工序中，取下上述硅蝕刻加工用保護(hù)夾具100，與圖6(g)一樣地將保護(hù)膜粘貼到工藝環(huán)95上以便覆蓋一個(gè)面，蝕刻除去二氧化硅膜82和導(dǎo)電性被覆層83(鉻或銅)以及鎳8a，除去該保護(hù)膜，然后在金屬膜93與探針板的框體21之間、以及金屬膜93與周邊電極固定板9之間涂敷粘接劑96b，固定到金屬膜93的規(guī)定位置上。
二氧化硅膜82可以利用氟酸與氟化銨的混合液蝕刻除去，鉻膜可以用高錳酸鉀液蝕刻除去，銅和鎳8a的膜可以用堿性銅腐蝕液蝕刻除去。
另外，這一連串的蝕刻加工處理的結(jié)果，采用露出于接觸端子表面的銠8b的電鍍的原因是，不容易附著作為電極3材料的焊錫或鋁等，硬度比鎳高、不容易被氧化，接觸阻抗穩(wěn)定。
然后進(jìn)行圖7(j)所示的工序。該工序中，沿上述探針板的框體21和周邊電極固定板9的外周部切割聚酰亞胺膜84、89和粘接層92，制作探針板結(jié)構(gòu)體105。
(第2實(shí)施方式)下面，參照?qǐng)D8說明制造工序與上述探針板稍有不同的第2實(shí)施方式的探針板的制造方法中的制造工序。
圖8(a)～(e)是按工序順序表示形成探針板的另外制造過程的圖。
首先在圖8(a)所示的硅晶片80上形成棱錐狀的蝕刻加工孔80a，然后在其表面上形成二氧化硅膜82，再在其上面形成的導(dǎo)電性被覆層83的表面上形成聚酰亞胺膜84b，接著除去位于需要形成接觸端子4的位置上的、直到上述導(dǎo)電性被覆層83的表面的聚酰亞胺膜84b。
作為上述導(dǎo)電性被覆層83，可以例如用噴濺法或蒸鍍法形成厚度為0.1μm左右的鉻膜，在該形成了鉻膜的表面上用噴濺法或蒸鍍法形成厚度為1μm左右的銅膜。也可以在該銅膜上電鍍數(shù)μm厚的銅，增加耐激光加工的性能。
為了除去上述聚酰亞胺膜84b，可以使用例如激光開孔法或在聚酰亞胺膜84b的表面上形成鋁掩模然之后，進(jìn)行干蝕刻加工的方法。
接著進(jìn)行圖8(b)所示的工序。首先以導(dǎo)電性被覆層83作為電極，在露出于該聚酰亞胺膜84b的開口部的該導(dǎo)電性被覆層83上電鍍以硬度高的材料為主要成分的材料，一體形成接觸端子4和連接電極部4b?？梢詫⒗珂?a、銠8b、鎳8c作為硬度高的電鍍材料依次電鍍，使接觸端子4和連接電極部4b成為一個(gè)整體而形成接觸端子部8。
接著進(jìn)行如圖8(c)所示的工序。在上述接觸端子部8和聚酰亞胺膜84b上形成導(dǎo)電性被覆層86b，形成光致抗蝕劑掩模87b之后，電鍍布線材料88b。
作為上述導(dǎo)電性被覆層86b，可以例如用噴濺法或蒸鍍法形成厚度為0.1μm左右的鉻膜，在該形成了鉻膜的表面上用噴濺法或蒸鍍法形成厚度為1μm左右的銅膜。并且，可以使用銅作為布線材料。
接著進(jìn)行圖8(d)所示的工序。該工序中，在除去上述光致抗蝕劑掩模87b、將布線材料88b作為掩模用軟蝕刻加工法除去導(dǎo)電性被覆層86b之后，形成聚酰亞胺膜89b，除去位于需要形成從布線材料88b到上部的布線材料91b的連接用孔的位置上的、直到上述布線材料88b的表面的該聚酰亞胺膜89b，再在聚酰亞胺膜89b上形成導(dǎo)電性被覆層90b，在形成了光致抗蝕劑掩模之后，電鍍布線材料91b。接著，在除去上述光致抗蝕劑掩模、將布線材料91b作為掩模用軟蝕刻加工法除去導(dǎo)電性被覆層90b之后，粘接粘接層92和金屬膜93，用光致抗蝕劑掩模蝕刻加工該金屬膜93，形成希望的金屬膜的圖形。
為了除去上述聚酰亞胺膜89b的一部分，可以使用例如激光開孔法或在聚酰亞胺膜89b的表面上形成鋁掩模然后進(jìn)行干蝕刻加工的方法。
作為上述導(dǎo)電性被覆層90b，例如可以用噴濺法或蒸鍍法形成厚度為0.1μm左右的鉻膜，在該形成了鉻膜的表面上用噴濺法或蒸鍍法形成厚度為1μm左右的銅膜。并且，作為布線材料，可以使用電鍍了銅或電鍍了銅后再電鍍鎳的材料。
接著，經(jīng)過與圖6(g)～圖7(i)相同的工序制作圖8(e)所示的探針板結(jié)構(gòu)體105b。
下面用圖9說明表示圖7(j)或圖8(e)所示的本發(fā)明的探針卡的主要部分的剖面圖。圖9是分解其主要部件來圖示的立體圖。
本發(fā)明的探針卡的第1或第2實(shí)施方式包括支承部件(上部固定板)7、彈簧定位銷12、框體21和中間板24，所述彈簧定位銷12被固定在通過螺釘固定于該支承部件7上的中間板24的中央部，在高度方向可進(jìn)行調(diào)整，在下部頂端具有突起部12a起到中心樞軸的作用，裝填了通過以該突起部12a的頂端為支點(diǎn)可動(dòng)作的壓墊22對(duì)探針板6施加壓力的彈簧12b；所述框體21被粘接固定在里面，包圍形成有由該探針板6的多個(gè)接觸端子4構(gòu)成的接觸端子群的區(qū)域；所述中間板24在與形成有探針板6的接觸端子群的區(qū)域的里面之間的中央部位，具有硅片等緩沖材料23和壓墊22，通過螺釘固定在該框體21上。
