專利名稱：基于納米膜量子隧穿效應(yīng)的電磁驅(qū)動(dòng)陀螺儀的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微機(jī)械陀螺儀，具體是一種基于納米膜量子隧穿效應(yīng)的電磁驅(qū) 動(dòng)陀螺儀。
背景技術(shù)：
微機(jī)械陀螺儀是微機(jī)械慣性儀表的重要組成部分，它主要用于測(cè)量物體相 對(duì)于慣性空間轉(zhuǎn)動(dòng)的角速度或角位移。目前，微機(jī)械陀螺儀最常用的驅(qū)動(dòng)方式 為靜電驅(qū)動(dòng)方式，該方式是利用驅(qū)動(dòng)部件之間的電壓差實(shí)現(xiàn)的。靜電驅(qū)動(dòng)力的 大小與驅(qū)動(dòng)部件間距、驅(qū)動(dòng)電壓大小有關(guān)，即驅(qū)動(dòng)部件間距越小、驅(qū)動(dòng)電壓越 大，產(chǎn)生的靜電驅(qū)動(dòng)力越大。在驅(qū)動(dòng)力要求很大的驅(qū)動(dòng)部件中，因制作工藝條 件約束，使驅(qū)動(dòng)部件間距不可能無限制減小，同時(shí)微機(jī)械器件低功耗的要求使 靜電驅(qū)動(dòng)電壓不可能無限制增加。微機(jī)械陀螺最常用的檢測(cè)方式為是電容檢測(cè) 方式，電容式陀螺儀的檢測(cè)精度在于單位角速率下電容的變化量，即電容的變 化面積越大，檢測(cè)的精度越高。由于制作工藝條件和微小型化的要求，有效電 容面積變化量已受到很大的限制。陀螺敏感頭是微機(jī)械式陀螺儀的核心部件， 它的靈敏度、分辨率等性能參數(shù)在本質(zhì)上是由陀螺敏感頭上制作的敏感檢測(cè)元 件決定的。由于微型化和集成化的要求，敏感元件的區(qū)域隨之減小，故而使敏 感元件的性能參數(shù)已達(dá)到區(qū)域所能敏感的極限狀態(tài)。同時(shí)，陀螺敏感頭的驅(qū)動(dòng) 振幅也限制了陀螺靈敏度的提高。
與此同時(shí)，新興半導(dǎo)體器件-納米膜量子隧穿器件正逐步應(yīng)用 傳感器領(lǐng)域中，其核心結(jié)構(gòu)是超晶格納米級(jí)寬帶隙材料夾雜著超晶格納米級(jí)窄帶隙材 料，集中體現(xiàn)在納米膜量子隧穿效應(yīng)上，即納米膜量子隧穿器件在力學(xué)信號(hào)作 用力下，量子化能級(jí)的勢(shì)壘高度會(huì)發(fā)生變化，使納米膜量子隧穿器件中的電子 發(fā)生躍遷，形成隧穿電流，將微弱的力學(xué)信號(hào)轉(zhuǎn)變成較強(qiáng)的電學(xué)信號(hào)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了解決現(xiàn)有微機(jī)械陀螺儀所應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)方式、檢測(cè)方式及與驅(qū) 動(dòng)、檢測(cè)方式對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)限制了陀螺儀性能參數(shù)進(jìn)一步提高的問題，提供了一 種基于納米膜量子隧穿效應(yīng)的電磁驅(qū)動(dòng)陀螺儀。并只以提供該器件的表頭硬件 結(jié)構(gòu)為目的，不涉及輸出信號(hào)的后續(xù)處理及相應(yīng)的處理電路。
本發(fā)明是采用如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的基于納米膜量子隧穿效應(yīng)的電磁驅(qū)動(dòng) 陀螺儀，包括載板、焊接固定于載板中心區(qū)域的陀螺管芯，且載板中心區(qū)域嵌
放有永磁鐵，陀螺管芯內(nèi)封裝有陀螺敏感機(jī)構(gòu)；所述陀螺敏感機(jī)構(gòu)包含支撐框
體、與支撐框體下表面鍵合固定的玻璃基板、通過組合梁架設(shè)于支撐框體中央
