轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器的制造方法
【專利摘要】根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的一種轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器，包括：轉(zhuǎn)子，該轉(zhuǎn)子隨第一軸轉(zhuǎn)動(dòng)，該第一軸為輸入軸和輸出軸中的一者，轉(zhuǎn)子在其外周表面上具有第一磁體；定子，該定子設(shè)置在第一磁體的外側(cè)上并且隨第二軸轉(zhuǎn)動(dòng)，該第二軸為輸入軸和輸出軸中的另一者；屏蔽件，該屏蔽件設(shè)置在定子的下側(cè)上并且隨第二軸轉(zhuǎn)動(dòng)；以及第二磁體，該第二磁體與屏蔽件的下側(cè)相結(jié)合并且隨第二軸轉(zhuǎn)動(dòng)。轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器屏蔽磁場(chǎng)干擾并且提高了操作可靠性。
【專利說(shuō)明】轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器
[0001] 相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002] 本申請(qǐng)要求2013年9月27日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No. 2013-0115019的優(yōu)先權(quán)和 權(quán)益，該申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)參引并入本文。

【背景技術(shù)】
[0003] 1.發(fā)明領(lǐng)域
[0004] 本發(fā)明涉及轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器（torqueindexsensor)。更具體地，本發(fā)明涉及通過(guò) 對(duì)轉(zhuǎn)矩傳感器與轉(zhuǎn)位傳感器（indexsensor)之間的磁場(chǎng)干擾進(jìn)行屏蔽而具有改進(jìn)的操作 可靠性的轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器。
[0005] 2.相關(guān)技術(shù)的討論
[0006] 通常，電動(dòng)動(dòng)力轉(zhuǎn)向（EPS)系統(tǒng)是用于確保車(chē)輛的轉(zhuǎn)向穩(wěn)定性的裝置，該系統(tǒng)通 過(guò)使用馬達(dá)提供沿著由駕駛員進(jìn)行轉(zhuǎn)向的方向的轉(zhuǎn)矩而有助于駕駛員轉(zhuǎn)向并且使操縱容 易。
[0007] 與常規(guī)的液壓動(dòng)力轉(zhuǎn)向（HPS)系統(tǒng)不同，這種EPS系統(tǒng)可以根據(jù)行駛狀態(tài)控制馬 達(dá)操作以提高轉(zhuǎn)向性能和轉(zhuǎn)向舒適度。
[0008] 為了使EPS系統(tǒng)提供合適的轉(zhuǎn)矩，可以對(duì)施加至轉(zhuǎn)向軸的轉(zhuǎn)矩、轉(zhuǎn)向角以及轉(zhuǎn)向 角速度進(jìn)行測(cè)量。
[0009] 通常的轉(zhuǎn)向結(jié)構(gòu)包括與方向盤(pán)相結(jié)合的輸入軸、與小齒輪--該小齒輪與方向盤(pán) 側(cè)的齒桿嚙合--相結(jié)合的輸出軸、以及將輸入軸連接至輸出軸的扭力桿。
[0010] 當(dāng)方向盤(pán)轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，轉(zhuǎn)動(dòng)力被傳遞至輸出軸，并且車(chē)輪的方向通過(guò)小齒輪和齒桿的 作用而改變。此時(shí)，當(dāng)施加大的阻力時(shí)，輸入軸更大程度地轉(zhuǎn)動(dòng)以使扭力桿扭轉(zhuǎn)。在此，磁 性轉(zhuǎn)矩傳感器測(cè)量扭力桿的扭轉(zhuǎn)度。
[0011] 另外，轉(zhuǎn)位傳感器通過(guò)檢測(cè)隨輸出軸轉(zhuǎn)動(dòng)的磁體的轉(zhuǎn)動(dòng)而測(cè)量轉(zhuǎn)動(dòng)角速度或角加 速度。通常，上文描述的轉(zhuǎn)矩傳感器和轉(zhuǎn)位傳感器可以被結(jié)合并且被一體地構(gòu)造。其被稱 為轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器。
[0012] 這種轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器是簡(jiǎn)單的并且是經(jīng)濟(jì)節(jié)約的。然而，由于兩種類型的磁性檢 測(cè)裝置設(shè)置成接近彼此，因而會(huì)發(fā)生磁場(chǎng)干擾。
