專利名稱：釋放艙與被測試物接觸的表面的處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種氣體揮發(fā)性有機(jī)物(VOC)、半揮發(fā)性有機(jī)物(SVOC)及高沸點(diǎn)有機(jī)物檢測用測試裝置內(nèi)部與被測試物接觸的表面的處理方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)氣體揮發(fā)性有機(jī)物(VOC)、半揮發(fā)性有機(jī)物(SVOC)及高沸點(diǎn)有機(jī)物檢測用測試裝置，其艙體內(nèi)壁及各部件與被測試物接觸的表面，由于存在一些吸附被測試物的化學(xué)鍵或者較強(qiáng)的表面張力，使得被測試物吸附在艙體內(nèi)壁及各部件與被測試物接觸的表面上，很難吹掃下來。對于極性化合物，由于艙體內(nèi)壁及各部件與被測試物接觸的表面某些化學(xué)鍵的影響，吸附力更強(qiáng)。因此艙體內(nèi)壁及各部件與被測試物接觸的表面必須進(jìn)行處理，使得測試裝置內(nèi)表面化學(xué)鍵，如氫鍵、硅醇基、路易氏酸活化點(diǎn)點(diǎn)被覆蓋，被測試物容易吸附在艙體內(nèi)壁及各部件與被測試物接觸的表面上，而取樣分析被測試物的含量時，是用從測試裝置的采樣管的所取得的樣品進(jìn)行檢測，由于艙體內(nèi)壁及各部件與被測試物接觸的表面吸附了大量的被測試物，導(dǎo)致從樣品中得到的檢測值低于艙體內(nèi)被測試物的實(shí)際值，檢測誤差大，不能有效滿足高精度的檢測需要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中上述缺陷提供一種釋放艙與被測試物接觸的表面的處理方法，能大大減少被測試物吸附在艙體內(nèi)壁及各部件與被測試物接觸的表面上，有效提聞釋放艙的檢測精度。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下構(gòu)造一種釋放艙與被測試物接觸的表面的處理方法，該釋放艙包括以下部件艙體，與艙體連接的艙門、進(jìn)氣管、排氣管、采樣管，裝設(shè)在艙體內(nèi)的攪拌風(fēng)機(jī)，風(fēng)道板，該方法用于對所述艙體、艙門、進(jìn)氣管、排氣管、 采樣管、攪拌風(fēng)機(jī)及風(fēng)道板中至少一部件與被測試物接觸的表面的進(jìn)行處理，包括以下步驟(一 )、所述各部件由不銹鋼或玻璃加工而成，部件為不銹鋼構(gòu)件時，先用酸氧化， 再用有機(jī)溶劑及水清洗，或者氧化后進(jìn)行電解，再用有機(jī)溶劑及水清洗；部件為玻璃構(gòu)件時，采用HCL或HF腐蝕，或采用物理方法使部件表面粗糙化；(二)、在經(jīng)過步驟(一)清洗后的部件的表面加工去活層，或者先在經(jīng)過步驟 (一)清洗后的部件的表面加工中間層，然后在中間層的表面加工去活層。部件為不銹鋼構(gòu)件時，所述中間層的加工是將經(jīng)過步驟(一)清洗后的部件采用通入單硅烷在500°C以上的高溫條件下煅燒而成SiO2層；或者是在經(jīng)過步驟(一)清洗后的部件的表面涂有機(jī)硅膠后在500°C以上的高溫條件下煅燒而成SiO2層；或者涂聚硅氧烷類、環(huán)糊精衍生物，高溫500度以上煅燒而成SiO2層.