專利名稱:一種硅基雙島結(jié)構(gòu)石英梁諧振式微壓力傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種石英諧振式壓力傳感器,特別涉及一種硅基雙島結(jié)構(gòu)石英梁諧振式微壓力傳感器。
背景技術(shù):
市場上壓力傳感器主要有電容式、壓阻式及諧振式,電容式和壓阻式輸出的是模擬量,必須應(yīng)用高精度調(diào)理電路對微弱信號進行處理,這些因素必然導致測量精度下降;而諧振式壓力傳感器是利用壓力變化來改變物體的諧振頻率,從而通過測量頻率變化來間接測量壓力,其輸出為準數(shù)字頻率信號,具有測量精度高,靈敏度高、分辨率高、抗干擾能力強,并且適用于長距離傳輸而不會降低其精度等優(yōu)點,比較適合對壓力進行高精度檢測。石英諧振式壓力傳感器具有品質(zhì)因數(shù)高、重復(fù)性好、沒有遲滯、時間穩(wěn)定性好、耐化學腐蝕等優(yōu)點,成為諧振式傳感器中常見的一種類型,但目前國內(nèi)外市場上主要是采用傳統(tǒng)機械加工的石英諧振式壓力傳感器,體積大并且很難實現(xiàn)對微壓的高精度測量,尤其在生物醫(yī)學、航天等對傳感器體積、重量有嚴格要求的領(lǐng)域,傳統(tǒng)機械加工的石英諧振式壓力傳感器表現(xiàn)出明顯的不足。利用MEMS技術(shù)制造的微壓力傳感器具有體積小、重量輕、靈敏度高、可靠性高等優(yōu)點成為世界范圍內(nèi)具有戰(zhàn)略性的研究領(lǐng)域。而目前國內(nèi)外對MEMS諧振式壓力傳感器的研究主要是硅微諧振式壓力傳感器,傳感器的彈性元件和敏感元件均采用硅材料,利用硅工藝加工,不足在于很難加工出復(fù)雜的高品質(zhì)因數(shù)的諧振器結(jié)構(gòu),并且對諧振器的激勵和檢測都比較困難。結(jié)合石英諧振式壓力傳感器和MEMS壓力傳感器的優(yōu)點,本發(fā)明采用高精度石英梁作為諧振器,MEMS加工的硅基底作為壓力轉(zhuǎn)換元件,利用石英晶體的壓電特性很容易實現(xiàn)對石英梁諧振器進行壓電激勵和壓電檢測,可廣泛應(yīng)用于風洞測試,航空航天等領(lǐng)域。
發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點,本發(fā)明的目的在于提出一種硅基雙島結(jié)構(gòu)石英梁諧振式微壓力傳感器,采用各向異性腐蝕和干法刻蝕技術(shù)制作硅基底和石英梁,具有高靈敏度、高精度、高分辨率的優(yōu)點。為了達到上述目的,本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:—種娃基雙島結(jié)構(gòu)石英梁諧振式微壓力傳感器,包括殼體I,殼體I的空腔與殼體I上底部的壓力孔9連通,壓力孔9與大氣相通,殼體I空腔內(nèi)配置有傳感器芯片和兩個電極引腳10,傳感器芯片由上至下依次是石英梁5、硅基底7和玻璃基底8,玻璃基底8與殼體I的空腔底部用環(huán)氧樹脂膠粘接,并且玻璃基底8的進氣孔8-3與壓力孔9對正,硅基底7與玻璃基底8通過膠粘接或靜電鍵合封接在一起,石英梁5兩端基座粘接在硅基底7對應(yīng)的凸臺上,石英梁5基座上的壓焊塊5-5、5-6和兩電極引腳10通過超聲熱壓焊用金絲6連接在一起,壓環(huán)3和殼體I上部通過螺紋連接固定在一起,連接處設(shè)有彈性密