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      一種igbt模塊性能檢測(cè)裝置及方法

      文檔序號(hào):5960731閱讀:228來源:國(guó)知局
      專利名稱:一種igbt模塊性能檢測(cè)裝置及方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件絕緣柵雙極型晶體管IGBT (Insulated Gate BipolarTransistor)的性能檢測(cè)設(shè)備,具體涉及一種IGBT模塊性能檢測(cè)裝置及方法。
      背景技術(shù)
      隨著變流產(chǎn)品市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大,不同功率等級(jí)的產(chǎn)品會(huì)越來越多,在變流產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)中,IGBT模塊是其最核心也是最基 本的元器件,變流器硬件設(shè)計(jì)中,IGBT模塊的選型、驅(qū)動(dòng)脈沖的性能以及一些極限條件下的保護(hù)性能對(duì)整個(gè)變流系統(tǒng)的起著決定性的作用,其特性直接決定了整個(gè)變流器的性能。如門極電阻過大時(shí),IGBT模塊的開通與關(guān)斷時(shí)間增加,進(jìn)而使脈沖開通能耗和關(guān)斷能損也增加。當(dāng)門級(jí)電阻過小時(shí),會(huì)引起IGBT模塊的誤導(dǎo)通,電阻值過小時(shí)也會(huì)造成驅(qū)動(dòng)脈沖振蕩。死區(qū)時(shí)間也是很關(guān)鍵的一個(gè)參數(shù),過小可能導(dǎo)致IGBT模塊誤導(dǎo)通,燒壞整個(gè)IGBT模塊。死區(qū)時(shí)間過長(zhǎng)會(huì)使輸出電壓電流波形失真,影響整個(gè)模塊的工作性能。在設(shè)計(jì)過程中如果只依靠經(jīng)驗(yàn),理論計(jì)算,數(shù)據(jù)分析及仿真完全不能實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量變流器的設(shè)計(jì)要求,等產(chǎn)品設(shè)計(jì)生產(chǎn)完成后,再通過試驗(yàn)來檢測(cè)各項(xiàng)性能,不僅耽擱產(chǎn)品的開發(fā)周期,更主要的是不能保證產(chǎn)品開發(fā)的成功率。因此需要提出一種裝置,對(duì)IGBT模塊的性能進(jìn)行全面檢測(cè)。經(jīng)初步檢索,尚未發(fā)現(xiàn)與本發(fā)明內(nèi)容相同或相近的現(xiàn)有公開技術(shù)方案。

      發(fā)明內(nèi)容
      基于背景技術(shù)中的原因,本發(fā)明設(shè)計(jì)一種IGBT模塊性能檢測(cè)裝置及方法,檢測(cè)IGBT模塊的性能,確定其最佳工作參數(shù),為后期變流產(chǎn)品設(shè)計(jì)提供參考依據(jù)。本發(fā)明采用的技術(shù)方案是
      一種IGBT模塊性能檢測(cè)裝置,包括
      電流發(fā)生電路,用于提供強(qiáng)電流流過待測(cè)IGBT模塊的基極和射極;
      控制板,用于控制整個(gè)變流模塊的智能化工作并發(fā)出脈沖信號(hào);
      驅(qū)動(dòng)板,用于將控制板提供的脈沖信號(hào)進(jìn)行放大,使之成為IGBT模塊的門極驅(qū)動(dòng)脈
      沖;