所述聚硅氧烷類是聚二甲基硅氧烷、含苯基聚硅氧烷、含氰基聚硅氧烷、含氟聚硅氧烷、加入乙烯基的聚硅氧烷、端烴基聚硅氧烷或者在分子鏈與官能團(tuán)間引入間隔基的聚硅氧烷，環(huán)糊精衍生物；所述中間層或者是采用在制孔劑中加入不含來源于芳香族的碳原子及雜環(huán)的環(huán)氧化合物和胺化合物在 60-200°C下發(fā)生聚合反應(yīng)，形成凝膠物，然后涂在經(jīng)過步驟(一)清洗后的部件表面，用溶劑清洗制孔劑，留下骨架相后干燥處理而成三維網(wǎng)狀或孔狀骨架相，所述制孔劑為甲基溶纖劑、乙基溶纖劑，乙二醇-甲醚乙酸酯、丙二醇-甲醚乙酸酯等酯類，聚乙二醇或者聚丙二醇，所述環(huán)氧化合物為2，2，2-三-(2，3-環(huán)氧丙基)-異氰尿酸酯，所述胺化合物為乙二胺、 二亞乙基三胺、三亞乙基四胺、三縮四乙二胺、亞氨基雙丙胺/雙(六亞甲基)三胺、1，3， 6-三氨基甲基己烷、聚亞甲基二胺、三甲基六亞甲基二胺、聚醚二胺、異佛爾酮二胺、薄荷烷二胺、N-氨基乙基哌嗪、3,9-雙(3-氨丙基)2,4,8,10-四氧螺環(huán)、雙(4-氨基環(huán)己基)甲烷或者由聚胺類與二聚酸構(gòu)成的脂肪族聚酰胺類；部件為玻璃構(gòu)件時，采用在部件表面沉積二氧化硅、氯化鈉或者石墨碳黑來生成中間層。所述去活層的加工是采用低表面張力的有機(jī)化合物涂或浸在中間層或者部件表面上并在300°C以上的高溫條件下烘烤而成；所述去活層的加工或者是將經(jīng)過步驟(一) 清洗后的部件表面或者中間層表面涂或者浸SiO2溶膠后在300°C以上的高溫條件下烘烤， 用溶劑去除多余物質(zhì)而成；所述去活層的加工或者是將經(jīng)過步驟(一)清洗后的部件表面或者中間層表面涂或者浸聚苯并咪唑吡咯酮(PY)、聚四氟乙烯、聚氟烷類、正硅酸脂或者正硅酸乙脂類后300°C以上的高溫條件下烘烤而成。本發(fā)明所述釋放艙與被測試物接觸的表面的處理方法的有益效果是通過采用該方法在經(jīng)過步驟(一)清洗后的部件的表面加工去活層，或者先在經(jīng)過步驟(一)清洗后的部件的表面加工中間層，然后在中間層的表面加工去活層。降低了艙體內(nèi)壁及各部件與被測試物接觸的表面的表面張力，能大大減少被測試物吸附在艙體內(nèi)壁及各部件與被測試物接觸的表面上，使得從采樣管的所取得的樣品中得到的檢測值更接近于艙體內(nèi)被測試物的實(shí)際值，從而有效提聞釋放艙的檢測精度。下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本發(fā)明所述的釋放艙與被測試物接觸的表面的處理方法作進(jìn)一步說明


圖I是本發(fā)明釋放艙與被測試物接觸的表面的處理方法所述的釋放艙涂有中間層及去活層的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是圖I的A-A剖視放大圖；圖3是圖I的B-B剖視放大圖；圖4是本發(fā)明釋放艙與被測試物接觸的表面的處理方法所述的釋放艙涂有覆蓋層的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是圖4的C-C剖視放大圖；圖6是圖4的D-D剖視放大圖。
具體實(shí)施例方式以下本發(fā)明所述釋放艙與被測試物接觸的表面的處理方法的最佳實(shí)施例，并不因此限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。實(shí)施例一，參照圖I、圖2、圖3，提供一種釋放艙與被測試物接觸的表面的處理方法，該釋放艙包括以下部件艙體1，與艙體I連接的艙門2、進(jìn)氣管4、排氣管5、采樣管6， 裝設(shè)在艙體I內(nèi)的攪拌風(fēng)機(jī)7，風(fēng)道板8，該方法用于對所述艙體I、艙門2、進(jìn)氣管4、排氣管 5、采樣管6、攪拌風(fēng)機(jī)7及風(fēng)道板8中至少一部件與被測試物接觸的表面的進(jìn)行處理，包括以下步驟(一 )、所述各部件由不銹鋼或玻璃加工而成，部件為不銹鋼構(gòu)件時，先用酸氧化， 再用有機(jī)溶劑及水清洗，或者氧化后進(jìn)行電解，再用有機(jī)溶劑及水清洗；部件為玻璃構(gòu)件時，采用HCL或HF腐蝕，或采用物理方法使部件表面粗糙化；(二)、先在經(jīng)過步驟(一)清洗后的部件的表面加工中間層9，然后在中間層9的表面加工去活層10。