利用fib切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法
【專利摘要】本發(fā)明揭示了一種利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法。該方法包括：提供待測(cè)樣品；對(duì)所述待測(cè)樣品的感興趣區(qū)域沿第一方向切割進(jìn)行第一TEM薄片樣品制備，獲得第一TEM薄片樣品，并從第二方向進(jìn)行TEM觀測(cè)；對(duì)所述第一TEM薄片樣品沿第二方向切割進(jìn)行第二TEM薄片樣品制備，獲得第二TEM薄片樣品，并從第一方向進(jìn)行TEM觀測(cè)；對(duì)所述第二TEM薄片樣品沿第一方向切割進(jìn)行第三TEM薄片樣品制備，獲得第三TEM薄片樣品，并從第三方向進(jìn)行TEM觀測(cè)；所述第一方向、第二方向及第三方向兩兩垂直。本發(fā)明的方法成本低廉、簡(jiǎn)單易行、方便且可靠性高。
【專利說(shuō)明】利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及但不限于半導(dǎo)體、硬盤(pán)、LED、IXD、合金、生物領(lǐng)域，特別是涉及在這些 領(lǐng)域中的一種利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 從20世紀(jì)末，聚焦離子束（Focused ion beam, FIB)已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于透射電鏡 (Transmission electron microscopy, TEM)樣品的制備。傳統(tǒng)的TEM樣品制備方法包括 手工研磨-凹坑-離子減薄法，F(xiàn)IB H-bar樣品制備方法等。近年來(lái)，F(xiàn)IB去除（lift out) 方法已經(jīng)被證明無(wú)論在對(duì)于微小感興趣區(qū)域R0I的準(zhǔn)確定位還是減小樣品損傷方面都具 有無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)。
[0003] 利用FIB lift out制備樣品的方法又分為原位提?。╥n-situ lift out)和異位 提?。╡x-situ lift out)。這兩種方法的區(qū)別是在樣品減薄后，ex-situ lift out方法 將樣品取出FIB真空腔，利用機(jī)械手將TEM薄片樣品提取并放在有碳膜支撐的TEM專用銅 網(wǎng)上。而in-situ lift out方法是在FIB真空腔內(nèi)利用機(jī)械手將樣品直接提取并粘貼到 in-situ lift out的TEM專用銅網(wǎng)上（此種銅網(wǎng)沒(méi)有碳膜支撐，TEM薄片樣品直接粘貼在 銅網(wǎng)的支撐腳側(cè)面）。這種差異造成了采用ex-situ lift out方法制備出的樣品不可以太 薄，不能進(jìn)行二次減薄或加工。
[0004] 對(duì)于各種微米，亞微米以及納米級(jí)的感興趣區(qū)域R0I進(jìn)行三維TEM成像的方法包 括FIB漸進(jìn)式切割，TEM三維Tomography技術(shù)等。其中FIB漸進(jìn)式切割的方法只適用于微 米級(jí)的感興趣區(qū)域R0I，而要實(shí)現(xiàn)亞微米及納米級(jí)的感興趣區(qū)域R0I的三維觀測(cè)，最好的方 法目前是TEM三維Tomography技術(shù)。但TEM Tomography的方法需要昂貴的硬件插件及配 套軟件，且需要經(jīng)驗(yàn)及知識(shí)豐富的操作者學(xué)習(xí)復(fù)雜的硬件及軟件操作，極其耗費(fèi)人力和財(cái) 力，不易普及。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的在于，提供一種利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法， 以實(shí)現(xiàn)便捷有效的三維觀測(cè)。
[0006] 本發(fā)明提供的利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法，包括：
[0007] 提供待測(cè)樣品，所述待測(cè)樣品具有缺陷；
[0008] 對(duì)所述待測(cè)樣品的感興趣區(qū)域沿第一方向切割進(jìn)行第一 TEM薄片樣品制備，獲得 第一 TEM薄片樣品，并從第二方向進(jìn)行TEM觀測(cè)；
[0009] 對(duì)所述第一 TEM薄片樣品沿第二方向切割進(jìn)行第二TEM薄片樣品制備，獲得第二 TEM薄片樣品，并從第一方向進(jìn)行TEM觀測(cè)；
