專利名稱：一種測試定位點制造方法、測試定位點及單板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體領域，尤其涉及一種測試定位點制造方法、測試定位 點及單板。
背景技術：
如圖1所示，是現(xiàn)有技術MARK點與單板測試點平面布局示意圖。裝備 測試是產(chǎn)品量產(chǎn)不可缺少的。單板IO產(chǎn)品量產(chǎn)時必須滿足加工效率的需求， 同時又要求保證產(chǎn)品功能的可測試性條件。單板測試點102可以很好的滿足 這種需求。單板測試點102是實現(xiàn)裝備測試的必備條件之一，其直接通過單 板外部走線104與測試線路105相連。單板測試點102要求在一定的安全距 離內(nèi)周圍不能有器件布局(稱為單板禁布區(qū)106)，以保證測試時測試針能夠 扎到單板測試點102上，且不會碰到周圍器件；同時由于單板測試點102受 裝備夾具制作能力的限制，為保證正常測試，單板測試點102的尺寸有明確 的要求(通常為1.22mm左右)，且單板測試點102之間的間距也有明確的距 離要求(通常為1.91mm左右)。
光學定位點101，又稱MARK點101，是在產(chǎn)品加工時用來定位坐標的 標準點，其一般比單板測試點102小。目前表面貼裝技術(SMT)產(chǎn)品線印 錫和貼片設備均采用光學定位系統(tǒng)，通過光學定位點101，判斷產(chǎn)品是否準確 對位，以及判定單板上器件所在的位置。因此MARK點在產(chǎn)品設計時必不可 少，否則產(chǎn)品無法加工，MARK點是產(chǎn)品具有可加工性的前提條件。單板正 常加工時，要求至少布局兩個以上MARK點。單板在加工時，由于設備識別 能力的限制，對周圍器件距離MARK點也有一定的禁布區(qū)要求，該區(qū)域內(nèi)單板的表面不能有器件布局(稱為光學定位點禁布區(qū)103，該點一般比單板禁布
區(qū)106小，通常意義上是直徑為3mm的圓，視設計情況有所不同)。
隨著終端產(chǎn)品發(fā)展，形態(tài)越來越豐富，功能也越來越多，尺寸也越來越 小，因而產(chǎn)品主板布局已經(jīng)出現(xiàn)了寸土必爭的場面。在實現(xiàn)本發(fā)明過程中， 發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術中至少存在如下問題由于MARK點101和單板測試點 102都有單板禁布區(qū)106的要求，該單板禁布區(qū)106在單板10上占據(jù)了較大 的空間，使得單板10的布局設計受到很大的限制。同時由于目前業(yè)界普遍采 用的單板測試點102與MARK點101多為圓形，容易引起設備識別的混淆。 可見，受單板禁布區(qū)106和設備識別的限制，在設計時要求MARK點101和 單板測試點102之間要盡可能遠離，至少要保證一定的安全距離，這就造成 單板10設計時布局緊張，這與終端單板10目前的發(fā)展趨勢是相背離的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例的發(fā)明目的是為了解決單板設計時布局緊張的問題。 一方面，本發(fā)明實施例提供了一種測試定位點制造方法，所述方法包括 于一單板上制作至少一測試定位點，所述測試定位點為滿足所述單板上單板 測試點尺寸的光學定位點；在所述測試定位點上刻蝕一微孔；利用所述單板 的內(nèi)層走線通過所述微孔將所述 測試定位點的銅箔和所述單板的測試線路連 通；利用銅填平所述微孔。
另一方面，本發(fā)明實施例還提供了一種測試定位點，所述測試定位點包 括銅箔和走線，所述銅箔滿足所述測試定位點所在單板上單板測試點的尺寸； 所述走線為所述單板的內(nèi)層走線，用于將所述測試定位點的銅箔和所述單板 的測試線路連通。
再一方面，本發(fā)明實施例還提供了一種單板，所述單板包括至少一測試 定位點，所述測試定位點包括銅箔和走線；所述銅箔滿足所述測試定位點所 在單板上單板測試點的尺寸；所述走線為所述單板的內(nèi)層走線，用于將所述測試定位點的銅箔和所述單板的測試線路連通。
上述技術方案具有如下有益效果因為采用內(nèi)層走線將所述測試定位點 的銅箔和所述單板的測試線路連通的技術手段，所以克服了單板設計時布局 緊張的問題，進而達到了使光學定位點和單板測試點合二為一為測試定位點， 以產(chǎn)生有效節(jié)省單板布局空間的技術效果。


