專利名稱：晶片斜面檢查機(jī)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明 一 般涉及使用行掃描照相機(jī)從半導(dǎo)體晶片邊緣的斜面
(bevel)處捕獲缺陷數(shù)據(jù)的機(jī)構(gòu)和方法。
背景技術(shù)：
由于很多致使半導(dǎo)體晶片上的小片(die)變得不可用的缺陷產(chǎn)生 于晶片邊緣，所以檢查晶片的邊緣以識別缺陷和確定它們的來源從而提 高可用小片的產(chǎn)量是重要的。
使用成像裝置(照相機(jī))檢查半導(dǎo)體晶片的邊緣是已知的，該成像 裝置被設(shè)置在晶片的上方和下方并且被定位成使得其光學(xué)路徑與晶片 的上下表面基本垂直。其它成像裝置被定位成使得它們的光學(xué)路徑基本 上在晶片自身所定義的平面內(nèi)。這樣，基本上所有的晶片邊緣區(qū)域都可 以被成像。圖2示意性地示出晶片W的邊緣區(qū)域，其具有邊緣頂部區(qū)(ET), 頂部邊緣斜面區(qū)(TE)，邊緣垂直區(qū)(EN)，底部邊緣斜面(BE )和邊緣底部 區(qū)(EB)。注意，所示的晶片W具有成斜面的邊緣B。術(shù)語"斜面(bevel) "和"邊緣"此處可以互換使用以指代晶片W的邊緣的不同區(qū)域，但是術(shù) 語"邊緣頂部"，"頂部邊緣斜面"，"邊緣垂直"，"底部邊緣斜面"和"邊 緣底部"將用于描述晶片邊緣的特定區(qū)或區(qū)域。
如圖la和lb所示，當(dāng)半導(dǎo)體晶片的邊緣的多個(gè)部分落在成像裝 置的景深(depth-of-field)之外，很難迅速并可靠地檢查晶片邊緣， 這是因?yàn)樵诰吧頓之外的那些部分將對焦不準(zhǔn)，并且可能發(fā)現(xiàn)假性缺陷 或者錯(cuò)過真實(shí)缺陷。
因此，需要一種光學(xué)晶片檢查系統(tǒng)，其能以高分辨率迅速并可靠地 獲得關(guān)于半導(dǎo)體晶片的邊緣、特別是關(guān)于晶片邊緣的斜面表面的檢查數(shù) 據(jù)。

發(fā)明內(nèi)容
此處公開了 一種用于捕獲晶片邊緣的成斜面的表面(beveled surface)的圖像的成像傳感器。該成像傳感器與晶片的成斜面的邊緣 基本對準(zhǔn)以使得在該成像傳感器的視野深度范圍內(nèi)的斜面面積最大化。


圖la和lb是示出成像傳感器的視場如何不能包含晶片斜面的整個(gè)表面的示意圖2是晶片斜面區(qū)域的示意截面圖3是具有兩個(gè)成像傳感器的晶片斜面檢查系統(tǒng)的實(shí)施例的示意前視圖4是具有晶片斜面成像傳感器和邊緣垂直成像傳感器的檢查系統(tǒng)的實(shí)施例的示意俯視圖5是將邊緣斜面成像傳感器相對于晶片邊緣成 一傾角設(shè)置的實(shí)施例的示意俯一見圖6是將邊緣斜面成像傳感器相對于晶片邊緣成一傾角設(shè)置并且還包括邊緣垂直成像傳感器的實(shí)施例的示意俯視圖7是其中成像傳感器相對于晶片具有兩個(gè)截然不同的位置的實(shí)施例的示意俯視圖8是其中轉(zhuǎn)動成像傳感器以捕獲基本上整個(gè)晶片斜面區(qū)域的圖像的實(shí)施例的示意前視圖。
具體實(shí)施例方式
下面，對本發(fā)明的詳盡描述參考作為其一部分的附圖，在附圖中為了說明示出可以實(shí)施本發(fā)明的具體實(shí)施例。在附圖中相同的附圖標(biāo)記在所有視圖中表示基本相似的組件。這些實(shí)施例描述地足夠詳盡，以使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明。在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下可以使用其它實(shí)施例，并且可以做出結(jié)構(gòu)的、邏輯的和電氣的改變。因此下列的詳細(xì)描述并不意味著限制，本發(fā)明的范圍僅由所附的權(quán)利要求書和其等價(jià)物來限定。
