專利名稱：：用于質(zhì)譜分析的基底,質(zhì)譜分析法和質(zhì)譜分析儀的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及用于質(zhì)鐠分析的基底，質(zhì)譜分析法和質(zhì)譜分析儀。具體地說，本發(fā)明涉及用于質(zhì)傳分析的樣品支撐基底，使用所述用于質(zhì)鐠分析的基底的質(zhì)傳分析法以及一種質(zhì)鐠分析儀，所述用于質(zhì)鐠分析的樣品支撐基底能夠使用于質(zhì)i普分析的高分子量分析物分子經(jīng)歷解吸/電離，并且即使在低分子量范圍中也能夠以高精度容易地執(zhí)行質(zhì)譜分析，并且較少地生成源于分解物質(zhì)等的復(fù)雜峰(peak)。
背景技術(shù)：
：質(zhì)鐠分析儀通過某一方法電離分析物分子，將電場或磁場施加到經(jīng)電離的分子，以根據(jù)質(zhì)/荷比(mass/charge-numberm/z)來分離分析物分子，并且其后，從以電方式檢測到的質(zhì)譜執(zhí)行分析物的定性分析和定量分析。在此情況下，作為電離方法，存在各種方法，例如電噴霧電離(ESI)、電轟擊電離(EI)、化學電離(CI)、快原子轟擊(FAB)、場解吸(FD)、激光解吸電離(LDI)、以及基質(zhì)(matrix)輔助激光解吸電離(MALDI)。例如，在激光電離質(zhì)譜分析儀中，通過脈沖激光照射對樣品進行電離，并且將離子引導(dǎo)至飛行時間(time-of-flight)分析部分等，由此可以測量質(zhì)鐠等。傳統(tǒng)地，根據(jù)LDI方法，在激光電離質(zhì)鐠分析儀中，首先制備其中分析物化合物被溶解在水中或有機溶劑中的樣品溶液。樣品溶液被涂布于金屬支撐器的平滑表面，接下來被干燥，以將樣品形成為薄膜。當用激光照射樣品薄膜時，激光被金屬樣品支撐基底吸收，并且在受照射的部分處溫度快速增加，由此樣品被電離。然而，根據(jù)上述樣品產(chǎn)生方法，問題在于，分解反應(yīng)(下文中，其也可以被稱為裂解(fragmentation))與通過激光照射進行的分析物分子的解吸/電離同時發(fā)生，可能不能以足夠的強度獲得分析物分子的質(zhì)語，并且還檢測到分解物質(zhì)的峰，這使得質(zhì)鐠復(fù)雜，結(jié)果，質(zhì)語的分析變得困難。為了解決上述問題，根據(jù)如下MALDI方法使用包含具有高粘度和低蒸氣壓力的液體(例如甘油)與金屬細粒(日本專利申請?zhí)亻_第S62-043562號)或固態(tài)有機分子(例如2，5-二羥基苯甲酸(dihydroxybenzoicacid，DHB)、芥子酸(sinapinicacid)和a-氰基畫羥基-肉桂酸(a-cyano國hydroxy畫chmamicacid，CHCA))(曰本專利申請?zhí)亻_第H10-182704號和日本專利申請?zhí)亻_第2005-326391號)的混合物作為基質(zhì)，通過吸收照射激光的能量來解吸/電離基質(zhì)，并且緩和照射激光對包含在基質(zhì)中的分析物分子的影響，由此抑制分析物分子的裂解，并且可以以高靈敏度來執(zhí)行檢測。由于MALDI方法的進步，甚至可以測量尚未通過傳統(tǒng)質(zhì)譜分析來處理的具有高分子量的少量分析物化合物。因此，MALDI方法已經(jīng)變得廣泛用在生物材料和合成聚合物的分析中。然而，根據(jù)MALDI方法，雖然可以大量抑制分析物分子的分解物質(zhì)，但檢測到當基質(zhì)自身吸收激光時發(fā)生的源于復(fù)雜反應(yīng)的很多峰，并且在很多情況下在低分子量范圍中的語分析仍然困難。具體地說，在近來的蛋白混合物(proteomix)和代謝混合物(metabolomix)領(lǐng)域中，共同分析包含在血液、體液等中的化合物以及單分子物類(molecularspecies)的必要性正在增加。在共同分析的情況下，對具有大約幾百質(zhì)量數(shù)的相對低分子量的化合物(例如基底和代謝物)的分析提供重要信息。然而，根據(jù)傳統(tǒng)MALDI方法，出現(xiàn)以下問題由于源于基質(zhì)的復(fù)雜峰而導(dǎo)致不能以高精度執(zhí)行低分子量范圍中的分析。進一步地，在合成聚合物材料的領(lǐng)域中，具有大約幾百分子量的添加物，例如抗氧化劑、UV吸收劑以及可塑劑，通常被包含在聚合物材料的成型產(chǎn)品中，并且還必須一次分析聚合物材料和低分子量化合物。因此，與在生物化學中的共同分析中一樣，MALDI方法中的源于基質(zhì)的復(fù)雜峰同樣是障礙。進一步地，在通過MALDI方法分析高分子量化合物的情況下，通過改變諸如照射激光強度的測量條件，例如，在某些情況下可以主動地執(zhí)行分析物化合物的裂解。通過分析在此生成的裂解離子，除了僅分析分子量之外，還可以獲得關(guān)于分析物化合物的分子結(jié)構(gòu)的信息，例如取代基和側(cè)鏈結(jié)構(gòu)。然而，在存在源于基質(zhì)的多個復(fù)雜峰的情況下，也是在分析來自分析物化合物的裂解離子中，復(fù)雜峰變?yōu)橐幌盗姓系K。作為能夠同時執(zhí)行低分子量范圍的質(zhì)i普分析的技術(shù)，提議了一種方法(SALDI:表面輔助激光解吸/電離)(美國專利第6,288,390號)，其允許分析物分子直接附著到在樣品支撐基底的表面上具有精細多孔結(jié)構(gòu)的樣品支撐基底(例如通過電解蝕刻所形成的多孔硅基底)，并且用激光來照射分析物分子，由此執(zhí)行分析物分子的解吸/電離，而不允許出現(xiàn)源于基質(zhì)的復(fù)雜峰。由于這種方法，可以在激光照射期間既執(zhí)行高效解吸/電離，又執(zhí)行對分解物質(zhì)的生成的抑制。然而，分析物化合物的分子量的上限是大約幾千，而具有大于幾千的分子量的化合物的解吸/電離被認為是困難的。因此，在通過用激光照射進行解吸/電離的質(zhì)譜分析中，難以一次共同檢測低分子量范圍至高分子量范圍，并且不能執(zhí)行寬分子量范圍中的分析。