所述中間層9為SiO2層，或者為三維網(wǎng)狀或孔狀骨架相，厚度為亞微米到微米厚度。所述去活層10的厚度為亞微米到微米厚度，為液晶膜結(jié)構(gòu)。部件為不銹鋼構(gòu)件時，所述中間層9的加工是將經(jīng)過步驟(一)清洗后的部件采用通入單硅烷在500°C以上的高溫條件下煅燒而成SiO2層；或者是在經(jīng)過步驟(一)清洗后的部件的表面涂或浸有機(jī)硅膠后在500°C以上的高溫條件下煅燒而成SiO2層；或者涂或浸聚硅氧烷類、環(huán)糊精衍生物，高溫500度以上煅燒而成5102層.所述聚硅氧烷類是聚二甲基硅氧烷、含苯基聚硅氧烷、含氰基聚硅氧烷、含氟聚硅氧烷、加入乙烯基的聚硅氧烷、端烴基聚硅氧烷或者在分子鏈與官能團(tuán)間引入間隔基的聚硅氧烷；所述中間層9或者是采用在制孔劑中加入不含來源于芳香族的碳原子及雜環(huán)的環(huán)氧化合物和胺化合物在60-200°C下發(fā)生聚合反應(yīng)，形成凝膠物，然后涂浸在經(jīng)過步驟(一)清洗后的部件表面，用溶劑清洗制孔劑，留下骨架相后干燥處理而成三維網(wǎng)狀或孔狀骨架相，所述制孔劑為甲基溶纖劑、乙基溶纖劑，乙二醇-甲醚乙酸酯、丙二醇-甲醚乙酸酯等酯類，聚乙二醇或者聚丙二醇，所述環(huán)氧化合物為2，2，2-三-(2，3-環(huán)氧丙基)-異氰尿酸酯，所述胺化合物為乙二胺、二亞乙基三胺、三亞乙基四胺、三縮四乙二胺、亞氨基雙丙胺/雙(六亞甲基)三胺、1，3，6_三氨基甲基己烷、聚亞甲基二胺、三甲基六亞甲基二胺、聚醚二胺、異佛爾酮二胺、薄荷烷二胺、N-氨基乙基哌嗪、3，9-雙(3-氨丙基)2，4，8，10-四氧螺環(huán)、雙(4-氨基環(huán)己基)甲烷或者由聚胺類與二聚酸構(gòu)成的脂肪族聚酰胺類；部件為玻璃構(gòu)件時，采用在部件表面沉積二氧化硅、 氯化鈉或者石墨碳黑來生成中間層9。所述去活層10的加工是采用低表面張力的有機(jī)化合物涂或浸在中間層9或者部件表面上并在300°C以上的高溫條件下烘烤而成；所述去活層10的加工或者是將經(jīng)過步驟 (一)清洗后的部件表面或者中間層9表面涂或者浸SiO2溶膠后在300°C以上的高溫條件下烘烤，用溶劑去除多余物質(zhì)而成，所述SiO2溶膠成分為甲基三氧基硅烷和四乙氧基硅烷水解物；所述去活層10的加工或者是將經(jīng)過步驟(一)清洗后的部件表面或者中間層9表面涂或者浸聚苯并咪唑吡咯酮(PY)、聚四氟乙烯、聚氟烷類、正硅酸脂或者正硅酸乙脂類后 3000C以上的高溫條件下烘烤而成。所述低表面張力的有機(jī)化合物為硅烷類化合物、含氫硅油或者聚乙二醇。所述硅烷類化合物為三甲基氯硅烷、六甲基二硅氨烷、端烴基聚甲基硅氧烷、苯基-二甲基聚硅烷、甲基三氧基硅烷、二甲基聚硅氧烷、二苯基四甲基硅胺烷、聚硅氧烷或含氟聚硅氧烷。實(shí)施例二，參照圖4、圖5、圖6，提供一種釋放艙與被測試物接觸的表面的處理方法，該釋放艙包括以下部件艙體1，與艙體I連接的艙門2、進(jìn)氣管4、排氣管5、采樣管6， 裝設(shè)在艙體I內(nèi)的攪拌風(fēng)機(jī)7，風(fēng)道板8，該方法用于對所述艙體I、艙門2、進(jìn)氣管4、排氣管
5、采樣管6、攪拌風(fēng)機(jī)7及風(fēng)道板8中至少一部件與被測試物接觸的表面的進(jìn)行處理，包括以下步驟(一 )、所述各部件由不銹鋼或玻璃加工而成，部件為不銹鋼構(gòu)件時，先用酸氧化， 再用有機(jī)溶劑及水清洗，或者氧化后進(jìn)行電解，再用有機(jī)溶劑及水清洗；部件為玻璃構(gòu)件時，用有機(jī)溶劑及水清洗；( 二 )直接在經(jīng)過步驟(一)清洗后的部件的表面加工去活層10。所述去活層10的厚度為亞微米到微米厚度，為液晶膜結(jié)構(gòu)。