如圖3所示，晶片W支撐在晶片支架24和轉(zhuǎn)動臺20上，該轉(zhuǎn)動臺20相對于一個(gè)或多個(gè)檢查傳感器IO轉(zhuǎn)動晶片W,特別是晶片W的斜面B。通過將轉(zhuǎn)動臺20安裝到或者以其他方式將晶片支架24耦合到如國3所示的垂直調(diào)整機(jī)構(gòu)22,轉(zhuǎn)動臺20本身可以適于沿著垂直軸(優(yōu)選的是轉(zhuǎn)動臺20的轉(zhuǎn)動軸21)移動。注意，雖然圖3示出了兩個(gè)檢查傳感器10,但是應(yīng)當(dāng)理解的是可以使用一個(gè)、三個(gè)或者任意合適數(shù)目的檢查傳感器10。從圖3可以看出，安裝檢查傳感器IO(成像裝置)從而使得檢查傳感器10的光軸12盡可能地接近垂直于半導(dǎo)體晶片W的邊緣斜面B。如果斜面B是平坦的或接近于平坦的，那么確定晶片斜面的角度并定位檢查傳感器10以便與之垂直是相對簡單的。晶片W可能具有其斜面B為許多不同形狀的邊緣，包括但不限于斜切的(chamfered)(如圖所示)、圓的、外圓角橢圓的(bull nose elliptical )、甚至是方形的。注意，由于晶片W制造過程中的變化，晶片邊緣可以在形狀上有所變化或可以通過設(shè)計(jì)而發(fā)生變化。在晶片W的斜面B是曲線的(curvilinear)實(shí)施例中，檢查傳感器IO的光軸12將被放置為近似垂直于大致為晶片斜面B的曲線形狀的主軸的線。在這種情況下或者晶片斜面B基本是直線(rectilinear)(斜切的)的情況下，定位檢查傳感器10以便使得落入檢查傳感器10的視野深度或景深D內(nèi)的晶片斜面B的表面面積或其它選定邊緣區(qū)域最大化。
檢查傳感器10至少包括用于捕獲晶片W的光學(xué)圖像的光學(xué)傳感器11和可以包括一個(gè)或多個(gè)物鏡15或其它光學(xué)元件(未示出)的光學(xué)系統(tǒng)14。合適的檢查傳感器10的例子在2004年7月14日提交的題為EdgeNormal Process的美國專利申請?zhí)? 0/890692中示出，該專利申請;坡共同受讓并在此引入以供參考。
光學(xué)傳感器11可以是區(qū)域掃描型(area scan type)的，例如CCD或CMOS型光學(xué)傳感器，或者可以是行掃描型的，例如行掃描傳感器或TDI傳感器。注意，在一些實(shí)施例中，檢查傳感器IO可以包括被物理或電子"掩蔽，，以用作行掃描型光學(xué)傳感器的區(qū)域掃描光學(xué)傳感器11。對區(qū)域掃描光學(xué)傳感器15的掩蔽包括將傳感器的輸出限制到傳感器的一行或者僅幾行，從而使得區(qū)域掃描光學(xué)傳感器的輸出是來自基本為 一行像素的數(shù)據(jù)。
檢查傳感器10的光學(xué)系統(tǒng)14適于向光學(xué)傳感器11提供可用圖像。典型地，該光學(xué)系統(tǒng)將包括標(biāo)準(zhǔn)顯微鏡型物鏡14,并且在一些實(shí)施例中將包括多個(gè)具有各種放大等級的這種物鏡14,例如，僅舉例說明，lx、2x、 5 x、和10x物4竟。在一些實(shí)施例中，光學(xué)系統(tǒng)14可以包括特別適用于與行掃描或TDI光學(xué)傳感器11 一起使用的物鏡15。在一個(gè)實(shí)施例中，光學(xué)系統(tǒng)14包括打算與行掃描或TDI光學(xué)傳感器11 一起使用的一個(gè)或多個(gè)圓柱形光學(xué)元件15。在提供多個(gè)物鏡或者光學(xué)元件15的情況下，可以手動地改變或切換這些光學(xué)元件，但是優(yōu)選地將這樣的光學(xué)元件安裝在轉(zhuǎn)盤或滑動裝置(未示出)上以允許自動修改檢查傳感器10的放大倍數(shù)。