      所述電流發(fā)生電路正端連接待測(cè)IGBT模塊的基極,負(fù)端通過斬波電阻連接待測(cè)IGBT模塊的射極,所述控制板連接所述驅(qū)動(dòng)板,所述驅(qū)動(dòng)板連接待測(cè)IGBT模塊的門極。進(jìn)一步地,所述控制板還控制所述電流發(fā)生電路的工作使能信號(hào),所述電流發(fā)生電路就緒,控制板才允許控制發(fā)出門極驅(qū)動(dòng)脈沖。進(jìn)一步地,所述電流發(fā)生電路為電容放電式結(jié)構(gòu),具體包括直流高壓電源、電容、預(yù)充電開關(guān)、充電電阻、主開關(guān)、斬波電阻、第一電壓傳感器和第二電壓傳感器,所述直流高壓電源的正負(fù)端連接所述電容兩極板;電容兩端分別連接待測(cè)IGBT模塊的基極和斬波電阻;所述預(yù)充電開關(guān)串聯(lián)所述充電電阻再與所述主開關(guān)并聯(lián)構(gòu)成開關(guān)電路,該開關(guān)電路連接在所述直流高壓電源與所述電容之間;所述第一電壓傳感器與所述直流高壓電源并聯(lián),所述第二電壓傳感器與所述電容并聯(lián)。進(jìn)一步地,所述控制板為帶DSP芯片的電子電路板,包括電源模塊、模擬量輸入模塊、數(shù)字量輸入模塊、控制信號(hào)輸出模塊、驅(qū)動(dòng)脈沖輸出模塊和CAN通訊模塊,所述電源模塊、模擬量輸入模塊、控制信號(hào)輸出模塊、驅(qū)動(dòng)脈沖輸出模塊和CAN通訊模塊均連接DSP芯片;所述電源模塊為整個(gè)控制板提供電能,所述模擬量輸入模塊設(shè)有模擬信號(hào)接口,用于接收各類模擬信號(hào);數(shù)字量輸入模塊設(shè)有數(shù)字信號(hào)接口,用于接收各類數(shù)字信號(hào);所述控制信號(hào)輸出模塊輸出的控制信號(hào)控制所述驅(qū)動(dòng)板及所述電流發(fā)生電路工作;所述驅(qū)動(dòng)脈沖輸出模塊用于輸出門極驅(qū)動(dòng)脈沖;所述通訊模塊用于與上位機(jī)進(jìn)行通訊。進(jìn)一步地,所述驅(qū)動(dòng)板包括集成驅(qū)動(dòng)模塊和外圍輔助電路,所述集成驅(qū)動(dòng)模塊包括DC/DC轉(zhuǎn)換電路、輸入處理電路、驅(qū)動(dòng)輸出及邏輯保護(hù)電路,所述DC/DC轉(zhuǎn)換電路連接所述輸入處理電路,所述輸入處理電路連接所述驅(qū)動(dòng)輸出及邏輯保護(hù)電路。 進(jìn)一步地,所述數(shù)字量輸入模塊至少設(shè)有三路開關(guān)輸入接口,分別為脈沖使能輸 入、雙脈沖輸入及連續(xù)脈沖輸入。進(jìn)一步地,所述電流發(fā)生電路的第一電壓傳感器和第二電壓傳感器的輸出信號(hào)連接至所述控制板上模擬量輸入模塊上模擬接口上,所述模擬量輸入模塊還接有兩個(gè)變阻器,用于調(diào)節(jié)門極驅(qū)動(dòng)脈沖的頻率和脈寬。進(jìn)一步地,電流發(fā)生電路的預(yù)充電開關(guān)與主開關(guān)均為可控開關(guān),其控制信號(hào)由所述控制板上控制信號(hào)輸出模塊發(fā)出,同時(shí)該控制信號(hào)輸出模塊還輸出故障報(bào)警信號(hào)。一種IGBT模塊性能檢測(cè)方法,通過電流發(fā)生電路在待測(cè)IGBT模塊的基極和射極之間加高壓,由控制板發(fā)送不同數(shù)量、不同頻率、不同脈寬的門極驅(qū)動(dòng)脈沖,再由驅(qū)動(dòng)板對(duì)門極驅(qū)動(dòng)脈沖進(jìn)行放大,驅(qū)動(dòng)IGBT模塊導(dǎo)通,更改待測(cè)IGBT模塊門極電阻和決定其最優(yōu)死區(qū)時(shí)間的電路元器件,并不斷測(cè)試,最終確定IGBT模塊的最佳門極電阻及最優(yōu)死區(qū)時(shí)間。