專利名稱：檢測(cè)外圍光線的光傳感器及使用該傳感器的液晶顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器和使用該光傳感器的液晶顯 示設(shè)備，并且，特別地，涉及這樣的用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器和使用該
光傳感器的液晶顯示設(shè)備其可以穩(wěn)定地獲取輸出電流而最小化安裝空間。
背景技術(shù)：
已經(jīng)開發(fā)了可以減少重量和體積的各種平板顯示設(shè)備，而重量和體積是 陰極射線管的缺點(diǎn)。這包括液晶顯示器(LCD)、場(chǎng)致發(fā)射顯示器(FED)、 等離子顯示面板(PDP)、以及有機(jī)光發(fā)射顯示器(OLED)等。
液晶顯示設(shè)備具有薄、輕和低功耗等優(yōu)點(diǎn)，由此它們可以克服現(xiàn)有的陰 極射線管的缺點(diǎn)。液晶顯示設(shè)備可以被安裝在移動(dòng)裝置例如移動(dòng)電話、個(gè)人 數(shù)字助理(PDA)等，以及監(jiān)視器、電視機(jī)等中型和大型產(chǎn)品中。這樣的液 晶顯示器是透明類型的顯示設(shè)備，并通過利用液晶分子的折射率的各向異性 來控制穿過液晶層傳送的光線量來顯示想要的圖像。
在這樣的液晶顯示設(shè)備中，背光向每個(gè)像素單元發(fā)射恒定強(qiáng)度的光線。 然而，盡管當(dāng)外圍環(huán)境暗時(shí)不需要大量的光線，由于向每個(gè)像素單元提供恒 定亮度的光線，所以背光的功耗仍維持在很高。背光消耗了用于操作液晶顯 示設(shè)備所消耗的功率的80%或更多。
因此，有必要提供一種通過利用用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器來有效地 控制背光的光線的方法，以及一種改善用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器的輸出 特性，以便能夠有效檢測(cè)外圍光線的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例的一個(gè)方面在于一種用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器，以 及使用該光傳感器的液晶顯示設(shè)備，其可以穩(wěn)定地獲得輸出電流而最小化安 裝空間。
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供了 一種用于^企測(cè)外圍光線的光傳感器，包括 至少兩個(gè)第一晶體管，并行連接在輸出線和基電源之間，用于檢測(cè)外圍光線 的強(qiáng)度；以及至少兩個(gè)第二晶體管，位于第一晶體管的一側(cè)、并且在第一晶 體管和電壓源之間。
電壓源的電壓值可以被設(shè)置為高于基電源的電壓值。
第一晶體管的第一電極和柵電極可以連接到基電源，而第一晶體管的第 二電極可以連接到輸出線。
第 一 晶體管可以被適配為對(duì)應(yīng)于入射到其柵電極上的外圍光線的強(qiáng)度 來控制流入輸出線的電流量。
第二晶體管的第一電極可以連接到輸出線，第二晶體管的第二電極可以 連接到電壓源，并且第二晶體管的柵電極可以連接到基電源。
本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例提供了一種液晶顯示設(shè)備，其包括包括多個(gè)液 晶單元的像素單元；至少一個(gè)光傳感器，用于^r測(cè)外圍光線并輸出對(duì)應(yīng)于該 外圍光線的強(qiáng)度的外圍光線信號(hào)；用于向像素單元提供光線的背光；以及背 光驅(qū)動(dòng)器，用于依照外圍光線信號(hào)來控制從背光生成的光線的亮度，其中， 光傳感器包括至少兩個(gè)第一晶體管，位于黑色矩陣(black matrix)的開口 部分、并且并行連接在輸出線和基電源之間，用于檢測(cè)外圍光線的強(qiáng)度；以 及至少兩個(gè)第二晶體管，位于該第一晶體管的一側(cè)并與黑色矩陣重疊，且在 第 一 晶體管和電壓源之間。
本發(fā)明的又一個(gè)實(shí)施例提供了 一種用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器，包 括并行連接在輸出線和基電源之間的第一和第二檢測(cè)晶體管，用于檢測(cè)外 圍光線的強(qiáng)度；連接在第一檢測(cè)晶體管和電壓源之間的第一補(bǔ)償晶體管；以 及連接在第二檢測(cè)晶體管和電壓源之間的第二補(bǔ)償晶體管。