的質(zhì)量塊，所述質(zhì)量塊上由X軸向中心線與Y軸向中心線劃分得到的四象限 區(qū)域內(nèi)分別開設(shè)有用于設(shè)置組合梁的置梁槽，且質(zhì)量塊上相鄰象限內(nèi)的置梁槽 以相鄰象限間的分界線-質(zhì)量塊的X軸向中心線或Y軸向中心線為對(duì)稱軸對(duì)稱
設(shè)置；所述組合梁由單端與支撐框體垂直固定連接的檢測(cè)梁、及對(duì)稱設(shè)置于檢
測(cè)梁兩側(cè)的"形驅(qū)動(dòng)梁構(gòu)成，"形驅(qū)動(dòng)梁的兩端分別與檢測(cè)梁的自 由端、質(zhì)量塊連接固定，且檢測(cè)梁與質(zhì)量塊的X軸向中心線呈垂直關(guān)系；檢測(cè) 梁與支撐框體的連接處設(shè)置有納米膜量子隧穿器件;質(zhì)量塊上以Y軸向中心線 為對(duì)稱軸對(duì)稱設(shè)置有兩組由反饋導(dǎo)線與驅(qū)動(dòng)導(dǎo)線構(gòu)成的導(dǎo)線組，且導(dǎo)線組中的
反饋導(dǎo)線與驅(qū)動(dòng)導(dǎo)線對(duì)稱設(shè)置于質(zhì)量塊Y軸向上正對(duì)的置梁槽兩側(cè)；支撐框體上設(shè)置有與各納米膜量子隧穿器件、驅(qū)動(dòng)導(dǎo)線、及反饋導(dǎo)線對(duì)應(yīng)的引線焊盤；
反饋導(dǎo)線與驅(qū)動(dòng)導(dǎo)線的兩端經(jīng)沿"1"形驅(qū)動(dòng)梁、檢測(cè)梁設(shè)置的連接導(dǎo)線與支撐框體上相應(yīng)的引線焊盤連接；質(zhì)量塊上均布有阻尼孔；驅(qū)動(dòng)導(dǎo)線、反饋導(dǎo)
線與質(zhì)量塊間、引線焊盤與支撐框體間、及連接導(dǎo)線與"1"形驅(qū)動(dòng)梁、檢測(cè)梁間分別設(shè)有絕緣層。
陀螺管芯內(nèi)封裝的陀螺敏感機(jī)構(gòu)處于永磁鐵的磁場(chǎng)中，在質(zhì)量塊上驅(qū)動(dòng)導(dǎo)線兩端施加交流偏壓，依據(jù)安培力公式，質(zhì)量塊上的驅(qū)動(dòng)導(dǎo)線受到交變安培力作用，使質(zhì)量塊隨著安培力的交變頻率在X軸驅(qū)動(dòng)方向上線性簡(jiǎn)諧振動(dòng)；當(dāng)質(zhì)量塊敏感到繞Y軸方向有角速度輸入，由于哥氏力作用，質(zhì)量塊將會(huì)在Z軸檢測(cè)方向上產(chǎn)生運(yùn)動(dòng)；質(zhì)量塊的運(yùn)動(dòng)帶動(dòng)組合梁中的檢測(cè)梁運(yùn)動(dòng)，使檢測(cè)梁與支撐框體連接處(即檢測(cè)梁根部)應(yīng)力發(fā)生變化，使設(shè)置在檢測(cè)梁與支撐框體連接處的納米膜量子隧穿器件的電學(xué)特性因受到應(yīng)力的變化而發(fā)生變化，即納米膜量子隧穿器件因應(yīng)力的變化產(chǎn)生量子隧穿效應(yīng)，將微弱力學(xué)信號(hào)轉(zhuǎn)變成較強(qiáng)的電學(xué)信號(hào)，通過對(duì)納米膜量子隧穿器件電學(xué)特性的檢測(cè)就可以得到Z軸方向上的角速度大小。
而納米膜量子隧穿器件的電學(xué)特性輸出一般采用惠斯通電橋方式，即把納米膜量子隧穿器件作為壓敏電阻使用，構(gòu)建惠斯通電橋；在選擇一定偏壓下，調(diào)節(jié)惠斯通電橋臂上的滑動(dòng)變阻器使電橋平衡；在應(yīng)力作用下，納米膜量子隧穿器件的電阻值發(fā)生變化而導(dǎo)致電橋失衡，對(duì)失衡電壓(輸出的差分電壓)放大、濾波后就可以得到在應(yīng)力作用下納米膜量子隧穿器件的電學(xué)變化特性，進(jìn)而得到輸入角速度的大小。另外，質(zhì)量塊上反饋導(dǎo)線的作用是構(gòu)建反饋電路，依據(jù)反饋導(dǎo)線切割磁感線產(chǎn)生的動(dòng)生電動(dòng)勢(shì)，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)質(zhì)量塊的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)，進(jìn)而判斷其工作頻率等參