此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構(gòu)成本申請的一部 分，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限定。在附圖中
圖1是現(xiàn)有技術MARK點與單板測試點平面布局示意圖； 圖2是本發(fā)明實施例一種測試定位點制造方法流程圖； 圖3是現(xiàn)有技術MARK點的剖面圖4為本發(fā)明實施例進行微孔刻蝕和單板內(nèi)部走線的放大剖視圖5為本發(fā)明實施例測試定位點通過電鍍填平技術填平后的示意及放大
圖6為本發(fā)明實施例MARK點與單板測試點共用后的測試定位點平面布 局示意圖。
具體實施例方式
為使本發(fā)明的目的、技術方案和有益效果更加清楚明白，下面結(jié)合實施 方式和附圖，對本發(fā)明做進一步詳細說明。在此，本發(fā)明的示意性實施方式 及其說明用于解釋本發(fā)明，但并不作為對本發(fā)明的限定。
實施例一
如圖2所示，是本發(fā)明實施例一種測試定位點制造方法流程圖，所述方 法包括
步驟201，于一單板上制作至少一測試定位點，所述測試定位點為滿足所述單板上單板測試點尺寸的光學定位點。
可以于所述單板的板邊制作所述測試定位點。可以于所述單板上制作三 個所述測試定位點。
步驟202，在所述測試定位點上刻蝕一微孔。
可以利用激光在所述測試定位點上刻蝕所述微孔。
步驟203，利用所述單板的內(nèi)層走線通過所述微孔將所述測試定位點的銅 箔和所述單板的測試線路連通。
步驟204，利用銅填平所述微孔。 可以利用銅通過電鍍填平所述微孔。
上述本發(fā)明實施例因為釆用內(nèi)層走線將所述測試定位點的銅箔和所述單 板的測試線路連通的技術手段，所以克服了單板設計時布局緊張的問題，進 而達到了使光學定位點和單板測試點合二為一為測試定位點，以產(chǎn)生有效節(jié) 省單板布局空間的技術效果。
實施例二-
本實施例主要的目的在于通過設計實現(xiàn)方案的變更，解決單板測試點和 MARK點都需要安全禁布區(qū)的要求，使單板設計時布局緊張的問題，最大限 度的增加終端產(chǎn)品單板的布局面積。
本實施例的實現(xiàn)方案是通過調(diào)整單板測試點和光學MARK點，使兩者實 現(xiàn)共用。通過將單板測試點和MARK點尺寸設計為一樣的尺寸的測試定位點， 所述測試定位點為滿足所述單板上單板測試點尺寸的光學定位點。如圖3所 示，是現(xiàn)有技術MARK點的剖面圖，在沒有制作微孔前，單板10上的MARK 點101上下兩層只是孤立的兩個銅箔。如圖4所示，為本發(fā)明實施例進行微 孔刻蝕和單板內(nèi)部走線的放大剖視圖，通過制作微孔302 (微孔302的制作包 括打孔和在孔壁上電鍍)，實現(xiàn)上下兩層的連通，在該銅皮處把其通過內(nèi)層 走線301引出，并連接到測試線路。本實施例的實現(xiàn)方案使測試定位點在實 現(xiàn)MARK點本身功能的同時，同時完成單板測試點功能。如圖5所示，為本發(fā)明實施例測試定位點通過電鍍填平技術填平后的示 意及放大圖。通常情況下，測試定位點401為圓形，也可以不是圖示的圓形
而是其他形狀。為了達到良好的光學識別效果，采用MARK點&單板測試點 二合一方案的測試定位點401，在其利用所述單板的內(nèi)層走線402通過所述微 孔將所述測試定位點401的銅箔和所述單板的測試線路403連通后，測試定 位點401在焊盤上的微孔推薦電鍍填平技術。電鍍填平是將微孔部分全部用 電鍍銅進行填滿，這樣表面是完全的平面，這對測試定位點來說，在其應用 MARK點功能時，對其識別更有利(MARK點是靠照相，和標準進行對比， 相似度為多少判為合格，如果微孔沒有填平，相似度會下降，設備可能判錯， 不對該板進行加工)。
如圖6所示，為本發(fā)明實施例MARK點與單板測試點共用后的測試定位 點平面布局示意圖。單板測試點的位置是可以放置在單板布局范圍的任意位 置，通過走線就可以調(diào)整到不同位置，但是MARK點放置要求MARK點之 間的距離盡可能遠，所以MARK點大都是放置在靠近板邊，這樣單板加工時， 精度是最高的。實現(xiàn)二合一的測試定位點401也必須滿足MARK點的這一應 用要求，所以我們可以于所述單板的板邊制作所述測試定位點401，并制作三 個，以定位一個平面。單板禁布區(qū)與光學定位點禁布區(qū)的差異在于在單板 禁布區(qū)內(nèi)(106與103之間的環(huán)狀區(qū)域)可以進行單板外部走線，但不能有器 件布局或者是裸漏的銅箔(走線是被一層絕緣的阻焊膜覆蓋保護)，而光學 定位點禁布區(qū)103內(nèi)除了圓形的銅箔(又稱為基準點)夕卜，單板表面不能有 任何其他金屬部分。設計時保證測試定位點401的禁布區(qū)滿足單板測試點和 MARK點二者禁布區(qū)中之大者的安全禁布需要(通常情況，MARK點的禁布 區(qū)要大，視設計情況有所不同)。