附圖與說明書一起說明了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，并且和本描述一起用 于解釋本發(fā)明的原理。
圖l是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備的示意圖2是示出如圖1所示的用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器的實(shí)施例的示意
圖3是示出如圖1所示的用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器的另 一個(gè)實(shí)施例
的示意圖；以及
圖4A和4B是依照如圖3所示的本發(fā)明的實(shí)施例的對(duì)晶體管的特性偏 差的補(bǔ)償概念的示意圖。
具體實(shí)施例方式
在以下的詳細(xì)描述中，簡(jiǎn)單通過圖解，僅示出和描述了本發(fā)明的特定示 例性實(shí)施例。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解的，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的 前提下，可以對(duì)所描述的實(shí)施例以各種不同方式進(jìn)行修改。相應(yīng)地，附圖和 說明書被認(rèn)為本質(zhì)上是說明性的而不是限制性的。在整篇說明書中，相似的 標(biāo)號(hào)表示相似的元件。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備的示意圖。圖1示出了 有源矩陣液晶顯示設(shè)備，但本發(fā)明不限于此。
參考圖1,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備包括像素單元(或顯示 區(qū)域)20、掃描驅(qū)動(dòng)器40、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器60、伽馬電壓供應(yīng)器80、計(jì)時(shí)(timing) 控制器100、用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器110、背光驅(qū)動(dòng)器120和背光140。
像素單元20包括多個(gè)液晶單元Clc，其在數(shù)據(jù)線Dl至Dm和掃描線 Sl至Sn的交叉區(qū)域以矩陣形式排列。此外，在每個(gè)液晶單元Clc中形成至 少一個(gè)TFT和至少一個(gè)存儲(chǔ)電容器Cst。對(duì)應(yīng)于從掃描線S提供的掃描信號(hào)， TFT將從數(shù)據(jù)線D提供的數(shù)據(jù)信號(hào)提供給液晶單元Clc。存儲(chǔ)電容器Cst形 成在液晶單元Clc的像素電極和預(yù)掃描線(或前一條掃描線)S之間，或形 成在液晶單元Clc的像素電極和公共電極線之間，從而它可以在一幀期間恒 定地維持液晶單元CIc的電壓。結(jié)果，當(dāng)掃描信號(hào)一皮提供給掃描線S時(shí)，液 晶單元Clc中的液晶的排列角度對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)信號(hào)而改變，且光線傳送才艮據(jù)排 列角度而改變，從而顯示圖像。黑色矩陣30形成在各個(gè)液晶單元Clc之間 并且處在像素單元20的外部，從而吸收從臨近單元或像素單元20的外部入 射的光線，由此防止(或減少)對(duì)比度的降低。
掃描驅(qū)動(dòng)器40對(duì)應(yīng)于從計(jì)時(shí)控制器100提供的掃描控制信號(hào)SCS而將 掃描信號(hào)順序地提供給掃描線Sl至Sn，從而選擇像素單元20的一行(或 一個(gè)水平行)的，該像素單元20被提供以數(shù)據(jù)信號(hào)。
數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器60利用從計(jì)時(shí)控制器100提供的數(shù)據(jù)控制信號(hào)DCS,將數(shù) 字視頻數(shù)據(jù)R、 G、 B轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)于灰度電平值的模擬伽馬電壓，即數(shù)據(jù)信