發(fā)明內(nèi)容已經(jīng)考慮到上述
背景技術(shù)：
而實現(xiàn)了本發(fā)明，并且目的在于提供用于質(zhì)鐠分析的基底，其中，在用激光照射進行解吸/電離的質(zhì)譜分析中以高靈敏度來執(zhí)行通過解吸/電離進行的高分子量化合物的檢測，并且其中可以盡可能地避免裂解，從而對低分子量范圍的分析基本上不存在障礙。本發(fā)明的另一目的在于提供使用所述用于質(zhì)譜分析的基底的質(zhì)鐠分析法和質(zhì)謙分析儀。用于解決上述問題的用于質(zhì)i脊分析的基底是一種在激光解吸/電離質(zhì)譜分析中使用的用于質(zhì)鐠分析的基底，所述用于質(zhì)語分析的基底包含金屬并且在其表面上具有多孔結(jié)構(gòu)，其中，羧基(carboxylgroup),磺酸基(sulfonicgroup)和氯化銨基(ammoniumchloridegroup)中的至少一個官能團被共價鍵合到所述基底的表面。用于解決上述問題的質(zhì)語分析法包括將樣品放置在所述用于質(zhì)譜分析的基底上；以及用激光照射所述基底。用于解決上述問題的質(zhì)i普分析儀被提供有所述用于質(zhì)謙分析的基底。根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種用于質(zhì)譜分析的基底，利用所迷用于質(zhì)譜分析的基底，在用激光照射進行解吸/電離的質(zhì)鐠分析中以高靈敏度執(zhí)行通過解吸/電離進行的高分子量化合物的檢測，并且可以盡可能地避免裂解，從而對低分子量范圍的分析基本上不存在障礙。進一步地，根據(jù)本發(fā)明，可以提供使用所述用于質(zhì)譜分析的基底的質(zhì)譜分析法以及質(zhì)譜分析儀。從下面參照附圖對示例性實施例的描述中，本發(fā)明的進一步的特征將變得顯而易見。圖1是示出本發(fā)明的用于質(zhì)譜分析的基底的一個實施例的示意圖。圖2是示出其中樣品液體被放置在本發(fā)明的表面上具有多孔結(jié)構(gòu)的用于質(zhì)譜分析的基底上的狀態(tài)的示意圖。圖3是示出其中樣品液體被放置在表面沒有多孔結(jié)構(gòu)的用于質(zhì)鐠分析的基底上的狀態(tài)的示意圖。圖4是示出樹枝狀結(jié)構(gòu)的多孔結(jié)構(gòu)的示意圖。具體實施方式下文中，將詳細描述本發(fā)明。本發(fā)明涉及一種作為在激光解吸型質(zhì)譜分析儀中使用的樣品目標基底的、在激光解吸/電離質(zhì)譜分析中使用的用于質(zhì)譜分析的基底，并且具有以下特征可以盡可能地避免裂解，以使得通過使用如下基底，其中羧基、磺酸基和氯化銨基中的至少一個官能團被共價鍵合到包含金屬并且具有多孔結(jié)構(gòu)的基底的表面，對于低分子量范圍的分析基本上沒有障礙。優(yōu)選的是，氧化物層形成在包含金屬并且具有多孔結(jié)構(gòu)的基底的表面上，并且所述氧化物層和羧基、磺酸基和氯化銨基中的至少一個彼此共價鍵合。本發(fā)明的質(zhì)鐠分析法包括將樣品放置在用于質(zhì)譜分析的基底上，并且用激光照射所述樣品；以及使用具有基質(zhì)輔助激光解吸/電離(MALDI)離子源的質(zhì)鐠分析儀來測量分析物材料的質(zhì)量數(shù)。當前，尚未完全明了MALDI方法中的解吸/電離和裂解的機制。在本發(fā)明說明書中，將基于當前大多數(shù)接受的機制的解釋來描述本發(fā)明。將描述通過MALDI方法進行的一般測量。在用于分析的樣品支撐基底上形成混合晶體，在所述混合晶體中，少量分析物分子被包含在固態(tài)有機分子中，所述混合晶體充當基質(zhì)分子，例如硝基蒽(9NA)4，2，5-二羥基苯甲酸(DHB)、芥子酸和a-氰基-羥基-肉桂酸(CHCA)。此時，優(yōu)選的是，分析物分子處于稀釋狀態(tài)，并且在分析物分子之間沒有相互作用。然后，用激光照射混合晶體，并且用電子激勵和/或用振動激勵已經(jīng)吸收了激光的基質(zhì)分子以進行氣化?；|(zhì)分子不僅在保持分子結(jié)構(gòu)的同時被氣化，而且其氣化還包括光和熱反應(yīng)，例如復(fù)雜分解和電離。在氣化基質(zhì)分子的同時，還同時氣化晶體中的分析物分子。如果分析物分子之間的相互作用小，則必要的是，分析物分子在彼此獨立的同時被氣化。因為激光的大部分能量被基質(zhì)分子所吸收，所以理想狀態(tài)是沒有產(chǎn)生分析物分子的裂解。進一步地，為了實際測量分析物分子的質(zhì)量，需要對分析物分子進行電離。作為電離工藝，已知的是從基質(zhì)分子進行質(zhì)子化作用(通過添加質(zhì)子來生成陽離子)以及去質(zhì)子化作用(通過抽走質(zhì)子來生成陰離子)；從諸如自由基陽離子(通過抽走電子來生成陽離子)、自由基陰離子(通過提供電子來生成陰離子)、以及金屬鹽之類的電離促進劑添加離子(添加金屬離子生成陽離子，添加鹵素離子生成陰離子)；以及類似工藝。因此，根據(jù)MALDI方法，所考慮的是，基質(zhì)分子與分析物分子的氣化(解吸)和電離工藝密切有關(guān)，并且允許高效地解吸并且電離分析物分子。具體地說，MALDI方法甚至可以處理作為分析物分子的具有幾萬或更大的分子量的化合物。對此的原因被認為是當氣化基質(zhì)分子時，基質(zhì)分子及其分解物質(zhì)充當分析物分子的載體。然而，作為載體的基質(zhì)分子及其分解物質(zhì)通常同時被電離，結(jié)果是這些化合物可能表現(xiàn)為質(zhì)鐠中的不想要的化合物。