[0013] 同樣地，如果在轉(zhuǎn)矩傳感器與轉(zhuǎn)位傳感器之間發(fā)生磁場(chǎng)干擾，則由傳感器測(cè)得的 值會(huì)發(fā)生錯(cuò)誤，并且因此使整體的操作可靠性劣化。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0014] 本發(fā)明涉及能夠通過(guò)對(duì)在轉(zhuǎn)矩傳感器與轉(zhuǎn)位傳感器之間產(chǎn)生的磁場(chǎng)干擾進(jìn)行屏 蔽來(lái)提高操作可靠性的轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器。
[0015] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器，包括：轉(zhuǎn)子，該轉(zhuǎn)子隨第一軸轉(zhuǎn) 動(dòng)，該第一軸為輸入軸和輸出軸中的一者，轉(zhuǎn)子在其外周表面上具有第一磁體；定子，該定 子設(shè)置在第一磁體的外側(cè)上并且隨第二軸轉(zhuǎn)動(dòng)，該第二軸為輸入軸和輸出軸中的另一者； 屏蔽件，該屏蔽件設(shè)置在定子的下側(cè)上并且隨第二軸轉(zhuǎn)動(dòng)；以及第二磁體，該第二磁體與屏 蔽件的下側(cè)相結(jié)合并且隨第二軸轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0016] 屏蔽件可以包括環(huán)形的屏蔽構(gòu)件和支承件，該環(huán)形的屏蔽構(gòu)件具有與第二磁體相 結(jié)合的下側(cè)，該支承件從屏蔽構(gòu)件的下側(cè)突出并且支承第二磁體。
[0017] 屏蔽構(gòu)件的外徑可以等于或大于由第二磁體形成的圓的外徑。
[0018] 屏蔽構(gòu)件可以具有0. 2_或更大的厚度。
[0019] 屏蔽構(gòu)件可以延伸至第二磁體的內(nèi)徑側(cè)或外徑側(cè)中的至少一者。
[0020] 支承件可以包括第一支承鉤部和至少一個(gè)第二支承鉤部，該第一支承鉤部呈環(huán)形 并且支承第二磁體的內(nèi)徑側(cè)，該至少一個(gè)第二支承鉤部從第一支承鉤部突出以支承第二磁 體的兩側(cè)中的至少一側(cè)。
[0021] 轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器還可以包括固定單元，該固定單元設(shè)置在屏蔽構(gòu)件上并且與定子 相結(jié)合。
[0022] 固定單元可以包括至少一個(gè)聯(lián)接突出部，該至少一個(gè)聯(lián)接突出部固定地插入至形 成在定子的下側(cè)上的聯(lián)接凹槽。
[0023] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器，包括：轉(zhuǎn)子，該轉(zhuǎn)子隨輸入軸轉(zhuǎn) 動(dòng)并且在其外周表面上具有第一磁體；齒部，該齒部設(shè)置成與第一磁體的外側(cè)間隔開(kāi)；模 制構(gòu)件，該模制構(gòu)件插入至齒部中以固定齒部，該模制構(gòu)件具有與保持器的外周表面相結(jié) 合的下側(cè)并且具有形成在該模制構(gòu)件的下表面上的環(huán)形的凹槽；以及設(shè)置在凹槽中的第二 磁體。在凹槽與第二磁體的上表面之間設(shè)置有環(huán)形的屏蔽構(gòu)件。
[0024] 屏蔽構(gòu)件可以在凹槽與第二磁體的外徑側(cè)之間延伸。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0025] 通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu) 點(diǎn)和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將變得更明顯，在附圖中：
[0026] 圖1為示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器的側(cè)視截面圖；
[0027] 圖2為示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器的從頂側(cè)觀察到的分解 立體圖；
[0028] 圖3為示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器的從底側(cè)觀察到的分解 立體圖；
[0029] 圖4為示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器的屏蔽件的立體圖；
[0030] 圖5為圖示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器中的、屏蔽構(gòu)件與定子之 間的距離以及屏蔽構(gòu)件的厚度的視圖；