其中，壓墊22是能夠通過在中間板24的中央部設(shè)置的彈簧定位銷12頂端的突起部12a保持成可稍微傾斜運(yùn)動(dòng)、由該彈簧定位銷12施加(推壓)希望的幾乎恒定的推壓力(例如在500針左右的情況下，壓入量為150μm時(shí)達(dá)到20N左右)的結(jié)構(gòu)的柔性機(jī)構(gòu)。另外，在壓墊22的上表面中央部形成有與突起部12a卡合的圓錐槽22a。
上述探針板6在板的檢測側(cè)的中央?yún)^(qū)域部形成有與由半導(dǎo)體元件2的多個(gè)電極3構(gòu)成的電極群接觸的、由多個(gè)接觸端子4構(gòu)成的接觸端子群，在與金屬膜93a和框體21對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)形成雙重包圍該接觸端子群的周圍的金屬膜93b；在探針板6的四邊的周邊部形成與多層布線基板50進(jìn)行信號(hào)交換的、由多個(gè)周邊電極5構(gòu)成的周邊電極群，在與周邊電極固定板9對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)形成包圍該周邊電極群的金屬膜93c；在該接觸端子群與周邊電極群之間形成有圖4(b)或圖4(c)所示的多個(gè)引出布線20(71、72、74、75、76a、76b)。而且，框體21被粘接固定在形成有上述接觸端子群的區(qū)域的探針板6的里面，周邊電極固定板9粘接固定在形成了用于信號(hào)交換的探針板6的周邊電極群的部分的里面。而且，上述框體21通過螺釘固定在中間板24上。在該中間板24上固定彈簧定位銷12，下部頂端的突起部12a與在壓墊22的上表面中央形成的圓錐槽22a卡合。
另外，在金屬膜93c構(gòu)圖形成有定位用的定位銷用孔和插入螺釘用的孔，這樣能夠提高組裝性。
通過在包圍周邊電極群地固定于探針板6上的周邊電極固定板9上，隔著緩沖材料31螺釘固定周邊壓板32，從而使周邊電極群通過緩沖材料31同多層布線基板50的電極50a連接。
(第3實(shí)施方式)下面，參照?qǐng)D10說明第3實(shí)施方式的探針板的制造方法中的制造工序。
除了為使探針板的周邊電極5a與多層布線基板51的電極51a接觸而在所有接觸端子4的形成面的相反面上形成周邊電極的工序以外，本探針板的制造方法與圖6、圖7所示的探針板的制造方法相同。
首先進(jìn)行圖10(a)所示的工序。該工序與圖6(a)、圖6(b)的工序相同，在硅晶片80上形成棱錐狀的蝕刻孔，然后在其表面形成二氧化硅膜82和導(dǎo)電性被覆層83，使接觸端子部8開口地在該導(dǎo)電性被覆層83的表面形成光致抗蝕劑掩模85。
接著，執(zhí)行如圖10(b)所示的如下工序以上述光致抗蝕劑掩模85作為掩模，以上述導(dǎo)電性被覆層83作為供電層，以高硬度材料為主成分進(jìn)行電鍍，將接觸端子4和連接電極部4b一體形成，并除去光致抗蝕劑掩模85。
接著進(jìn)行如圖10(c)所示的工序。該工序中，形成覆蓋上述接觸端子部8和導(dǎo)電性被覆層83的聚酰亞胺膜84c，除去位于需要形成從上述接觸端子部8引出的布線連接用孔的位置上的、直到上述接觸端子部8的表面的該聚酰亞胺膜84c，在該聚酰亞胺膜84c上形成導(dǎo)電性被覆層86c并形成光致抗蝕劑掩模87c，然后電鍍布線材料88c。
接著，進(jìn)行圖10(d)所示的工序。該工序中，在除去上述光致抗蝕劑掩模87c、將布線材料88c作為掩模用軟蝕刻法除去導(dǎo)電性被覆層86c之后，形成聚酰亞胺膜89c，除去位于需要形成從布線材料88c到上部的布線材料91c的連接用孔的位置上的、直到上述布線材料88c的表面的該聚酰亞胺膜89c，在聚酰亞胺膜89c上形成導(dǎo)電性被覆層90c，在形成了光致抗蝕劑掩模之后，電鍍布線材料91c之后，除去上述光致抗蝕劑掩模，將布線材料91c作為掩模用軟蝕刻除去導(dǎo)電性被覆層90c。
接著進(jìn)行圖10(e)所示的工序。該工序中，形成覆蓋周邊電極5a內(nèi)側(cè)區(qū)域的布線材料91c和聚酰亞胺膜89c的聚酰亞胺膜55，用粘接劑96將工藝環(huán)95固定粘接在該聚酰亞胺膜89c上。
接著，經(jīng)過與圖6(g)～圖7(i)相同的工序，制作圖10(f)所示的探針板結(jié)構(gòu)體105c。
另外，為了實(shí)現(xiàn)高速傳輸信號(hào)的穩(wěn)定，也可以根據(jù)需要在電容器連接用電極56的布線材料91c與接地布線用的布線材料91c之間設(shè)置電容器。
(第4實(shí)施方式)下面，參照?qǐng)D11說明第4實(shí)施方式的探針板制造方法中的制造工序。
除了為使探針板的周邊電極5a與多層布線基板51的電極51a接觸而在所有接觸端子4的形成面的相反面上形成周邊電極的工序以外，本探針板的制造方法與圖8所述的探針板的制造方法相同。
首先，在圖11(a)所示的硅晶片80上形成棱錐形的蝕刻孔80a，然后在其表面形成二氧化硅膜82，再在其上形成的導(dǎo)電性被覆層83的表面形成聚酰亞胺膜84d，接著除去位于需要形成接觸端子4的位置上的、直到上述導(dǎo)電性被覆層83的表面的聚酰亞胺膜84d。