[0010] 對(duì)所述第二TEM薄片樣品沿第一方向切割進(jìn)行第三TEM薄片樣品制備，獲得第三 TEM薄片樣品，并從第三方向進(jìn)行TEM觀測(cè)；
[0011] 所述第一方向、第二方向及第三方向兩兩垂直。
[0012] 可選的，對(duì)于所述的利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法，利用FIB切 割進(jìn)行第一 TEM薄片樣品制備，所述第一 TEM薄片樣品的厚度大于等于所述缺陷所占據(jù)的 最大長(zhǎng)度。
[0013] 可選的，對(duì)于所述的利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法，所述第一 TEM薄片樣品的厚度比所述缺陷所占據(jù)的最大長(zhǎng)度大50nm?100nm。
[0014] 可選的，對(duì)于所述的利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法，所述第一 TEM薄片樣品為與待測(cè)樣品上表面呈0°或90°進(jìn)行制備。
[0015] 可選的，對(duì)于所述的利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法，在進(jìn)行切 割前，先在待測(cè)樣品表面形成第一保護(hù)層。
[0016] 可選的，對(duì)于所述的利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法，利用FIB切 割并參考第一方向進(jìn)行的TEM觀測(cè)結(jié)果進(jìn)行第二TEM薄片樣品制備。
[0017] 可選的，對(duì)于所述的利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法，在進(jìn)行切 割前，先利用FIB電子束在第一方向進(jìn)行的TEM觀測(cè)結(jié)果旁做標(biāo)記，并在第一 TEM薄片樣品 表面形成第二保護(hù)層，所述第二保護(hù)層的厚度大于第一保護(hù)層的厚度。
[0018] 可選的，對(duì)于所述的利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法，所述第二 保護(hù)層的厚度為50nm?500nm。
[0019] 可選的，對(duì)于所述的利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法，利用FIB切 割并參考第二方向進(jìn)行的TEM觀測(cè)結(jié)果進(jìn)行第三TEM薄片樣品制備。
[0020] 可選的，對(duì)于所述的利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法，在進(jìn)行切 割前，先利用FIB電子束在第二方向進(jìn)行的--Μ觀測(cè)結(jié)果旁做標(biāo)記，并在第二--Μ薄片樣品 表面形成第三保護(hù)層，所述第三保護(hù)層的厚度大于第二保護(hù)層的厚度。
[0021] 可選的，對(duì)于所述的利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法，利用FIB原 位提取法進(jìn)行第二TEM薄片樣品和第三TEM薄片樣品制備。
[0022] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法 中，經(jīng)過(guò)三次沿互相垂直的方向進(jìn)行切割然后分別觀測(cè)。相比現(xiàn)有技術(shù)，采用本方法可以實(shí) 現(xiàn)對(duì)各種微米，亞微米以及納米級(jí)的感興趣區(qū)域?qū)崿F(xiàn)三維TEM成像，以便于全方位觀測(cè)及 分析。相較于現(xiàn)存的TEM三維Tomography技術(shù)，此方法不必安裝昂貴的Tomography硬件 插件及配套軟件，亦不必學(xué)習(xí)復(fù)雜的硬件及軟件操作，簡(jiǎn)單易行、方便且可靠性高。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0023] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法的流程圖；