進一步地，分解基質(zhì)分子的反應(yīng)過程是復(fù)雜的，并且受諸如分析物分子、電離促進劑、用于制備樣品的溶劑、激光的強度和波長、分析物分子的極性以及離子的加速電壓之類的各種測量參數(shù)的影響。因此，出現(xiàn)在質(zhì)讒中的源于基質(zhì)分子的峰十分復(fù)雜，因此，基本上不可能標識所有峰。本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)認真進行了研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)如果選擇被分解為小于160(更優(yōu)選地小于50)的質(zhì)量數(shù)的化合物作為基質(zhì)，則甚至在質(zhì)譜的分析中，基質(zhì)也基本上不變成作為雜質(zhì)的障礙。在使用MALDI方法的生物化學材料中，可能出現(xiàn)在低分子量范圍中的化合物的示例包括必需氨基酸，其具有大約120至200的質(zhì)量數(shù)；單糖，其具有大約150至180的質(zhì)量數(shù)；構(gòu)成DNA的四種堿基，其具有大約110至150的質(zhì)量數(shù)；以及被添加到合成聚合物材料中的增塑劑和抗氧化劑，其具有200或更多的質(zhì)量數(shù)。本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)可以盡可能地避免裂解，以使得通過使用如下基底作為在激光解吸型質(zhì)譜分析儀中使用的用于質(zhì)譜分析的基底，在該基底中，羧基、磺酸基和氯化銨基中的至少一個官能團被共價鍵合到包含金屬并且在表面上具有多孔結(jié)構(gòu)的基底的表面，對于低分子量范圍的分析基本上不存在障礙。圖1是示出本發(fā)明的用于質(zhì)鐠分析的基底的一個實施例的示意圖。在圖1中，按以下方式來配置本發(fā)明的用于質(zhì)語分析的基底在包含金屬并且在表面上具有多孔結(jié)構(gòu)1的基底2的表面上形成氧化物層3，并且氧化物層3被共價鍵合到羧基(-COOH)、磺酸基(-S03H)以及氯化銨基(-NH3C1)中的至少一個官能團4。首先，描述包含金屬并且具有多孔結(jié)構(gòu)1的基底(金屬基底)。作為產(chǎn)生包含金屬并且具有多孔結(jié)構(gòu)1的基底的方法，可以使用例如日本專利申請?zhí)亻_第2006-049278號中所公開的方法。例如，為了在處理中方便，使用包含金屬的基底。下文中，包含金屬的基底將被稱為金屬基底。多孔結(jié)構(gòu)的厚度優(yōu)選的是30nm至l，OOOnm，并且更加優(yōu)選的是50nm至500nm。多孔結(jié)構(gòu)的關(guān)于厚度的機制是不確定的，但是在多孔結(jié)構(gòu)的厚度小于30nm的情況下，認為通過多孔結(jié)構(gòu)化來增加特定表面面積的比率是小的，并且基底效果減少，而反之，在多孔結(jié)構(gòu)的厚度大于l,OOOnm的情況下，分析物分子過多地滲透到多孔結(jié)構(gòu)的內(nèi)部，這使得難以通過激光照射來產(chǎn)生解吸。進一步地，可以通過觀測用于質(zhì)鐠分析的基底的截面來檢查多孔結(jié)構(gòu)。所述多孔結(jié)構(gòu)優(yōu)選的是20nm至200nm，并且更加優(yōu)選的是50nm至150nm。在多孔結(jié)構(gòu)的厚度方向上離開表面20%的點(例如，當具有多孔結(jié)構(gòu)的部分是200nm時，離開表面40nm的點)處繪制平行于基底的表面的直線(圖1的AA，線)，并且觀測從突出部分的金屬部分到空部分的長度。此時，在平行于基底表面的方向上突出部分的長度L在20nm至200nm范圍內(nèi)的比例為70%或更多的狀態(tài)表示的是本發(fā)明中的20nm至200nm的多孔結(jié)構(gòu)。進一步地，在通過上述方法觀測多孔結(jié)構(gòu)的情況下，關(guān)于突出部分的金屬部分和空白部分所占用的面積的比率，可以通過將突出部分所占用的面積的比率設(shè)置為整個表面面積的20%至90%，優(yōu)選的是30%至80%,更加優(yōu)選的是40%至60%，來以高靈敏度執(zhí)行質(zhì)語分析。在使用多孔結(jié)構(gòu)為20nm至200nm的用于質(zhì)譜分析的基底的情況下，當將樣品溶液放置在基底上時，可以防止樣品溶液由于多孔結(jié)構(gòu)而擴散以散開，由此可以防止每單位面積的樣品濃度的減小。圖2是示出其中樣品溶液被放置在本發(fā)明的表面上具有多孔結(jié)構(gòu)的用于質(zhì)鐠分析的基底上的狀態(tài)的示意圖。如圖2所示，當將樣品溶液5放置在用于質(zhì)鐠分析的基底上時，可以通過多孔結(jié)構(gòu)1防止樣品溶液的擴散。在本發(fā)明中，因為羧基、磺酸基和氯化銨基中的至少一個官能團被共價鍵合到基底的表面，所以表面能量減少，并且樣品溶液的液滴散開，結(jié)果，每單位面積的樣品濃度減小。然而，通過將表面設(shè)置為如上所述的多孔結(jié)構(gòu)，可以防止樣品溶液的擴散。圖3是示出其中樣品溶液被放置在表面上沒有多孔結(jié)構(gòu)的用于質(zhì)鐠分析的基底上的狀態(tài)的示意圖。如圖3所示，當在用于質(zhì)譜分析的基底中沒有多孔結(jié)構(gòu)時，由羥基、磺酸基或氯化銨基中的官能團所引起的表面能量減少，結(jié)果，樣品溶液5擴散，并且樣品的濃度減小。在其中從羥基、磺酸基和氯化銨基中選擇的至少一個官能團被共吸/電離質(zhì)語分析是有效的原因是未知的。其可以被考慮如下。由于特定表面面積的增加，測量分子按相對于基底表面彼此相距特定距離而吸附到基底表面，因此它們有可能被解吸。