全光通量檢測(cè)系統(tǒng)及全光通量的檢測(cè)方法
【專利摘要】一種全光通量檢測(cè)系統(tǒng)及全光通量的檢測(cè)方法，用以檢測(cè)一發(fā)光組件的全光通量，檢測(cè)系統(tǒng)包含一收光模塊、一第一光檢測(cè)器及一處理模塊。收光模塊設(shè)于發(fā)光組件的中心法線上，并將投射光場(chǎng)分為一正向光場(chǎng)及一側(cè)向光場(chǎng)，且收光模塊接收正向光場(chǎng)內(nèi)的光束而產(chǎn)生一正向光通量。第一光檢測(cè)器設(shè)置于收光模塊的一側(cè)，以接收側(cè)向光場(chǎng)內(nèi)的光束，并產(chǎn)生一第一側(cè)向光通量。處理模塊電性連結(jié)于收光模塊及第一光檢測(cè)器，藉以計(jì)算出發(fā)光組件的全光通量。
【專利說明】全光通量檢測(cè)系統(tǒng)及全光通量的檢測(cè)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種全光通量檢測(cè)系統(tǒng)及全光通量的檢測(cè)方法，特別涉及一種針對(duì)發(fā)光組件的場(chǎng)型進(jìn)行校正計(jì)算，以增加全光通量的檢測(cè)準(zhǔn)確度。
【背景技術(shù)】
[0002]由于LED (Light emitting diode)具備有耗電量小、壽命長(zhǎng)以及反應(yīng)速度快等特性，因極具發(fā)展?jié)摿Χ挥鳛橄乱粋€(gè)世代的照明組件。在LED的產(chǎn)業(yè)鏈中，首先是將原料制成磊晶(外延)片后，再將磊晶片整合成LED晶圓(大圓片)，接著將LED晶圓切割成多個(gè)LED芯片(LED chip die)，最后才將LED芯片封裝成各種型態(tài)。其中，LED的發(fā)光效率一直是各家廠商爭(zhēng)相競(jìng)逐的指標(biāo)之一，因此在LED各階段的制造過程中，都需要利用檢測(cè)裝置來測(cè)量LED的光通量，以確認(rèn)LED的發(fā)光效率是否合乎標(biāo)準(zhǔn)。
[0003]一般來說，現(xiàn)有的LED全光通量測(cè)量系統(tǒng)中，主要是利用積分球或太陽(yáng)能板來覆蓋住LED的發(fā)光方向，并依其所量得的電流值換算成LED的全光通量。這些方法雖然十分方便，但是卻存在著許多問題。例如，積分球的開口大小有限，若太大會(huì)導(dǎo)致測(cè)量的光電流過小并使精度下降。而為了使收進(jìn)積分球的光盡量包含所有自LED發(fā)出的光，必須使積分球非常靠近LED，甚至需要利用工具將LED芯片送入積分球體內(nèi)進(jìn)行測(cè)量，因此雖然積分球測(cè)量系統(tǒng)的測(cè)量精確度高，但測(cè)量時(shí)間較長(zhǎng)且不適合對(duì)LED晶圓上尚未切割的LED芯片進(jìn)行快速測(cè)量。
[0004]而太陽(yáng)能板測(cè)量系統(tǒng)是利用太陽(yáng)能電池(Photovoltaic cell, PV cell)當(dāng)做收光組件，通過其大面積收光、單晶硅材料性質(zhì)穩(wěn)定性高、輸出電流重復(fù)性佳以及反應(yīng)時(shí)間快等特性，可以有效降低現(xiàn)今業(yè)界使用顯微鏡點(diǎn)測(cè)系統(tǒng)會(huì)因機(jī)構(gòu)變異所帶來的收光比例造成測(cè)量誤差。然而，雖然太陽(yáng)能板測(cè)量系統(tǒng)可以通過加大太陽(yáng)能板面積以增加收光量，但其效率對(duì)于光入射角度的依存性卻使得測(cè)量出現(xiàn)誤差。
[0005]請(qǐng)參閱圖1，圖1顯示光線的入射角度與吸收效率之間的關(guān)系示意圖。如圖所示，圖中的入射角度是表示光線與太陽(yáng)能板的法線之間的傾角。在入射角度為O時(shí)，是代表光線是垂直的入射到太陽(yáng)能板，因此具有最高的吸收效率，然而當(dāng)光線的入射角度越大時(shí)，效率會(huì)隨之降低，這是因?yàn)楣饩€的傾角越大時(shí)，越容易產(chǎn)生反射，導(dǎo)致太陽(yáng)能板的吸收效率降低，因此當(dāng)利用太陽(yáng)能板作為吸光組件來檢測(cè)LED全光通量時(shí)，會(huì)容易產(chǎn)生誤差，且不同投射場(chǎng)型的LED之間的誤差也不同。