[0024] 圖2?圖8為本發(fā)明實(shí)施例利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法過(guò)程 中待測(cè)樣品的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0025] 下面將結(jié)合示意圖對(duì)本發(fā)明的利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法 進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改 在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng) 域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0026] 為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能 和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開(kāi) 發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開(kāi)發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的 限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開(kāi)發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi) 時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)僅僅是常規(guī)工作。
[0027] 在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要 求書(shū)，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非 精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0028] 本發(fā)明的中心思想是，提供一種利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方 法，包括如下步驟：
[0029] 步驟S101 :提供待測(cè)樣品，所述待測(cè)樣品具有缺陷；
[0030] 步驟S102 :對(duì)所述待測(cè)樣品的感興趣區(qū)域沿第一方向切割進(jìn)行第一 TEM薄片樣品 制備，獲得第一 TEM薄片樣品，并從第二方向進(jìn)行TEM觀測(cè)；
[0031] 步驟S103 :對(duì)所述第一 TEM薄片樣品沿第二方向切割進(jìn)行第二TEM薄片樣品制 備，獲得第二TEM薄片樣品，并從第一方向進(jìn)行TEM觀測(cè)；
[0032] 步驟S104:對(duì)所述第二TEM薄片樣品沿第一方向切割進(jìn)行第三TEM薄片樣品制 備，獲得第三TEM薄片樣品，并從第三方向進(jìn)行TEM觀測(cè)；
[0033] 其中，所述第一方向、第二方向及第三方向兩兩垂直。
[0034] 基于這一思想，本發(fā)明提供如下的利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方 法，請(qǐng)參考圖1，并結(jié)合圖2?圖8,其中，圖1為本發(fā)明實(shí)施例利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí) 樣品的三維觀測(cè)方法的流程圖；圖2?圖8為本發(fā)明實(shí)施例利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣 品的三維觀測(cè)方法過(guò)程中待測(cè)樣品的示意圖。本方法包括：
[0035] 步驟S101，提供待測(cè)樣品。如圖2所示的待測(cè)樣品10,該待測(cè)樣品10可以是任何 需要準(zhǔn)確定位的微米，亞微米以及納米尺度的產(chǎn)品。舉例而言，某一硬盤(pán)結(jié)構(gòu)在表面具有用 掃描電鏡SEM可以觀測(cè)到的缺陷（缺陷所在的區(qū)域?yàn)楦信d趣區(qū)域），則該硬盤(pán)結(jié)構(gòu)可以作為 這一待測(cè)樣品。