封圈2,壓環(huán)3上的螺紋孔4與殼體I的空腔相連通;所述的硅基底7正面經(jīng)過ICP刻蝕形成“工”字型凹槽7-3和兩個相同的第一矩形凹槽7-4、第二矩形凹槽7-5,正面未被刻蝕區(qū)域形成了兩個矩形粘接凸臺7-1和7-2,第一矩形粘接凸臺7-1上制作了第一對準標記7-6和第二對準標記7-7,第二矩形粘接凸臺7-2上制作了第三對準標記7-8和第四對準標記7-9,硅基底7的背面腐蝕凹腔形成第一硅島7-10和第二硅島7-11,經(jīng)正面和背面腐蝕后,硅基底7上的“工”字型凹槽7-3所對應(yīng)的區(qū)域即構(gòu)成壓力敏感膜7-12。所述的石英梁5由兩端的基座5-1、5-2和中間腐蝕了矩形凹槽的兩根單梁5-3、5-4構(gòu)成,第一基座5-1上表面覆蓋有第一壓焊塊5-5,第二基座5-2上表面覆蓋有第二壓焊塊5-6,第一單梁5-3和第二單梁5-4的四周均覆蓋有電極,并且電極分別與第一壓焊塊5-5和第二壓焊塊5-6連通, 第一基座5-1、第二基座5-2、第一單梁5_3和第二單梁5_4的材料均為石英晶體,第一壓焊塊5-5、第二壓焊塊5-6以及電極的材料為均為金或銀,石英梁5的厚度為80 200 μ m。所述的“工”字型凹槽7-3和兩個矩形凹槽7-4、7-5的刻蝕深度為6(Γ 00 μ m,且
刻蝕深度相同。所述的壓力敏感膜7-12的厚度為3(Γ60 μ m。所述的四個對準標記7-6、7-7、7-8和7-9尺寸相同,寬度為15 40μπι。所述的玻璃基底8中心加工了一進氣孔8-3,直徑為Φ0.5πιπΓΦ1πιπι,正面刻蝕了兩個方形凹槽8-1、8-2,分別與硅基底7上的兩個硅島7-10、7-11對正,兩個凹槽尺寸相同,刻蝕深度為30 50 μ m。與現(xiàn)有技術(shù)相比本發(fā)明的優(yōu)點在于:采用石英梁5作為諧振器,具有品質(zhì)因數(shù)高、重復(fù)性好、穩(wěn)定性好、沒有遲滯,容易實現(xiàn)壓電激勵與檢測等優(yōu)點,利用石英的這些特性,設(shè)計的石英梁諧振式壓力傳感器可以實現(xiàn)高精度、高分辨率測量,更為關(guān)鍵的是,利用石英的正逆壓電效應(yīng),很容易激勵石英梁至諧振狀態(tài),并通過檢測電路檢測其諧振頻率;而采用MEMS工藝制作硅基底具有尺寸精度好、可靠性高、成本低等硅微傳感器所具有的優(yōu)良特性,硅基底正面設(shè)計了兩個粘接凸臺,背面設(shè)計兩個硅島均可以提高傳感器線性度,相比于單端粘接在壓力敏感膜上,石英梁雙端粘接在壓力敏感膜上靈敏度更高,另外兩硅島還起過載保護作用,結(jié)合石英梁和硅基底二者的優(yōu)點,本發(fā)明設(shè)計制作的硅基雙島結(jié)構(gòu)石英梁諧振式微壓力傳感器具有精度高、分辨率高、線性度好、抗過載等特點。
圖1為本發(fā)明傳感器結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為芯片結(jié)構(gòu)示意圖,其中圖2-a為芯片剖面視圖,圖2_b為芯片俯視圖。圖3為壓環(huán)的結(jié)構(gòu)示意圖,其中,圖3-a為壓環(huán)剖面圖,圖3_b為壓環(huán)俯視圖。圖4為石英梁5的結(jié)構(gòu)示意圖以及諧振時梁的振型。圖5為硅基底7的正面的結(jié)構(gòu)示意圖。圖6為硅基底7的背面的結(jié)構(gòu)示意圖。