進(jìn)一步地,控制板控制預(yù)充電開關(guān)閉合,先對(duì)所述電容進(jìn)行小電流充電,當(dāng)檢測(cè)到所述兩個(gè)電壓傳感器電壓相接近時(shí),所述控制板自動(dòng)斷開預(yù)充電開關(guān)閉合主開關(guān),由電容向待測(cè)IGBT模塊供電,再由操作人員選擇發(fā)出雙脈沖或者連續(xù)脈沖,檢測(cè)待測(cè)IGBT的工作狀態(tài)及基本性能,更改待測(cè)IGBT模塊門極電阻和決定其最優(yōu)死區(qū)時(shí)間的電路元器件,并通過不斷測(cè)試,最終確定待測(cè)IGBT模塊的最佳門極電阻及最優(yōu)死區(qū)時(shí)間。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于
      O電流發(fā)生電路采用電容放電式結(jié)構(gòu),其主要作用是穩(wěn)定中間直流電壓,提供瞬時(shí)能量交換,與電源及負(fù)載交換無功,為IGBT模塊提供穩(wěn)定直流電壓;
      2)涉及獨(dú)特的控制板,通過控制板可以調(diào)節(jié)IGBT模塊門極觸發(fā)脈沖的數(shù)量、頻率和脈寬,實(shí)驗(yàn)者可以根據(jù)待測(cè)IGBT模塊的需要靈活調(diào)整試驗(yàn)參數(shù),最大程度確保試驗(yàn)的可靠性;
      3)本發(fā)明雖然需要控制的控制量較多,但是均通過控制板進(jìn)行自動(dòng)控制,實(shí)驗(yàn)者只需完成簡(jiǎn)單的操作和電路元件的替換,即可確定待測(cè)IGBT模塊的最佳門極電阻和最優(yōu)死區(qū)時(shí)間,為接下來的變流產(chǎn)品設(shè)計(jì)提供了良好的器件基礎(chǔ)。


      圖I為本發(fā)明所述IGBT模塊性能檢測(cè)裝置的電路框 圖2為本發(fā)明所述控制板的電路原理框圖。
      具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
      來進(jìn)一步闡述本發(fā)明。如圖I所示,一種IGBT模塊性能檢測(cè)裝置,包括
      電流發(fā)生電路,用于提供強(qiáng)電流流過待測(cè)IGBT模塊的基極和射極;
      控制板,用于控制整個(gè)變流模塊的智能化工作并發(fā)出脈沖信號(hào);
      驅(qū)動(dòng)板,用于將控制板提供的脈沖信號(hào)進(jìn)行放大,使之成為IGBT模塊的門極驅(qū)動(dòng)脈
      沖;
      所述電流發(fā)生電路正端連接待測(cè)IGBT模塊的基極,負(fù)端連接斬波電阻,所述控制板連接所述驅(qū)動(dòng)板,所述驅(qū)動(dòng)板連接待測(cè)IGBT模塊的門極。作為本發(fā)明所述一種IGBT模塊性能檢測(cè)裝置的進(jìn)一步實(shí)施方式,所述控制板還控制所述電流發(fā)生電路的工作使能信號(hào),所述電流發(fā)生電路就緒,控制板才允許控制發(fā)出門及驅(qū)動(dòng)脈沖。作為本發(fā)明所述一種IGBT模塊性能檢測(cè)裝置的進(jìn)一步實(shí)施方式,所述電流發(fā)生電路為電容放電式結(jié)構(gòu),具體包括直流高壓電源、電容、預(yù)充電開關(guān)、充電電阻、主開關(guān)、斬波電阻、第一電壓傳感器和第二電壓傳感器,所述直流高壓電源的正負(fù)端連接所述電容兩極板;電容兩端分別連接待測(cè)IGBT模塊的基極和斬波電阻;所述預(yù)充電開關(guān)串聯(lián)所述充電電阻再與所述主開關(guān)并聯(lián)構(gòu)成開關(guān)電路,該開關(guān)電路連接在所述直流高壓電源與所述電容之間;所述第一電壓傳感器與所述直流高壓電源并聯(lián),所述第二電壓傳感器與所述電容并聯(lián)。