接著，進(jìn)行圖11(b)所示的工序。首先以該導(dǎo)電性被覆層83作為電極，在露出于該聚酰亞胺膜84d的開口部的該導(dǎo)電性被覆層83上電鍍以高硬度材料為主成分的材料，將接觸端子4和連接電極部4b一體形成。可以將例如鎳8a、銠8b、鎳8c作為高硬度的電鍍材料依次電鍍，使接觸端子4和連接電極部4b作為一個(gè)整體形成接觸端子部8。
接著，執(zhí)行如圖11(c)所示的工序。在上述接觸端子部8和聚酰亞胺膜84d上形成導(dǎo)電性被覆層86d并形成光致抗蝕劑掩模，然后電鍍布線材料88d。接著，在除去該光致抗蝕劑掩模，將布線材料88d作為掩模用軟蝕刻法除去導(dǎo)電性被覆層86d之后，形成聚酰亞胺膜89d，除去位于需要形成從布線材料88d到上部的布線材料91d的連接用孔的位置上的、直到上述布線材料88d的表面的該聚酰亞胺膜89d，再在聚酰亞胺膜89d上形成導(dǎo)電性被覆層90d，在形成了光致抗蝕劑掩模之后，電鍍布線材料91d。接著，在除去上述光致抗蝕劑掩模、將布線材料91d作為掩模用軟蝕刻法除去導(dǎo)電性被覆層90d之后，形成覆蓋周邊電極5a內(nèi)側(cè)區(qū)域的布線材料91d和聚酰亞胺膜89d的聚酰亞胺膜55，用粘接劑96將工藝環(huán)95固定粘接在該聚酰亞胺膜89d上。
接著，經(jīng)過與圖6(g)～圖7(i)相同的工序，制作圖11(d)所示的探針板結(jié)構(gòu)體105d。
下面用圖12說明表示圖10(f)或圖11(d)所示的本發(fā)明的探針卡的主要部分的剖面圖。圖12是分解了其主要部件進(jìn)行圖示的立體圖。
本發(fā)明的探針卡的第3或第4實(shí)施方式包括支承部件(上部固定板)7、彈簧定位銷12、框體21b和中間板24b構(gòu)成，所述彈簧定位銷12被固定在通過螺釘固定于該支承部件7上的中間板24的中央部，在高度方向可進(jìn)行調(diào)整，在下部頂端具有突起部12a起到中心樞軸的作用，裝填了通過以該突起部12a的頂端為支點(diǎn)可動(dòng)作的壓墊22對(duì)探針板6施加壓力的彈簧12b；所述框體21被粘接固定在里面，包圍形成有由該探針板6的多個(gè)接觸端子4構(gòu)成的接觸端子群的區(qū)域；所述中間板24在與形成有探針板6的接觸端子群的區(qū)域的里面之間的中央部位，具有硅片等緩沖材料23和壓墊22，通過螺釘固定在該框體21上。
其中，壓墊22是能夠通過在中間板24的中央部設(shè)置的彈簧定位銷12頂端的突起部12a保持成可稍微傾斜運(yùn)動(dòng)、由該彈簧定位銷12施加(推壓)希望的幾乎恒定的推壓力(例如在500針左右的情況下，壓入量為150μm時(shí)達(dá)到20N左右)的結(jié)構(gòu)的柔性機(jī)構(gòu)。另外，在壓墊22的上表面中央部形成有與突起部12a卡合的圓錐槽22a。
上述探針板6在板的檢測側(cè)的中央?yún)^(qū)域部形成有與由半導(dǎo)體元件2的多個(gè)電極3構(gòu)成的電極群接觸的、由多個(gè)接觸端子4構(gòu)成的接觸端子群，在與金屬膜93a和框體21對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)形成雙重包圍該接觸端子群的周圍的金屬膜93b；在探針板6的四邊的周邊部形成與多層布線基板50進(jìn)行信號(hào)交換的、由多個(gè)周邊電極5構(gòu)成的周邊電極群，在該接觸端子群與周邊電極群之間形成有圖4(b)或圖4(c)所示的多個(gè)引出布線20(71、72、74、75、76a、76b)。而且，框體21被粘接固定在形成有上述接觸端子群的區(qū)域的探針板6的里面，該框體21通過螺釘固定在中間板24上。在該中間板24上固定彈簧定位銷12，下部頂端的突起部12a與在壓墊22的上表面中央形成的圓錐槽22a卡合。
通過夾著與探針板6的周邊電極群的里面相對(duì)置地設(shè)置的O型圈14，將O型圈壓件15螺釘固定在多層布線基板51上，使周邊電極群通過O型圈14同多層布線基板51的電極51a連接。
下面，利用圖13說明使用了以上說明的本發(fā)明涉及的探針卡(檢查裝置)的半導(dǎo)體檢查裝置。
圖13是表示包含本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體檢查裝置的檢查系統(tǒng)整體結(jié)構(gòu)的圖。圖13表示將希望的載荷加到晶片1的表面上實(shí)施電氣特性檢查的試驗(yàn)裝置。在此狀態(tài)下，彈簧定位銷12的載荷施加到所有接觸端子，通過與晶片1的電極3接觸的接觸端子4、引出布線20、周邊電極5、多層布線基板50的電極50a、內(nèi)部布線50b和電極50c，與進(jìn)行半導(dǎo)體元件的電氣特性檢查的測試裝置170之間實(shí)施檢查用電氣信號(hào)的收發(fā)。
在檢查系統(tǒng)的整個(gè)結(jié)構(gòu)中，探針卡作為晶片探測器而構(gòu)成。該檢查系統(tǒng)包括支承作為被檢查對(duì)象的晶片1的試樣支承系統(tǒng)160、與晶片1的電極3接觸進(jìn)行電信號(hào)收發(fā)的探針卡120、控制試樣支承系統(tǒng)160的動(dòng)作的驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)150、進(jìn)行晶片1的溫度控制的溫度控制系統(tǒng)140、以及檢查半導(dǎo)體元件(芯片)2的電氣特性的測試裝置170。該晶片1中排列有多個(gè)半導(dǎo)體元件(芯片)，在各半導(dǎo)體元件的表面排列有多個(gè)電極3作為外部連接電極。