[0006]緣此，本發(fā)明提供一種新的全光通量檢測(cè)系統(tǒng)及全光通量的檢測(cè)方法，可以有效的提高發(fā)光組件全光通量的檢測(cè)準(zhǔn)確度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明所欲解決的技術(shù)問題與目的:
[0008]有鑒于現(xiàn)有技術(shù)中，以積分球?qū)ED進(jìn)行檢測(cè)的方式僅適合于單一的LED芯片，并不適合用于檢測(cè)LED晶圓，且積分球的檢測(cè)時(shí)間較長(zhǎng)，無法有效支援忙碌的生產(chǎn)線；另外，以太陽(yáng)能板做為收光組件時(shí)，雖然有反應(yīng)時(shí)間快且穩(wěn)定的優(yōu)點(diǎn)，但由于太陽(yáng)能面板會(huì)有角度依存性的問題產(chǎn)生，導(dǎo)致檢測(cè)結(jié)果產(chǎn)生誤差。
[0009]綜上所述，本發(fā)明主要目的是提供一種全光通量檢測(cè)系統(tǒng)及全光通量的檢測(cè)方法，以快速的對(duì)發(fā)光組件進(jìn)行全光通量的檢測(cè)，并有效的提高發(fā)光組件全光通量的檢測(cè)準(zhǔn)確度。
[0010]本發(fā)明解決問題的技術(shù)手段:
[0011]一種全光通量檢測(cè)系統(tǒng)，用以檢測(cè)一發(fā)光組件的全光通量，發(fā)光組件具有一投射光場(chǎng)與一中心法線，全光通量檢測(cè)系統(tǒng)包含一收光模塊、一第一光檢測(cè)器以及一處理模塊。
[0012]收光模塊對(duì)應(yīng)地設(shè)置于中心法線上，并將投射光場(chǎng)分為一正向光場(chǎng)以及一側(cè)向光場(chǎng)，且收光模塊用以接收發(fā)光組件于正向光場(chǎng)內(nèi)所投射的光束，并據(jù)以產(chǎn)生一正向光通量。
[0013]第一光檢測(cè)器設(shè)置于收光模塊的一側(cè)，用以接收發(fā)光組件于側(cè)向光場(chǎng)內(nèi)所投射的光束，并據(jù)以產(chǎn)生一第一側(cè)向光通量。
[0014]處理模塊電性連結(jié)于收光模塊以及第一光檢測(cè)器，用以依據(jù)正向光通量以及第一側(cè)向光通量判斷投射光場(chǎng)的場(chǎng)型，藉以計(jì)算出發(fā)光組件的全光通量。
[0015]如上所述的全光通量檢測(cè)系統(tǒng)，其還包含一第二光檢測(cè)器，設(shè)置于收光模塊相對(duì)于第一光檢測(cè)器的另一側(cè)，第二光檢測(cè)器用以接收發(fā)光組件于側(cè)向光場(chǎng)內(nèi)所投射的光束，并據(jù)以產(chǎn)生一第二側(cè)向光通量。較佳者，上述的處理模塊包含一儲(chǔ)存單元與一處理單元，儲(chǔ)存單元儲(chǔ)存有一正向基準(zhǔn)量、一第一側(cè)向基準(zhǔn)量、一第二側(cè)向基準(zhǔn)量以及多個(gè)場(chǎng)型校正系數(shù)。處理單元將正向光通量、第一側(cè)向光通量以及第二側(cè)向光通量分別與正向基準(zhǔn)量、第一側(cè)向基準(zhǔn)量以及第二側(cè)向基準(zhǔn)量進(jìn)行比較，以判斷投射光場(chǎng)的場(chǎng)型，并于該些場(chǎng)型校正系數(shù)中選出相對(duì)應(yīng)者，藉以計(jì)算出發(fā)光組件的全光通量。
[0016]此外，上述的全光通量檢測(cè)系統(tǒng)還包含二聚光組件，其分別設(shè)置于收光模塊的兩偵牝并將發(fā)光組件于側(cè)向光場(chǎng)內(nèi)所投射的光束分別聚焦于第一檢測(cè)器與第二檢測(cè)器。