作為本發(fā)明所述一種IGBT模塊性能檢測(cè)裝置的進(jìn)一步實(shí)施方式,如圖2所示,所述控制板為帶DSP芯片的電子電路板,包括電源模塊、模擬量輸入模塊、數(shù)字量輸入模塊、控制信號(hào)輸出模塊、驅(qū)動(dòng)脈沖輸出模塊和CAN通訊模塊,所述電源模塊、模擬量輸入模塊、控制信號(hào)輸出模塊、驅(qū)動(dòng)脈沖輸出模塊和CAN通訊模塊均連接DSP芯片;所述電源模塊為整個(gè)控制板提供電能,所述模擬量輸入模塊設(shè)有模擬信號(hào)接口,用于接收各類模擬信號(hào);數(shù)字量輸入模塊設(shè)有數(shù)字信號(hào)接口,用于接收各類數(shù)字信號(hào);所述控制信號(hào)輸出模塊輸出的控制信號(hào)控制所述驅(qū)動(dòng)板及所述電流發(fā)生電路工作;所述驅(qū)動(dòng)脈沖輸出模塊用于輸出門極驅(qū)動(dòng)脈沖;所述通訊模塊用于與上位機(jī)進(jìn)行通訊。作為本發(fā)明所述一種IGBT模塊性能檢測(cè)裝置的進(jìn)一步實(shí)施方式,所述驅(qū)動(dòng)板包括集成驅(qū)動(dòng)模塊和外圍輔助電路組成,所述集成驅(qū)動(dòng)模塊包括DC/DC轉(zhuǎn)換電路、輸入處理電路、驅(qū)動(dòng)輸出及邏輯保護(hù)電路,所述集成驅(qū)動(dòng)模塊包括DC/DC轉(zhuǎn)換電路、輸入處理電路、驅(qū)動(dòng)輸出及邏輯保護(hù)電路,所述DC/DC轉(zhuǎn)換電路連接所述輸入處理電路,所述輸入處理電路連接所述驅(qū)動(dòng)輸出及邏輯保護(hù)電路。DC/DC轉(zhuǎn)換電路的功能是將輸入部分與工作部分進(jìn)行隔離,而其輸入處理電路由LDI芯片及其外圍電路組成,驅(qū)動(dòng)輸出及邏輯保護(hù)電路的核心芯片是I⑶;I⑶芯片將變壓器接口、過流短路保護(hù)、阻斷邏輯生成、反饋狀態(tài)記錄、供電監(jiān)視和輸出階段識(shí)別等功能都已集成在一起。每個(gè)I⑶芯片用于一個(gè)通道,其具體功能是對(duì)脈沖變壓器傳來的PWM信號(hào)進(jìn)行解碼,對(duì)PWM信號(hào)進(jìn)行功率放大,對(duì)IGBT的短路、過流及電源的欠壓檢測(cè)保護(hù),并向LDI芯片反饋狀態(tài),以產(chǎn)生短路保護(hù)的響應(yīng)時(shí)間和阻斷時(shí)間等。作為本發(fā)明所述一種IGBT模塊性能檢測(cè)裝置的進(jìn)一步實(shí)施方式,所述數(shù)字量輸入模塊至少設(shè)有三路開關(guān)輸入接口,分別為脈沖使能輸入、雙脈沖輸入及連續(xù)脈沖輸入。作為本發(fā)明所述一種IGBT模塊性能檢測(cè)裝置的進(jìn)一步實(shí)施方式,所述電流發(fā)生電路的第一電壓傳感器和第二電壓傳感器的輸出信號(hào)連接至所述控制板上模擬量輸入模塊上模擬接口上,所述模擬量輸入模塊還接有兩個(gè)變阻器,用于調(diào)節(jié)門極驅(qū)動(dòng)脈沖的頻率和脈寬。作為本發(fā)明所述一種IGBT模塊性能檢測(cè)裝置的進(jìn)一步實(shí)施方式,電流發(fā)生電路的預(yù)充電開關(guān)與主開關(guān)為可控開關(guān),其控制信號(hào)由所述控制板上控制信號(hào)輸出模塊發(fā)出,同時(shí)該控制信號(hào)輸出模塊還輸出故障報(bào)警信號(hào)。