試樣支承系統(tǒng)160包括裝卸自由地安放晶片1且近似水平地設(shè)置的試樣臺(tái)162，垂直配置以支承該試樣臺(tái)162的升降軸164，驅(qū)動(dòng)該升降軸164升降的升降驅(qū)動(dòng)部165，支承該升降驅(qū)動(dòng)部165的X-Y工作臺(tái)167。X-Y工作臺(tái)167固定在框體166上。升降驅(qū)動(dòng)部165例如由步進(jìn)電動(dòng)機(jī)等構(gòu)成。試樣臺(tái)162在水平和垂直方向的定位動(dòng)作由X-Y工作臺(tái)167在水平面內(nèi)的移動(dòng)動(dòng)作和升降驅(qū)動(dòng)部165進(jìn)行的上下動(dòng)作等的組合進(jìn)行。并且，試樣臺(tái)162上設(shè)置有未圖示的轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)，使試樣臺(tái)162能夠在水平面內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)。
在試樣臺(tái)162的上方配置有由探針卡120構(gòu)成的探測系統(tǒng)。例如使用了圖7(j)所示的探針板結(jié)構(gòu)體的探針卡120和多層布線基板50以與該試樣臺(tái)162平行相對(duì)置的姿勢(shì)設(shè)置。各接觸端子4通過在該探針卡120的探針板6上設(shè)置的引出布線20和周邊電極5，同多層布線基板50的電極50a和內(nèi)部布線50b連通，與該多層布線基板50上設(shè)置的電極50c連接，通過與該電極50c連接的電纜171同測試裝置170連接。
驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)150通過電纜172與測試裝置170連接。并且，驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)150給試樣支承系統(tǒng)160的各驅(qū)動(dòng)裝置的致動(dòng)器發(fā)送控制信號(hào)，控制其動(dòng)作。即，驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)150的內(nèi)部具有計(jì)算機(jī)，按照通過電纜172傳輸?shù)臏y試裝置170的測試動(dòng)作的行進(jìn)信息，控制試樣支承系統(tǒng)160的動(dòng)作。而且，驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)150具備操作部151，接受與驅(qū)動(dòng)控制有關(guān)的各種指令的輸入，例如接受手動(dòng)操作的指令。
在試樣臺(tái)162上設(shè)有加熱半導(dǎo)體元件2的加熱器141。溫度控制系統(tǒng)140通過控制試樣臺(tái)162的加熱器141或冷卻器具，控制放置在試樣臺(tái)162上的晶片1的溫度。并且，溫度控制系統(tǒng)140具備操作部151，接受與溫度控制有關(guān)的各種指令的輸入，例如接受手動(dòng)操作的指令。這里，也可以使在上述探針板或探針卡的一部分設(shè)置的可以控制溫度的發(fā)熱體和試樣臺(tái)162的加熱器141連動(dòng)，來控制溫度。
下面說明半導(dǎo)體檢查裝置的動(dòng)作。首先，將作為檢查對(duì)象的晶片1定位放置在試樣臺(tái)162上，對(duì)X-Y工作臺(tái)167和轉(zhuǎn)動(dòng)機(jī)構(gòu)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制，將由在排列于晶片1上的多個(gè)半導(dǎo)體元件上形成的多個(gè)電極3構(gòu)成的電極群，定位在由并列設(shè)置在探針卡120上的多個(gè)接觸端子4構(gòu)成的接觸端子群的正下方。然后驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)150使升降驅(qū)動(dòng)部165動(dòng)作，從多個(gè)電極(被接觸材料)3的整個(gè)面與接觸端子的頂端接觸時(shí)開始使試樣臺(tái)162上升，直到被提升30～100μm左右的狀態(tài)，通過這樣使探針板6中并列設(shè)置了多個(gè)接觸端子4的區(qū)域伸出，柔性機(jī)構(gòu)(擠壓機(jī)構(gòu))使確保了高精度的平坦度的、由多個(gè)接觸端子4構(gòu)成的接觸端子群中各自的頂端摹仿由排列在半導(dǎo)體元件上的多個(gè)電極3構(gòu)成的電極群(全體)的面平行伸出以迎合電極群的面，由此，排列在晶片1上的各被接觸材料(電極)3被以均勻的載荷(每針3～150mN左右)壓入進(jìn)行接觸，各接觸端子4與各電極3之間以低的電阻(0.01Ω～0.1Ω)連接。
