專利名稱：用于識別磁性地標出的對象的方法以及相應的設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于尤其是連續(xù)地識別磁性地標出的對象、尤其是生物對象、優(yōu)選細胞的方法，相應的傳感器裝置、相應的設備以及應用。
背景技術：
這種方法或設備例如用于標識或者計數(shù)具有確定的特征的對象。如果例如在患者的血液中找到確定數(shù)量的被標記的細胞，則可以診斷疾病。為了能夠探測細胞，所述細胞例如可以磁性地被標記，使得借助于磁阻傳感器元件可以識別磁性地標記的細胞，在該磁阻傳感器元件中測量由磁性地標記的細胞引起的外部磁場的變化。由W02008/001261已知用于識別磁性粒子的方法以及磁性傳感器設備。磁性傳感器設備在此包括用于產(chǎn)生磁場的裝置、傳感器裝置和組合裝置。用于產(chǎn)生磁場的裝置在此如此被構造，使得這些裝置可以產(chǎn)生大量不同的磁場配置。磁場配置在此對應于磁性粒子的大量不同的磁性激勵狀態(tài)。此外由US 2008/0024118A1公開了用于探測至少一個磁性粒子的存在的方法和傳感器設備。傳感器設備在此包括用于產(chǎn)生磁場的裝置和至少一個磁性傳感器元件。為了磁性粒子不太緊密地接近至少一個磁性傳感器元件而由此使得難以通過傳感器元件對磁性粒子進行探測,在至少一個磁性傳感器元件和至少一個磁性傳感器元件的區(qū)域中的磁性粒子之間設置禁止區(qū)，所述禁止區(qū)具有在Iym和300 μ m之間的厚度。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)權利要求I的本發(fā)明方法、根據(jù)權利要求8的本發(fā)明傳感器裝置、根據(jù)權利要求10的本發(fā)明設備以及根據(jù)權利要求11的本發(fā)明應用具有優(yōu)點磁性地標出的對象、尤其是生物對象、優(yōu)選細胞盡管在識別這些對象時存在小的信噪比仍能夠被簡單地和可靠地探測。因為所產(chǎn)生的信號的形狀也與外部的參數(shù)、例如傳感器的特性有關，所以這種外部參數(shù)也可以被用于處理所產(chǎn)生的信號，使得磁性地標出的對象的識別仍可以被進一步改善。如果對象被識別出，也就是說，所處理的信號的幅度處于閾值之上，則從所產(chǎn)生的信號的幅度值中還可以獲得例如關于細胞的物理特性(例如直徑等)的其他信息。此外也可以簡單地在分析時僅僅確定所處理的信號的幅度超過閾值，并且從而僅確定對象在傳感器區(qū)域中的存在。如果多個對象依次經(jīng)過傳感器區(qū)域，則可以通過這種方式確定對象的數(shù)量。根據(jù)本發(fā)明的另一有利的改進方案，磁場基本上垂直于對象的移動方向取向，尤其是其中與對象的移動方向平行地測量由由于磁性地標出的對象造成的磁通密度的變化而引起的磁場變化。在此情況下優(yōu)點是，從而用于識別對象的傳感器的靈敏度盡可能大，因為于是磁場的測量的變化僅與通過磁性地標記的對象改變的磁通密度有關。從而能夠以簡單的和可靠的方式實現(xiàn)對象的識別。根據(jù)本發(fā)明的另一有利的擴展方案，借助于惠特斯通橋來測量磁場的變化。在此情況下優(yōu)點是，通過借助于一般包括四個電阻的惠特斯通橋測量，通過磁性地標記的對象在至少兩個電阻上方或在至少兩個電阻旁邊滑過，所產(chǎn)生的信號的其它曲線走向是可能的，所述信號能夠?qū)崿F(xiàn)對相應的對象的極值的更精確地分析或分辨和從而能夠?qū)崿F(xiàn)對象的改善的識別。此外，同樣可以使磁性地標記的對象穿過惠特斯通橋的多于兩個、尤其是四個電阻。這些電阻于是可以如此被布置，使得細胞相對于四個電阻的空間伸展是大的，因此也即在對象從四個電阻旁邊滑過時產(chǎn)生單個信號，但是所述單個信號具有單個電阻的信號的相應多倍幅度。根據(jù)本發(fā)明的另一有利的改進方案，處理所產(chǎn)生的信號包括平滑、尤其是通過利用高斯函數(shù)來卷積所產(chǎn)生的信號。