[0031] 圖6為圖示了在圖5中圖示的屏蔽構(gòu)件與定子之間的距離和屏蔽構(gòu)件的厚度之間 的關(guān)系、以及在第二磁體的磁通量與屏蔽構(gòu)件的厚度之間的關(guān)系的曲線圖；
[0032] 圖7為示出了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器的側(cè)視截面圖；以及
[0033] 圖8為示出了根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施方式的轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器的側(cè)視截面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0034] 下面將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。然而，本發(fā)明的示例性實(shí)施 方式可以以許多替代形式實(shí)施，并且應(yīng)當(dāng)理解為不限于文中闡述的本發(fā)明的示例性實(shí)施方 式。
[0035] 將理解的是，盡管術(shù)語(yǔ)第一、第二等可以在文中用于描述不同的元件、部件和/或 部段，但這些元件、部件和/或部段應(yīng)當(dāng)不受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用于將元件、部件 和/或部段與另一元件、部件和/或部段區(qū)分。因此，第一元件、第一部件或第一部段在本 發(fā)明的范圍內(nèi)可以稱為第二元件、第二部件或第二部段。
[0036] 將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為"連接至"或"聯(lián)接至"另一元件或?qū)訒r(shí)，該元件或 層能夠直接地連接至或聯(lián)接至另一元件或?qū)樱蛘呖梢源嬖谥虚g的元件或?qū)?。相比之下，?dāng) 元件被稱為"直接地連接至"或"直接地聯(lián)接至"另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間的元件或?qū)印?術(shù)語(yǔ)"和/或"包括一個(gè)或多個(gè)指示對(duì)象的任何組合或所有組合。
[0037] 文中使用的術(shù)語(yǔ)僅出于描述特定實(shí)施方式的目的而不意在限制本發(fā)明。如文中使 用的，單數(shù)形式"一"、"一個(gè)"、"該"意在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另有明確地指出。將 進(jìn)一步理解的是，當(dāng)在文中使用術(shù)語(yǔ)"包括"、"包括有"、"包含"和/或"包含有"指明所陳述 的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或多個(gè)其他的特征、整數(shù)、 步驟、操作、元件、部件和/或其構(gòu)成的組的存在或添加。
[0038] 除非另有限定，否則文中使用的所有術(shù)語(yǔ)（包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)）具有與本 發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。將進(jìn)一步理解的是，術(shù)語(yǔ)、比如 那些在常用字典中限定的術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)理解為具有與在相關(guān)技術(shù)的情景下的含義一致的含義， 并且不應(yīng)當(dāng)解釋為理想的或過(guò)度正式的含義，除非文中如此特意地限定。
[0039] 圖1為示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器的側(cè)視截面圖。圖2為示 出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器的從頂側(cè)觀察到的分解立體圖。圖3為示出 了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器的從底側(cè)觀察到的分解立體圖。
[0040] 參照?qǐng)D1至圖3,根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器--其整體構(gòu)型由上 殼體10和下殼體20形成-包括轉(zhuǎn)子110、第一磁體111、定子120、收集器130、第一磁性 裝置140、屏蔽件150、第二磁體160、第二磁性裝置170以及電路板180。
[0041] 在此，第一磁體111和第一磁性裝置140分別代表在轉(zhuǎn)矩傳感器中使用的磁體和 磁性裝置，而第二磁體160和第二磁性裝置170分別代表在轉(zhuǎn)位傳感器中使用的磁體和磁 性裝置。