而且，在晶片1上形成的半導(dǎo)體元件與測試裝置170之間通過電纜171、多層布線基板50和接觸端子4進(jìn)行動(dòng)作電流、動(dòng)作檢查信號(hào)等的交換，判斷該半導(dǎo)體元件的性能是否可行等。而且，上述一連串的檢查動(dòng)作對(duì)晶片1上形成的多個(gè)半導(dǎo)體元件中的每一個(gè)都實(shí)施，判斷動(dòng)作性能的可否等。
以上說明的本實(shí)施方式中，示出使用了具有圖7(j)的結(jié)構(gòu)的探針板結(jié)構(gòu)體的例子，但本發(fā)明并不局限于此，在不脫離其主旨的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種變更，當(dāng)然也可以使用例如圖8(e)或圖10(f)或圖11(d)那樣的探針板結(jié)構(gòu)體。
下面，參照?qǐng)D18說明包含使用了上述半導(dǎo)體檢查裝置的檢查工序或檢查方法的半導(dǎo)體裝置的制造方法的代表例。
(1)本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有以下工序在晶片中制作電路形成半導(dǎo)體裝置的工序(形成半導(dǎo)體元件電路)；利用本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體檢查裝置在晶片水平上統(tǒng)一檢查多個(gè)半導(dǎo)體元件的電氣特性的工序(晶片檢查)；切割晶片分割成各個(gè)半導(dǎo)體元件的工序(切割)；以及用樹脂等密封半導(dǎo)體元件的工序(組裝、密封)。然后，經(jīng)過老化、篩選檢查和外觀檢查，作為芯片封裝品出廠。
(2)本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有以下工序在晶片中制作電路形成半導(dǎo)體裝置的工序(形成半導(dǎo)體元件電路)；利用本發(fā)明的半導(dǎo)體檢查裝置在晶片水平上統(tǒng)一檢查多個(gè)半導(dǎo)體裝置的電氣特性的工序(晶片檢查)；以及切割晶片分割成各個(gè)半導(dǎo)體元件的工序(切割)。然后.經(jīng)過芯片檢查用插座安裝、老化、篩選檢查、從插座上取出、外觀檢查，作為晶片對(duì)出廠產(chǎn)品出廠。
(3)本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有以下工序在晶片中制作電路形成半導(dǎo)體裝置的工序(形成半導(dǎo)體元件電路)；利用本發(fā)明的半導(dǎo)體檢查裝置在晶片水平上統(tǒng)一檢查多個(gè)半導(dǎo)體裝置的電氣特性的工序(晶片檢查)。然后經(jīng)過老化、篩選檢查、外觀檢查，作為整片晶片出廠產(chǎn)品出廠。該老化、篩選檢查中，也利用本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體檢查裝置進(jìn)行檢查。
(4)本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有以下工序在晶片中制作電路形成半導(dǎo)體裝置的工序(形成半導(dǎo)體元件電路)；利用本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體檢查裝置在晶片水平上統(tǒng)一檢查多個(gè)半導(dǎo)體裝置的電氣特性的工序(晶片檢查)。然后，通過經(jīng)老化、篩選檢查，切割晶片分割成各個(gè)半導(dǎo)體元件的工序(切割)，經(jīng)過外觀檢查作為晶片對(duì)出廠產(chǎn)品出廠。該老化、篩選檢查中，也利用本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體檢查裝置進(jìn)行檢查。
(5)本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有以下工序在晶片中制作電路形成半導(dǎo)體裝置的工序(形成半導(dǎo)體元件電路)；分割晶片的工序(晶片分割)；利用本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體檢查裝置在分割后的晶片水平上統(tǒng)一檢查多個(gè)半導(dǎo)體裝置的電氣特性的工序(分割晶片檢查)。然后經(jīng)過老化、篩選檢查、外觀檢查，作為分割晶片出廠品出廠。該老化、篩選檢查中，也利用本發(fā)明的半導(dǎo)體檢查裝置進(jìn)行檢查。