[0036] 步驟S102,對(duì)所述待測(cè)樣品的感興趣區(qū)域沿第一方向切割進(jìn)行第一 TEM薄片樣品 制備，獲得第一 --Μ薄片樣品，并從第二方向進(jìn)行--Μ觀測(cè)。較佳的，在本實(shí)施例中，首先利 用FIB在待測(cè)樣品表面鍍一層第一保護(hù)層，優(yōu)選的，所述第一保護(hù)層的材料可以是金屬，例 如Pt，也可以是非金屬材料。然后在缺陷部位進(jìn)行定點(diǎn)切割，如圖3所示，利用FIB切割進(jìn) 行第一 TEM薄片樣品11的制備，所述第一 TEM薄片樣品11為與待測(cè)樣品上表面呈0°或 90°進(jìn)行切割制備。在本實(shí)施例中，采用呈0°進(jìn)行切割，即在平面yoz上切割，例如可以是 在第一方向（y方向）進(jìn)行切割，獲得第一 TEM薄片樣品11，兩側(cè)的部分待測(cè)樣品12則被 去除。其中，需要根據(jù)SEM觀測(cè)到的缺陷的范圍，定義第一 TEM薄片樣品的厚度，所述第一 TEM薄片樣品11的厚度大于等于所述缺陷所占據(jù)的最大長(zhǎng)度，以大于50nm?100nm為宜。 例如該缺陷占據(jù)約有l(wèi)〇〇nm的最長(zhǎng)距離，貝U所述第一 TEM薄片樣品的厚度可以是150nm? 200nm，從而將該缺陷完全包圍。當(dāng)然根據(jù)不同感興趣區(qū)域的大小，這一厚度可進(jìn)行不同程 度調(diào)整，經(jīng)發(fā)明人總結(jié)，所述第一 TEM薄片樣品的厚度優(yōu)選為100nm以上。在切割完成后， 將第一 TEM薄片樣品11取出FIB真空腔，利用TEM對(duì)所述第一 TEM薄片樣品11進(jìn)行成像， 即如圖4所示的沿第二方向（x方向）觀測(cè)。例如在本實(shí)施例中，通過(guò)--Μ觀測(cè)發(fā)現(xiàn)納米顆 粒存在于硬盤(pán)的玻璃襯底之上，鑲嵌在SUL層中。此時(shí)ΤΕΜ對(duì)缺陷的準(zhǔn)確定位可為下一步 的樣品制備提供參考。
[0037] 步驟S103,對(duì)所述第一 ΤΕΜ薄片樣品沿第二方向切割進(jìn)行第二ΤΕΜ薄片樣品制備， 獲得第二ΤΕΜ薄片樣品，并從第一方向進(jìn)行ΤΕΜ觀測(cè)。請(qǐng)參考圖5,將第一 ΤΕΜ薄片樣品取 出ΤΕΜ真空腔，重新放置回FIB的真空腔。參考在步驟S102中ΤΕΜ觀測(cè)的缺陷位置，利用 FIB的離子束在缺陷旁邊做標(biāo)記，為了保證薄片樣品保持足夠的機(jī)械強(qiáng)度，在第一 TEM薄片 樣品兩面分別鍍上比上一次樣品制備更厚的第二保護(hù)層。所述第二保護(hù)層的厚度可以為 50nm?500nm，其材料可以與第一保護(hù)層相同。然后在平面xoz上進(jìn)行切割，例如在第二方 向（X方向）切割，利用FIB原位提取法制備出第二TEM薄片樣品12,兩側(cè)的部分第一 TEM 薄片樣品13則被去除。在切割完成后，將第二TEM薄片樣品12取出FIB真空腔，利用TEM 進(jìn)行成像。如圖6所示，沿第一方向（y方向）進(jìn)行觀測(cè)。TEM可呈現(xiàn)出缺陷顆粒的y方向 形貌，此時(shí)TEM對(duì)缺陷的準(zhǔn)確定位可為下一步的樣品制備提供參考。
[0038] 步驟S104，對(duì)所述第二TEM薄片樣品沿第一方向切割進(jìn)行第三TEM薄片樣品制備， 獲得第三TEM薄片樣品，并從第三方向進(jìn)行TEM觀測(cè)。請(qǐng)參考圖7,將第二TEM薄片樣品取 出TEM真空腔，重新放置回FIB的真空腔。參考在步驟S103中TEM觀測(cè)的缺陷位置，利用 FIB的離子束在缺陷旁邊做標(biāo)記，為了保證薄片樣品保持足夠的機(jī)械強(qiáng)度，在第二TEM薄片 樣品兩面分別鍍上比上一次樣品制備更厚的第三保護(hù)層。所述第三保護(hù)層的材料可以與第 一保護(hù)層相同。然后在平面xoy上進(jìn)行切割，例如可以是在第一方向（y方向）進(jìn)行切割， 利用FIB原位提取法制備出第三TEM薄片樣品14,兩側(cè)的部分第二TEM薄片樣品15則被 去除。在切割完成后，將第三TEM薄片樣品14取出FIB真空腔，利用TEM進(jìn)行成像。如圖 8所示，沿第三方向（z方向）進(jìn)行觀測(cè)。此時(shí)TEM觀測(cè)到的納米缺陷已經(jīng)成為一個(gè)被保護(hù) 層四周環(huán)繞的X、y、Z三個(gè)方向都極薄的納米級(jí)特征點(diǎn)。
[0039] 由此，利用本發(fā)明描述的方法實(shí)現(xiàn)了對(duì)納米級(jí)缺陷的三維觀測(cè)，在上述實(shí)施例中， 最終獲得了納米級(jí)缺陷的特征。在上述實(shí)施例中，采用了三次樣品的制備，顯然的，本領(lǐng)域 技術(shù)人員在本發(fā)明這一實(shí)施例披露的基礎(chǔ)上，還可以進(jìn)行三次以上樣品的制備，這屬于本 發(fā)明的保護(hù)內(nèi)容。相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的方法簡(jiǎn)單易行、方便且可靠性高。
[0040] 經(jīng)過(guò)上述披露，在進(jìn)行例如芯片、LED樣品、IXD樣品、金屬樣品以及生物樣品等的 切割觀測(cè)時(shí)，技術(shù)人員當(dāng)能夠直接運(yùn)用本發(fā)明的方法，因此，本發(fā)明在此不進(jìn)行一一舉例。