[0017]本發(fā)明還提供一種全光通量的檢測(cè)方法，首先是將一收光模塊對(duì)應(yīng)地設(shè)置于一發(fā)光組件的中心法線上，使發(fā)光組件的投射光場(chǎng)被分為一正向光場(chǎng)以及一側(cè)向光場(chǎng)；然后，利用收光模塊接收發(fā)光組件于正向光場(chǎng)內(nèi)所投射的光束，并據(jù)以產(chǎn)生一正向光通量；接著，利用一第一光檢測(cè)器接收發(fā)光組件于側(cè)向光場(chǎng)內(nèi)所投射的光束，并據(jù)以產(chǎn)生一第一側(cè)向光通量；最后，利用一處理模塊依據(jù)正向光通量以及第一側(cè)向光通量判斷出投射光場(chǎng)的場(chǎng)型，藉以計(jì)算出發(fā)光組件的全光通量。
[0018]如上所述的全光通量檢測(cè)方法，還包含一步驟，其對(duì)一標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光組件進(jìn)行檢測(cè)，藉以使收光模塊產(chǎn)生一正向基準(zhǔn)量，并使第一光檢測(cè)器產(chǎn)生一第一側(cè)向基準(zhǔn)量。
[0019]較佳者，當(dāng)正向光通量與第一側(cè)向光通量的比值相當(dāng)于正向基準(zhǔn)量與第一側(cè)向基準(zhǔn)量的比值時(shí)，判斷投射光場(chǎng)的場(chǎng)型趨近于標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光組件的投射場(chǎng)型；當(dāng)正向光通量與第一側(cè)向光通量的比值大于正向基準(zhǔn)量與第一側(cè)向基準(zhǔn)量的比值時(shí)，判斷投射光場(chǎng)的場(chǎng)型集中于中心法線；當(dāng)正向光通量與第一側(cè)向光通量的比值小于正向基準(zhǔn)量與第一側(cè)向基準(zhǔn)量的比值時(shí)，判斷投射光場(chǎng)的場(chǎng)型分散于兩側(cè)。
[0020]如上所述的全光通量檢測(cè)方法，還包含一步驟，其利用一第二光檢測(cè)器接收發(fā)光組件于側(cè)向光場(chǎng)內(nèi)所投射的光束，并據(jù)以產(chǎn)生一第二側(cè)向光通量，當(dāng)?shù)谝粋?cè)向光通量大于第二側(cè)向光通量時(shí)，判斷投射光場(chǎng)的場(chǎng)型分布偏向其中一側(cè)。[0021]本發(fā)明對(duì)照現(xiàn)有技術(shù)的功效:
[0022]相較于現(xiàn)有的LED全光通量檢測(cè)系統(tǒng)，由于本發(fā)明的全光通量檢測(cè)系統(tǒng)及全光通量的檢測(cè)方法是利用收光模塊與光檢測(cè)器來吸收發(fā)光組件投射光場(chǎng)內(nèi)的光束，再將所產(chǎn)生的正向光通量以及第一側(cè)向光通量與標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光組件的光通量相比，可得知發(fā)光組件投射光場(chǎng)的場(chǎng)型，最后再依據(jù)與場(chǎng)型相對(duì)應(yīng)的校正系數(shù)來校正發(fā)光組件的光通量，進(jìn)而獲得還為精準(zhǔn)的發(fā)光組件全光通量。
[0023]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對(duì)本發(fā)明的限定?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0024]圖1顯示光線的入射角度與吸收效率之間的關(guān)系示意圖；
[0025]圖2為本發(fā)明的全光通量檢測(cè)系統(tǒng)的平面示意圖；
[0026]圖3顯示于本發(fā)明的全光通量檢測(cè)系統(tǒng)中，收光模塊區(qū)分發(fā)光組件的投射光場(chǎng)的平面示意圖；
[0027]圖4為本發(fā)明的全光通量檢測(cè)系統(tǒng)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖5為標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光組件的場(chǎng)型分布示意圖；
[0029]圖6為發(fā)光組件的投射光場(chǎng)的場(chǎng)型集中于中心法線的示意圖；