8通過給物鏡15提供本領(lǐng)域所熟知類型的整體聚焦機(jī)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)光學(xué)系統(tǒng)14的聚焦和/或通過將整個(gè)檢查傳感器10安裝在線性致動器16上以使檢查傳感器10通常朝向和遠(yuǎn)離晶片W的斜面B移動，從而在檢查傳感器10的景深內(nèi)的斜面B的選定區(qū)域或選定區(qū)(area)保持不變，可以提供光學(xué)系統(tǒng)14的聚焦。任選地，檢查傳感器10也可以被耦合到轉(zhuǎn)動致動器(圖中以箭頭19示出)。該致動器19可以用來將檢查傳感器10的光學(xué)系統(tǒng)14和斜面B的選定區(qū)域?qū)?zhǔn)。
圖3示意性地示出耦合到可移動底座21的兩個(gè)檢查傳感器10?？梢苿拥鬃?1被耦合到檢查系統(tǒng)的底盤(未示出)并向檢查傳感器10提供支撐。底座21可以配備有線性或轉(zhuǎn)動致動器(以箭頭23示意性示出)，所述致動器適于將檢查傳感器IO相對于晶片支架24移動，該支架24在轉(zhuǎn)動時(shí)通常處于固定位置。這樣，可移動底座21能夠?qū)z查傳感器10基本上一直保持在相對于晶片斜面B的適當(dāng)位置。當(dāng)晶片W已經(jīng)被偏離中心地安裝在晶片支架24上時(shí)，這是有用的。另外，可以通過線性致動器16動態(tài)定位檢查傳感器10以保持檢查傳感器10處于所希望的位置，在該位置處可以垂直地移位晶片斜面B。圖4示出包括斜面位置傳感器17的一個(gè)這樣的實(shí)施例，斜面位置傳感器17實(shí)時(shí)獲得關(guān)于斜面B在垂直方向和/或徑向的位置的位置信息。在一些實(shí)施例中，省略該傳感器17,并且通過先前的檢查獲得關(guān)于斜面B在垂直方向和/或徑向的位置的數(shù)據(jù)，所述先前的檢查例如晶片W的上表面的2D/3D檢查?？蛇x地，該晶片支架24可以是真空吸盤，該吸盤將晶片W吸得與其基本平坦的表面接觸，從而使晶片W變平到使得不必考慮調(diào)整檢查傳感器10在大致垂直的方向上的位置就可以進(jìn)行對斜面B的才全查，即可以省略線性致動器16。
可移動底座21在圖3中被示出為單一部件。然而，在其它實(shí)施例，底座21可以包括分別支撐相應(yīng)檢查傳感器10的相應(yīng)底座21a和21b。在一些實(shí)施例中，底座21支撐多個(gè)檢查傳感器10，該多個(gè)檢查傳感器10定位成以;溪塊的方式檢查斜面B的特定區(qū)域，例如每個(gè)都專用于檢查斜面B的特定區(qū)域的傳感器IO被安裝在相應(yīng)的單個(gè)可移動底座21上。底座21的其它變型涉及包括適于移動一個(gè)或多個(gè)檢查傳感器IO通過如圖8所示的弧(簡單或復(fù)雜)的轉(zhuǎn)動促動器。在圖8中，右方所示的檢查傳感器10通過底座21移動或轉(zhuǎn)動(以弧23示意性地表示)以便將其光學(xué)系統(tǒng)14和光學(xué)傳感器11定址(address)到斜面B的基本上所有的分離區(qū)域。使用安裝在底座21上的該布置的傳感器來檢查斜面B會涉及轉(zhuǎn)動晶片W經(jīng)過檢查傳感器10同時(shí)操作檢查傳感器10以捕獲晶片W的圖像。