[0041] 顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍 之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法，該方法包括： 提供待測(cè)樣品，所述待測(cè)樣品具有缺陷； 對(duì)所述待測(cè)樣品的感興趣區(qū)域沿第一方向切割進(jìn)行第一 TEM薄片樣品制備，獲得第一 TEM薄片樣品，并從第二方向進(jìn)行TEM觀測(cè)； 對(duì)所述第一 TEM薄片樣品沿第二方向切割進(jìn)行第二TEM薄片樣品制備，獲得第二TEM 薄片樣品，并從第一方向進(jìn)行TEM觀測(cè)； 對(duì)所述第二TEM薄片樣品沿第一方向切割進(jìn)行第三TEM薄片樣品制備，獲得第三TEM 薄片樣品，并從第三方向進(jìn)行TEM觀測(cè)； 所述第一方向、第二方向及第三方向兩兩垂直。
2. 如權(quán)利要求1所述的利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法，其特征在于， 利用FIB切割進(jìn)行第一 TEM薄片樣品制備，所述第一 TEM薄片樣品的厚度大于等于所述缺 陷所占據(jù)的最大長(zhǎng)度。
3. 如權(quán)利要求2所述的利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法，其特征在于， 所述第一 TEM薄片樣品的厚度比所述缺陷所占據(jù)的最大長(zhǎng)度大50nm?lOOnm。
4. 如權(quán)利要求2所述的利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法，其特征在于， 所述第一 TEM薄片樣品為與待測(cè)樣品上表面呈0°或90°進(jìn)行制備。
5. 如權(quán)利要求2所述的利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法，其特征在于， 在進(jìn)行切割前，先在待測(cè)樣品表面形成第一保護(hù)層。
6. 如權(quán)利要求5所述的利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法，其特征在于， 利用FIB切割并參考第一方向進(jìn)行的TEM觀測(cè)結(jié)果進(jìn)行第二TEM薄片樣品制備。
7. 如權(quán)利要求6所述的利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法，其特征在于， 在進(jìn)行切割前，先利用FIB電子束在第一方向進(jìn)行的TEM觀測(cè)結(jié)果旁做標(biāo)記，并在第一 TEM 薄片樣品表面形成第二保護(hù)層，所述第二保護(hù)層的厚度大于第一保護(hù)層的厚度。
8. 如權(quán)利要求7所述的利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法，其特征在于， 所述第二保護(hù)層的厚度為50nm?500nm。
9. 如權(quán)利要求8所述的利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法，其特征在于， 利用FIB切割并參考第二方向進(jìn)行的TEM觀測(cè)結(jié)果進(jìn)行第三TEM薄片樣品制備。
10. 如權(quán)利要求9所述的利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法，其特征在 于，在進(jìn)行切割前，先利用FIB電子束在第二方向進(jìn)行的--Μ觀測(cè)結(jié)果旁做標(biāo)記，并在第二 TEM薄片樣品表面形成第三保護(hù)層，所述第三保護(hù)層的厚度大于第二保護(hù)層的厚度。
11. 如權(quán)利要求9所述的利用FIB切割以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)樣品的三維觀測(cè)方法，其特征在 于，利用FIB原位提取法進(jìn)行第二TEM薄片樣品和第三TEM薄片樣品制備。
【文檔編號(hào)】G01N23/22GK104155158SQ201410360305
【公開(kāi)日】2014年11月19日 申請(qǐng)日期:2014年7月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月25日
【發(fā)明者】陳以欣, 李曉旻 申請(qǐng)人:勝科納米（蘇州）有限公司