(6)本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有以下工序在晶片中制作電路形成半導(dǎo)體裝置的工序(形成半導(dǎo)體元件電路)；分割晶片的工序(晶片分割)；利用本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體檢查裝置在分割后的晶片水平上統(tǒng)一檢查多個(gè)半導(dǎo)體裝置的電氣特性的工序(分割晶片檢查)。然后經(jīng)過老化、篩選檢查，裁切分割的晶片而分割成各個(gè)半導(dǎo)體元件的工序(切割)、外觀檢查，作為晶片對(duì)出廠品出廠。該老化、篩選檢查中，也利用本發(fā)明的半導(dǎo)體檢查裝置進(jìn)行檢查。
(7)本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有以下工序在晶片中制作電路形成半導(dǎo)體裝置的工序(形成半導(dǎo)體元件電路)；在晶片上形成樹脂層等的工序(形成樹脂層)；利用本發(fā)明的半導(dǎo)體檢查裝置統(tǒng)一檢查在形成有樹脂層等的晶片上形成的多個(gè)半導(dǎo)體元件的電氣特性的工序(晶片檢查)。然后經(jīng)過老化、篩選檢查，經(jīng)過裁切晶片分割成各個(gè)半導(dǎo)體元件的工序(切割)、外觀檢查，作為CSP出廠產(chǎn)品出廠。該老化、篩選檢查也用本發(fā)明的半導(dǎo)體檢查裝置進(jìn)行檢查。
(8)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有以下過程在晶片中制作電路，形成半導(dǎo)體裝置的過程(形成半導(dǎo)體元件電路)；在晶片上形成樹脂層等的工序(形成樹脂層)；利用本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體檢查裝置統(tǒng)一檢查在形成有樹脂層等的晶片上形成的多個(gè)半導(dǎo)體元件的電氣特性的工序(晶片檢查)。然后經(jīng)過老化、篩選檢查、外觀檢查，作為整片晶片CSP出廠品出廠。該老化、篩選檢查中，也利用本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體檢查裝置進(jìn)行檢查。
(9)本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有以下工序在晶片中制作電路形成半導(dǎo)體裝置的工序(形成半導(dǎo)體元件電路)；在晶片上形成樹脂層等的工序(形成樹脂層)；分割形成了樹脂層等的晶片的過程(晶片分割)；利用本發(fā)明的半導(dǎo)體檢查裝置在分割后的晶片水平上統(tǒng)一檢查多個(gè)半導(dǎo)體裝置的電氣特性的工序(分割晶片檢查)。然后經(jīng)過老化、篩選檢查、外觀檢查，作為分割晶片CSP出廠品出廠。該老化、篩選檢查中，也利用本發(fā)明的半導(dǎo)體檢查裝置進(jìn)行檢查。
(10)本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有以下工序在晶片中制作電路形成半導(dǎo)體裝置的工序(形成半導(dǎo)體元件電路)；在晶片上形成樹脂層等的工序(形成樹脂層)；分割形成了樹脂層等的晶片的工序(晶片分割)；利用本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體檢查裝置在分割后的晶片水平上統(tǒng)一檢查多個(gè)半導(dǎo)體裝置的電氣特性的工序(分割晶片檢查)。然后經(jīng)過老化、篩選檢查、裁切晶片分割成各個(gè)半導(dǎo)體元件的工序(切割)、外觀檢查，作為CSP出廠品出廠。該老化、篩選檢查中，也利用本發(fā)明的半導(dǎo)體檢查裝置進(jìn)行檢查。
在上述半導(dǎo)體裝置的制造方法中的檢查半導(dǎo)體元件的電氣特性的工序中，使用形成了本發(fā)明的傳輸電路的探針卡，能夠?qū)崿F(xiàn)具有良好的高速傳輸特性的檢查。
即，本發(fā)明的形成了放射狀網(wǎng)眼圖案的接地布線的高速傳輸用布線板能夠減輕形成接地布線用的金屬引起的剛性的增加，能夠使探針板具有柔軟性。
并且，通過除去形成有信號(hào)布線的絕緣薄板正下方相反面上的接地層使接地布線的結(jié)構(gòu)為放射狀網(wǎng)眼圖案，即使該絕緣薄板的厚度很薄也能夠?qū)⑿盘?hào)布線的寬度設(shè)計(jì)得很寬，能夠減小表面效應(yīng)引起的以表面區(qū)域傳輸為主的高速傳輸信號(hào)的損失。
并且，即使采用本發(fā)明的傳輸電路圖案，由于信號(hào)布線與接地布線的位置偏差的影響小，因此制造高速傳輸探針片時(shí)與掩模對(duì)齊的位置精度具有充裕，結(jié)果，形成傳輸電路時(shí)具有充裕，能夠制造確保了高速傳輸特性的探針片。
(第5實(shí)施方式)下面參照?qǐng)D14說明圖2(a1)或圖3(a1)所示的本發(fā)明的高速傳輸用電路的其他應(yīng)用例的結(jié)構(gòu)。