所述去活層10的加工是采用低表面張力的有機(jī)化合物涂或浸在中間層9或者部件表面上并在300°C以上的高溫條件下烘烤而成；所述去活層10的加工或者是將經(jīng)過步驟 (一)清洗后的部件表面或者中間層9表面涂或者浸SiO2溶膠后在300°C以上的高溫條件下烘烤，用溶劑去除多余物質(zhì)而成，所述SiO2溶膠成分為甲基三氧基硅烷和四乙氧基硅烷水解物；所述去活層10的加工或者是將經(jīng)過步驟(一)清洗后的部件表面或者中間層9表面涂或者浸聚苯并咪唑吡咯酮(PY、聚四氟乙烯、聚氟烷類、正硅酸脂或者正硅酸乙脂類后 3000C以上的高溫條件下烘烤而成。所述低表面張力的有機(jī)化合物為硅烷類化合物、含氫硅油或者聚乙二醇。所述硅烷類化合物為三甲基氯硅烷、六甲基二硅氨烷、端烴基聚甲基硅氧烷、苯基-二甲基聚硅烷、甲基三氧基硅烷、二甲基聚硅氧烷、二苯基四甲基硅胺烷、聚硅氧烷或含氟聚硅氧烷。上述實(shí)施例為本發(fā)明較佳的實(shí)施方式，但本發(fā)明的實(shí)施方式并不受上述實(shí)施例的限制，其他的任何未背離本發(fā)明的精神實(shí)質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化， 均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種釋放艙與被測試物接觸的表面的處理方法，該釋放艙包括以下部件艙體(1)， 與艙體(I)連接的艙門(2)、進(jìn)氣管(4)、排氣管(5)、采樣管(6)，裝設(shè)在艙體(I)內(nèi)的攪拌風(fēng)機(jī)(7)，風(fēng)道板(8)，該方法用于對所述艙體(I)、艙門(2)、進(jìn)氣管(4)、排氣管(5)、采樣管(6)、攪拌風(fēng)機(jī)(7 及風(fēng)道板(8)中至少一部件與被測試物接觸的表面的進(jìn)行處理，其特征在于，包括以下步驟(一)、所述各部件由不銹鋼或玻璃加工而成，部件為不銹鋼構(gòu)件時，先用酸氧化，再用有機(jī)溶劑及水清洗，或者氧化后進(jìn)行電解，再用有機(jī)溶劑及水清洗；部件為玻璃構(gòu)件時，采用HCL或HF腐蝕，或采用物理方法使部件表面粗糙化；(二)、在經(jīng)過步驟(一)清洗后的部件的表面加工去活層(10)，或者先在經(jīng)過步驟 (一)清洗后的部件的表面加工中間層(9)，然后在中間層(9)的表面加工去活層(10)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的釋放艙與被測試物接觸的表面的處理方法，其特征在于，所述中間層(9)為SiO2層，或者為三維網(wǎng)狀或孔狀骨架相，厚度為亞微米到微米厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的釋放艙與被測試物接觸的表面的處理方法，其特征在于，所述去活層(10)的厚度為亞微米到微米厚度，為液晶膜結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的釋放艙與被測試物接觸的表面的處理方法，其特征在于，部件為不銹鋼構(gòu)件時，所述中間層(9)的加工是將經(jīng)過步驟(一)清洗后的部件采用通入單硅烷在500°C以上的高溫條件下煅燒而成SiO2層；或者是在經(jīng)過步驟(一)清洗后的部件的表面涂或浸有機(jī)硅膠后在500°C以上的高溫條件下煅燒而成SiO2層；或者涂或浸聚硅氧烷類、環(huán)糊精衍生物，高溫500度以上煅燒而成SiO2層.