假設(shè)該光學(xué)系統(tǒng)14的視場足夠大，底座21可以將該檢查傳感器10從其最上端位置以連續(xù)的方式移動到其較低的位置。重疊的圖像可以用于校準(zhǔn)或拼接目的或者可以被剪切掉?？蛇x地，檢查傳感器10可以在 一組位置間分段移動，選擇每個(gè)位置使得檢查傳感器定址晶片斜面B的選定區(qū)域。對于檢查傳感器10的每個(gè)位置，晶片W均轉(zhuǎn)動360° 。再次，重疊的圖像可以用于校準(zhǔn)或拼接的目的或者可以被剪切掉。認(rèn)識到將單個(gè)檢查傳感器10沿著描述晶體邊緣的基本上180°的路徑進(jìn)行移動的復(fù)雜性，利用兩個(gè)檢查傳感器10來全面檢查晶片邊緣可能更簡單。如圖8所示，左下側(cè)的檢查傳感器10通過由弧27表示的底座繞著晶片邊緣轉(zhuǎn)動或移動。注意，左下側(cè)的檢查傳感器IO在基本被定址到晶片邊緣的邊緣底部EB區(qū)域的位置和基本被定址到晶片邊緣的邊緣垂直EN區(qū)域的位置之間移動。第二檢查傳感器(未示出)可以用來定址晶片邊緣的上部。如圖3-6所示也可以使用額外的靜止檢查傳感器。圖4示出耦合到可移動底座21的檢查傳感器10。該可移動底座21可以包括以上所描述的線性平臺和/或轉(zhuǎn)動平臺，或者可以是相對固定的裝置?？梢园ㄑa(bǔ)充的檢查傳感器10，以檢查晶片邊緣的選定區(qū)域。例如，檢查傳感器10，可以適于當(dāng)檢查傳感器10主要(primarily)指向晶片邊緣的上斜面區(qū)域TE和下斜面區(qū)域BE時(shí)捕獲該晶片斜面的邊緣垂直EN區(qū)域的圖像。圖4也示意性示出了明場和暗場照明源BI、 DI。依照定義，明場照明是從所觀察的表面反射的，并且在本例中通過光學(xué)系統(tǒng)14并反射到光學(xué)傳感器11上。只有當(dāng)晶片W上的照明部件將光反射進(jìn)入光學(xué)系統(tǒng)14中并到光學(xué)傳感器11上時(shí)，暗場照明才入射到由檢查傳感器10所觀察的晶片W的表面和那些部件上。照明源BI和DI可以是寬帶的白色光源或者可以是單色或激光源。相似地，光學(xué)傳感器11可以是灰度傳感器或者可以被設(shè)置用于彩色成像，即是拜耳照相機(jī)，具有三芯片配置或者另一種合適的彩色成像裝置。該照射源BI和DI可以相對于檢查傳感器10以任何有用的方式布置，并且可以包括附加光學(xué)元件以引導(dǎo)和調(diào)節(jié)導(dǎo)向至晶片W的光，該附加光學(xué)元件包括但不限于鏡
10子、濾光器、漫射器(diffuser )等(未示出)。注意，為了清楚起見在多個(gè)圖中已經(jīng)省略了照明源。
從圖4可以看出，檢查傳感器10安裝在徑向準(zhǔn)直的方位。如圖5和圖6所示，檢查傳感器10可以分別相對于晶片邊緣傾斜設(shè)置或者以傾斜和徑向?qū)?zhǔn)的組合設(shè)置。
圖7示意性地示出可移動底座21適于將若干檢查傳感器IO在檢查位置(最左邊的位置)和靜止位置(最右邊的位置)之間移動的實(shí)施例。這個(gè)功能允許檢查傳感器IO在以下應(yīng)用中使用空間有限或自動需求要求在傳送晶片期間將檢查傳感器IO移開。在檢查傳感器IO被封裝用于直接安裝在晶片處理器內(nèi)的應(yīng)用(也許替代晶片預(yù)對準(zhǔn)機(jī)構(gòu)或作為晶片預(yù)對準(zhǔn)裝置的補(bǔ)充)中，這尤其有用。另外，該實(shí)施例在當(dāng)晶片W被定址到晶片支撐24上時(shí)造成待檢查晶片受到任意形狀變化的情況下是有用的。例如，研磨過的或者非常薄的晶片具有獨(dú)特的翹曲或彎曲趨勢。在大多數(shù)情況中這種翹曲通過在其中合并真空通道的晶片支架24被抑制。但是，在將晶片定址到晶片支架24的過程中，翹曲的晶片W邊緣可能接觸或者碰撞到檢查傳感器10。根據(jù)具體情況，可移動支架21可以沿著線性路徑(如所示)或者沿著垂直或水平方向上的曲線或復(fù)雜路徑移動檢查傳感器10。