進一步地，經(jīng)由基底表面上的羧基、磺酸基或氯化銨基而將質(zhì)子和氯離子添加到測量分子，這樣增強了電離效率。在通過在基底表面上進行激光照射而不使用基質(zhì)來對測量分子進行解吸/電離的情況下，即使使用在例如上述日本專利申請?zhí)亻_2006-049278中所描述的多孔結(jié)構(gòu)，也認為當然可以增強解吸效率。然而，電離大部分取決于陽離子物類或陰離子物類的添加，尤其是在生物材料(例如蛋白質(zhì)和DNA)的情況下。在使用基質(zhì)的體系中，通過激光照射從基質(zhì)生成的離子物類被添加到測量分子中，可以高效地執(zhí)行電離。然而，在不使用基質(zhì)的情況下，雖然必需生成要被同時添加的很多離子物類以用于促進電離，但離子源必需依賴于測量分子的分解。這說明電離的促進對測量分子的解構(gòu)進行促進，并且因此，必須限制電離的促進以增強微分析的靈敏度。通過使用本發(fā)明的基底，可以同時促進測量分子的解吸/電離，而不產(chǎn)生測量分子的不必要的解構(gòu)。進一步地，在雜質(zhì)峰沒有對測量和分析產(chǎn)生障礙的這樣的范圍中，也可以將傳統(tǒng)地已知的基質(zhì)分子(例如9-NA、DHB和CHCA)混合在本發(fā)明的基質(zhì)中。本發(fā)明的用于金屬基底的材料必需具有某種程度的高導(dǎo)電性。在通過激光照射在基底表面上解吸/電離測量分子的情況下，在測量分子變?yōu)槔珀栯x子的時刻，具有相反電荷的測量分子應(yīng)該存在在被陽離子化的測量分子的附近。質(zhì)鐠分析儀的離子部分被提供有電場，陽離子物類通過被所述電場吸引而從基底表面被解吸。因此，為了解吸陽離子物類，必需將陽離子物類與在陽離子物類附近存在的相反電荷的離子物類相分離。然而，因為在它們之間靜電吸引的作用，所以存在可能發(fā)生電荷的重新組合的可能性。當發(fā)生電荷的重新組合時，此時抑制了測量分子的電離。因此，為了促進電離，必需將具有與電離的測量分子的極性相反的極性的電荷定位為遠離電離的測量分子。在此，因為具有相反極性的電荷保持在基底上，而不是被電場所解吸，所以必需利用基底的導(dǎo)電性僅耗散所述電荷，以耗散所述具有相反極性的電荷。因此，優(yōu)選的是，基底的材料具有高導(dǎo)電性，并且具體地說，使用金屬。進一步地，為了如本發(fā)明那樣，通過激光照射而不使用基質(zhì)來解吸/電離測量分子，必須的是，基底吸收激光能量以準備好解吸/電離測量分子。本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)認真進行了研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)對于尤其是增加解吸/電離的效率而言，僅具有導(dǎo)電性的金屬材料是不夠的，必需是特定的金屬。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，具體地說，在照射激光是具有大約300nm至400nm波長的UV-射線的情況下，與在該波長范圍中具有高反射性的鋁相比，具有不是很高的反射性的鉑、銀、銅、不銹鋼等是更加優(yōu)選的。在這些金屬中，因為金和銀通過UV射線照射而被解吸/電離為陽離子，所以它們影響測量鐠。因此，鉑基底、銅基底和不銹鋼基底是更加優(yōu)選的。進一步地，考慮到金屬的特性由于金屬表面的腐蝕和氧化而改變，鉑或不銹鋼是最優(yōu)選的。在本發(fā)明中，用于質(zhì)譜分析的基底被優(yōu)選地使用，其中，多孔結(jié)構(gòu)具有在基底中的孔，或者，多孔結(jié)構(gòu)由在基底的表面上具有突出部分的突出結(jié)構(gòu)形成。描述在金屬基底上形成其中表面多孔結(jié)構(gòu)是20nm到200nm的表面形狀的方法。多孔結(jié)構(gòu)的示例包括具有被稱為多孔基底的孔的精細納米結(jié)構(gòu)、具有桿狀突出的結(jié)構(gòu)、以及纖維形狀或樹枝狀的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明中，為了允許測量分子在使得其聚集最小化的同時附著到基底表面，并且在測量期間對于每一位置被高效地解吸，例如，如圖4中所示的示意圖中那樣，比突出形狀更復(fù)雜的具有樹枝狀結(jié)構(gòu)的多孔結(jié)構(gòu)11是優(yōu)選的。作為形成具有這樣的表面多孔結(jié)構(gòu)的金屬基底的方法，例如，有使金屬基底經(jīng)歷蝕刻的方法以及通過濺射將金屬成分淀積在表面上的方法。具體地說，在樹枝狀多孔結(jié)構(gòu)的情況下，優(yōu)選的是，如日本專利申請?zhí)亻_第2006-049278號中所示，分出的分支或碎片(chip)在截面方向上的長度是5nm至200nm。優(yōu)選的是，以樹枝狀結(jié)構(gòu)來形成多孔結(jié)構(gòu)，該樹枝狀結(jié)構(gòu)由鉑或包含鉑的多元金屬形成，所述鉑或包含鉑的多元金屬是通過使鉑氧化物或復(fù)合氧化物經(jīng)歷還原處理來獲得的。進一步地，優(yōu)選的是，除了鉑之外的金屬元素包括從以下金屬中選擇的至少一種金屬Al、Si、Ti、V、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Hf、Ta、W、Os、Ir、Au、La、Ce和亂接下來，將描述具有羧基、磺酸基或氯化銨基的表面的變型。因為且由于存在基底表面的精細結(jié)構(gòu)，測量分子可以均勻地附著到基底表面，并可以避免測量分子的聚集，所以可以增強測量分子的解吸效率。然而，由于在質(zhì)鐠分析儀中測量分子被檢測為其離子，因此還必需增強電離效率。