在此情況下優(yōu)點是，從而所產(chǎn)生的信號的高頻分量可以被消除，這最后改善對所產(chǎn)生的信號的分析。處理所產(chǎn)生的信號在此同樣可以包括低通濾波。在此情況下優(yōu)點是，所產(chǎn)生的信號的信噪比被改善，以便根據(jù)所測量的磁場變化實現(xiàn)對磁性地標記的對象的改善的識別。根據(jù)本發(fā)明的另一有利的改進方案，所產(chǎn)生的信號的處理和/或分析包括利用階 數(shù)大于或等于I的至少一個高斯函數(shù)導數(shù)來卷積信號。在此情況下優(yōu)點是，通過利用高斯函數(shù)的η次導數(shù)進行卷積，其中η>I，其中η是自然數(shù)，顯著地改善根據(jù)所產(chǎn)生的和/或所處理的信號對極值的確定，尤其是在η=2時。通過卷積，所產(chǎn)生的信號的關于其斜率具有大的變化的區(qū)域被強調(diào)，也即應用于所產(chǎn)生的信號，強調(diào)信號的具有所產(chǎn)生的信號的幅度的快速或劇烈變化的區(qū)域。從而于是簡化信號的分析或信號的極值的確定。根據(jù)本發(fā)明的另一有利的改進方案，根據(jù)對象的速度和/或傳感器裝置的尺寸來進行對所產(chǎn)生的信號的處理。在此情況下優(yōu)點是，這是已知的外部參量，并且它們在執(zhí)行該方法期間基本上保持恒定和/或已知。這些參量于是可以在處理和分析信號時被考慮，使得總地提高該方法的精度。根據(jù)本發(fā)明的另一有利的改進方案，閾值被動態(tài)地調(diào)節(jié)，尤其是通過統(tǒng)計方法。在此情況下優(yōu)點是，不必事先執(zhí)行樣本測量來確定閾值。從而顯著地簡化該方法的執(zhí)行并且縮短用于識別確定數(shù)量的磁性地標記的對象的時間。


本發(fā)明的其他例子在附圖中示出并且在下面的描述中更詳細地予以闡述。其中 圖Ia根據(jù)時間示出在磁性地標記的細胞滑過時傳感器的所測量的電阻變化的曲線走
向的圖表；
圖lb-d示出從傳感器旁邊滑過的細胞的原理 圖2示出具有惠特斯通橋形式的傳感器的傳感器裝置的原理 圖3a根據(jù)時間示出在磁性地標記的細胞滑過時惠特斯通橋的橋電壓的所測量的變化的曲線走向的圖表；
圖3b-d示出從根據(jù)圖2的傳感器旁邊滑過的細胞的原理 圖4a-d示出在執(zhí)行不同的方法步驟之后傳感器的信號的幅度的時間曲線走向；
圖5示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的方法的流程的原理圖；以及 圖6示出具有惠特斯通橋形式的傳感器的傳感器裝置的另一實施方式的原理圖；只要在對圖的描述中沒有其他說明，相同的附圖標記涉及相同的或功能相同的元件。
具體實施例方式在圖I至6中分別為了更好地理解本發(fā)明和相應的實施方式簡化地明確地示出磁性地標記的細胞Z的磁場Hz。但是真實的磁性地標記的細胞Z —般不具有自己的磁場Hz，所述細胞僅僅是磁性地被標記，例如利用可磁化的材料，尤其是利用軟磁性或鐵磁性粒子。這些粒子與細胞Z —起被引入到磁場He中地產(chǎn)生局部磁場磁通變化，其引起磁場He在細胞Z的位置的范圍中的變化，該變化在細胞Z從相應構造的傳感器旁邊滑過時可以被探測到。細胞Z的在圖1-6中所示的磁場Hz同樣引起磁場He在細胞Z的位置的范圍中的局部變化。如前述的那樣，該變化于是可以利用相應構造的傳感器探測。因此在圖1-6中，具有磁場Hz的細胞Z可以被理解為磁性地標記的細胞Z，這些細胞在磁場He中產(chǎn)生磁場He在其位置的范圍中的局部變化。圖Ia根據(jù)時間示出在磁性地標記的細胞滑過時傳感器的所測量的電阻變化的曲線走向的圖表。 在圖Ia中在X軸X上繪出時間并且在y軸Y上繪出磁阻元件S形式的傳感器的電阻變化。