在使用中，一個(gè)或多個(gè)檢查傳感器IO聚焦在晶片斜面B的一個(gè)(或多個(gè))選定區(qū)域上。然后轉(zhuǎn)動晶片通過一個(gè)(或多個(gè))檢查傳感器10,且獲得序列圖像(在區(qū)域掃描光學(xué)傳感器11的情況中)或連續(xù)圖像(在行掃描光學(xué)傳感器11的情況中)。該一個(gè)(或多個(gè))檢查傳感器10以下列方式聚焦和/或移動，即保證在檢查期間被檢查的晶片斜面的選定區(qū)域基本保持在光學(xué)傳感器10的光學(xué)系統(tǒng)14的景深內(nèi)。當(dāng)所選數(shù)量的檢查傳感器10不足以捕獲基本上整個(gè)晶片邊緣的信息或圖像時(shí)，可以在檢查期間以連續(xù)或分段的方式移動一個(gè)或多個(gè)檢查傳感器10以便使所有的該一個(gè)或多個(gè)檢查傳感器10捕獲一組選定區(qū)域的信息或圖像。在一個(gè)實(shí)施例中， 一旦執(zhí)行了在選定的光學(xué)系統(tǒng)放大等級的檢查，并且識別出 一組感興趣的缺陷，則選擇該光學(xué)系統(tǒng)的合適的第二放大等級(一般為更高的放大等級)，并且捕獲感興趣缺陷的圖像。在任何選定的放大等級下的關(guān)于感興趣缺陷的數(shù)據(jù)均被輸出到控制裝置，例如計(jì)算機(jī),用于諸如空間模式識別、自動缺陷分類的處理和/或在控制和/或表征晶片制造工藝中使用。
雖然已經(jīng)在此處說明和描述了本發(fā)明的特定實(shí)施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解為了達(dá)到同樣的目的而考慮的任何布置均可以代替所示的特定實(shí)施例。本發(fā)明的許多改進(jìn)對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說是顯而易見的。因此，這種應(yīng)用意圖包括本發(fā)明的任何改進(jìn)或者變化。顯然希望這個(gè)發(fā)明僅被下列權(quán)利要求書和其等價(jià)物限制。
權(quán)利要求
1. 一種邊緣檢查成像系統(tǒng)，包括可移動底座，其耦合到該邊緣檢查系統(tǒng)的底盤，該可移動底座與晶片邊緣相鄰并相對該邊緣可移動；和至少一個(gè)成像傳感器，該成像傳感器包括光學(xué)系統(tǒng)，該光學(xué)系統(tǒng)包括用于捕獲光學(xué)圖像的光學(xué)傳感器，該成像傳感器耦合到該可移動底座以便相對于該晶片邊緣可移動，該成像傳感器相對于該晶片邊緣定位從而將該晶片邊緣的選定邊緣區(qū)域保持在該光學(xué)系統(tǒng)的景深內(nèi)，從而使得由該光學(xué)傳感器所捕獲的該選定邊緣區(qū)域的圖像基本對焦。
2. 權(quán)利要求1所述的邊緣檢查成像系統(tǒng)，其中可移動底座相對于該 晶片邊緣定位使得該成像傳感器的光軸與該晶片邊緣的該選定邊緣區(qū) 域基本垂直，并且該選定邊緣區(qū)域基本全部在該成像傳感器的景深內(nèi)。
3. 權(quán)利要求1所述的邊緣檢查成像系統(tǒng)，進(jìn)一步包括多個(gè)成像傳 感器，所述多個(gè)成像傳感器設(shè)置為捕獲該晶片的基本上全部邊緣的圖 像。
