專利名稱：一種晶片及驗證缺陷掃描機(jī)臺的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及一種晶片及驗證缺陷掃描機(jī)臺的方法。
背景技術(shù)：
在缺陷掃描機(jī)臺掃描晶片上的顆粒，并能確定晶片上的顆粒參數(shù)，為驗i正 缺陷掃描機(jī)臺的準(zhǔn)確度穩(wěn)定性，需定期驗證機(jī)臺的穩(wěn)定性和精確性。現(xiàn)有的技 術(shù)是采用不同規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)片對機(jī)臺進(jìn)行周期性的驗證(如每個月進(jìn)行一次測 試)，每種規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)片都有對應(yīng)的顆粒的參數(shù)，即大小和顆粒的個數(shù)的說明，
如一種標(biāo)準(zhǔn)片上有3萬個0.6 um的顆粒，另 一種標(biāo)準(zhǔn)片上有3.1萬個0.9 um的 顆粒。驗證機(jī)臺時，采用各種規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)片對機(jī)臺進(jìn)行;險測，并記錄測試的結(jié) 果，將各測試的結(jié)果和各標(biāo)準(zhǔn)片的顆粒的參數(shù)進(jìn)行比較，若均在設(shè)定的閾值范 圍內(nèi)，則可認(rèn)定該機(jī)臺檢測合格，反之則不合格。如一標(biāo)準(zhǔn)片上有3萬個0.6um 的顆粒，采用該標(biāo)準(zhǔn)片對機(jī)臺進(jìn)行測試，測試結(jié)果為顆粒的個數(shù)為30150個， 與標(biāo)準(zhǔn)片的顆粒個數(shù)3萬個比較，偏差為0.5%，小于規(guī)定的偏差閾值±1%，同 理采用其它規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)片(3.1萬個0.9um顆粒的標(biāo)準(zhǔn)片)測試，若均在設(shè)定 的閾值范圍內(nèi)，則可認(rèn)定該機(jī)臺檢測合格，反之則不合格。采用標(biāo)準(zhǔn)片進(jìn)行機(jī) 臺測試，可以很好的測試出機(jī)臺的準(zhǔn)確度穩(wěn)定性，但購買標(biāo)準(zhǔn)片的費用高，不 易頻繁的使用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例的目的在于提供了一種驗證缺陷掃描機(jī)臺的方法，為了解決 標(biāo)準(zhǔn)片的費用高，不易頻繁的使用的問題。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例提供的一種驗證缺陷掃描機(jī)臺的方法，
包括
在使用標(biāo)準(zhǔn)片驗證合格后的缺陷掃描機(jī)臺上，掃描晶片本體表面帶有顆粒 的定期測試晶片，記錄定期測試晶片上的顆粒參數(shù)作為標(biāo)準(zhǔn)顆粒參數(shù)；
在之后缺陷掃描機(jī)臺日常監(jiān)控中，將定期測試晶片在缺陷掃描機(jī)臺上掃 描，記錄顆粒參數(shù)；
比較日常監(jiān)控中記錄的顆粒參數(shù)和標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)的差值，若在設(shè)定的閾值范圍 內(nèi)，則缺陷掃描機(jī)臺檢測合格，反之則不合格。
同時本發(fā)明實施例還提供一種晶片，包括晶片本體和晶片本體表面上的 顆粒，晶片本體表面上覆蓋膜層，所述顆粒被包裹在內(nèi)。
由上述本發(fā)明提供的具體實施方案可以看出，正是由于自制定期測試晶 片，避免了標(biāo)準(zhǔn)片頻繁使用。


圖1為本發(fā)明提供的第一實施例方法流程圖； 圖2為本發(fā)明提供的第二實施例晶片結(jié)構(gòu)圖。
具體實施例方式
為解決標(biāo)準(zhǔn)片的費用高，不易頻繁的使用的問題，本發(fā)明實施例提供了一 種驗證缺陷掃描機(jī)臺的方法及晶片，該方法就是在不使用標(biāo)準(zhǔn)片的情況下，自 制定期測試QC晶片，用以驗證機(jī)臺。本發(fā)明實施例采用如下方法。試驗前使 用標(biāo)準(zhǔn)片驗證機(jī)臺的精確性，后選擇合適的QC晶片，在機(jī)臺上掃描后記錄顆 粒分布及顆粒大小、數(shù)量。為使QC晶片現(xiàn)有的顆粒固定，將QC晶片表面生 長一層SiN膜，這樣原來QC晶片表面的顆粒被SiN膜包裹在內(nèi)，不會隨時間 的改變而變化。將覆蓋了 SiN膜的QC晶片重新在機(jī)臺上測量，此時顆粒的分 布、大小、數(shù)量即為固定后的顆粒的參數(shù)。由于之前使用標(biāo)準(zhǔn)片驗證過機(jī)臺的穩(wěn)定性和精確性，故可認(rèn)定此時測量的參數(shù)是真實準(zhǔn)確的。在今后在日常監(jiān)控 中，只要對比第一次測量顆粒的參數(shù)即可。同時為防止由外來沾污而引起參數(shù)