圖14(a)～圖14(d)分別表示的實(shí)施方式為在布線片62上形成用于在多個(gè)半導(dǎo)體裝置60、60a之間交換信號(hào)的圖2(a1)或圖3(a1)所示的傳輸電路61的一例。根據(jù)必要，也可以使圖4(b)和圖4(c)所示的用于使接地傳輸布線之間導(dǎo)通的接地布線78b為網(wǎng)眼狀的接地布線圖案，使接地電平穩(wěn)定。半導(dǎo)體裝置60、60a之間的連接只要使例如圖14(a)所示的電鍍凸起63或圖14(b)、圖14(c)所示的四棱錐臺(tái)狀的接觸端子64與焊錫凸起65連接就可以。并且，也可以像圖14(d)所示那樣同時(shí)使用電鍍凸起63和四棱錐臺(tái)狀的接觸端子64。
雖然本實(shí)施方式以使電鍍凸起63或四棱錐臺(tái)狀的接觸端子64與焊錫凸起65連接作為連接端子的例子，但只要能形成圖2(a1)或圖3(a1)所示的本發(fā)明的高速傳輸用電路，既可以是只使用焊錫凸起的連接，也可以是金屬之間的超聲波連接，連接方式可以是任意的。
最后，將按照本發(fā)明制作的圖12所示方式的探針卡的測量結(jié)果表示在圖5(a)、(b)、(c)中。
圖5(a)是表示本發(fā)明的單信號(hào)布線方式的通過特性和相同探針板尺寸下微帶傳輸結(jié)構(gòu)的通過特性圖。兩種方式都為將阻抗調(diào)整到50±2Ω時(shí)的情況，表明本發(fā)明的傳輸方式良好。
圖5(b)是本發(fā)明的單信號(hào)布線方式在10Gbps時(shí)的傳輸波形，圖5(c)為本發(fā)明的差動(dòng)信號(hào)布線方式在10Gbps時(shí)的傳輸波形。兩者的傳輸波形(眼睛形狀)都表明高速傳輸特性(5～10Gbps)好。
這樣一來，從按照本發(fā)明制作的探針卡的測量結(jié)果可知，能夠?qū)崿F(xiàn)傳輸特性好、高速傳輸特性優(yōu)良的高速傳輸用電路。
以上根據(jù)實(shí)施方式具體說明了本發(fā)明者提出的發(fā)明，但本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施方式，當(dāng)然可以在不超出其宗旨的范圍內(nèi)進(jìn)行種種變形。
下面簡單說明本申請(qǐng)公開的發(fā)明中具有代表性的方案能夠取得的效果。
本發(fā)明的形成了放射狀網(wǎng)眼圖案的接地布線的高速傳輸用布線板與在整個(gè)里面形成接地層、形成微帶傳輸電路的布線板相比具有以下效果
(1)通過使接地布線的結(jié)構(gòu)為放射狀網(wǎng)眼圖案，能夠減輕形成接地布線用的金屬引起的探針板剛性的增加，能夠使探針板具有柔軟性。
(2)在絕緣薄板厚度相同，調(diào)整為相同阻抗的情況下，通過除去形成有信號(hào)布線的絕緣薄板正下方相反面上的接地層使接地布線的結(jié)構(gòu)為放射狀網(wǎng)眼圖案，與微帶傳輸電路的信號(hào)布線的寬度相比，能夠?qū)⑿盘?hào)布線的寬度設(shè)計(jì)得很寬。結(jié)果能夠減小表面效應(yīng)引起的以表面區(qū)域傳輸為主的高速傳輸信號(hào)的損失。
本發(fā)明在不超出宗旨和技術(shù)要點(diǎn)的范圍內(nèi)可以有其他的實(shí)施方式。因此上述實(shí)施方式僅為本發(fā)明的例證，并非限制本發(fā)明；本發(fā)明的范圍由附加的權(quán)利要求說明而不是以上的敘述，在本發(fā)明意圖和權(quán)利要求范圍內(nèi)的所有變形都包含在發(fā)明宗旨內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種傳輸電路，其特征在于，其布線結(jié)構(gòu)是，具有在絕緣層的上表面形成的信號(hào)布線和在上述絕緣層的下表面形成的接地布線，將夾著上述絕緣層的上述信號(hào)布線正下方的上述接地布線部分除去。
2.如權(quán)利要求1所述的傳輸電路，其特征在于，上述信號(hào)布線和上述接地布線形成為放射狀圖案。
3.如權(quán)利要求2所述的傳輸電路，其特征在于，在上述放射狀圖案的接地布線的途中設(shè)置有使接地布線互相導(dǎo)通的1個(gè)或多個(gè)布線。
4.如權(quán)利要求1所述的傳輸電路，其特征在于，上述接地布線由相隔上述信號(hào)布線的寬度以上的間隔、且寬度比上述信號(hào)布線的寬度的2倍窄的2根接地布線形成。
5.如權(quán)利要求1所述的傳輸電路，其特征在于，上述信號(hào)布線由2根一組的差動(dòng)布線構(gòu)成；在上述2根一組的差動(dòng)布線的布線之間的正下方設(shè)有1根接地布線，在上述2根一組的差動(dòng)布線外側(cè)的下面分別設(shè)置有接地布線。
6.如權(quán)利要求5所述的傳輸電路，其特征在于，上述2根一組的差動(dòng)布線的間隔是上述差動(dòng)布線的寬度以上；上述接地布線由寬度比上述差動(dòng)布線的寬度的2倍窄的接地布線形成。
7.一種探針板，其特征在于，具有晶片電極連接用接觸端子，以在晶片上形成的半導(dǎo)體元件的電極的排列為基準(zhǔn)配置；布線，從上述晶片電極連接用接觸端子引出；以及基板連接用接觸端子，與上述布線電連接；上述布線是權(quán)利要求1所述的傳輸電路。