[0030]圖7為發(fā)光組件的投射光場(chǎng)的場(chǎng)型分散于兩側(cè)的示意圖；以及
[0031]圖8為本發(fā)明所提 供的全光通量的檢測(cè)方法。
[0032]其中，附圖標(biāo)記
[0033]100全光通量檢測(cè)系統(tǒng)
[0034]200發(fā)光模塊
[0035]201發(fā)光組件
[0036]201a標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光組件
[0037]I收光模塊
[0038]2第一光檢測(cè)器
[0039]3第二光檢測(cè)器
[0040]4處理模塊
[0041]41儲(chǔ)存單元
[0042]42處理單元
[0043]5聚光組件
[0044]6聚光組件
[0045]η、η’中心法線
[0046]F投射光場(chǎng)
[0047]Fl正向光場(chǎng)
[0048]Fll正向光通量
[0049]F2側(cè)向光場(chǎng)
[0050]F21第一側(cè)向光通量
[0051]F3側(cè)向光場(chǎng)
[0052]F31第二側(cè)向光通量[0053]k場(chǎng)型校正系數(shù)
[0054]SI正向基準(zhǔn)量
[0055]S2第一側(cè)向基準(zhǔn)量
[0056]S3第二側(cè)向基準(zhǔn)量
【具體實(shí)施方式】
[0057]本發(fā)明揭示一種全光通量檢測(cè)系統(tǒng)及全光通量的檢測(cè)方法，其是利用收光模塊與光檢測(cè)器來吸收發(fā)光組件投射光場(chǎng)內(nèi)的光束，并與標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光組件的光通量相比而判斷出發(fā)光組件投射光場(chǎng)的場(chǎng)型，以校正得出發(fā)光組件的全光通量。由于發(fā)光組件具有各式各樣的投射光場(chǎng)場(chǎng)型，且發(fā)光組件在制造過程中具有多種型態(tài)，故以下茲列舉較佳的實(shí)施例以說明本發(fā)明，然本領(lǐng)域技術(shù)人員均知此僅為舉例，而并非用以限定發(fā)明本身。有關(guān)此較佳實(shí)施例的內(nèi)容詳述如下。
[0058]請(qǐng)參閱圖2至圖4,圖2為本發(fā)明的全光通量檢測(cè)系統(tǒng)的平面示意圖；圖3顯示于本發(fā)明的全光通量檢測(cè)系統(tǒng)中，收光模塊區(qū)分發(fā)光組件的投射光場(chǎng)的平面示意圖；圖4為本發(fā)明的全光通量檢測(cè)系統(tǒng)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，一發(fā)光模塊200具有多個(gè)未切割的發(fā)光組件201，在本實(shí)施例中，發(fā)光模塊200是為L(zhǎng)ED晶圓(大圓片)，發(fā)光組件201為L(zhǎng)ED芯片。一全光通量檢測(cè)系統(tǒng)100是用以檢測(cè)發(fā)光組件201的全光通量，而此全光通量檢測(cè)系統(tǒng)100包含一收光模塊1、一第一光檢測(cè)器2、一第二光檢測(cè)器3、一處理模塊4、一聚光組件5以及一聚光組件6。
[0059]收光模塊I是對(duì)應(yīng)地設(shè)置于發(fā)光組件201的一中心法線η上，且收光模塊I將發(fā)光組件201的投射光場(chǎng)F分為 一正向光場(chǎng)F1、一側(cè)向光場(chǎng)F2以及一側(cè)向光場(chǎng)F3。其中，收光模塊I是用以接收發(fā)光組件201于正向光場(chǎng)Fl內(nèi)所投射的光束，并據(jù)以產(chǎn)生一正向光通量FlI。在本實(shí)施例中，收光模塊I可以是太陽(yáng)能面板或積分球。
[0060]第一光檢測(cè)器2是設(shè)置于收光模塊I的一側(cè)，用以接收發(fā)光組件201于側(cè)向光場(chǎng)F2內(nèi)所投射的光束，并據(jù)以產(chǎn)生一側(cè)向光通量F21。其中，聚光組件5是設(shè)置于第一光檢測(cè)器2與發(fā)光組件201之間，藉以使發(fā)光組件201于側(cè)向光場(chǎng)F2內(nèi)所投射的光束可聚焦于第一光檢測(cè)器2上，使發(fā)光組件201于側(cè)向光場(chǎng)F2內(nèi)所投射的光束幾乎都能被第一光檢測(cè)器2所接收。