如果現(xiàn)在具有磁場Hz的磁性地標記的細胞Z根據(jù)圖Ib以速度Vz接近磁阻元件或傳感器S，并且存在垂直于細胞Z的移動方向的外部磁場He，則當磁阻傳感器S探測到磁場He由于細胞Z的磁場Hz而發(fā)生的局部變化時，該磁阻傳感器S產(chǎn)生具有根據(jù)圖Ia的電阻變化的時間曲線走向I的信號如果細胞Z仍遠離傳感器S，則傳感器S不經(jīng)歷電阻變化，也就是說，曲線I分布在X軸上或者電阻變化為零。如果磁性地標記的細胞Z從左向右接近傳感器S，則傳感器S通過磁場Hz，更準確地說磁場Hz的與細胞Z的移動方向平行取向的分量而經(jīng)歷電阻變化，并且曲線I上升(根據(jù)圖Ia的曲線走向la)。如果細胞Z現(xiàn)在根據(jù)圖Ib繼續(xù)從左向右在傳感器S的方向上移
動，則曲線I下降，并且在時刻11 > 再次達到零。在時刻^，細胞Z與傳感器S處于盡可能小的間距。因為細胞Z的磁場Hz的軸和傳感器S的中軸重疊，所以傳感器S不測量細胞Z的磁場Hz并且從而也不測量電阻變化，因為該傳感器被構成為僅在細胞Z的移動方向的方向上是靈敏的；電阻變化為零。如果細胞Z現(xiàn)在繼續(xù)從左向右根據(jù)圖Ic或圖Id移動，則傳感器S現(xiàn)在測量負的電阻變化lb，因為細胞Z的磁場Hz的場力線現(xiàn)在在傳感器S的區(qū)域中以相反的方向取向。如果細胞Z以速度Vz繼續(xù)遠離傳感器S，則負的電阻變化Ib再次下降，使得在細胞Z與傳感器S的足夠距離下，電阻變化不再被探測到，曲線走向I也即再次為零?？傊?，曲線走向I被構造為關于時刻&點對稱，并且在時刻h和t2具有電阻變化的極值。基本上將從在時刻h具有極值的從零上升的曲線走向la、過零點h、負電阻變化Ib在時刻t2的第二極值直至電阻變化的重新基本上恒定的等于零的曲線走向的時間間隔定義為周期持續(xù)時間T。圖2示出具有惠特斯通橋形式的傳感器的傳感器裝置的原理圖。在圖2中示出具有電阻R1-R4的惠特斯通測量橋的原理圖的透視圖。細胞Z在此再次磁性地被標出，也就是說，該細胞Z具有磁場Hz。細胞Z現(xiàn)在以速度Vz根據(jù)圖3b-d依次經(jīng)由惠特斯通測量橋R1-R4的兩個電阻R2、R4移動并且在此產(chǎn)生橋電壓Vb的變化，所述橋電壓根據(jù)惠特斯通測量橋的原理施加在電阻1 1、1 2、1 3、R4之間。外部磁場He在此垂直于細胞Z的速度Vz的方向取向。此外，在圖2中暗示地可以看出薄的小管B。B2，它們用于將細胞Z輸送到具有電阻Ri、R2、R3、R4的惠特斯通測量橋形式的傳感器S并且也用于移除細胞Z。當然，輸送或移除裝置的每個其他可能類型也是可能的。同樣，示出計算機C形式的分析單元，該分析單元用于分析所處理的信號。計算機C在此也接管對傳感器S的信號Vb的處理FpF2、F3、F4并且為此與用于抽取惠特斯通測量橋的橋電壓Vb的端子A連接(未示出)。圖3a根據(jù)時間示出在磁性地標記的細胞滑過時惠特斯通橋的橋電壓的所測量的變化的曲線走向的圖表。在圖3a中，現(xiàn)在示出橋電壓Vb的變化的曲線走向，其中在y軸Y上繪出橋電壓Vb 的變化并且在X軸X上繪出時間。曲線I示出在細胞Z從惠特斯通測量橋Rp R2、R3、R4的電阻R2、R4旁邊滑過時橋電壓Vb的變化的曲線走向。該曲線走向在此如下
如果具有其磁場Hz的細胞Z根據(jù)圖3b并且類似于在圖Ib-Id中從左向右以速度Vz向兩個電阻民、&移動，則首先給電阻R2施加細胞Z的磁場Hz。在此，產(chǎn)生具有曲線走向Ia的負橋電壓Vb，其根據(jù)圖3a在時刻h具有極值。如果細胞Z根據(jù)圖3c繼續(xù)從左向右移動，則橋電壓Vb的負變化再次減弱并且然后在進一步的時間曲線走向中升高直至在時刻A的正極值。在時刻h，細胞Z現(xiàn)在處于兩個電阻R2和R4之間，這兩個電阻彼此以間距d相間隔，也就是說，細胞Z基本上處于兩個電阻R2和R4之間的中心。如果現(xiàn)在細胞Z根據(jù)圖3d繼續(xù)從左向右移動，則橋電壓Vb的正變化的進一步的曲線走向Ib再次減弱，經(jīng)歷零點并且在進一步的時間曲線走向Ic中再次變負。