8.如權(quán)利要求7所述的探針板，其特征在于，上述晶片電極連接用接觸端子是將具有結(jié)晶性的基板的通過各向異性蝕刻形成的孔作為型材而制作的。
9.如權(quán)利要求7所述的探針板，其特征在于，上述晶片電極連接用接觸端子和上述基板連接用接觸端子兩者都是將具有結(jié)晶性的基板的通過各向異性蝕刻形成的孔作為型材而制作的。
10.一種探針卡，其特征在于，具有晶片電極連接用接觸端子，與設(shè)在晶片上的電極接觸；布線，從上述晶片電極連接用接觸端子引出；基板連接用接觸端子，與上述布線電連接；以及多層布線基板，具有與上述基板連接用接觸端子電連接的電極；上述布線是權(quán)利要求1所述的傳輸電路。
11.如權(quán)利要求10所述的探針卡，其特征在于，上述晶片電極連接用接觸端子是將具有結(jié)晶性的基板的通過各向異性蝕刻形成的孔作為型材而制作的棱錐形或棱錐臺(tái)形的端子。
12.一種半導(dǎo)體檢查裝置，其特征在于，具有承載晶片的試樣臺(tái)；晶片電極連接用接觸端子，與在上述晶片上形成的半導(dǎo)體元件的電極接觸；以及探針卡，與檢查上述半導(dǎo)體元件的電氣特性的測試裝置電連接；上述探針卡具有晶片電極連接用接觸端子，與設(shè)于上述晶片上的電極接觸；布線，從上述晶片電極連接用接觸端子引出；基板連接用接觸端子，與上述布線電連接；以及多層布線基板，設(shè)有與上述基板連接用接觸端子電連接的電極；上述布線是權(quán)利要求1所述的傳輸電路。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體檢查裝置，其特征在于，上述晶片電極連接用接觸端子和上述基板連接用接觸端子這兩者或其中的一個(gè)接觸端子，是將具有結(jié)晶性的基板的通過各向異性蝕刻形成的孔作為型材而制作的棱錐形或棱錐臺(tái)形的端子。
14.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有以下工序在晶片中制作電路形成半導(dǎo)體元件的工序；檢查上述半導(dǎo)體元件的電氣特性的工序；切割上述晶片分割成各個(gè)上述半導(dǎo)體元件的工序；在檢查上述半導(dǎo)體元件的電氣特性的工序中，使用具有探針板和多層布線基板的探針卡檢查上述半導(dǎo)體元件，上述探針板具有與上述半導(dǎo)體元件的電極接觸的晶片電極連接用接觸端子、從上述晶片電極連接用接觸端子引出的布線、與上述布線電連接的基板連接用接觸端子，上述多層布線基板具有與上述基板連接用接觸端子電連接的電極；上述布線是權(quán)利要求1所述的傳輸電路。
15.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有以下工序在晶片中制作電路形成半導(dǎo)體元件的工序，用樹脂密封上述晶片的工序，檢查在上述被密封的晶片中形成的半導(dǎo)體元件的電氣特性的工序；在檢查上述半導(dǎo)體元件的電氣特性的工序中，使用具有探針板和多層布線基板的探針卡檢查上述半導(dǎo)體元件，上述探針板具有與上述半導(dǎo)體元件的電極接觸的晶片電極連接用接觸端子、從上述晶片電極連接用接觸端子引出的布線、與上述布線電連接的基板連接用接觸端子，上述多層布線基板具有與上述基板連接用接觸端子電連接的電極；上述布線是權(quán)利要求1所述的傳輸電路。
16.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，上述晶片電極連接用接觸端子和上述基板連接用接觸端子這兩者或其中的一個(gè)接觸端子，是將具有結(jié)晶性的基板的通過各向異性蝕刻形成的孔作為型材而制作的棱錐形或棱錐臺(tái)形的端子。
17.一種連接用薄板，其特征在于，具有第1電極連接用接觸端子，與設(shè)在第1接觸對(duì)象物上的電極接觸；第2電極連接用接觸端子，與設(shè)在第2接觸對(duì)象物上的電極接觸；以及布線，從上述第1電極連接用接觸端子引向上述第2電極連接用接觸端子；上述布線是權(quán)利要求1所述的傳輸電路。
18.如權(quán)利要求17所述的連接用薄板，其特征在于，上述第1電極連接用接觸端子和上述第2電極連接用接觸端子這兩者或其中的一個(gè)接觸端子，是將具有結(jié)晶性的基板的通過各向異性蝕刻形成的孔作為型材而制作的。
全文摘要
提供一種探針板中的傳輸電路，該探針板的布線采用部分除去了夾著絕緣層(70)的信號(hào)布線(71)正下方的接地布線(72)的布線結(jié)構(gòu)，信號(hào)布線和接地布線形成為放射狀圖案。還提供一種使用了該探針板的探針卡、使用了該探針卡的半導(dǎo)體裝置的檢查方法(制造方法)以及高頻特性良好的連接用薄板。
文檔編號(hào)G01R1/073GK101074970SQ20071010193
公開日2007年11月21日 申請(qǐng)日期2007年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月16日
發(fā)明者春日部進(jìn), 森照享, 成塚康則, 中條德男 申請(qǐng)人:株式會(huì)社瑞薩科技