[0061]第二光檢測(cè)器3是設(shè)置于收光模塊I相對(duì)于第一光檢測(cè)器2的另一側(cè)，用以接收發(fā)光組件201于側(cè)向光場(chǎng)F3內(nèi)所投射的光束，并據(jù)以產(chǎn)生一第二側(cè)向光通量F31。其中，聚光組件6是設(shè)置于第二檢測(cè)器3與發(fā)光組件201之間，藉以使發(fā)光組件201于側(cè)向光場(chǎng)F3內(nèi)所投射的光束可聚焦于第二光檢測(cè)器3上，使發(fā)光組件201于側(cè)向光場(chǎng)F3內(nèi)所投射的光束幾乎都能被第二光檢測(cè)器3所接收。在本實(shí)施例中，第一光檢測(cè)器2與第二光檢測(cè)器3例如是感光二極管(photodiode)或太陽(yáng)能電池等半導(dǎo)體組件,而聚光組件5、6例如是透鏡。
[0062]請(qǐng)參閱圖3至圖7，圖5為標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光組件的場(chǎng)型分布示意圖；圖6為發(fā)光組件的投射光場(chǎng)的場(chǎng)型集中于中心法線的不意圖；圖7為發(fā)光組件的投射光場(chǎng)的場(chǎng)型分散于兩側(cè)的示意圖。如圖所示，處理模塊4電性連結(jié)于收光模塊1、第一光檢測(cè)器2以及第二光檢測(cè)器3，且處理模塊4包含一儲(chǔ)存單元41以及一處理單元42。儲(chǔ)存單元41內(nèi)建有一正向基準(zhǔn)量S 1、一第一側(cè)向基準(zhǔn)量S2、一第二側(cè)向基準(zhǔn)量S3以及多個(gè)場(chǎng)型校正系數(shù)k。處理單元42是將正向光通量F11、第一側(cè)向光通量F21以及第二側(cè)向光通量F31分別與正向基準(zhǔn)量S1、第一側(cè)向基準(zhǔn)量S2以及第二側(cè)向基準(zhǔn)量S3比較，以判斷投射光場(chǎng)的場(chǎng)型，并于該些場(chǎng)型校正系數(shù)k中選出相對(duì)應(yīng)者，藉以計(jì)算出發(fā)光組件201的全光通量。如圖5所示，本實(shí)施例是利用投射場(chǎng)型呈圓形的發(fā)光組件作為一標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光組件201a，其具有一中心法線η’，而標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光組件201a的場(chǎng)型是以中心法線η’為基準(zhǔn)而在中心法線η’的正負(fù)90度內(nèi)呈現(xiàn)圓形；其中，正向基準(zhǔn)量S1、第一側(cè)向基準(zhǔn)量S2以及第二側(cè)向基準(zhǔn)量S3是為利用全光通量檢測(cè)系統(tǒng)100測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光組件201a后所儲(chǔ)存于儲(chǔ)存單元41內(nèi)的數(shù)據(jù)。
[0063]承上所述，當(dāng)正向光通量Fll與第一側(cè)向光通量F21的比值(F11/F21)接近于正向基準(zhǔn)量SI與第一側(cè)向基準(zhǔn)量S2的比值(S1/S2)，發(fā)光組件201的投射場(chǎng)型相當(dāng)于標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光組件201a的場(chǎng)型，意即在本實(shí)施例中發(fā)光組件201的投射光場(chǎng)F的場(chǎng)型趨近于圓形。其中，由于發(fā)光組件201通常是呈對(duì)稱分布，因此利用上述的比值(F11/F21)與(S1/S2)即可有效的判斷出發(fā)光組件201的投射場(chǎng)型。此外，當(dāng)正向光通量Fll與第二側(cè)向光通量F31的比值(Fl 1/F31)接近于正向基準(zhǔn)量SI與第二側(cè)向基準(zhǔn)量S3的比值(S1/S3)時(shí)，還可提升投射光場(chǎng)F的場(chǎng)型趨近于圓形的判斷準(zhǔn)確度。
