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      用于檢測mcu電壓的檢測電路的制作方法

      文檔序號:5895800閱讀:481來源:國知局
      專利名稱:用于檢測mcu電壓的檢測電路的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明屬于電壓檢測技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及ー種用于檢測MCU電壓的檢測電路。
      背景技術(shù)
      隨著大規(guī)模集成電路的出現(xiàn)及發(fā)展,微控制單元(micro controller unit, MCU)可以將計算機的CPU、RAM、R0M、定時數(shù)器和多種I/O接ロ集成在一片芯片上,形成芯片級的計算機,為不同的應(yīng)用場合做不同組合控制。目前的電子產(chǎn)品是一般都由I顆或I顆以上的MCU組成的系統(tǒng),MCU的電源電壓是由電池直接供電或者電池分壓后供電的,通過電池分壓供電時,MCU的電源電壓跟隨電池電壓的變化而變化,因此通過檢測MCU的電源電壓VDD能得知當前的電池電壓。當電池電壓下降到某ー值時,會對系統(tǒng)的某些性能產(chǎn)生影響。因此需要對電池電壓或者與電池電壓有跟隨關(guān)系的電壓進行檢測,當檢測電壓下降到某ー閾值吋,自動禁止系統(tǒng)的部分功能并提醒更換電池。MCU的輸入電壓檢測通常需要利用MCU內(nèi)置的A/D轉(zhuǎn)換器或者低壓檢測模塊,就可以方便實現(xiàn)電壓檢測功能,內(nèi)置A/D轉(zhuǎn)換器或者低壓檢測模塊雖然檢測結(jié)果較為精確,但是會同時導致MCU的成本増加。在一些低成本的MCU中,并未內(nèi)置A/D轉(zhuǎn)換器或者低壓檢測模塊,其可以簡單的通過外部擴展A/D轉(zhuǎn)換器來實現(xiàn)電壓檢測功能,但是此種情況下成本并未降低。由上述分析可知,對于ー些電壓檢測精度要求不高,而成本控制要求相對較高的場合,通過內(nèi)置或者外部擴展A/D轉(zhuǎn)換器的方式都無法滿足成本方面的要求。因此有必要開發(fā)ー種成本更低,同時還能完成MCU的輸入電壓檢測功能的檢測電路。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明提供ー種用于檢測MCU電壓的檢測電路,在降低成本的同時還能完成MCU電壓檢測功能。為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供ー種用于檢測MCU電壓的檢測電路,所述MCU包括第一 I/O端ロ、第二 I/O端ロ、定時裝置、被測電壓端ロ、連接電源電壓VDD的電壓輸入端和接地端,所述被測電壓端ロ的電壓跟隨電源電壓VDD,其特征在干,所述檢測電路包括電容、電阻和鉗位模塊,所述電阻的一端連接所述被測電壓端ロ,所述電阻的另一端連接所述電容的一端、所述鉗位模塊的一端以及所述第一 I/O端ロ,所述鉗位模塊的另一端連接所述第二 I/O端ロ,所述電容的另一端接地,所述電容放電時,電容放電電荷經(jīng)由所述鉗位模塊放電,電容放電電壓達到鉗位模塊的鉗電壓時電容停止放電??蛇x的,所述被測電壓端ロ電壓為VI,所述鉗位模塊的鉗位電壓為VD,所述電容的容值為C,所述電阻的阻值為R,所述電容電壓為Vc,所述第一 I/O端ロ的輸入高電平門限電壓為VH,所述第二 I/O端ロ的輸出電壓由MCU控制??蛇x的,被測電壓端ロ電壓Vl根據(jù)電阻的阻值R、電容的容值C、鉗位模塊的鉗位電壓VD、第一 I/O端ロ的輸入高電平門限電壓VH以及電容從鉗位電壓VD充電到第一 I/O、端ロ的輸入高電平門限電壓VH的充電時間T得到,關(guān)系式為
      權(quán)利要求