在使用基質(zhì)的測量中，通過激光照射從基質(zhì)分子生成質(zhì)子，并且所述質(zhì)子附著到測量分子，以促進電離。另一方面，在不使用基質(zhì)的體系中的測量中，離子源是一個問題。生物分子(例如核酸和蛋白質(zhì))主要通過質(zhì)子的添加而電離。從詳細的分析中已經(jīng)明了，即使在不使用基質(zhì)的測量的情況下，測量分子也被質(zhì)子化。這被認為是添加了當一部分測量分子被解構(gòu)時所生成的質(zhì)子。因此，還可以將電離的促進認為是測量分子的解構(gòu)的促進，并且存在對微分析的靈敏度的增強的限制。本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)進行了認真的研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，可以通過使用基底來促進電離效率，在所述基底中，在表面上具有羧基、磺酸基或氯化銨基的化合物被共價鍵合到基底表面。僅僅通過將這種具有官能團的化合物涂布于基底表面，可以期望電離效率增強到某種程度。然而，因為通常在高真空下進行質(zhì)語分析的測量，所以僅僅涂布于基底表面的化合物可能蒸發(fā)，并且進一步地，可能在測量期間被解吸/電離。因此，可能與在使用基質(zhì)的情況下同樣地在傳上觀測到不必要的峰。作為允許具有羧基、磺酸基或氯化銨基的化合物被共價鍵合到基底表面的方法，存在一種方法，該方法用具有這些官能團的表面處理劑來處理基底表面；或者用其結(jié)構(gòu)為期望的官能團的前體的表面處理劑來處理基底表面，并且其后通過另一化學反應(yīng)將所述官能團改變?yōu)槠谕墓倌軋F。進一步地，在羧基的情況下，還有可能以具有烷基和氟化烷基的表面處理劑來處理基底的表面，其后以臭氧處理等來對基進行氧化，以生成羧基。進一步地，為了允許基底的表面具有氯化銨基,首先以具有氨基的化合物來處理表面，并且其后，以化學方式來處理氨基，以將其轉(zhuǎn)化為銨基。具有官能團的表面處理劑的示例包括硅烷偶聯(lián)劑，例如3-氰丙基三乙氧基珪烷(3-cyanopropyltriethoxysilane)、3-巰丙基三乙氧基珪烷(3-mercaptopropyltriethoxysilane)，(十七氟國l，l，2，2-四幾基癸基)三乙氧基硅烷，以及3-氨丙基三乙氧基硅烷(3-aminoproyltriethoxysilane)。在難以通過表面處理而直接允許金屬表面具有共價鍵合的情況下，還可以在金屬表面上提供特定氧化物涂覆膜。例如，在具有高絕緣性的化合物的情況下，期望氧化物涂覆膜的物理特性對在上述電離中的電荷的分離產(chǎn)生麻煩。因此，由諸如氧化鈦(Ti02)、氧化釕(Ru02)、氧化鎢(W03)或氧化鎳(Ni02)的材料形成的涂覆膜是優(yōu)選的?？梢酝ㄟ^傳統(tǒng)已知方法來形成這些氧化物層。例如，可以使用Ti(0-C3H7)4的溶膠-凝膠反應(yīng)來形成Ti02層，但本發(fā)明不限于該方法。接下來，本發(fā)明的質(zhì)譜分析包括將樣品放置在用于質(zhì)譜分析的基底上；以及用激光來照射所述樣品。優(yōu)選的是，當在本發(fā)明的質(zhì)鐠分析中將樣品放置在用于質(zhì)譜分析的基底上并且用激光來對其進行照射時，因為作為離子提供源的羧基、磺酸基或氯化銨基的官能團被激勵，以既促進測量分子的釋放又促進測量分子的電離。本發(fā)明的質(zhì)譜分析儀被提供有所述用于質(zhì)譜分析的基底。本發(fā)明的用于質(zhì)譜分析的基底使得用于質(zhì)譜分析的分析物分子能夠被高效地連續(xù)解吸/電離。根據(jù)使用用于質(zhì)譜分析的基底的本發(fā)明的解吸/電離方法，用于質(zhì)傳分析的分析物分子可以在相對緩和的條件下被連續(xù)地電離，并且可以容易地制備樣品。進一步地，可以實質(zhì)性地減少在質(zhì)譜分析期間源于電離輔助劑的噪聲，由此可以增強分析精度。因此，具有寬范圍分子量的材料可以容易地經(jīng)歷具有高精度的質(zhì)i普分析，并且具體地說，可以通過使用電離方法而容易地執(zhí)行低分子量化合物的部分結(jié)構(gòu)分析、摩爾分布、分子量分布等。示例下文中，將通過示例和比較性示例來描述本發(fā)明。應(yīng)注意，本發(fā)明不限于以下示例。(具有多孔結(jié)構(gòu)的基底材料示例1)通過反應(yīng)濺射在鏡面加工不銹鋼(SUS430，30mmx30mmxt0.6mm)上將具有樹枝狀結(jié)構(gòu)的鉑氧化物層形成為l，OOOnm的厚度。此時Pt的加載量是0.27mg/cm2。在以下條件下執(zhí)行反應(yīng)濺射總壓4Pa、氧流量比(Q02/(QAr+Q02))70%、基底溫度80°C以及應(yīng)用功率4.9W/cm2。然后，具有樹枝狀結(jié)構(gòu)的鉑氧化物被在2%H2/He氣氛(1atm)中在120°C還原30分鐘，由此獲得具有樹枝狀結(jié)構(gòu)的基底。然后，0.45克的鈦酸四異丙酯、20g的正丁醇(n-butanol)以及0.5g的乙酸被混合，并且被攪拌8小時。其后，通過旋涂(3500rpm,2分鐘)將混合物涂布于基底。使經(jīng)涂覆的基底處于25。C和80RH%的環(huán)境中10小時，并且其后，在450°C被燒結(jié)4小時。然后，使所得到的基底處于25。C和80RH。/o的環(huán)境中8小時。然后，將基底浸泡在被加熱至80°C的3-氰丙基三乙氧基硅烷(3-cyanopropyltriethoxysilane)中5小時，并且以乙醇來漂洗，接下來進行干燥。其后，以1N鹽酸來處理基底，以將氰基轉(zhuǎn)化為羥基。(具有多孔結(jié)構(gòu)的基底材料示例2)除了通過改變'減射時間而將鉑氧化物層的厚度設(shè)置為500nm之外，按與基底材料示例1中相同的方式來生產(chǎn)基底。