[0064]當(dāng)正向光通量FlI與第一側(cè)向光通量F21的比值(F11/F21)大于正向基準(zhǔn)量SI與第一側(cè)向基準(zhǔn)量S2的比值(S1/S2)時(shí)，發(fā)光組件201的投射光場(chǎng)F的場(chǎng)型是如圖6所示的集中于中心法線η。
[0065]當(dāng)正向光通量FlI與第一側(cè)向光通量F21的比值(F11/F21)小于正向基準(zhǔn)量SI與第一側(cè)向基準(zhǔn)量S2的比值(S1/S2)時(shí)，發(fā)光組件201的投射光場(chǎng)F的場(chǎng)型是如圖7所示的分散于兩側(cè)。
[0066]以此類推，當(dāng)?shù)谝粋?cè)向光通量F21大于第二側(cè)向光通量F31 (F2DF31)時(shí)，在本發(fā)明【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識(shí)者應(yīng)可理解，投射光場(chǎng)F的場(chǎng)型分布是偏向側(cè)向光場(chǎng)F2。
[0067]如上所述，當(dāng)處理單元42判斷完發(fā)光組件201的投射光場(chǎng)F的場(chǎng)型時(shí)，便以適當(dāng)?shù)男Ｕ禂?shù)去修正正向光通量F11、第一側(cè)向光通量F21以及第二側(cè)向光通量F31，藉以使發(fā)光組件201的全光通量測(cè)量數(shù)據(jù)更為精準(zhǔn)。
[0068]請(qǐng)參閱圖3、圖4、圖5、圖8，圖8為本發(fā)明所提供的全光通量的檢測(cè)方法。如圖所示，本發(fā)明所提供的全光通量的檢測(cè)方法的步驟SllO是將收光模塊I對(duì)應(yīng)地設(shè)置于發(fā)光組件201的中心法線η上，發(fā)光組件201的投射光場(chǎng)F被分為正向光場(chǎng)Fl以及側(cè)向光場(chǎng)F2、F3。
[0069]然后，步驟S120是利用收光模塊I接收發(fā)光組件201于正向光場(chǎng)Fl內(nèi)所投射的光束，并據(jù)以產(chǎn)生正向光通量F11。
[0070]接著，步驟S130是利用第一光檢測(cè)器2以及一第二光檢測(cè)器3分別接收發(fā)光組件201于側(cè)向光場(chǎng)F2、F3內(nèi)所投射的光束，并據(jù)以產(chǎn)生第一側(cè)向光通量F21以及第二側(cè)向光通量F31。
[0071]之后，步驟S140是對(duì)標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光組件201a進(jìn)行檢測(cè)，藉以使收光模塊I產(chǎn)生正向基準(zhǔn)量SI,并使第一光檢測(cè)器2與第二光檢測(cè)器3分別產(chǎn)生第一側(cè)向基準(zhǔn)量S2與第二側(cè)向基準(zhǔn)量S3。然后正向基準(zhǔn)量S1、第一側(cè)向基準(zhǔn)量S2與第二側(cè)向基準(zhǔn)量S3是儲(chǔ)存于儲(chǔ)存單元41內(nèi)。在本實(shí)施例中，標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光組件201a是為一 Lambertian光源,其具有均勻的場(chǎng)型分布，致使投射場(chǎng)型呈圓形。此外，在其他實(shí)施例中，步驟S140也可在步驟SllO之前實(shí)施，并不限定于步驟S130之后。
[0072]最后，步驟S150是利用處理模塊4依據(jù)正向光通量Fl1、第一側(cè)向光通量F21以及第二側(cè)向光通量F31判斷出投射光場(chǎng)F的場(chǎng)型，藉以計(jì)算出發(fā)光組件201的全光通量。