一種IGBT模塊性能檢測(cè)方法,通過電流發(fā)生電路在待測(cè)IGBT模塊的基極和射極之間加高壓,由控制板發(fā)送不同數(shù)量、不同頻率、不同脈寬的門極驅(qū)動(dòng)脈沖,再由驅(qū)動(dòng)板對(duì) 門極驅(qū)動(dòng)脈沖進(jìn)行放大,驅(qū)動(dòng)IGBT模塊導(dǎo)通,更改待測(cè)IGBT模塊門極電阻和決定其最優(yōu)死區(qū)時(shí)間的電路元器件,并不斷測(cè)試,最終確定IGBT模塊的最佳門極電阻及最優(yōu)死區(qū)時(shí)間。作為本發(fā)明所述一種IGBT模塊性能檢測(cè)方法的進(jìn)一步實(shí)施方式,控制板控制預(yù)充電開關(guān)閉合,先對(duì)所述電容進(jìn)行小電流充電,當(dāng)檢測(cè)到所述兩個(gè)電壓傳感器電壓相接近時(shí),所述控制板自動(dòng)斷開預(yù)充電開關(guān)閉合主開關(guān),由電容向待測(cè)IGBT模塊供電,再由操作人員選擇發(fā)出雙脈沖或者連續(xù)脈沖,檢測(cè)待測(cè)IGBT的工作狀態(tài)及基本性能,更改待測(cè)IGBT模塊門極電阻和決定其最優(yōu)死區(qū)時(shí)間的電路元器件,并通過不斷測(cè)試,最終確定待測(cè)IGBT模塊的最佳門極電阻及最優(yōu)死區(qū)時(shí)間。實(shí)施例
      如圖I所示,一種IGBT模塊性能檢測(cè)裝置,包括電流發(fā)生電路I、控制板2和驅(qū)動(dòng)板3,所述電流發(fā)生電路I為電容放電式結(jié)構(gòu),具體包括直流高壓電源、電容C、預(yù)充電開關(guān)KO、充電電阻R1、主開關(guān)K1、斬波電阻R2、第一電壓傳感器VSl和第二電壓傳感器VS2 ;如圖2所示,所述控制板2為帶DSP芯片的電子電路板,包括電源模塊、模擬量輸入模塊、數(shù)字量輸入模塊、控制信號(hào)輸出模塊、驅(qū)動(dòng)脈沖輸出模塊和CAN通訊模塊,所述所述數(shù)字量輸入模塊至少設(shè)有三路開關(guān)輸入接口,分別為脈沖使能輸入Jl、雙脈沖輸入J2及連續(xù)脈沖輸入J3,所述模擬量輸入模塊設(shè)有兩路可變電阻Pl和P2,其中Pl用于調(diào)節(jié)脈沖頻率,P2用于調(diào)節(jié)脈沖寬度,所述模擬量輸入模塊還接收來自第一電壓傳感器VSl和第二電壓傳感器VS2的電壓模擬量;所述電流發(fā)生電路I的預(yù)充電開關(guān)KO與主開關(guān)Kl為可控開關(guān),其控制信號(hào)均由控制板2上的控制信號(hào)輸出模塊輸出。本實(shí)施例的工作原理為控制板2控制預(yù)充電開關(guān)KO閉合,小電流給電容C充電,當(dāng)檢測(cè)到第一電壓傳感器VSl和第二電壓傳感器VS2上的電壓差在50V以內(nèi)時(shí),則表示電容C充電完成,控制板2控制預(yù)充電開關(guān)KO斷開,主開關(guān)Kl閉合,此時(shí)電流發(fā)生電路I準(zhǔn)備就緒,可以進(jìn)行下一步動(dòng)作;此時(shí)閉合開關(guān)J1,表示脈沖允許發(fā)出,實(shí)驗(yàn)者根據(jù)需要控制開關(guān)J2或J3選擇發(fā)出雙脈沖或者連續(xù)脈沖,在J2或J3閉合的同時(shí),此時(shí)門極觸發(fā)脈沖已發(fā)出,待測(cè)IGBT模塊導(dǎo)通,電容C通過斬波電阻R2放電,完成一個(gè)控制周期。在待測(cè)IGBT模塊導(dǎo)通的時(shí)候檢測(cè)其工作狀態(tài),更改待測(cè)IGBT模塊門極電阻和決定其最優(yōu)死區(qū)時(shí)間的電路元器件后進(jìn)行下一次試驗(yàn),通過不斷測(cè)試檢測(cè),最終確定待測(cè)IGBT模塊的最佳門極電阻及最優(yōu)死區(qū)時(shí)間。以上實(shí)施例僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例,并不對(duì)本發(fā)明作任何限制,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的實(shí)質(zhì)及技術(shù)啟示下所作的變形和潤(rùn)飾,均應(yīng)視為在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi),本發(fā)明的保護(hù)范圍具體視其權(quán)利要求書而定。·