(具有多孔結(jié)構(gòu)的基底材料示例3)除了通過改變賊射時間而將鉑氧化物層的厚度設(shè)置為250nm之外，按與基底材料示例1中相同的方式來生產(chǎn)基底。(具有多孔結(jié)構(gòu)的基底材料示例4)除了通過改變?yōu)R射時間而將鉑氧化物層的厚度設(shè)置為100nm之外，按與基底材料示例1中相同的方式來生產(chǎn)基底。(具有多孔結(jié)構(gòu)的基底材料示例5)通過將鏡面加工不銹鋼(SUS430，30mmx30mmxt0.6mm)浸泡在濃縮的鹽酸(37wt%)中5分鐘，并且其后，用蒸餾水充分清洗不銹鋼，來生產(chǎn)基底。然后，0.45克的鈦酸四異丙酯(東京化學工業(yè)有限公司)、20g的正丁醇以及0.5g的乙酸被混合，并且被攪拌8小時。其后，通過旋涂(3500rpm，2分鐘)而將混合物涂布于基底。使經(jīng)涂覆的基底處于25°C和80RH。/。的環(huán)境中10小時，并且其后，在450°C被燒結(jié)4小時。然后，使所得到的基底處于25。C和80RH。/o的環(huán)境中8小時。然后，將上述基底浸泡在被加熱至80。C的3-氛丙基三乙氧基硅烷中5小時，并且以乙醇來漂洗，接下來進行干燥。其后，以1N鹽酸來處理基底，以將氰基轉(zhuǎn)化為鞋基。16(具有多孔結(jié)構(gòu)的基底材料示例6)通過反應(yīng)濺射在鏡面加工不銹鋼(SUS430，30mmx30mmxt0.6mm)上將具有樹枝狀結(jié)構(gòu)的柏氧化物層形成為l，OOOnm的厚度。此時Pt的加載量是0.27mg/cm2。在以下條件下執(zhí)行反應(yīng)濺射總壓4Pa、氧流量比(Q02/(QAr+Q02))70%、基底溫度80。C以及應(yīng)用功率4.9W/cm2。然后，具有樹枝狀結(jié)構(gòu)的鉑氧化物被在2%H2/He氣氛(1atm)中在120°C還原30分鐘，由此獲得具有樹枝狀結(jié)構(gòu)的基底。然后，0,45克的鈦酸四異丙酯(東京化學工業(yè)有限公司)、20g的正丁醇以及0.5g的乙酸被混合，并且被攪拌8小時。其后，通過旋涂(3500rpm,2分鐘)而將混合物涂布于基底。使經(jīng)涂覆的基底處于25°C和80RHy。的環(huán)境中10小時，并且其后，在450°C被燒結(jié)4小時。然后，使所得到的基底處于25。C和80RH。/o的環(huán)境中8小時。然后，將基底浸泡在被加熱至100。C的3-巰丙基三乙氧基硅烷中5小時，并且用乙醇來漂洗，接下來進行干燥。其后，用30%過氧化氫溶液來處理基底，以將SH基轉(zhuǎn)化為磺酸基。(具有多孔結(jié)構(gòu)的基底材料示例7)通過反應(yīng)濺射在鏡面加工不銹鋼(SUS430,30mmx30mmxt0.6mm)上將具有樹枝狀結(jié)構(gòu)的鉑氧化物層形成為l，OOOnm的厚度。此時Pt的加栽量是0.27mg/cm2。在以下條件下執(zhí)行反應(yīng)濺射總壓4Pa、氧流量比(Q02/(QAr+Q02))70%、基底溫度80°C以及應(yīng)用功率4.9W/cm2。然后，具有樹枝狀結(jié)構(gòu)的鉑氧化物被在2%H2/He氣氛(1atm)中在120。C還原30分鐘，由此獲得具有樹枝狀結(jié)構(gòu)的基底。然后，0.45克的鈦酸四異丙酯(東京化學工業(yè)有限公司)、20g的正丁醇以及0.5g的乙酸被混合，并且被攪拌8小時。其后，通過旋涂(3500rpm,2分鐘)而將混合物涂布于基底。使經(jīng)涂覆的基底處于25°C和80RH。/c)的環(huán)境中10小時，并且其后，在450。C被燒結(jié)4小時。然后，使所得到的基底處于25。C和80RH。/。的環(huán)境中8小時。然后，將基底浸泡在(十七氟-l，l，2，2-四羥基癸基)三乙氧基硅烷中5小時，并且用乙醇來好好漂洗，接下來進行干燥。其后，基底經(jīng)歷UV射線/臭氧處理，并且使其處于25°C和80RH。/。的環(huán)境中8小時，由此在基底的表面上生成羧基。(具有多孔結(jié)構(gòu)的基底材料示例8)通過反應(yīng)濺射在鏡面加工不銹鋼(SUS430，30mmx30mmxt0.6mm)上將具有樹枝狀結(jié)構(gòu)的鉑氧化物層形成為l，OOOnm的厚度。此時Pt的加載量是0.27mg/cm2。在以下條件下執(zhí)行反應(yīng)濺射總壓4Pa、氧流量比(Q02/(QAr+Q02))70%、基底溫度80。C以及應(yīng)用功率4.9W/cm2。然后，具有樹枝狀結(jié)構(gòu)的鉑氧化物被^在2%H2/He氣氛(1atm)中在120°C還原30分鐘，由此獲得具有樹枝狀結(jié)構(gòu)的基底。然后，0.45克的鈦酸四異丙酯(東京化學工業(yè)有限公司)、20g的正丁醇(n-butanol)以及0.5g的乙酸被混合，并且被攪拌8小時。其后，通過旋涂(3500rpm，2分鐘)將混合物涂布于基底。使經(jīng)涂覆的基底處于25。C和80RH。/。的環(huán)境中10小時，并且其后，在450。C被燒結(jié)4小時。然后，使所得到的基底處于25。C和80RIP/。的環(huán)境中8小時。然后，將基底浸泡在3-氨丙基三乙氧基硅烷中5小時，并且用乙醇來好好漂洗，接下來進行干燥。其后，將基底浸泡在37%的濃縮鹽酸中，由此將表面上的氨基轉(zhuǎn)化為氯化銨基。(具有多孔結(jié)構(gòu)的基底材料示例9)通過反應(yīng)'減射在鏡面加工不銹鋼(SUS430，30mmx30mmxt0.6mm)上將具有樹枝狀結(jié)構(gòu)的鉑氧化物層形成為l，OOOnm的厚度。此時Pt的加載量是0.27mg/cm2。