的增加，可以在做機(jī)臺日常檢測前清洗QC晶片，由于QC晶片表面有SiN覆 蓋，外來沾污可以清洗干凈，但膜內(nèi)顆粒不會改變，QC晶片可以重復(fù)利用。
本發(fā)明提供的第一實施例是一種驗證缺陷掃描機(jī)臺的方法，方法流程如圖 l所示，包括
步驟101:使用標(biāo)準(zhǔn)片-驗證機(jī)臺。
驗證機(jī)臺的穩(wěn)定性和精確性時，采用各種規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)片對機(jī)臺進(jìn)行檢測， 并記錄測試的結(jié)果，將各測試的結(jié)果和各標(biāo)準(zhǔn)片的顆粒的參數(shù)進(jìn)行比較，若均 在設(shè)定的閾值范圍內(nèi)，則可認(rèn)定該機(jī)臺檢測合格，反之則不合格。如一標(biāo)準(zhǔn)片 上有3萬個0.6um的顆粒，釆用該標(biāo)準(zhǔn)片對機(jī)臺進(jìn)行測試，測試結(jié)果為顆粒的 個數(shù)為30150個，與標(biāo)準(zhǔn)片的顆粒個數(shù)3萬個比較，偏差為0.5%,小于規(guī)定 的偏差閾值±1%，同理采用其它規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)片(3.1萬個0.9um顆粒的標(biāo)準(zhǔn)片) 測試，若均在設(shè)定的閾值范圍內(nèi)，則可認(rèn)定該機(jī)臺檢測合格，反之則不合格。
步驟102:選擇晶片本體表面帶有顆粒的晶片作為QC晶片，在驗證合格 后的機(jī)臺上掃描，記錄顆粒分布及數(shù)量。
由于之前使用標(biāo)準(zhǔn)片驗證過機(jī)臺的穩(wěn)定性和精確性，故可認(rèn)定此時測量的 參數(shù)是真實準(zhǔn)確的，比如此時測試得到QC晶片上有IOO個顆粒，在之后的機(jī) 臺日常監(jiān)控中將以100個顆粒作為該QC晶片的標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)。
步驟103:將QC晶片表面生長一層氮化硅SiN膜。
QC晶片表面的顆粒數(shù)量會隨著放置時間的變長而增多，為使晶片現(xiàn)有的 顆粒固定，將晶片表面生長一層SiN膜，這樣原來晶片表面的顆粒被SiN膜包 裹在內(nèi)，不會隨時間的改變而變化。釆用SiN膜包裹晶片表面的顆粒只是本實 施例的優(yōu)選方案。透明或半透明的薄膜均可用于包裹晶片表面的顆粒，如 LPTEOS (Low PresureTetra Ethyl-Ortho-Silicate,低壓正硅酸乙脂)膜，薄膜 的厚度應(yīng)小于0.5um。步驟104:在之后機(jī)臺日常監(jiān)控中，將QC晶片在機(jī)臺上掃描，記錄顆粒 數(shù)量作為標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)。
例如此次機(jī)臺日常監(jiān)控中，測得的顆粒數(shù)為110。
在本步驟之前的步驟103也可以和步驟102互換，這樣就是先在QC晶片 表面生長一層氮化硅SiN膜，之后將表面生長氮化硅SiN膜的晶片在驗證合格 后的機(jī)臺上掃描。
為防止由外來沾污而引起QC晶片上的顆粒的增加，可以在做機(jī)臺日常監(jiān) 控前清洗QC晶片，由于QC晶片表面有SiN覆蓋，外來沾污可以清洗干凈， 但膜內(nèi)顆粒不會改變，QC晶片可以重復(fù)利用。
或者，在在本步驟之前，步驟103之后還可以對生長完SiN膜后的要清洗 后再次掃描的，因為生長膜的時候可能有顆粒的增加，這種顆粒也是長在膜里 面的，或清洗是為了把SiN膜外表面顆粒洗干凈，要保證掃描的顆粒全部都是 膜內(nèi)的顆粒，這樣步驟102的目的就可以是為了防止選擇的QC晶片過臟或是 過干凈，如果晶片過臟，顆粒分布圖上就很難判定出哪個是新增的缺陷，如果 晶片過干凈，顆粒數(shù)量少，不能涵蓋所有顆粒大小的情況影響后續(xù)的判斷。
步驟105:對比步驟102中測量顆粒的參數(shù)，若在設(shè)定的閾值范圍內(nèi)，則 可認(rèn)定該機(jī)臺檢測合格，反之則不合格。