曲線走向Ic在時刻t2又具有極值。在時刻t2，僅(仍)對電阻R4施加細胞Z的磁場Hz，類似于根據(jù)圖3b的電阻R2。總之，從而橋電壓Vb的變化的曲線I是關于時刻h鏡對稱的。根據(jù)對圖I的描述來定義周期持續(xù)時間T，也即被定義為從橋電壓Vb的不同于零的第一變化直至橋電壓Vb的變化又為零并且細胞Z從兩個電阻R2、R4旁邊滑過為止的持續(xù)時間。圖4示出在執(zhí)行不同的方法步驟之后傳感器的信號的幅度的時間曲線走向。在圖4a中示出χ-y圖表，其中x軸是時間軸并且y軸Y表示根據(jù)圖Ib-Id由傳感器S產(chǎn)生的信號Ik的正幅度。在此，在時刻t=0和t=2000之間兩個磁性地標記的細胞Z從傳感器S旁邊滑過或者所述細胞移動經(jīng)過所述傳感器。此外，在幅度+4. 1825處設定閾值10?？梢宰R別信號Ik的幅度的超過閾值10的多個峰值。這些峰值不僅可以在t=0和t=2000之間的范圍中看到，而且在時刻t>2000也可以看到，在t>2000時沒有細胞Z經(jīng)過傳感器S。為了處理和分析信號Ik，該信號現(xiàn)在被數(shù)字化或者被轉(zhuǎn)換成時間離散的信號I。在此，根據(jù)細胞Z從傳感器S旁邊滑過或者經(jīng)過該傳感器S的速度Vz和由此得出的根據(jù)圖片3a或Ia的周期持續(xù)時間T，必須遵守耐奎斯特_香農(nóng)采樣原理。接著，平滑數(shù)字化的信號1，以便消除高頻分量。為此，根據(jù)圖4a利用高斯函數(shù)對數(shù)字化的信號I進行卷積，其中如此平滑的信號I’在圖4b中被示出。該經(jīng)平滑的信號I’現(xiàn)在利用高斯函數(shù)的二次偏導數(shù)卷積。基于信號I’的以前的離散化，根據(jù)經(jīng)平滑的信號I’與高斯函數(shù)的二次導數(shù)的乘積的離散和計算經(jīng)卷積的信號的曲線走向I’’。離散和的和索引在此與用于優(yōu)化平滑或另外的極值濾波的參數(shù)、也即外部的已知參量有關。這些參數(shù)主要包括層流流動速度或細胞Z移動的速度Vz。如果將傳感器S構造為惠特斯通橋RpRyR3、R4，則作為其他參數(shù)可以使用平行于細胞Z的移動方向的電阻R2、R4的相應間距d。如果存在單個電阻R，則可以使用其寬度b。在圖4c中現(xiàn)在示出在根據(jù)圖4a或4b的相應曲線走向中離散化的、平滑的并且利用高斯函數(shù)的二次導數(shù)卷積的信號I’’。現(xiàn)在可以識別出局部最大值MpM2，其對應于細胞Z從傳感器S旁邊滑過。這些局部最大值％、M2關于其幅度明顯地從信號I’’的進一步的曲線走向升高。為了現(xiàn)在判決細胞Z現(xiàn)在是否被識別，設定統(tǒng)計閾值10。在圖4c中，該閾值是O. 04。因此僅僅分析根據(jù)圖4c的其幅度大于O. 04的信號I’ ’的幅度。圖4d示出在執(zhí)行用前述閾值10濾波之后信號14的幅度。僅僅仍可以看出參量I的兩個值，其對應于圖4c的最大值M1或M2。按照閾值10濾波因此在細胞Z從傳感器S旁邊滑過時提供邏輯1，如在圖4d中所示。從處于閾值10之上的最大值札、M2處根據(jù)圖4a的相應的幅度值，也可以獲得關于細胞Z的物理特性(例如細胞Z的直徑等)的附加信息。借助于該閾值濾波也可以根據(jù)圖4d僅僅測量經(jīng)過傳感器S的細胞Z的數(shù)量。此外也可以進一步改善閾值濾波的可靠性，其 方式是例如重新平滑根據(jù)圖4c的信號I’ ’。圖5示出根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的方法的流程的原理圖。在圖5中示出根據(jù)第一實施方式的本發(fā)明方法。如果在第一步驟S1中在磁場He中移動磁性地標記的對象Z，則進一步在第二步驟S2中測量由于對象Z從傳感器S旁邊移動經(jīng)過而由對象Z引起的磁場He的局部變化。