號(hào)。在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器60中轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)信號(hào)被提供給數(shù)據(jù)線Dl至Dm。 伽馬電壓供應(yīng)器80將多個(gè)伽馬電壓提供給數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器60。 計(jì)時(shí)控制器100生成掃描控制信號(hào)SCS和數(shù)據(jù)控制信號(hào)DCS，用于通 過使用垂直和水平同步信號(hào)Vsync和Hsync及外部^是供的時(shí)鐘信號(hào)CLK, 分別控制掃描驅(qū)動(dòng)器40和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器60。用于控制掃描驅(qū)動(dòng)器40的掃描控 制信號(hào)SCS具有柵極起始脈沖、柵極移位時(shí)鐘、柵極輸出使能信號(hào)等。用于 控制數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器60的數(shù)據(jù)控制信號(hào)DCS具有源起始脈沖、源移位時(shí)鐘、源 輸出使能信號(hào)、極性信號(hào)等。并且，計(jì)時(shí)控制器100處理外部提供的數(shù)據(jù)R、 G和B，并將它們提供給數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器60。
用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器110形成在像素單元20的邊緣部分，即， 黑色矩陣30的區(qū)域上。光傳感器110生成對(duì)應(yīng)于外圍光線強(qiáng)度的外圍光線 信號(hào)，然后將外圍光線信號(hào)提供給背光驅(qū)動(dòng)器120。光傳感器110位于黑色 矩陣30的開口部分35的區(qū)域中。
背光驅(qū)動(dòng)器120向背光140提供驅(qū)動(dòng)電壓(或驅(qū)動(dòng)電流)，以驅(qū)動(dòng)背光 140。背光驅(qū)動(dòng)器120對(duì)應(yīng)于外圍光線信號(hào)而改變驅(qū)動(dòng)電壓(或驅(qū)動(dòng)電流) 的值，以控制從背光140生成的光線的亮度。例如，在背光驅(qū)動(dòng)器120從光 傳感器IIO接收到對(duì)應(yīng)于弱強(qiáng)度外圍光線的外圍光線信號(hào)的情況下，將背光 140的驅(qū)動(dòng)電壓(或驅(qū)動(dòng)電流)降低一個(gè)對(duì)應(yīng)于外圍光線強(qiáng)度的值(例如， 預(yù)定的值)，從而降低從背光140生成的光線的亮度，由此降低功耗。但是， 在背光驅(qū)動(dòng)器120從光傳感器IIO接收到對(duì)應(yīng)于比設(shè)定(或預(yù)定)的強(qiáng)度高 的外圍光線的強(qiáng)度的外圍光線信號(hào)的情況下，背光140的驅(qū)動(dòng)電壓(或驅(qū)動(dòng) 電流)沒有被改變，從而從背光140生成的光線的亮度沒有被降低，由此防 止(或減少)像素單元20的視覺特性的降低。
圖l僅示出了用于檢測(cè)外圍光線的一個(gè)光傳感器110,但本發(fā)明不限于 此。例如，用于檢查外圍光線的多個(gè)光傳感器110可以被包括在黑色矩陣30 的區(qū)域中。換句話說，可以合理地設(shè)置用于檢查外圍光線的光傳感器IIO的 數(shù)量。
背光140生成對(duì)應(yīng)于從背光驅(qū)動(dòng)器120提供的驅(qū)動(dòng)電壓(或驅(qū)動(dòng)電流) 的光線，然后將它提供給像素單元20。
在如上所述的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的液晶顯示設(shè)備中，有用于檢查外圍 光線的光傳感器IIO以檢測(cè)外圍光線的強(qiáng)度，使其可以對(duì)應(yīng)于外圍光線而控 制從背光140生成的光線的亮度。結(jié)果，可以降低功耗。
此外，當(dāng)檢測(cè)到高于設(shè)定(或預(yù)定)值的外圍光線強(qiáng)度時(shí)，從背光140 生成的光線的亮度沒有被降低，從而可以減少或防止視覺特性的降低。
圖2是示出如圖1所示的用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器的實(shí)施例的示意圖。
參考圖2，用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器110包括晶體管M，該晶體管 M連接在用于輸出外圍光線信號(hào)的輸出線Ll和基電源VSS之間。