圖7為玻璃基底8的結(jié)構(gòu)示意圖。圖8為芯片過載保護示意圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步說明。參照圖1, 一種娃基雙島結(jié)構(gòu)石英梁諧振式微壓力傳感器,包括殼體I,殼體I的空腔與殼體I上底部的壓力孔9相通,殼體I空腔內(nèi)配置有傳感器芯片和兩個電極引腳10,石英梁5基座上的第一壓焊塊5-5、第二壓焊塊5-6分別與兩電極引腳10通過超聲熱壓焊用金絲6連接在一起,壓環(huán)3和殼體I上部通過螺紋連接固定在一起,連接處設(shè)有彈性密封圈2,彈性密封圈2防止氣體從螺紋連接處泄露,壓環(huán)3上的螺紋孔4與殼體I的空腔相連通,待測氣體經(jīng)連接管道從螺紋孔4進入殼體I的空腔內(nèi),壓力P作用在石英梁5和硅基底7上,壓力孔9與大氣相通,大氣壓力Ptl進入硅基底背面腐蝕的凹腔中作為參考壓力,壓力敏感膜7-12正反面分別在待測氣體壓力P和 大氣壓力Ptl作用下變形,該變形導致石英梁中產(chǎn)生應(yīng)力和應(yīng)變。參照圖2,所述的傳感器芯片從上至下依次是石英梁5、硅基底7和玻璃基底8,石英梁5兩端的基座5-1、5-2分別用低應(yīng)力膠粘接在硅基底7對應(yīng)的凸臺7-1、7-2上,基座5-1、5-2的側(cè)面分別與對準標記7-6、7-7、7-8、7-9對準,粘接時水平方向反復(fù)移動石英梁5以排出粘接劑中的氣泡,減小石英梁諧振時能量損失;硅基底7與玻璃基底8通過低應(yīng)力膠粘接或靜電鍵合封接在一起,玻璃基底8與殼體I之間用環(huán)氧樹脂膠粘接,進氣孔8-3與壓力孔9對準。參照圖3,所述的壓環(huán)3包括擰緊凸臺和圓形連接盤兩部分,圓形連接盤外周加工了螺紋,壓環(huán)3中間加工了一螺紋孔4,螺紋孔4直徑為r8mm。參照圖4,所述的石英梁5由兩端的基座5-1、5-2和中間腐蝕了矩形凹槽的兩根單梁5-3、5-4構(gòu)成,第一基座5-1上表面覆蓋有第一壓焊塊5-5,第二基座5_2上表面覆蓋有第二壓焊塊5-6,第一單梁5-3和第二單梁5-4的四周均覆蓋有電極,并且電極分別與第一壓焊塊5-5和第二壓焊塊5-6連通,第一基座5-1、第二基座5-2、第一單梁5_3和第二單梁5-4的材料均為石英晶體,第一壓焊塊5-5、第二壓焊塊5-6以及電極的材料為均為金或銀,石英梁5的厚度為8(Γ200 μ m。石英梁5上的電極通過兩電極引腳10與激勵檢測電路連通后,利用石英晶體的逆壓電效應(yīng),石英梁閉環(huán)自激振蕩直至諧振狀態(tài),諧振時的振動模態(tài)沿石英梁5的寬度方向,由檢測電路檢測石英梁的諧振頻率。參照圖5和圖6,所述的硅基底7正面經(jīng)過ICP刻蝕形成“工”字型凹槽7_3和兩個相同的矩形凹槽7-4、7-5,三個凹槽刻蝕深度相同,且均為6(Γ100 μ m,正面未被刻蝕區(qū)域形成了兩個矩形粘接凸臺7-1和7-2,第一矩形粘接凸臺7-1上制作了第一對準標記7-6、第二對準標記7-7,第二矩形粘接凸臺7-2上制作了第三對準標記7-8、第四對準標記7-9,四個對準標記尺寸相同,寬度為15 40 μ m ;硅基底7的背面腐蝕凹腔形成第一硅島7-10和第二硅島7-11,經(jīng)正面和背面腐蝕后,硅基底7上的“工”字型凹槽7-3所對應(yīng)的區(qū)域即構(gòu)成壓力敏感膜7-12,厚度為3(Γ60 μ m。參照圖7,所述的玻璃基底8中心加工了一進氣孔8-3,直徑為Φ 0.5mnT Φ 1mm,正面刻蝕了兩個方形凹槽8-1、8-2,分別與硅基底7上的兩個硅島7-10、7-11所在區(qū)域?qū)φ瑑蓚€凹槽尺寸相同,刻蝕深度為3(Γ50 μ m。