數(shù)；將反饋導(dǎo)線切割磁感線產(chǎn)生的動(dòng)生電動(dòng)勢(shì)經(jīng)過一些的電路(如信號(hào)隔離電路、頻率篩選電路、增益控制電路和功率放大電路)后作用于驅(qū)動(dòng)導(dǎo)線，實(shí)現(xiàn)閉環(huán)驅(qū)動(dòng)電路。這樣做的優(yōu)點(diǎn)在于1、針對(duì)由于加工工藝的不一致性，而導(dǎo)致陀螺敏感機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)、共振頻率存在差異性這一狀況，閉環(huán)驅(qū)動(dòng)電路可以使陀螺的頻率、幅值自由地選擇到其最佳狀態(tài)；2、針對(duì)不同工作環(huán)境下測(cè)量精度、量程、帶寬等方面的不同需要，可以通過調(diào)整反饋電路的參數(shù)來滿足。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明采用無接觸式電磁驅(qū)動(dòng)，利用帶電導(dǎo)線在磁場(chǎng)內(nèi)受到的安培力實(shí)現(xiàn)，根據(jù)安培力公式可知，選擇磁場(chǎng)強(qiáng)度B高的永磁鐵提供磁場(chǎng)，對(duì)驅(qū)動(dòng)導(dǎo)線施加小工作電壓即可對(duì)質(zhì)量塊實(shí)現(xiàn)大驅(qū)動(dòng)力、大行程諧振驅(qū)動(dòng)，滿足微機(jī)械器件低功耗要求，且實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)相較于靜電驅(qū)動(dòng)要簡(jiǎn)潔得多，易加工；采用納米膜量子隧穿器件檢測(cè)方式，在質(zhì)量塊與支撐框架間組合梁的應(yīng)力敏感區(qū)域設(shè)置納米膜量子隧穿器件，由哥氏力引起的組合梁應(yīng)變會(huì)使納米膜量子隧穿器件的電學(xué)特性發(fā)生變化，根據(jù)納米膜量子隧穿器件的電學(xué)特性變化量即可
得到角速度的大小，由于納米膜量子隧穿器件的靈敏度高達(dá)io-9 (硅為10"1)
數(shù)量級(jí)，使得本發(fā)明所述電磁驅(qū)動(dòng)陀螺可以高靈敏度測(cè)量，比電容式檢測(cè)方式的靈敏度要高1-2個(gè)數(shù)量級(jí),利于提高本發(fā)明所述陀螺儀的檢測(cè)精度和分辨率，使檢測(cè)數(shù)據(jù)更加精確、可靠，且納米膜量子隧穿器件的加工工藝已經(jīng)成熟；另外，質(zhì)量塊與支撐框架間的組合梁由檢測(cè)梁、及對(duì)稱設(shè)置于檢測(cè)梁兩側(cè)的
"1"形驅(qū)動(dòng)梁構(gòu)成，驅(qū)動(dòng)梁的對(duì)稱設(shè)置結(jié)構(gòu)能抑制驅(qū)動(dòng)、檢測(cè)時(shí)的相互影響，適合器件的微小型化和陀螺的正交解耦；在質(zhì)量塊上增設(shè)構(gòu)建反饋電路的反饋導(dǎo)線，用于實(shí)時(shí)監(jiān)控質(zhì)量塊的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)，對(duì)施加在驅(qū)動(dòng)導(dǎo)線上的交變電壓調(diào)整提供依據(jù)，使陀螺儀整體達(dá)到工作最佳狀態(tài)。本發(fā)明所述陀螺儀是以公知
的MEMS加工工藝加工而成，其具體加工步驟為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知。
本發(fā)明將納米膜量子隧穿效應(yīng)、電磁驅(qū)動(dòng)與陀螺哥氏效應(yīng)相結(jié)合，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)