      權(quán)利要求
      1.一種IGBT模塊性能檢測(cè)裝置,其特征在于,包括 電流發(fā)生電路,用于提供強(qiáng)電流流過待測(cè)IGBT模塊的基極和射極; 控制板,用于控制整個(gè)變流模塊的智能化工作并發(fā)出脈沖信號(hào); 驅(qū)動(dòng)板,用于將控制板提供的脈沖信號(hào)進(jìn)行放大,使之成為IGBT模塊的門極驅(qū)動(dòng)脈沖; 所述電流發(fā)生電路正端連接待測(cè)IGBT模塊的基極,負(fù)端連接斬波電阻,所述控制板連接所述驅(qū)動(dòng)板,所述驅(qū)動(dòng)板連接待測(cè)IGBT模塊的門極。
      2.根據(jù)權(quán)利要求I所述一種IGBT模塊性能檢測(cè)裝置,其特征在于,所述控制板還控制所述電流發(fā)生電路的工作使能信號(hào),所述電流發(fā)生電路就緒,控制板才允許控制發(fā)出門及驅(qū)動(dòng)脈沖。
      3.根據(jù)權(quán)利要求I所述一種IGBT模塊性能檢測(cè)裝置,其特征在于,所述電流發(fā)生電路為電容放電式結(jié)構(gòu),具體包括直流高壓電源、電容、預(yù)充電開關(guān)、充電電阻、主開關(guān)、斬波電阻、第一電壓傳感器和第二電壓傳感器,所述直流高壓電源的正負(fù)端連接所述電容兩極板;電容兩端分別連接待測(cè)IGBT模塊的基極和斬波電阻;所述預(yù)充電開關(guān)串聯(lián)所述充電電阻再與所述主開關(guān)并聯(lián)構(gòu)成開關(guān)電路,該開關(guān)電路連接在所述直流高壓電源與所述電容之間;所述第一電壓傳感器與所述直流高壓電源并聯(lián),所述第二電壓傳感器與所述電容并聯(lián)。
      4.根據(jù)權(quán)利要求I所述一種IGBT模塊性能檢測(cè)裝置,其特征在于,所述控制板為帶DSP芯片的電子電路板,包括電源模塊、模擬量輸入模塊、數(shù)字量輸入模塊、控制信號(hào)輸出模塊、驅(qū)動(dòng)脈沖輸出模塊和CAN通訊模塊,所述電源模塊、模擬量輸入模塊、控制信號(hào)輸出模塊、驅(qū)動(dòng)脈沖輸出模塊和CAN通訊模塊均連接DSP芯片;所述電源模塊為整個(gè)控制板提供電能,所述模擬量輸入模塊設(shè)有模擬信號(hào)接口,用于接收各類模擬信號(hào);數(shù)字量輸入模塊設(shè)有數(shù)字信號(hào)接口,用于接收各類數(shù)字信號(hào);所述控制信號(hào)輸出模塊輸出的控制信號(hào)控制所述驅(qū)動(dòng)板及所述電流發(fā)生電路工作;所述驅(qū)動(dòng)脈沖輸出模塊用于輸出門極驅(qū)動(dòng)脈沖;所述通訊模塊用于與上位機(jī)進(jìn)行通訊。
      5.根據(jù)權(quán)利要求I所述一種IGBT模塊性能檢測(cè)裝置,其特征在于,所述驅(qū)動(dòng)板包括集成驅(qū)動(dòng)模塊和外圍輔助電路組成,所述集成驅(qū)動(dòng)模塊包括DC/DC轉(zhuǎn)換電路、輸入處理電路、驅(qū)動(dòng)輸出及邏輯保護(hù)電路,所述DC/DC轉(zhuǎn)換電路連接所述輸入處理電路,所述輸入處理電路連接所述驅(qū)動(dòng)輸出及邏輯保護(hù)電路。