4. 權(quán)利要求3所述的邊緣檢查成像系統(tǒng)，包括定位成捕獲該晶片 邊緣的邊緣頂部區(qū)域的圖像的成像傳感器，定位成捕獲該晶片邊緣的頂 部邊緣斜面區(qū)域的圖像的成像傳感器，定位成捕獲該晶片邊緣的邊緣垂 直區(qū)域的圖像的成像傳感器，定位成捕獲該晶片邊緣的底部邊緣斜面區(qū) 域的圖像的成像傳感器，以及定位成捕獲該晶片邊緣的邊緣底部區(qū)域的 圖像的成像傳感器。
5. 權(quán)利要求3所述的邊緣檢查成像系統(tǒng)，包括一對成像傳感器， 其中 一個(gè)大致安裝在該晶片邊緣上方，另 一個(gè)則大致安裝在該晶片邊緣 下方，該對成像傳感器中的每 一 個(gè)耦合到適于相對晶片邊緣轉(zhuǎn)動的可移 動底座，該可移動底座如此轉(zhuǎn)動使得在該成像傳感器的視場內(nèi)的邊緣部 分基本保持在相應(yīng)成像傳感器的景深內(nèi)。
6. 權(quán)利要求5所述的邊緣檢查成像系統(tǒng)，其中該相應(yīng)可移動底座 沿著復(fù)雜路徑轉(zhuǎn)動其相應(yīng)的成像傳感器，該復(fù)雜路徑的形狀至少部分與 該晶片邊緣的幾何形狀相關(guān)。
7. 權(quán)利要求5所述的邊緣檢查成像系統(tǒng)，其中該對成像傳感器的 上部成像傳感器被定址到該晶片邊緣的頂部邊緣區(qū)域、頂部斜面區(qū)域和 至少一部分邊緣垂直區(qū)域。
8. 權(quán)利要求5所述的邊緣檢查成像系統(tǒng)，其中該對成像傳感器的 下部成像傳感器被定址到該晶片邊緣的底部斜面區(qū)域、邊緣垂直區(qū)域和 底部邊緣區(qū)域的至少多個(gè)部分。
9. 權(quán)利要求1所述的邊緣檢查成像系統(tǒng)，其中該成像傳感器耦合 到適于相對晶片邊緣轉(zhuǎn)動的可移動底座，該可移動底座如此轉(zhuǎn)動使得在 該成像傳感器的視場內(nèi)的邊緣部分基本保持在該相應(yīng)成像傳感器的景 深內(nèi)。
10. 權(quán)利要求9所述的邊緣檢查成像系統(tǒng)，其中該成像傳感器被定 址到該晶片邊緣的底部斜面區(qū)域、邊緣垂直區(qū)域、頂部斜面區(qū)域、頂部 邊緣區(qū)域和底部邊緣區(qū)域的至少多個(gè)部分。
11. 權(quán)利要求1所述的邊緣檢查成像系統(tǒng)，其中該成像系統(tǒng)的光學(xué) 傳感器從由行掃描光學(xué)傳感器和區(qū)域掃描光學(xué)傳感器組成的組中選擇。
12. 權(quán)利要求1所述的邊緣檢查成像系統(tǒng)，其中該光學(xué)系統(tǒng)包括多 個(gè)具有不同放大等級的物鏡。
13. 權(quán)利要求1所述的逸緣檢查成像系統(tǒng)，其中該可移動底座包括 具有轉(zhuǎn)動軸的轉(zhuǎn)動臺，該轉(zhuǎn)動軸不平行于該成像傳感器的光軸，該成像 傳感器通過該轉(zhuǎn)動臺轉(zhuǎn)動，用于相對于該晶片邊緣傾斜該成像傳感器的 景深。
14. 權(quán)利要求13所述的邊緣檢查成像系統(tǒng)，其中該轉(zhuǎn)動臺的轉(zhuǎn)動 軸偏離該晶片轉(zhuǎn)動軸大約l。 -45° 。
15. 權(quán)利要求1所述的邊緣檢查成像系統(tǒng)，其中該可移動底座包括 第 一線性平臺，其定位成允許該成像傳感器大致沿著該成像傳感器的光 軸朝向和遠(yuǎn)離該晶片邊緣移動。
16. 權(quán)利要求15所述的邊緣檢查成像系統(tǒng)，其中該可移動底座包 括獨(dú)立于第一線性平臺的第二線性平臺，其定位成允許該成像傳感器大 致朝向和遠(yuǎn)離該晶片邊緣移動。