潔、合理、緊湊，適合于微小型化，且靈敏度等性能參數(shù)相較于現(xiàn)有微陀螺儀
有較大程度提高。


圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖2為陀螺敏感機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖3為圖2的俯視圖4為圖2中A處的放大圖5為玻璃基板的結(jié)構(gòu)示意圖6為組合梁的結(jié)構(gòu)示意圖7為載板的結(jié)構(gòu)示意圖中l(wèi)-載板；2-陀螺管芯；3-永磁鐵；4-支撐框體；5-玻璃基板；6-質(zhì)量
塊；7-置梁槽；8-檢測(cè)梁；9- " 1"形驅(qū)動(dòng)梁；10-納米膜量子隧穿器件；11-反饋導(dǎo)線；12-驅(qū)動(dòng)導(dǎo)線；13、 14、 15-引線焊盤；16-連接導(dǎo)線；17-阻尼孔；18-絕緣層；19-固定孔；20-方形凹槽。
具體實(shí)施例方式
基于納米膜量子隧穿效應(yīng)的電磁驅(qū)動(dòng)陀螺儀，包括載板l、焊接固定于載板1中心區(qū)域的陀螺管芯2，且載板1中心區(qū)域嵌放有永磁鐵3，陀螺管芯2內(nèi)封裝有陀螺敏感機(jī)構(gòu)；所述陀螺敏感機(jī)構(gòu)包含支撐框體4、與支撐框體4下表面鍵合固定的玻璃基板5、通過組合梁架設(shè)于支撐框體4中央的質(zhì)量塊6，所述質(zhì)量塊6上由X軸向中心線與Y軸向中心線劃分得到的四象限區(qū)域內(nèi)分別開設(shè)有用于設(shè)置組合梁的置梁槽7，且質(zhì)量塊6上相鄰象限內(nèi)的置梁槽7以相鄰象限間的分界線-質(zhì)量塊6的X軸向中心線或Y軸向中心線為對(duì)稱軸對(duì)稱設(shè)置；所述組合梁由單端與支撐框體4垂直固定連接的檢測(cè)梁8、及對(duì)稱設(shè)置
于檢測(cè)梁8兩側(cè)的"1"形驅(qū)動(dòng)梁9構(gòu)成，"1"形驅(qū)動(dòng)梁9的兩端分別與檢測(cè)梁8的自由端、質(zhì)量塊6連接固定，且檢測(cè)梁8與質(zhì)量塊6的X軸向中心線呈垂直關(guān)系;檢測(cè)梁8與支撐框體4的連接處設(shè)置有納米膜量子隧穿器件10;質(zhì)量塊6上以Y軸向中心線為對(duì)稱軸對(duì)稱設(shè)置有兩組由反饋導(dǎo)線11與驅(qū)動(dòng)導(dǎo)線12構(gòu)成的導(dǎo)線組，且導(dǎo)線組中的反饋導(dǎo)線11與驅(qū)動(dòng)導(dǎo)線12對(duì)稱設(shè)置于質(zhì)量塊6Y軸向上正對(duì)的置梁槽7兩側(cè)；支撐框體4上設(shè)置有與各納米膜量子隧穿器件IO、反饋導(dǎo)線ll、及驅(qū)動(dòng)導(dǎo)線12對(duì)應(yīng)的引線焊盤13、 14、 15;反饋導(dǎo)
線11與驅(qū)動(dòng)導(dǎo)線12的兩端經(jīng)沿"1"形驅(qū)動(dòng)梁9、檢測(cè)梁8設(shè)置的連接導(dǎo)線16與支撐框體4上相應(yīng)的引線焊盤14、 15連接；質(zhì)量塊6上均布有阻尼孔17;驅(qū)動(dòng)導(dǎo)線12、反饋導(dǎo)線11與質(zhì)量塊6間、引線焊盤13、 14、 15與支撐框
體4間、及連接導(dǎo)線16與"1"形驅(qū)動(dòng)梁9、檢測(cè)梁8間分別設(shè)有絕緣層18。具體實(shí)施時(shí)，玻璃基板5中央刻蝕有為質(zhì)量塊6上下運(yùn)動(dòng)提供空間的方形凹槽20，方形凹槽20的深度視陀螺的檢測(cè)量程和阻尼系數(shù)確定；載板l的四角開有固定孔19;質(zhì)量塊6上的阻尼孔17可視需要設(shè)計(jì)成圓形或矩形，其尺寸大小和數(shù)量個(gè)數(shù)可根據(jù)應(yīng)用環(huán)境和阻尼系數(shù)確定；永磁鐵3的形狀可為圓形量塊6的厚度相同，檢測(cè)梁