      6.根據(jù)權(quán)利要求4所述一種IGBT模塊性能檢測(cè)裝置,其特征在于,所述數(shù)字量輸入模塊至少設(shè)有三路開關(guān)輸入接口,分別為脈沖使能輸入、雙脈沖輸入及連續(xù)脈沖輸入。
      7.根據(jù)權(quán)利要求4所述一種IGBT模塊性能檢測(cè)裝置,其特征在于,所述電流發(fā)生電路的第一電壓傳感器和第二電壓傳感器的輸出信號(hào)連接至所述控制板上模擬量輸入模塊上模擬接口上,所述模擬量輸入模塊還接有兩個(gè)變阻器,用于調(diào)節(jié)門極驅(qū)動(dòng)脈沖的頻率和脈寬。
      8.根據(jù)權(quán)利要求4所述一種IGBT模塊性能檢測(cè)裝置,其特征在于,電流發(fā)生電路的充電開關(guān)與放電開關(guān)為可控開關(guān),其控制信號(hào)由所述控制板上控制信號(hào)輸出模塊發(fā)出,同時(shí)該控制信號(hào)輸出模塊還輸出故障報(bào)警信號(hào)。
      9.一種IGBT模塊性能檢測(cè)方法,其特征在于,通過電流發(fā)生電路在待測(cè)IGBT模塊的基極和射極之間加高壓,由控制板發(fā)送不同數(shù)量、不同頻率、不同脈寬的門極驅(qū)動(dòng)脈沖,再由驅(qū)動(dòng)板對(duì)門極驅(qū)動(dòng)脈沖進(jìn)行放大,驅(qū)動(dòng)IGBT模塊導(dǎo)通,更改待測(cè)IGBT模塊門極電阻和決定其最優(yōu)死區(qū)時(shí)間的電路元器件,并不斷測(cè)試,最終確定IGBT模塊的最佳門極電阻及最優(yōu)死區(qū)時(shí)間。
      10.根據(jù)權(quán)利要求9所述一種IGBT模塊性能檢測(cè)方法,其特征在于,控制板控制預(yù)充電開關(guān)閉合,當(dāng)檢測(cè)到所述兩個(gè)電壓傳感器電壓相接近時(shí),同時(shí)所述控制板發(fā)出控制信號(hào)控制斷開預(yù)充電開關(guān),閉合主開關(guān),由電容向待測(cè)IGBT模塊放電供電;由操作人員選擇發(fā)出雙脈沖或者連續(xù)脈沖,檢測(cè)待測(cè)IGBT的工作狀態(tài)及基本性能,更改待測(cè)IGBT模塊門極電阻和決定其最優(yōu)死區(qū)時(shí)間的電路元器件,并不斷測(cè)試,最終確定待測(cè)IGBT模塊的最佳門極電阻及最優(yōu)死區(qū)時(shí)間。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種IGBT模塊性能檢測(cè)裝置及方法,包括電流發(fā)生電路,用于提供強(qiáng)電流流過待測(cè)IGBT模塊的基極和射極;控制板,用于控制整個(gè)變流模塊的智能化工作并發(fā)出脈沖信號(hào);控制板,用于控制整個(gè)變流模塊的智能化工作并發(fā)出脈沖信號(hào);驅(qū)動(dòng)板,用于將控制板提供的脈沖信號(hào)進(jìn)行放大,使之成為IGBT模塊的門極驅(qū)動(dòng)脈沖。更改電路參數(shù)并不斷測(cè)試,最終確定待測(cè)IGBT模塊的最佳門極電阻及最優(yōu)死區(qū)時(shí)間。
      文檔編號(hào)G01R31/26GK102879726SQ201210418350
      公開日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2012年10月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月29日
      發(fā)明者呂永賓, 彭再武 申請(qǐng)人:湖南南車時(shí)代電動(dòng)汽車股份有限公司
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