依照上述進行設計后，該測試定位點401在SMT組裝時作為MARK點 來識別；在測試時，則是作為單板測試點來完成測試。
本實施例通過調(diào)整優(yōu)化單板測試點和光學MARK點，整合成具有兩點功能的測試定位點，其帶來有益效果有
(1) 能有效節(jié)省單板布局空間，使產(chǎn)品設計更加靈活。
(2) 避免由于單板布局緊張和設備能力限制，測試點距離MARK點過 近，造成設備對單板測試點誤判，從而引起致命的加工問題。
(3) 保證了測試定位點作為MARK點應用時對準確性的要求，避免將 MARK點布局在輔助條上或者輔助邊上的設計帶來的制作問題和尺寸公差問 題，從而避免帶來加工問題。
(4) 更有利于裝備測試夾具的制作，避免由于單板上單板測試點過于密 集，造成夾具上的測試針不易制作。
以上所述的具體實施方式
，對本發(fā)明的目的、技術方案和有益效果進行 了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施方式
而 已，并不用于限定本發(fā)明的保護范圍，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做 的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種測試定位點制造方法，其特征在于，所述方法包括于一單板上制作至少一測試定位點，所述測試定位點為滿足所述單板上單板測試點尺寸的光學定位點；在所述測試定位點上刻蝕一微孔；利用所述單板的內(nèi)層走線通過所述微孔將所述測試定位點的銅箔和所述單板的測試線路連通；利用銅填平所述微孔。
2、 如權(quán)利要求1所述方法，其特征在于，于一單板上制作至少一測試定 位點包括于所述單板的板邊制作所述測試定位點；或， 于所述單板上制作三個所述測試定位點。
3、 如權(quán)利要求1所述方法，其特征在于，在所述測試定位點上刻蝕一微 孔包括-利用激光在所述測試定位點上刻蝕所述微孔。
4、 如權(quán)利要求l所述方法，其特征在于，利用銅填平所述微孔包括 利用銅通過電鍍填平所述微孔。
5、 一種測試定位點，所述測試定位點包括銅箔和走線，其特征在于， 所述銅箔滿足所述測試定位點所在單板上單板測試點的尺寸； 所述走線為所述單板的內(nèi)層走線，用于將所述測試定位點的銅箔和所述單板的測試線路連通。
6、 如權(quán)利要求5所述測試定位點，其特征在于， 所述測試定位點位于所述單板的板邊。
7、 一種單板，其特征在于，所述單板包括至少一測試定位點，所述測試 定位點包括銅箔和走線；所述銅箔滿足所述測試定位點所在單板上單板測試點的尺寸； 所述走線為所述單板的內(nèi)層走線，用于將所述測試定位點的銅箔和所述 單板的測試線路連通。
8、 如權(quán)利要求7所述單板，其特征在于， 所述單板包括三個所述測試定位點。
9、 如權(quán)利要求7所述單板，其特征在于，所述測試定位點位于所述單板 的板邊。
全文摘要
本發(fā)明提供一種測試定位點制造方法、測試定位點及單板，其中，所述方法包括于一單板上制作至少一測試定位點，所述測試定位點為滿足所述單板上單板測試點尺寸的光學定位點；在所述測試定位點上刻蝕一微孔；利用所述單板的內(nèi)層走線通過所述微孔將所述測試定位點的銅箔和所述單板的測試線路連通；利用銅填平所述微孔。本發(fā)明因為采用內(nèi)層走線將所述測試定位點的銅箔和所述單板的測試線路連通的技術手段，所以克服了單板設計時布局緊張的問題，進而達到了使光學定位點和單板測試點合二為一為測試定位點，以產(chǎn)生有效節(jié)省單板布局空間的技術效果。
文檔編號G01R3/00GK101424706SQ200810179450
公開日2009年5月6日 申請日期2008年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月28日
發(fā)明者杜紅娜, 涂凌志 申請人:深圳華為通信技術有限公司