在以下條件下執(zhí)行反應(yīng)濺射總壓4Pa、氧流量比(Q02/(QAr+Qo2))70%、基底溫度80。C以及應(yīng)用功率4.9W/cm2。然后，具有樹枝狀結(jié)構(gòu)的鉑氧化物被在2%H2/He氣氛(1atm)中在120°C還原30分鐘，由此獲得具有樹枝狀結(jié)構(gòu)的基底。然后，氯化釕(RuCl3)在80。C在水中被溶解并且飽和3小時，并且溶液被過濾。得到的溶液被滴在具有樹枝狀結(jié)構(gòu)的鉑基底上并且被干燥。其后，基底在300。C被加熱3小時，并且,皮緩慢地冷卻到室溫。再次，使基底處于25。C和80RH。/。的環(huán)境中8小時。然后，將基底浸泡在被加熱至80°C的3-氰丙基三乙氧基硅烷中5小時，并且用乙醇來漂洗，接下來進行干燥。其后，用1N鹽酸來處理基底，以將氰基轉(zhuǎn)化為羧基。(具有多孔結(jié)構(gòu)的基底材料示例10)除了將氯化釕改變?yōu)槁然]之外，按與具有多孔結(jié)構(gòu)的基底材料示例9相同的方式來生產(chǎn)基底。(具有多孔結(jié)構(gòu)的基底材料示例11)通過反應(yīng)濺射在鏡面加工不銹鋼(SUS430，30mmx30mmxt0.6mm)上將具有樹枝狀結(jié)構(gòu)的鉑氧化物層形成為l，OOOnm的厚度。此時Pt的加載量是0.27mg/cm2。在以下條件下執(zhí)行反應(yīng)濺射總壓4Pa、氧流量比(Q02/(QAr+Q02))70%、基底溫度80°C以及應(yīng)用功率4.9W/cm2。然后，具有樹枝狀結(jié)構(gòu)的鉑氧化物被在2%H2/He氣氛(1atm)中在120。C還原30分鐘，由此獲得具有樹枝狀結(jié)構(gòu)的基底。然后，氯化鎳在80。C在水中被溶解并且飽和3小時，并且溶液被過濾。得到的溶液被滴在具有樹枝狀結(jié)構(gòu)的鉑基底上并且被干燥。其后，基底在500。C被加熱3小時，并且被緩慢地冷卻到室溫。再次，使基底處于25。C和80RH。/o的環(huán)境中8小時。然后，將基底浸泡在被加熱至80。C的3-氨丙基三乙氧基硅烷中5小時，并且用乙醇來漂洗，接下來進行干燥。其后，用1N鹽酸來處理基底，以將氨基轉(zhuǎn)化為氯化銨基。(分析物材料)在質(zhì)鐠分析的測量中，所使用的是包含九個肽的合成物的樣品(MassPREP肽混合物，由Waters公司制造)RASG-1(WATERSMASSPREPPEPTIDESTANDARD，分子量Mw=1000.49)，血管緊張素標記1-7(Angiotensinflag1-7,Mw=898.47)，緩激肽(bradykinin)(Mw=1059.56)，血管緊張素I(Mw=1295.68)，血管緊張素II(Mw=1045.53)，凝乳酶基底(Renninsubstrate,Mw=1757.93)，烯醇酶(Enolase)T35(EnolaseT35，Mw=1871.96)，烯醇酶T37(EnolaseT37，Mw=2827.28)以及蜂毒素(Melittin，Mw=2845.74)。每種肽的含量大約是l.Onmol。水:帔加到肽混合的樣品，以將每種肽的濃度調(diào)整到大約10nmol/L，并且在質(zhì)語分析的測量中，將lfiL的肽溶液滴到基底上，接下來進行干燥。因此，在測量樣品的每個點中包含每種肽大約lOpmol。(示例1)利用導(dǎo)電雙側(cè)帶將在基底材料示例l中所生產(chǎn)的基底附著并且固定到僅以0.6mm剪切的用于MALDI-TOFMS測量的不銹鋼目標基底。以ljiL的量將肽混合的溶液滴到基底上，并且對其進行干燥。然后，基底被附著到MALDI-TOFMS設(shè)備(REFLEX-III(商品名稱)，由BrukerDaltonics公司制造)。MALDI-TOFMS的測量中的照射激光是氮激光(波長-337nm)，其中，采用正離子的反射模式(反射器模式)。在照射激光強度比開始出現(xiàn)母離子的峰的強度大2%的條件下進行測量，對于10個點累積一個點處的20個脈沖的譜，并且從總共200個脈沖的激光照射所獲得的信號強度被合計，以獲得譜。進一步地，將加速電壓設(shè)置為26.5kV，并且采用0至3000的質(zhì)量數(shù)的峰。在所有范圍中，采用在測量中已經(jīng)以低分子量范圍中的0或更高的截止值(cut-offvalue)(即，不截止)流動到檢測器的陽離子物類。基于分析物分子的強度(對于每種肽的質(zhì)子的加合物(adduct)的分子量范圍出現(xiàn)在890至2,900附近的峰被看作母離子的峰)，以及在50至700的分子量范圍中的分解物質(zhì)的峰強度和多樣性，來評估所獲得的譜。在每一鐠中，有比較地評估母離子的峰與雜質(zhì)峰之間的相對強度，并且將沒有強度的母離子設(shè)置為0，并且利用強度和變化的增加來設(shè)置排名1至5。表1示出評估的結(jié)果。(1)母離子的評估5:母離子強度占1，000或更大分子量的峰強度的總量的80%或更多4:母離子強度占1，000或更大分子量的峰強度的總量的50%或更多并且小于80%3:母離子強度占1，000或更大分子量的峰強度的總量的30%或更多并且小于50%2:母離子強度占1,000或更大分子量的峰強度的總量的2%或更多并且小于30%1:母離子強度占1，000或更大分子量的峰強度的總量小于2%(2)分解物質(zhì)和雜質(zhì)的評估1:500或更小分子量的峰的總量是母峰強度的3%或更少。2:500或更小分子量的峰的總量是母峰強度的3%或更多并且小于20%。3:500或更小分子量的峰的總量是母峰強度的20%或更多并且小于40%。4:500或更小分子量的峰的總量是母峰強度的40%或更多并且小于60%。5:500或更小分子量的峰的總量是母峰強度的60%或更多。(示例2-7，以及示例9和10)除了用在基底材料示例2至7中所產(chǎn)生的基底材料來替換示例1中的基底材料之外，按與示例1中相同的方式來進行評估。