17. 權(quán)利要求1所述的邊緣檢查成像系統(tǒng)，其中該可移動底座包括 線性平臺，其定位成允許該成像傳感器大致朝向和遠(yuǎn)離該晶片邊緣移動。
18. 權(quán)利要求1所述的邊緣檢查成像系統(tǒng)，進(jìn)一步包括定位裝置， 其與該晶片邊緣相鄰地定位以確定該晶片邊緣的位置，該晶片邊緣的位 置由該定位裝置報(bào)告給該邊緣檢查系統(tǒng)的控制器。
19. 權(quán)利要求18所述的邊緣檢查成像系統(tǒng)，其中該可移動底座包 括線性平臺，其定位成允許該成像傳感器大致朝向和遠(yuǎn)離該晶片邊緣移 動，該可移動底座的該線性平臺適于移動該成像傳感器以便將該成像傳 感器保持在一位置，使得該晶片邊緣的選定邊緣區(qū)域基本保持在該成像 系統(tǒng)的景深內(nèi)。
20. —種檢查晶片邊緣的方法，包括提供用于捕獲光學(xué)圖像的成像傳感器，該成像傳感器耦合到可移動 底座；控制該可移動底座移動該成像傳感器以便使晶片邊緣的選定區(qū)域 保持在該成像傳感器的景深內(nèi)；捕獲該晶片邊緣的基本整個(gè)選定區(qū)域的圖像；和 檢查所捕獲的圖像以識別晶片邊緣的該選定區(qū)域上的缺陷。
21. 如權(quán)利要求20所述的檢查晶片邊緣的方法，其中該晶片邊緣的 該選定區(qū)域從由邊緣頂部區(qū)域、頂部斜面區(qū)域、邊緣垂直區(qū)域、底部斜 面區(qū)域和邊緣底部區(qū)域組成的組中選擇。
22. 如權(quán)利要求21所述的檢查晶片邊緣的方法，其中該晶片邊緣 的該選定區(qū)域包括由邊緣頂部區(qū)域、頂部斜面區(qū)域、邊緣垂直區(qū)域、底 部斜面區(qū)域和邊緣底部區(qū)域組成的組中的至少兩個(gè)的至少多個(gè)部分。
23. 如權(quán)利要求20所述的檢查晶片邊緣的方法，其中該晶片邊緣 的該選定區(qū)域包括由邊緣頂部區(qū)域、頂部斜面區(qū)域、邊緣垂直區(qū)域、底 部斜面區(qū)域和邊緣底部區(qū)域組成的組中的所有區(qū)域的至少多個(gè)部分。
24. 如權(quán)利要求20所述的檢查晶片邊緣的方法，進(jìn)一步包括同時(shí) 使用至少兩個(gè)成像傳感器來捕獲晶片的至少兩個(gè)邊緣區(qū)域的圖像。
25. 如權(quán)利要求20所述的檢查晶片邊緣的方法，進(jìn)一步包括移動 該成像傳感器以捕獲該晶片邊緣的多個(gè)區(qū)域的圖像。
26. 如權(quán)利要求20所述的檢查晶片邊緣的方法，其中可移動底座 具有至少兩個(gè)自由度用于移動該成像傳感器。
27. 如權(quán)利要求20所述的檢查晶片邊緣的方法，包括以第一放大 等級捕獲該晶片邊緣的該選定區(qū)域的第 一組圖像和以第二放大等級捕 獲該晶片邊緣的該選定區(qū)域的第二組圖像。
28. 如權(quán)利要求27所述的檢查晶片邊緣的方法，其中由該成像傳 感器捕獲的該第二組圖像包括存在于第一組圖像中的缺陷。
29.如權(quán)利要求28所述的檢查晶片邊緣的方法，其中第二放大等級大于第一放大等級。
全文摘要
此處公開了一種用于捕獲晶片邊緣成斜面表面的圖像的成像傳感器。該成像傳感器與晶片邊緣對準(zhǔn)以使得在成像傳感器的視野深度范圍內(nèi)的斜面區(qū)域最大化。可以使用一個(gè)或多個(gè)傳感器以捕獲晶片邊緣的圖像。
文檔編號G01N21/00GK101467023SQ200780020601
公開日2009年6月24日 申請日期2007年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月3日
發(fā)明者C·沃金斯 申請人:魯?shù)婪蚩萍脊?br>