更具體地說，晶體管M的第一電極連接到一皮設(shè)置為，例如，地(GND) 電壓的基電源VSS，而晶體管M的第二電極連接到用于檢測(cè)外圍光線的光 傳感器的輸出線Ll。第一電極和第二電極是互相不同的電極。例如，在第 一電極是源電極的情況下，第二電極是漏電極。輸出線L1被用來檢測(cè)流入 到用于^^測(cè)外部光線的光傳感器110的電流的大小，并接收脈沖波信號(hào)VP。 例如，輸出線Ll接收在作為地電壓的第一電壓和具有高于地電壓的電壓值 的第二電壓(例如，2V的電壓)之間擺動(dòng)的脈沖波信號(hào)VP,并且基本在同 時(shí)，用于檢測(cè)流入晶體管M的電流的大小。
此外，晶體管M的柵電極連接到其第一電極和基電源VSS。即，晶體 管M的柵電極連接到第一電極，用于接收比其第二電極的電壓低的電壓值， 從而它以反二極管連接的形式被連接。晶體管M的柵電極位于黑色矩陣30 的開口部分35以接收外圍光線。
當(dāng)外圍光線入射到晶體管M的柵電極且脈沖波形信號(hào)VP被提供給其 第二電極時(shí)，電流(例如，預(yù)定電流)流入晶體管M。這里，流入晶體管M 的電流依照外圍光線的強(qiáng)度而改變。也就是說，對(duì)應(yīng)于外圍光線強(qiáng)度的電流 從晶體管M的第二電極流向第一電極。
測(cè)量流入用于^r測(cè)外圍光線的光傳感器110的輸出線L1的電流，使得 可以測(cè)量外圍光線的強(qiáng)度。即，流入用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器110的輸 出線L1的電流^皮i殳置為外圍光線信號(hào)。由于用于^^測(cè)外圍光線的光傳感器 110的晶體管M以反二極管連接的形式連接，因此對(duì)應(yīng)于外圍光線強(qiáng)度的電 流值以基本線性的形式改變，以確保其可靠性。
但是，如上所述，當(dāng)用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器IIO僅用一個(gè)晶體管 M實(shí)現(xiàn)時(shí)，輸出到輸出線L1的電流可能會(huì)較弱，從而不能有效地檢測(cè)到外 圍光線。
因此，本發(fā)明的實(shí)施例給出了一種用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器110，，
能夠生成足夠的輸出電流而不用單獨(dú)的放大電路。
圖3是示出如圖1所示的用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器的另 一個(gè)實(shí)施例
的示意圖。
參考圖3,根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器 110'被分為補(bǔ)償器200和傳感器202。
傳感器202包括兩個(gè)或更多個(gè)第一晶體管Mil至Mln，其并行連接在 用于輸出外圍光線信號(hào)的輸出線L2和基電源VSS之間。
第一晶體管Mll至Mln的第一電極連接到基電源VSS,而其第二電極 連接到用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器110，的輸出線L2。并且，第一晶體管 Mil至Mln的柵電極連接到它們的第一電極和基電源VSS。也就是說，第 一晶體管Mil至Mln并行連接，而各個(gè)第一晶體管Mil至Mln以反二極 管連接的形式被連接。
第一晶體管Mil至Mln的柵電極位于黑色矩陣30的開口部分35，從 而它們可以接收外圍光線。當(dāng)外圍光線入射到第一晶體管Mil至Mln的柵 電極上時(shí)，對(duì)應(yīng)于外圍光線的強(qiáng)度的電流從第二電極流向第一電極(反向電 流)。這里，作為流入第一晶體管Mll至Mln中的每一個(gè)晶體管的電流(il 至in)的總和的電流流入輸出線L2。
流入輸出線L2的電流是流入第一晶體管Mil至Mln的電流的總和。 因此，使用流入到用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器110，的電流，可以穩(wěn)定地檢 測(cè)外圍光線，而不用單獨(dú)的;故大電i 各。并且，在本發(fā)明的實(shí)施例中，由于第 一晶體管Mil至Mln是與TFT并發(fā)(或同時(shí))構(gòu)成的，因此制造過程和設(shè) 計(jì)被簡(jiǎn)化。
如本發(fā)明的實(shí)施例中，如果通過將多個(gè)晶體管Mll至Mln并行連接而 改善輸出特性，則與具有單個(gè)大晶體管M的用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器 相比，為了獲得相同的輸出特性，可以減小光線入口部分的尺寸。此外，光 線入射的光線入口部分可以被分散，使得可以降低用于檢測(cè)外圍光線的光傳 感器IIO，被人的肉眼所識(shí)別的可能性或防止用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器 IIO'被人的肉眼所識(shí)別。