8的厚度小于兩側(cè)"1"形驅(qū)動(dòng)梁9，這樣，使得質(zhì)量塊6在驅(qū)動(dòng)方向上振動(dòng) 時(shí)，檢測(cè)梁8幾乎不會(huì)在X軸驅(qū)動(dòng)方向上產(chǎn)生振動(dòng)，制作在檢測(cè)梁8根部的納 米膜量子隧穿器件10不會(huì)因X軸驅(qū)動(dòng)方向上的運(yùn)動(dòng)而導(dǎo)致電學(xué)性能發(fā)生變化，
而質(zhì)量塊6在Z軸檢測(cè)方向上運(yùn)動(dòng)時(shí)，"1"形驅(qū)動(dòng)梁9的總剛度遠(yuǎn)大于檢測(cè)
梁8的剛度，由位移疊加原理可知，"1"形驅(qū)動(dòng)梁9在Z軸檢測(cè)方向上會(huì)產(chǎn)
生小量的位移，但總位移的75.76%將由檢測(cè)梁8產(chǎn)生，由此可知，"l"形 驅(qū)動(dòng)梁9可最大程度上的把哥氏力傳遞到檢測(cè)梁8，從而使檢測(cè)梁8發(fā)生形變 引起納米膜量子隧穿器件10的電學(xué)性能變化。且根據(jù)應(yīng)力與檢測(cè)梁的厚度的 平方成反比關(guān)系，檢測(cè)梁厚度越小，受到的應(yīng)力越大，由于納米膜量子隧穿器 件IO對(duì)應(yīng)力比較敏感，所以本發(fā)明所述陀螺儀陀螺敏感機(jī)構(gòu)的靈敏度極高。
權(quán)利要求
1、一種基于納米膜量子隧穿效應(yīng)的電磁驅(qū)動(dòng)陀螺儀，其特征在于包括載板(1)、焊接固定于載板(1)中心區(qū)域的陀螺管芯(2)，且載板(1)中心區(qū)域嵌放有永磁鐵(3)，陀螺管芯(2)內(nèi)封裝有陀螺敏感機(jī)構(gòu)；所述陀螺敏感機(jī)構(gòu)包含支撐框體(4)、與支撐框體(4)下表面鍵合固定的玻璃基板(5)、通過組合梁架設(shè)于支撐框體(4)中央的質(zhì)量塊(6)，所述質(zhì)量塊(6)上由X軸向中心線與Y軸向中心線劃分得到的四象限區(qū)域內(nèi)分別開設(shè)有用于設(shè)置組合梁的置梁槽(7)，且質(zhì)量塊(6)上相鄰象限內(nèi)的置梁槽(7)以相鄰象限間的分界線-質(zhì)量塊(6)的X軸向中心線或Y軸向中心線為對(duì)稱軸對(duì)稱設(shè)置；所述組合梁由單端與支撐框體(4)垂直固定連接的檢測(cè)梁(8)、及對(duì)稱設(shè)置于檢測(cè)梁(8)兩側(cè)的 id="icf0001" file="A2009100755860002C1.tif" wi="15" he="6" top= "128" left = "69" img-content="drawing" img-format="tif" orientation="portrait" inline="yes"/>形驅(qū)動(dòng)梁(9)構(gòu)成， id="icf0002" file="A2009100755860002C2.tif" wi="13" he="6" top= "128" left = "135" img-content="drawing" img-format="tif" orientation="portrait" inline="yes"/>形驅(qū)動(dòng)梁(9)的兩端分別與檢測(cè)梁(8)的自由端、質(zhì)量塊(6)連接固定，且檢測(cè)梁(8)與質(zhì)量塊(6)的X軸向中心線呈垂直關(guān)系；檢測(cè)梁(8)與支撐框體(4)的連接處設(shè)置有納米膜量子隧穿器件(10)；質(zhì)量塊(6)上以Y軸向中心線為對(duì)稱軸對(duì)稱設(shè)置有兩組由反饋導(dǎo)線(11)與驅(qū)動(dòng)導(dǎo)線(12)構(gòu)成的導(dǎo)線組，且導(dǎo)線組中的反饋導(dǎo)線(11)與驅(qū)動(dòng)導(dǎo)線(12)對(duì)稱設(shè)置于質(zhì)量塊(6)Y軸向上正對(duì)的置梁槽(7)兩側(cè)；支撐框體(4)上設(shè)置有與各納米膜量子隧穿器件(10)、反饋導(dǎo)線(11)、及驅(qū)動(dòng)導(dǎo)線(12)對(duì)應(yīng)的引線焊盤(13、14、15)；反饋導(dǎo)線(11)與驅(qū)動(dòng)導(dǎo)線(12)的兩端經(jīng)沿 