由傳感器S產(chǎn)生的信號Ik首先在模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器F1中被數(shù)字化并且被轉(zhuǎn)換成時間離散的信號I。然后借助于濾波器F2平滑數(shù)字化的信號1，經(jīng)平滑的信號I’在另一濾波器F3中為了確定極值而借助于利用高斯函數(shù)的二次導數(shù)對信號I’的卷積來處理。然后根據(jù)閾值在閾值濾波器F4中對得出的信號I’’進行濾波。由閾值濾波器4輸出的信號I’ ’ ’于是例如對應于根據(jù)圖4d的曲線走向。由極值濾波器F3輸出的信號I’ ’對應于根據(jù)圖4c的信號I’ ’，由濾波器F2輸出的信號I’在此具有根據(jù)圖4b的曲線走向。根據(jù)圖4a的信號I在此對應于由模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器F1輸出的信號I。用于包括濾波器&和&的濾波器F的參數(shù)P對應于外部已知參量，例如層流流動速度或?qū)ο骦滑過傳感器S的速度Vz、傳感器S的寬度b或者惠特斯通測量橋的電阻Rp R2,R3、R4的間距d。圖6示出具有惠特斯通橋形式的傳感器的傳感器裝置的另一實施方式的原理圖。在圖6中最后示出具有電阻R1-R4的惠特斯通測量橋的原理圖的透視圖。細胞Z在此又被磁性地標出。類似于圖3b-d，細胞Z現(xiàn)在以速度Vz依次經(jīng)由惠特斯通測量橋R1-R4的4個電阻HR3、R4移動，并且在此產(chǎn)生橋電壓Vb的變化，該橋電壓根據(jù)惠特斯通測量橋的原理施加在電阻％、R2> R3、R4之間。外部磁場He在此垂直于細胞Z的速度Vz的方向取向。橋電壓Vb的變化在此基本上具有根據(jù)圖3a的相同的曲線走向。根據(jù)圖3b-3d的必要時作為參數(shù)對于濾波重要的間距d在此不是兩個電阻R2、R4之間的間距，而是沿著細胞Z的移動方向在電阻R1、R4之間的間距的中點與電阻R2、R3之間的間距的中點之間的間距。根據(jù)圖6的設備的另外的結構，也即薄的小管等對應于圖2的結構。盡管本發(fā)明根據(jù)前述實施例予以了描述，但是本發(fā)明并不局限于此，而是可以以各種各樣的方式被修 改。
權利要求
1.一種用于尤其是連續(xù)地識別磁性地標出的對象(Z)、尤其是生物對象、優(yōu)選細胞的方法，包括步驟 在磁場(He)中移動(S1)至少一個磁性地標出的對象(Z)， 測量(S2)通過磁性地標出的對象(Z)引起的磁場(He)的局部變化， 根據(jù)磁場(He)的所測量的局部變化產(chǎn)生(F1)尤其是數(shù)字化的信號(1)， 借助于利用數(shù)學函數(shù)對所產(chǎn)生的信號(I)的至少一個卷積來處理(F2，F(xiàn)3)所產(chǎn)生的信號(1)， 分析(F4)所處理的信號(I’ ’)，其中對該信號(I’ ’)的分析包括確定(F4)該信號(I’ ’)的極值(M1, M2)、尤其是最大值并且將所確定的極值(M1, M2)與尤其是預先給定的閾值(10)進行比較，在超過所述閾值時對象(Z)被認為是已識別。
2.根據(jù)權利要求I所述的方法，其中 磁場(He)基本上垂直于對象(Z )的移動方向取向，尤其是其中與對象(Z )的移動方向平行地測量由由于磁性地標出的對象(Z)造成的磁通密度的變化而引起的磁場(He)的變化。
3.根據(jù)至少權利要求I所述的方法，其中 借助于惠特斯通橋(Rp R2> R3、R4)來測量磁場(He)的變化。
4.根據(jù)至少權利要求I所述的方法，其中 所產(chǎn)生的信號(I)的處理包括平滑(F2),尤其是通過利用高斯函數(shù)對所產(chǎn)生的信號(I)的卷積來平滑。
5.根據(jù)至少權利要求I所述的方法，其中 所產(chǎn)生的信號(I)的處理(F2，F(xiàn)3)和/或分析(F4)包括利用階數(shù)大于或等于I的至少一個高斯函數(shù)導數(shù)來卷積(F3)該信號(I )。