補(bǔ)償器200包括第二晶體管M21至M2n，其連接在每個(gè)第一晶體管 Mil至Mln和第二電壓源VP (高于VSS的電源)之間。第二晶體管M21
至M2n的第一電極連接到輸出線L2，且第二晶體管M21至M2n的第二電 極連接到第二電壓源VP。第二晶體管M21至M2n的柵電極連接到基電源
vss。
第二晶體管M21至M2n被用來補(bǔ)償?shù)?一晶體管的過程偏差。也就是說， 流入第一晶體管Mil至Mln、對(duì)應(yīng)于液晶顯示設(shè)備的每個(gè)區(qū)域的外圍光線 的電流由于過程偏差而不同。第二晶體管M21至M2n位于每個(gè)第一晶體管 Mil至Mln與第二電壓源VP之間，從而流入輸出線L2、對(duì)應(yīng)于外圍光線 的電流一皮控制為對(duì)每個(gè)區(qū)域相同(或基本相同)，而不管第一晶體管M11到 Mln的過程偏差。
此外，如圖4A所示，在第一液晶顯示設(shè)備中的第一和第二晶體管Mll 和M21的電阻可以是20Q(假設(shè)由于第一和第二晶體管Mil和M21利用相 同的過程(或基本相同的過程)而形成，因此它們具有基本類似的特性)。 以下，如果第一晶體管Mil的電阻由于外圍光線而被降〗氐為IOQ，則對(duì)應(yīng) 于20Q比10Q的電阻比率的電流流入輸出線L2。
可替代地，如圖4B所示，在第二液晶顯示設(shè)備中的第一和第二晶體管 M11，和M21，的電阻可以具有IOQ。以下，如果第一晶體管Mll，的電阻由于 外圍光線而被降低為5Q，則對(duì)應(yīng)于10Q比5Q的電阻比率的電流流入輸出 線L2。
即，在第一液晶面板和第二液晶面板中流入輸出線L2、對(duì)應(yīng)于外圍光 線的電流可以基本類似，而不管晶體管Mil和M21的偏差如何。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，第二晶體管M21至M2n與黑色矩陣30 重疊以具有基本恒定的特性，而無論外圍光線如何。當(dāng)?shù)诙w管NCI至 M2n被布置為與黑色矩陣30重疊時(shí)，其優(yōu)勢(shì)在于，第二晶體管M21至M2n 在外部不可見。
此外，本發(fā)明的實(shí)施例的第二晶體管M21至M2n被安裝在第一晶體管 Mil至Mln的上側(cè)和/或下側(cè)。
如果第二晶體管M21至M2n在第一晶體管Mil至Mln的上側(cè)和/或下 側(cè)，則可以降低或最小化安裝面積。結(jié)果，可以提高空間利用。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，在圖3中所有晶體管M都是N型的，但本發(fā)明 不限于此。例如，晶體管M可以是P型的。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，因?yàn)樽鳛橛糜?企測(cè)外圍光線的光傳感器的第 一晶
體管被并行布置(或連接)，所以用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器可以提供足 夠的電流而不用單獨(dú)的放大電路。此外，由于用于補(bǔ)償?shù)谝痪w管的特性偏 差的第二晶體管在第一晶體管的上側(cè)和/或下側(cè)，所以可以^提高或最大化空間 利用。
盡管結(jié)合特定的示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，應(yīng)該理解本發(fā)明不限于公 開的實(shí)施例，而相反，旨在涵蓋所附權(quán)利要求書及其等價(jià)物的精神和范圍內(nèi) 的各種修改和等效安排。
權(quán)利要求
1. 一種用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器，包括至少兩個(gè)第一晶體管，其并行連接在輸出線和基電源之間，用于檢測(cè)外圍光線的強(qiáng)度；以及至少兩個(gè)第二晶體管，其位于所述第一晶體管的一側(cè)、并在所述第一晶體管和電壓源之間。
2. 如權(quán)利要求1所述的用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器，其中，所述電 壓源的電壓值被設(shè)置為高于所述基電源的電壓值。
3. 如權(quán)利要求1所述的用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器，其中，所述第 一晶體管的第 一 電極和柵電極連接到所述基電源，而所述第 一 晶體管的第二 電極連接到所述輸出線。