id="icf0003" file="A2009100755860002C3.tif" wi="13" he="6" top= "223" left = "101" img-content="drawing" img-format="tif" orientation="portrait" inline="yes"/>形驅(qū)動(dòng)梁(9)、檢測(cè)梁(8)設(shè)置的連接導(dǎo)線(16)與支撐框體(4)上相應(yīng)的引線焊盤(14、15)連接；質(zhì)量塊(6)上均布有阻尼孔(17)；驅(qū)動(dòng)導(dǎo)線(12)、反饋導(dǎo)線(11)與質(zhì)量塊(6)間、引線焊盤(13、14、15)與支撐框體(4)間、及連接導(dǎo)線(16)與 id="icf0004" file="A2009100755860003C1.tif" wi="13" he="6" top= "29" left = "175" img-content="drawing" img-format="tif" orientation="portrait" inline="yes"/>形驅(qū)動(dòng)梁(9)、檢測(cè)梁(8)間分別設(shè)有絕緣層(18)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于納米膜量子隧穿效應(yīng)的電磁驅(qū)動(dòng)陀螺儀， 其特征在于玻璃基板(5)中央刻蝕有為質(zhì)量塊(6)上下運(yùn)動(dòng)提供空間的方 形凹槽(20)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于納米膜量子隧穿效應(yīng)的電磁驅(qū)動(dòng)陀螺儀，其特征在于組合梁中""""形驅(qū)動(dòng)梁(9)的厚度與質(zhì)量塊(6)的厚度相 同，檢測(cè)梁(8)的厚度小于兩側(cè)"1"形驅(qū)動(dòng)梁(9)。
全文摘要
本發(fā)明涉及微機(jī)械陀螺儀，具體是一種基于納米膜量子隧穿效應(yīng)的電磁驅(qū)動(dòng)陀螺儀。解決了現(xiàn)有微機(jī)械陀螺儀所應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)方式、檢測(cè)方式及與驅(qū)動(dòng)、檢測(cè)方式對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)限制了陀螺儀性能參數(shù)進(jìn)一步提高的問題，包括嵌放有永磁鐵的載板、陀螺管芯，陀螺管芯內(nèi)封裝含支撐框體、玻璃基板、組合梁、質(zhì)量塊的陀螺敏感機(jī)構(gòu)；組合梁由檢測(cè)梁、對(duì)稱設(shè)置于檢測(cè)梁兩側(cè)的“”形驅(qū)動(dòng)梁構(gòu)成；檢測(cè)梁與支撐框體的連接處設(shè)置有納米膜量子隧穿器件；質(zhì)量塊上設(shè)置有反饋導(dǎo)線、驅(qū)動(dòng)導(dǎo)線；反饋導(dǎo)線與驅(qū)動(dòng)導(dǎo)線兩端經(jīng)沿組合梁設(shè)置的連接導(dǎo)線與支撐框體上相應(yīng)引線焊盤連接。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔、合理、緊湊，適合于微小型化，且靈敏度等性能參數(shù)相較于現(xiàn)有微陀螺儀有較大程度提高。
文檔編號(hào)G01C19/56GK101655368SQ20091007558
公開日2010年2月24日 申請(qǐng)日期2009年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月26日
發(fā)明者俊 劉, 李孟委, 康 杜, 王瑞榮, 石云波 申請(qǐng)人:中北大學(xué)