[0073]綜上所述，相較于現(xiàn)有技術(shù)的LED全光通量檢測(cè)系統(tǒng)，由于本發(fā)明的全光通量檢測(cè)系統(tǒng)及全光通量的檢測(cè)方法是利用收光模塊與光檢測(cè)器來吸收發(fā)光組件投射光場(chǎng)內(nèi)的光束，再將所產(chǎn)生的正向光通量、第一側(cè)向光通量以及第二側(cè)向光通量與標(biāo)準(zhǔn)的光通量相t匕，因此可判斷出投射光場(chǎng)的場(chǎng)型。在判斷出投射光場(chǎng)的場(chǎng)型后，即可利用與場(chǎng)型相對(duì)應(yīng)的校正系數(shù)來校正得出發(fā)光組件的全光通量，有效的提高檢測(cè)的準(zhǔn)確度。
[0074]在其他實(shí)施例中，如上所述的第一 /第二光檢測(cè)器也可直接對(duì)準(zhǔn)發(fā)光組件而吸收第一 /第二側(cè)向光場(chǎng)內(nèi)的光束，而不需要另外設(shè)置聚光組件，此時(shí)處理單元是依據(jù)第一 /第二光檢測(cè)器的收光角度來計(jì)算發(fā)光組件的全光通量。
[0075]此外，由于一般發(fā)光組件的場(chǎng)型通常是對(duì)稱的設(shè)計(jì)，因此本發(fā)明的全光通量檢測(cè)系統(tǒng)即使只有收光模塊與第一光檢測(cè)器也可以對(duì)稱的計(jì)算測(cè)得發(fā)光組件的大致場(chǎng)型，并據(jù)以計(jì)算出全光通量；而同時(shí)利用第一光檢測(cè)器與第二光檢測(cè)器則可以還準(zhǔn)確的測(cè)定發(fā)光組件的場(chǎng)型，并據(jù)以校正計(jì)算出全光通量。
[0076]當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種全光通量檢測(cè)系統(tǒng)，用以檢測(cè)一發(fā)光組件的全光通量，該發(fā)光組件具有一投射光場(chǎng)與一中心法線，其特征在于，該全光通量檢測(cè)系統(tǒng)包含: 一收光模塊，對(duì)應(yīng)地設(shè)置于該中心法線上，并將該投射光場(chǎng)分為一正向光場(chǎng)以及一側(cè)向光場(chǎng)，該收光模塊用以接收該發(fā)光組件于該正向光場(chǎng)內(nèi)所投射的光束，并據(jù)以產(chǎn)生一正向光通量； 一第一光檢測(cè)器，設(shè)置于該收光模塊的一側(cè)，該第一光檢測(cè)器用以接收該發(fā)光組件于該側(cè)向光場(chǎng)內(nèi)所投射的光束，并據(jù)以產(chǎn)生一第一側(cè)向光通量；以及 一處理模塊，電性連結(jié)于該收光模塊以及該第一光檢測(cè)器，該處理模塊用以依據(jù)該正向光通量以及該第一側(cè)向光通量判斷該投射光場(chǎng)的場(chǎng)型，藉以計(jì)算出該發(fā)光組件的全光通量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全光通量檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，還包含: 一第二光檢測(cè)器，設(shè)置于該收光模塊相對(duì)于該第一光檢測(cè)器的另一側(cè)，該第二光檢測(cè)器用以接收該發(fā)光組件于該側(cè)向光場(chǎng)內(nèi)所投射的光束，并據(jù)以產(chǎn)生一第二側(cè)向光通量。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的全光通量檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，該處理模塊包含: 一儲(chǔ)存單元，儲(chǔ)存有一正向基準(zhǔn)量、一第一側(cè)向基準(zhǔn)量、一第二側(cè)向基準(zhǔn)量以及多個(gè)場(chǎng) 型校正系數(shù)；以及 一處理單元，將該正向光通量、該第一側(cè)向光通量以及該第二側(cè)向光通量分別與該正向基準(zhǔn)量、該第一側(cè)向基準(zhǔn)量以及該第二側(cè)向基準(zhǔn)量進(jìn)行比較，以判斷該投射光場(chǎng)的場(chǎng)型，并于該些場(chǎng)型校正系數(shù)中選出相對(duì)應(yīng)者，藉以計(jì)算出該發(fā)光組件的全光通量。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的全光通量檢測(cè)系統(tǒng)，其特征在于，還包含: 二聚光組件，其分別設(shè)置于該收光模塊的兩側(cè)，并將該發(fā)光組件于該側(cè)向光場(chǎng)內(nèi)所投射的光束分別聚集于該第一光檢測(cè)器與該第二光檢測(cè)器。