      1.ー種用于檢測MCU電壓的檢測電路,所述MCU包括第一 I/O端ロ、第二 I/O端ロ、定時裝置、被測電壓端ロ、連接電源電壓VDD的電壓輸入端和接地端,所述被測電壓端ロ的電壓跟隨電源電壓VDD,其特征在于,所述檢測電路包括電容、電阻和鉗位模塊,所述電阻的一端連接所述被測電壓端ロ,所述電阻的另一端連接所述電容的一端、所述鉗位模塊的一端以及所述第一 I/O端ロ,所述鉗位模塊的另一端連接所述第二 I/O端ロ,所述電容的另ー端接地,所述電容放電時,電容放電電荷經(jīng)由所述鉗位模塊放電,電容放電電壓達到鉗位模塊的鉗電壓時電容停止放電。
      2.如權(quán)利要求I所述的用于檢測MCU電壓的檢測電路,其特征在于,所述被測電壓端ロ電壓為VI,所述鉗位模塊的鉗位電壓為VD,所述電容的容值為C,所述電阻的阻值為R,所述電容電壓為Vc,所述第一 I/O端ロ的輸入高電平門限電壓為VH,所述第二 I/O端ロ的輸出電壓由MCU控制。
      3.如權(quán)利要求2所述的用于檢測MCU電壓的檢測電路,其特征在于,被測電壓端ロ電壓Vl根據(jù)電阻的阻值R、電容的容值C、鉗位模塊的鉗位電壓VD、第一 I/O端ロ的輸入高電平門限電壓VH以及電容從鉗位電壓VD充電到第一 I/O端ロ的輸入高電平門限電壓VH的充電時間T得到,關(guān)系式為
      4.如權(quán)利要求2或3所述的用于檢測MCU電壓的檢測電路,其特征在于,設(shè)置所述第一 I/O端ロ為輸入端ロ,第二 I/O端ロ輸出初始狀態(tài)為高電平,第一 I/O端ロ輸入端ロ的電壓等于電容電壓Vc,設(shè)置所述第二 I/O端ロ為輸出端ロ,所述電容電壓Vc的初始值Vc等于被測電壓端ロ電壓Vl ;將所述第二 I/O端ロ輸出由初始的高電平狀態(tài)設(shè)置為低電平,所述電容開始放電,當電容電壓Vc由Vl放電到鉗位電壓VD時,即Vc=VD時,電容放電結(jié)束;然后將所述第二 I/O端ロ輸出設(shè)置為高電平,所述電容開始充電,電容電壓Vc由VD開始上升到被測電壓端ロ電壓Vl,當電容電壓Vc大于第一 I/O端ロ的輸入高電平門限電壓VH吋,所述第一 I/O端ロ變?yōu)楦唠娖剑龆〞r裝置從所述第二 I/O端ロ為高電平時開始計時,到所述第一 I/O端ロ變?yōu)楦唠娖綍r結(jié)束計時,在此期間內(nèi),所述定時裝置的計時即為所述檢測電路的充電時間T,所述檢測電路的充電時間T與MCU的被測電壓Vl的關(guān)系為
      5.如權(quán)利要求I所述的用于檢測MCU電壓的檢測電路,其特征在于,所述鉗位模塊包括一個ニ極管或者多個串聯(lián)的ニ極管。
      6.如權(quán)利要求2至5任意一項權(quán)利所述的用于檢測MCU電壓的檢測電路,其特征在干,所述鉗位模塊的鉗位電壓VD為ニ極管的正向壓降。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種用于檢測MCU電壓的檢測電路,所述MCU包括第一I/O端口、第二I/O端口、定時裝置、被測電壓端口、連接電源電壓VDD的電壓輸入端和接地端,所述被測電壓端口的電壓跟隨電源電壓VDD,其特征在于,所述檢測電路包括電容、電阻和鉗位模塊,所述電阻的一端連接所述被測電壓端口,所述電阻的另一端連接所述電容的一端、所述鉗位模塊的一端以及所述第一I/O端口,所述鉗位模塊的另一端連接所述第二I/O端口,所述電容的另一端接地,所述電容放電時,電容放電電荷經(jīng)由所述鉗位模塊放電,電容放電電壓達到鉗位模塊的鉗電壓時電容停止放電。采用本發(fā)明的電壓檢測電路可以有效的降低整體電路的成本。
      文檔編號G01R19/00GK102692545SQ20121020043
      公開日2012年9月26日 申請日期2012年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月15日
      發(fā)明者朱蓉, 鄭尊標 申請人:杭州士蘭微電子股份有限公司
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