(示例8和11)除了以在基底材料示例8中所產(chǎn)生的基底材料來替換示例1中的基底材料，并且將測量模式設(shè)置為負離子之外，按與示例l中相同的方式來進行評估。(比較示例1)除了使用鏡面加工不銹鋼(SUS430，30mmx30mmxt0.6mm)來替代基底材料示例1之外，按與示例1相同的方式來進行評估。(比較示例2)在示例1中，除了用商業(yè)可用的被剪切為20mmx20mm的用于質(zhì)譜分析的基底(多孔硅，MassPREPDIOS-目標板，由NihonWatersK.K.制造)進行替換之外，按與示例1中相同的方式來進行測量。(比較示例3)除了利用導(dǎo)電雙側(cè)帶將鏡面加工不銹鋼(SUS430，30mmx30mmxt0.6mm)附著并且固定到僅以0.6mm剪切的用于MALDI-TOFMS測量的不銹鋼目標基底，用孩i吸管滴入2pL的1，8，9-三羥基蒽(l，8，9-trihydroxyanthracene)的四氬吹喊(tetrahydrofuran)溶液(5wt%)作為基質(zhì)，并且用微吸管進一步滴入luL的肽混合物溶液，接下來進行干燥之外，按與示例1中相同的方式進行評估。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage208</column></row><table>從上述示例和比較示例確認通過使用本發(fā)明的用于質(zhì)鐠分析的基底，源于測量分子的分解物質(zhì)以及源于低分子量范圍中的基質(zhì)的雜質(zhì)峰被抑制，并且可以以高強度來獲得母峰。進一步地，即使在使用基質(zhì)的測量中，也可以確認增強了母離子，并且減少了源于分解物質(zhì)和源于基質(zhì)的峰。本發(fā)明的用于質(zhì)譜分析的基底使得能夠以高精度執(zhí)行通過解吸/電離進行的高分子量化合物的檢測，并且可以避免裂解，從而在通過激光照射進行解吸/電離的質(zhì)譜分析中，對低分子量范圍的分析基本上不存在障礙，所以可以將所述基底用在質(zhì)譜分析儀中。雖然已經(jīng)參照示例性實施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)理解，本發(fā)明不限于所公開的示例性實施例。所附權(quán)利要求的范圍應(yīng)當被給予最寬的解釋，從而包括所有這樣的修改及等同結(jié)構(gòu)和功能。權(quán)利要求1、一種在激光解吸/電離質(zhì)譜分析中使用的用于質(zhì)譜分析的基底，所述用于質(zhì)譜分析的基底包含金屬并且在其表面上具有多孔結(jié)構(gòu)，其中，從包括羧基，磺酸基和氯化銨基的組中選擇的至少一個官能團被共價鍵合到所述基底的表面。2、如權(quán)利要求l所述的用于質(zhì)譜分析的基底，其中，在包含金屬并且具有多孔結(jié)構(gòu)的所述基底的表面上形成有氧化物層，并且其中，從包括羧基，磺酸基和氯化銨基的組中選擇的至少一個官能團被共價鍵合到所述氧化物層。3、如權(quán)利要求2所述的用于質(zhì)譜分析的基底，其中，所述氧化物層是由Ti02、Ru02、Ni02以及W03中的一個形成的。4、如權(quán)利要求1所述的用于質(zhì)語分析的基底，其中，所述多孔結(jié)構(gòu)是通過在基底上提供孔形成的。5、如權(quán)利要求1所述的用于質(zhì)鐠分析的基底，其中，所述多孔結(jié)構(gòu)是通過在基底的表面上形成突出部分而形成的突出結(jié)構(gòu)。6、如權(quán)利要求5所述的用于質(zhì)譜分析的基底，其中，所述多孔結(jié)構(gòu)是由鉑和包含鉑的多元金屬中的一個形成的樹枝狀結(jié)構(gòu)，所述鉑是通過使氧化鉑經(jīng)歷還原處理而獲得的，所述包含鉑的多元金屬是通過使復(fù)合氧化物經(jīng)歷還原處理而獲得的。7、如權(quán)利要求6所述的用于質(zhì)i脊分析的基底，其中，除了鉑之外的金屬元素包含從包括以下金屬的組中選擇的至少一個金屬Al、Si、Ti、V、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Hf、Ta、W、Os、Ir、Au、La、Ce和亂8、如權(quán)利要求5所述的用于質(zhì)語分析的基底，其中，多孔結(jié)構(gòu)的突出部分在平行于所述基底的表面的方向上的長度在20nm至200nm范圍內(nèi)的比例是70%或更多。9、如權(quán)利要求1所述的用于質(zhì)鐠分析的基底，其中，所述多孔結(jié)構(gòu)具有30nm至l，OOOnm的厚度。10、一種質(zhì)鐠分析法，包括將樣品放置在如權(quán)利要求1所述的用于質(zhì)譜分析的基底上；以及用激光照射所述基底。11、一種質(zhì)譜分析儀，其被提供有如權(quán)利要求l所述的用于質(zhì)譜分析的基底。全文摘要本發(fā)明提供了用于質(zhì)譜分析的基底，質(zhì)譜分析法和質(zhì)譜分析儀。所提供的用于質(zhì)譜分析的基底使得能夠以高靈敏度進行高分子量化合物的檢測，并且可以避免裂解，從而對于分析低分子量范圍基本上不存在障礙。所述基底是在激光解吸/電離質(zhì)譜分析中使用的用于質(zhì)譜分析的基底，所述用于質(zhì)譜分析的基底包含金屬并且在其表面上具有多孔結(jié)構(gòu)，其中，從包括羧基，磺酸基和氯化銨基的組中選擇的至少一個官能團被共價鍵合到所述基底的表面。文檔編號G01N27/64GK101329301SQ20081012518公開日2008年12月24日申請日期2008年6月19日優(yōu)先權(quán)日2007年6月19日發(fā)明者吉村公博,宮崎和也,山田和弘申請人:佳能株式會社