5.一種全光通量的檢測(cè)方法，其特征在于，包含: (a)將一收光模塊對(duì)應(yīng)地設(shè)置于一發(fā)光組件的中心法線上，使該發(fā)光組件的投射光場(chǎng)被分為一正向光場(chǎng)以及一側(cè)向光場(chǎng)； (b)利用該收光模塊接收該發(fā)光組件于該正向光場(chǎng)內(nèi)所投射的光束，并據(jù)以產(chǎn)生一正向光通量； (C)利用一第一光檢測(cè)器接收該發(fā)光組件于該側(cè)向光場(chǎng)內(nèi)所投射的光束，并據(jù)以產(chǎn)生一第一側(cè)向光通量；以及 (d)利用一處理模塊依據(jù)該正向光通量以及該第一側(cè)向光通量判斷出該投射光場(chǎng)的場(chǎng)型，藉以計(jì)算出該發(fā)光組件的全光通量。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的全光通量的檢測(cè)方法，其特征在于，還包含: (e)對(duì)一標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光組件進(jìn)行檢測(cè)，藉以使該收光模塊產(chǎn)生一正向基準(zhǔn)量，并使該第一光檢測(cè)器產(chǎn)生一第一側(cè)向基準(zhǔn)量。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的全光通量的檢測(cè)方法，其特征在于，于步驟(d)，當(dāng)該正向光通量與該第一側(cè)向光通量的比值相當(dāng)于該正向基準(zhǔn)量與該第一側(cè)向基準(zhǔn)量的比值時(shí)，判斷該投射光場(chǎng)的場(chǎng)型趨近于該標(biāo)準(zhǔn)發(fā)光組件的投射場(chǎng)型。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的全光通量的檢測(cè)方法，其特征在于，于步驟(d)，當(dāng)該正向光通量與該第一側(cè)向光通量的比值大于該正向基準(zhǔn)量與該第一側(cè)向基準(zhǔn)量的比值時(shí)，判斷該投射光場(chǎng)的場(chǎng)型集中于該中心法線。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的全光通量的檢測(cè)方法，其特征在于，于步驟(d)，當(dāng)該正向光通量與該第一側(cè)向光通量的比值小于該正向基準(zhǔn)量與該第一側(cè)向基準(zhǔn)量的比值時(shí)，判斷該投射光場(chǎng)的場(chǎng)型是分散于兩側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的全光通量的檢測(cè)方法，其特征在于，還包含: (f)，利用一第二光檢測(cè)器接收該發(fā)光組件于該側(cè)向光場(chǎng)內(nèi)所投射的光束，并據(jù)以產(chǎn)生一第二側(cè)向光通量，當(dāng)該第一側(cè)向光 通量與該第二側(cè)向光通量大小不同時(shí)，判斷該投射光場(chǎng)的場(chǎng)型分布是偏向其中一側(cè)。
【文檔編號(hào)】G01J1/42GK103453987SQ201210182171
【公開日】2013年12月18日 申請(qǐng)日期:2012年6月5日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月5日
【發(fā)明者】鄭勖廷, 鄭岳弘 申請(qǐng)人:致茂電子(蘇州)有限公司