所述聚硅氧烷類是聚二甲基硅氧烷、含苯基聚硅氧烷、含氰基聚硅氧烷、含氟聚硅氧烷、加入乙烯基的聚硅氧烷、端烴基聚硅氧烷或者在分子鏈與官能團(tuán)間引入間隔基的聚硅氧烷；所述中間層(9)或者是采用在制孔劑中加入不含來源于芳香族的碳原子及雜環(huán)的環(huán)氧化合物和胺化合物在60-200°C下發(fā)生聚合反應(yīng)，形成凝膠物，然后涂浸在經(jīng)過步驟(一)清洗后的部件表面，用溶劑清洗制孔劑， 留下骨架相后干燥處理而成三維網(wǎng)狀或孔狀骨架相，所述制孔劑為甲基溶纖劑、乙基溶纖劑，乙二醇-甲醚乙酸酯、丙二醇-甲醚乙酸酯等酯類，聚乙二醇或者聚丙二醇，所述環(huán)氧化合物為2，2，2-三-(2，3-環(huán)氧丙基)-異氰尿酸酯，所述胺化合物為乙二胺、二亞乙基三胺、 三亞乙基四胺、三縮四乙二胺、亞氨基雙丙胺/雙(六亞甲基)三胺、1，3，6_三氨基甲基己烷、聚亞甲基二胺、三甲基六亞甲基二胺、聚醚二胺、異佛爾酮二胺、薄荷烷二胺、N-氨基乙基哌嗪、3，9_雙(3-氨丙基)2，4，8，10_四氧螺環(huán)、雙(4-氨基環(huán)己基)甲烷或者由聚胺類與二聚酸構(gòu)成的脂肪族聚酰胺類；部件為玻璃構(gòu)件時，采用在部件表面沉積二氧化硅、氯化鈉或者石墨碳黑來生成中間層(9)。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的釋放艙與被測試物接觸的表面的處理方法，其特征在于，所述去活層(10)的加工是采用低表面張力的有機(jī)化合物涂或浸在中間層(9)或者部件表面上并在300°C以上的高溫條件下烘烤而成；所述去活層(10)的加工或者是將經(jīng)過步驟 (一)清洗后的部件表面或者中間層(9)表面涂或者浸SiO2溶膠后在300°C以上的高溫條件下烘烤，用溶劑去除多余物質(zhì)而成；所述去活層(10)的加工或者是將經(jīng)過步驟(一)清洗后的部件表面或者中間層(9)表面涂或者浸聚苯并咪唑吡咯酮(PY)、聚四氟乙烯、聚氟烷類、正硅酸脂或者正硅酸乙脂類后300°C以上的高溫條件下烘烤而成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的釋放艙與被測試物接觸的表面的處理方法，其特征在于，所述低表面張力的有機(jī)化合物為娃燒類化合物、含氫娃油或者聚乙二醇。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的釋放艙與被測試物接觸的表面的處理方法，其特征在于，所述硅烷類化合物為三甲基氯硅烷、六甲基二硅氨烷、端烴基聚甲基硅氧烷、苯基-二甲基聚硅烷、甲基三氧基硅烷、二甲基聚硅氧烷、二苯基四甲基硅胺烷、聚硅氧烷或含氟聚硅氧烷。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的釋放艙與被測試物接觸的表面的處理方法，其特征在于，所述SiO2溶膠成分為甲基三氧基硅烷和四乙氧基硅烷水解物。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種釋放艙與被測試物接觸的表面的處理方法，該方法包括以下步驟(一)所述各部件由不銹鋼或玻璃加工而成，部件為不銹鋼構(gòu)件時，先用酸氧化，再用有機(jī)溶劑及水清洗，或者氧化后進(jìn)行電解，再用有機(jī)溶劑及水清洗；部件為玻璃構(gòu)件時，采用HCL或HF腐蝕，或采用物理方法使部件表面粗糙化；(二)在經(jīng)過步驟(一)清洗后的部件的表面加工去活層，或者先在經(jīng)過步驟(一)清洗后的部件的表面加工中間層，然后在中間層的表面加工去活層。降低了表面吸附力，能大大減少被測試物吸附在艙體內(nèi)壁及各部件與被測試物接觸的表面上，使得從采樣管的所取得的樣品中得到的檢測值更接近于艙體內(nèi)被測試物的實(shí)際值，能有效提高釋放艙的檢測精度。
文檔編號G01N33/00GK102608265SQ20121004939
公開日2012年7月25日 申請日期2012年2月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月29日
發(fā)明者夏可瑜 申請人:東莞市升微機(jī)電設(shè)備科技有限公司