4. 如權(quán)利要求3所述的用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器，其中，所述第 一晶體管被適配成對(duì)應(yīng)于入射到其柵電極上的外圍光線的強(qiáng)度而控制流入 所述輸出線的電流量。
5. 如權(quán)利要求1所述的用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器，其中，所述第二晶體管的第一電極連接到所述輸出線，所述第二晶體管的第二電極連接到 所述電壓源，并且所述第二晶體管的柵電極連接到所述基電源。
6. —種液晶顯示設(shè)備，包括 像素單元，其包括多個(gè)液晶單元；至少一個(gè)光傳感器，用于檢測(cè)外圍光線并輸出對(duì)應(yīng)于該外圍光線強(qiáng)度的 外圍光線信號(hào)；背光，用于向所述像素單元提供光線；以及背光驅(qū)動(dòng)器，用于依照外圍光線信號(hào)，控制從所述背光生成的光線的亮度，其中，所述光傳感器包括至少兩個(gè)第一晶體管，其位于黑色矩陣的開口部分、并且并行連接在輸 出線和基電源之間，用于檢測(cè)外圍光線的強(qiáng)度；以及至少兩個(gè)第二晶體管，其位于所述第一晶體管的一側(cè)并與所述黑色矩陣 重疊，且在所述第一晶體管和電壓源之間。
7. 如權(quán)利要求6所述的液晶顯示設(shè)備，其中，所述電壓源的電壓值被設(shè)置為高于基電源的電壓值。
8. 如權(quán)利要求6所述的液晶顯示設(shè)備，其中，所述第一晶體管的第一 電極和柵電極連接到所述基電源，而所述第一晶體管的第二電極連接到所述 輸出線。
9. 如權(quán)利要求8所述的液晶顯示設(shè)備，其中，所述第一晶體管被適配 成按照入射到其柵電極上的外圍光線的強(qiáng)度而控制流入所述輸出線的電流量。
10. 如權(quán)利要求6所述的液晶顯示設(shè)備，其中，所述第二晶體管的第一 電極連接到所述輸出線，所述第二晶體管的第二電極連接到所述電壓源，并 且所述第二晶體管的柵電極連接到所述基電源。
11. 一種用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器，包括第一檢測(cè)晶體管和第二檢測(cè)晶體管，該第一和第二斥t測(cè)晶體管并行連接 在輸出線和基電源之間，用于檢測(cè)外圍光線的強(qiáng)度；第一補(bǔ)償晶體管，連接在該第一檢測(cè)晶體管和電壓源之間；以及 第二補(bǔ)償晶體管，連接在該第二檢測(cè)晶體管和電壓源之間。
12. 如權(quán)利要求11所述的用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器，其中，所述 電壓源的電壓值被設(shè)置為高于基電源的電壓值。
13. 如權(quán)利要求12所述的用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器，其中，所述 基電源是地。
14. 如權(quán)利要求11所述的用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器，其中，所述 第 一和第二檢測(cè)晶體管的第 一電極和柵電極連接到所述基電源，而所述第一 和第二檢測(cè)晶體管的第二電極連接到所述輸出線。
15. 如權(quán)利要求14所述的用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器，其中，所述 第 一和第二檢測(cè)晶體管被適配為按照入射到其柵電極上的外圍光線的強(qiáng)度 來控制流入所述輸出線的電流量。
16. 如權(quán)利要求11所述的用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器，其中，所述 第一和第二補(bǔ)償晶體管的第一電極連接到所述輸出線，所述第一和第二補(bǔ)償 晶體管的第二電極連接到所述電壓源，并且所述第一和第二補(bǔ)償晶體管的柵 電極連接到所述基電源。
全文摘要
公開了用于檢測(cè)外圍光線的光傳感器及使用該光傳感器的液晶顯示設(shè)備。該光傳感器包括至少兩個(gè)第一晶體管，其并行連接在輸出線和基電源之間，用于檢測(cè)外圍光線的強(qiáng)度；以及至少兩個(gè)第二晶體管，其位于第一晶體管的一側(cè)，且在第一晶體管和電壓源之間。
文檔編號(hào)G01J1/44GK101387550SQ20081016080
公開日2009年3月18日 申請(qǐng)日期2008年9月16日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月14日
發(fā)明者田武經(jīng) 申請(qǐng)人:三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社