6.根據(jù)至少權利要求I所述的方法，其中 根據(jù)對象(Z)的速度(Vz)和/或傳感器的尺寸(b，d)來進行對所產(chǎn)生的信號(I)的處理(F2，F(xiàn)3)。
7.根據(jù)至少權利要求I所述的方法，其中 閾值(10)被動態(tài)地調(diào)節(jié)，尤其是通過統(tǒng)計方法。
8.一種用于尤其是連續(xù)地識別磁性地標出的對象(Z)、尤其是生物對象、優(yōu)選細胞的傳感器裝置(20)，適用于與根據(jù)權利要求1-7至少之一所述的方法一起使用，包括 用于產(chǎn)生磁場(He)的裝置， 用于測量磁場的、包括尤其是至少一個電阻(Ri、R2、R3、R4)的傳感器(S)，其中傳感器(S)垂直于所產(chǎn)生的磁場(He)的方向取向，并且在對象(Z)在傳感器(S)的區(qū)域中移動時，傳感器(S)與對象(Z)的移動方向平行地測量由磁性地標出的對象(Z)引起的磁場(He)的局部變化， 用于提供傳感器(S)的信號(VB，1)的裝置(A)。
9.根據(jù)權利要求8所述的傳感器裝置，其中 傳感器(S )被構造為惠特斯通測量橋(R1、R2、R3、R4)。
10.一種用于尤其是連續(xù)地識別磁性地標出的對象(Z)、尤其是生物對象、優(yōu)選細胞的設備，并且尤其是適用于實施根據(jù)權利要求1-7至少之一所述的方法，包括 尤其是根據(jù)權利要求8或9至少之一所述的用于尤其是連續(xù)地識別磁性地標出的對象的傳感器裝置(20)， 用于向傳感器裝置(20 )輸送至少一個對象(Z )的裝置(B1)， 用于從傳感器裝置(20 )移除至少一個對象(Z )的裝置(B2)， 用于產(chǎn)生和處理由傳感器裝置(20)所產(chǎn)生的信號(1，Vb)的裝置(F1, F2, F3),被構造用于用數(shù)學函數(shù)對所產(chǎn)生的信號(1，Vb)進行至少一次卷積， 分析單元(C)，其分析所處理的信號(I’’)，使得對該信號(I’’)的分析包括確定(F4)該信號(I’’)的極值(M1, M2)并且將所確定的極值(M1, M2)與尤其是預先給定的閾值(10)進行比較，在超過所述閾值時對象(Z)被認為是已識別。
11.用于在磁性地標出的對象(Z)在磁場(He)中移動時測量磁場的傳感器(S)的信號的極值(M1, M2)的應用，用于在借助于用高斯函數(shù)的η次導數(shù)對所產(chǎn)生的信號(I)進行至少一次卷積來處理(F2，F(xiàn)3)由傳感器(S)產(chǎn)生的信號(I)之后，根據(jù)閾值(10)尤其是連續(xù)地識別在傳感器(S)的區(qū)域中磁性地標出的對象(Z)，其中η> 0，其中η是包括數(shù)字零在內(nèi)的自然數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于尤其是連續(xù)地識別磁性地標出的對象、尤其是生物對象、優(yōu)選細胞的方法，并且包括步驟在磁場中移動至少一個磁性地標出的對象，測量通過磁性地標出的對象引起的磁場的局部變化，根據(jù)磁場的所測量的局部變化產(chǎn)生尤其是數(shù)字化的信號，借助于利用數(shù)學函數(shù)對所產(chǎn)生的信號的至少一次卷積來處理所產(chǎn)生的信號，分析所處理的信號，其中對信號的分析包括確定信號的極值、尤其是最大值并且將所確定的極值與尤其是預先給定的閾值進行比較，其中在超過所述閾值時對象被認為是已識別。本發(fā)明同樣涉及相應的設備，傳感器設備以及應用。
文檔編號G01R33/09GK102906585SQ201180024400
公開日2013年1月30日 申請日期2011年4月13日 優(yōu)先權日2010年5月18日
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