參照圖8,當外界壓力過大時,兩個硅島7-10、7_11分別與兩個方形凹槽8_1、8_2底部接觸,起到過載保護的作用,防止石英梁5或壓力敏感膜7-12由于應(yīng)力過大而破壞。本發(fā)明的原理是:外界待測氣體經(jīng)螺紋孔4進入傳感器殼體I的空腔內(nèi),該壓力P作用在芯片的壓力敏感膜3的正面上,殼體I上的壓力孔9與大氣相通,壓力敏感膜3的背面感受大氣壓力作為參考壓力PO,在正反面壓力差的作用下,壓力敏感膜3產(chǎn)生變形,該變形導致石英梁5彎曲變形,內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)力和應(yīng)變,由于石英梁5的固有頻率對內(nèi)部應(yīng)力變化極為敏感,忽略溫度的影響,在一定范圍內(nèi),固有頻率與內(nèi)部應(yīng)力幾乎成線性關(guān)系,在小撓度變形情況下,石英梁5的兩根單梁中的應(yīng)力與壓力敏感膜3正反面的壓力差Λ P成正比,石英梁5的諧振頻率與待測氣體表壓具有較好的線性關(guān)系,因而通過檢測石英梁5的諧振頻率的變化可以實現(xiàn)測量待測氣體表壓的目的。石英梁5的兩根單梁四周均覆蓋有電極,在激勵電路控制下,利用石英的逆壓電效應(yīng)驅(qū)動石英梁5自激振蕩,當振動頻率等于石英梁5的固有頻率時發(fā)生諧振,在閉環(huán)控制系統(tǒng)下對諧振頻率進行檢測,諧振頻率的變化量表征待測氣體壓力的大小,從而實現(xiàn)外界氣體壓力的測量。
權(quán)利要求
1.一種娃基雙島結(jié)構(gòu)石英梁諧振式微壓力傳感器,包括殼體(1),其特征在于:殼體(I)的空腔與殼體(I)上底部的壓力孔(9)連通,壓力孔(9)與大氣相通,殼體(I)空腔內(nèi)配置有傳感器芯片和兩個電極引腳(10),傳感器芯片由上至下依次是石英梁(5)、硅基底(7)和玻璃基底(8 ),玻璃基底(8 )與殼體(I)的空腔底部用環(huán)氧樹脂膠粘接,并且玻璃基底(8 )的進氣孔(8-3)與壓力孔(9)對正,硅基底(7)與玻璃基底(8)通過粘接或靜電鍵合封接在一起,石英梁(5)兩端基座粘接在硅基底(7)對應(yīng)的凸臺上,石英梁(5)基座上的壓焊塊(5-5)、(5-6)和兩電極引腳(10)通過超聲熱壓焊用金絲(6)連接在一起,壓環(huán)(3)和殼體(I)上部通過螺紋連接固定在一起,連接處設(shè)有彈性密封圈(2),壓環(huán)(3)上的螺紋孔(4)與殼體(I)的空腔相連通; 所述的硅基底(7)正面經(jīng)過ICP刻蝕形成“工”字型凹槽(7-3)和兩個相同的第一矩形凹槽(7-4)、第二矩形凹槽(7-5),正面未被刻蝕區(qū)域形成了兩個矩形粘接凸臺(7-1)和(7-2),第一矩形粘接凸臺(7-1)上制作了第一對準標記(7-6)和第二對準標記(7-7),第二矩形粘接凸臺(7-2 )上制作了第三對準標記(7-8 )和第四對準標記(7-9 ),硅基底(7 )的背面腐蝕凹腔形成第一硅島(7-10)和第二硅島(7-11),經(jīng)正面和背面腐蝕后,硅基底(7)上的“工”字型凹槽(7-3)所對應(yīng)的區(qū)域即構(gòu)成壓力敏感膜(7-12)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基雙島結(jié)構(gòu)石英梁諧振式微壓力傳感器,其特征在于:所述的石英梁(5)由兩端的基座(5-1)、(5-2)和中間腐蝕了矩形凹槽的兩根單梁(5-3),( 5-4)構(gòu)成,第一基座(5-1)上表面覆蓋有第一壓焊塊(5-5 ),第二基座(5-2 )上表面覆蓋有第二壓焊塊(5-6), 第一單梁(5-3)和第二單梁(5-4)的四周均覆蓋有電極,并且電極分別與第一壓焊塊(5-5)和第二壓焊塊(5-6)連通,第一基座(5-1)、第二基座(5-2)、第一單梁(5-3)和第二單梁(5-4)的材料均為石英晶體,第一壓焊塊(5-5)、第二壓焊塊(5-6)以及電極的材料為均為金或銀,石英梁(5)的厚度為8(Γ200μηι。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基雙島結(jié)構(gòu)石英梁諧振式微壓力傳感器,其特征在于:所述的“工”字型凹槽(7-3)和兩個矩形凹槽(7-4)、(7-5)的刻蝕深度為6(Γ 00μπι,且刻蝕深度相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基雙島結(jié)構(gòu)石英梁諧振式微壓力傳感器,其特征在于:所述的壓力敏感膜(7-12)的厚度為3(Γ60μπι。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基雙島結(jié)構(gòu)石英梁諧振式微壓力傳感器,其特征在于:所述的四個對準標記(7-6)、(7-7)、(7-8)和(7-9)尺寸相同,寬度為15 40 μ m。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅基雙島結(jié)構(gòu)石英梁諧振式微壓力傳感器,其特征在于:所述的玻璃基底(8)中心加工了一進氣孔(8-3),直徑為Φ0.5πιπΓΦ1πιπι,正面刻蝕了兩個方形凹槽(8-1)、(8-2),分別與硅基底(7)上的兩個硅島(7-10)、(7-11)對正,兩個凹槽尺寸相同,刻蝕深度為30 50 μ m。
全文摘要
一種硅基雙島結(jié)構(gòu)石英梁諧振式微壓力傳感器,包括殼體,殼體的空腔通過壓力孔與大氣相通,殼體空腔內(nèi)配置有傳感器芯片,傳感器芯片包括石英梁、硅基底和玻璃基底,玻璃基底的進氣孔與殼體底部的壓力孔正對,硅基底與玻璃基底封接,石英梁基座粘接在硅基底的凸臺上,石英梁基座上的壓焊塊和兩電極引腳連接,壓環(huán)和殼體上部螺紋連接,壓環(huán)上的螺紋孔與殼體的空腔相連通,硅基底的背面腐蝕凹腔形成兩個硅島,利用石英的逆壓電效應(yīng)驅(qū)動石英梁自激振蕩,當振動頻率等于石英梁的固有頻率時發(fā)生諧振,在閉環(huán)控制系統(tǒng)下對諧振頻率進行檢測,諧振頻率的變化量表征待測氣體壓力的大小,從而實現(xiàn)外界氣體壓力的測量,具有高靈敏度、高精度、高分辨率的優(yōu)點。
文檔編號G01L1/10GK103105248SQ20131001622
公開日2013年5月15日 申請日期2013年1月16日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月16日
發(fā)明者趙玉龍, 程榮俊 申請人:西安交通大學