步驟104中測量的顆粒數(shù)為110個，步驟102中測量的顆粒數(shù)為100 個，設(shè)定的閾值為標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)的±10%,認(rèn)為此次檢測該機(jī)臺合格，若步驟105 中測得的顆粒數(shù)為500，超出設(shè)定的閾值±10%，則認(rèn)定此次檢測該機(jī)臺不合格， 需要進(jìn)行維護(hù)處理。
本發(fā)明提供的第二實施例是一種晶片，其結(jié)構(gòu)如圖2所示，包括
晶片本體201和晶片本體表面上的顆粒202,晶片本體表面上覆蓋膜層 203,所述顆粒202被包裹在膜層203內(nèi)。
進(jìn)一步，所述膜層203為氮化硅膜。
進(jìn)一步，所述膜層203厚度小于0.5微米。進(jìn)一步，所述膜層203為透明或半透明膜。
明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及 其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種驗證缺陷掃描機(jī)臺的方法，其特征在于，包括在使用標(biāo)準(zhǔn)片驗證合格后的缺陷掃描機(jī)臺上，掃描晶片本體表面帶有顆粒的定期測試晶片，記錄定期測試晶片上的顆粒參數(shù)作為標(biāo)準(zhǔn)顆粒參數(shù)；在之后缺陷掃描機(jī)臺日常監(jiān)控中，將定期測試晶片在缺陷掃描機(jī)臺上掃描，記錄顆粒參數(shù)；比較日常監(jiān)控中記錄的顆粒參數(shù)和標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)的差值，若在設(shè)定的閾值范圍內(nèi)，則缺陷掃描機(jī)臺檢測合格，反之則不合格。
2、 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在缺陷掃描機(jī)臺日常監(jiān)控步 驟前還包括在定期測試晶片表面生長覆蓋膜層。
3、 如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在驗證合格后的機(jī)臺上掃描 定期測試晶片步驟前還包括在定期測試晶片表面生長覆蓋膜層。
4、 如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述覆蓋膜層為氮化硅膜。
5、 如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述覆蓋膜層厚度小于0.5 微米。
6、 如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述覆蓋膜層為透明或半透 明膜。
7、 一種晶片，包括晶片本體和晶片本體表面上的顆粒，其特征在于，晶 片本體表面上覆蓋膜層，所述顆粒被包裹在膜層內(nèi)。
8、 如權(quán)利要求7所述的晶片，其特征在于，所述膜層為氮化硅膜。
9、 如權(quán)利要求7所述的晶片，其特征在于，所述膜層厚度小于0.5微米。
10、 如權(quán)利要求7所述的晶片，其特征在于，所述膜層為透明或半透明膜。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種驗證缺陷掃描機(jī)臺的方法，為了解決標(biāo)準(zhǔn)片的費用高，不易頻繁的使用的問題，本發(fā)明公開的方法包括在使用標(biāo)準(zhǔn)片驗證合格后的缺陷掃描機(jī)臺上，掃描晶片本體表面帶有顆粒的定期測試晶片，記錄定期測試晶片上的顆粒參數(shù)作為標(biāo)準(zhǔn)顆粒參數(shù)；在之后缺陷掃描機(jī)臺日常監(jiān)控中，將定期測試晶片在缺陷掃描機(jī)臺上掃描，記錄顆粒參數(shù)；比較日常監(jiān)控中記錄的顆粒參數(shù)和標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)的差值，若在設(shè)定的閾值范圍內(nèi)，則缺陷掃描機(jī)臺檢測合格，反之則不合格。由于自制定期測試晶片，避免了標(biāo)準(zhǔn)片頻繁使用。
文檔編號G01N21/88GK101451962SQ20081024103
公開日2009年6月10日 申請日期2008年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月25日
發(fā)明者張維怡, 湛 王, 黃文亮 申請人:北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司