[0042] 轉(zhuǎn)子110連接至輸入軸（未示出）以隨輸入軸轉(zhuǎn)動(dòng)，并且環(huán)形的第一磁體111設(shè) 置在轉(zhuǎn)子110的外周表面上。
[0043] 定子120包括第一齒部121a、第二齒部121b、模制構(gòu)件122、以及保持器123。
[0044] 第一齒部121a和第二齒部121b設(shè)置成在第一磁體111的外側(cè)上彼此間隔開(kāi)并且 分別固定至模制構(gòu)件122的上側(cè)和下側(cè)。第一齒部121a和第二齒部121b中的每一者均包 括形成為沿軸向方向彎曲的多個(gè)突出部，并且所述突出部設(shè)置成與設(shè)置在轉(zhuǎn)子110的外周 表面上的第一磁體111相對(duì)。
[0045] 連接至輸出軸（未示出）的保持器123與模制構(gòu)件122的下側(cè)相結(jié)合。因此，定 子120連接至輸出軸以隨輸出軸轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0046] 當(dāng)扭力桿被扭轉(zhuǎn)了輸入軸與輸出軸之間的轉(zhuǎn)動(dòng)量之差時(shí)，可以改變第一磁體111 和附接至轉(zhuǎn)子110的定子120的轉(zhuǎn)動(dòng)量，這會(huì)導(dǎo)致第一磁體111與第一齒部121a的突出部 和第二齒部121b的突出部的相對(duì)的表面改變。因此，可以通過(guò)檢測(cè)定子120的磁化量的改 變來(lái)測(cè)量轉(zhuǎn)矩。
[0047] 為此，收集器130與第一齒部121a和第二齒部121b的一側(cè)相結(jié)合以收集磁通量。 收集器130包括與第一齒部121a的上側(cè)相結(jié)合的第一收集器131以及與第二齒部121b的 下側(cè)相結(jié)合的第二收集器132。
[0048] 第一磁性裝置140可以設(shè)置在第一收集器131與第二收集器132之間以檢測(cè)定子 120的磁化量。第一磁性裝置140與第一收集器131和第二收集器132電接觸并且檢測(cè)由 第一磁體111與第一齒部121a的突出部和第二齒部121b的突出部之間的磁相互作用磁化 的定子120的磁化量。第一磁性裝置140可以是能夠檢測(cè)磁場(chǎng)強(qiáng)度的HallIC(霍爾集成 電路）。
[0049] 在定子120的下側(cè)上設(shè)置有包括第二磁體160和第二磁性裝置170的轉(zhuǎn)位傳感 器。
[0050] 第二磁體160與定子120 -起連接至輸出軸并且隨輸出軸轉(zhuǎn)動(dòng)。與第一磁體111 不同，第二磁體160呈沿周向方向具有預(yù)定長(zhǎng)度的弧形。
[0051] 第二磁性裝置170設(shè)置在第二磁體160的外側(cè)處并且根據(jù)輸出軸的轉(zhuǎn)動(dòng)而重復(fù)接 近第二磁體160和遠(yuǎn)離第二磁體160的過(guò)程。
[0052] 每當(dāng)?shù)诙判匝b置170變得接近第二磁體160,即在360度的周期內(nèi)，第二磁性裝 置170便可以輸出檢測(cè)信號(hào)。基于該檢測(cè)信號(hào)，可以計(jì)算轉(zhuǎn)動(dòng)的角速度和角加速度。
[0053] 然而，當(dāng)?shù)诙朋w160設(shè)置成接近定子120時(shí)，磁場(chǎng)會(huì)影響定子120和收集器130 并且產(chǎn)生磁場(chǎng)干擾。
[0054] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，在定子120與第二磁體160之間設(shè)置有環(huán)形的屏蔽件 150,并且第二磁體160與屏蔽件150相結(jié)合以隨輸出軸轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0055] 圖4為示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器的屏蔽件的立體圖；圖5 為圖示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器中的、屏蔽構(gòu)件與定子之間的距離以及 屏蔽構(gòu)件的厚度的視圖；圖6為圖示了在圖5中圖示的屏蔽構(gòu)件與定子之間的距離和屏蔽 構(gòu)件的厚度之間的關(guān)系、以及第二磁體的磁通量與屏蔽構(gòu)件的厚度之間的關(guān)系的曲線圖。
[0056] 參照?qǐng)D1至圖4,屏蔽件150可以包括屏蔽構(gòu)件151、固定單元152以及支承單元 153,并且支承單元153可以包括第一支承鉤部153a和第二支承鉤部153b。
[0057]屏蔽構(gòu)件151可以呈環(huán)形，并且第二磁體160與屏蔽構(gòu)件151的下側(cè)相結(jié)合。因 此，定子120與第二磁體160之間的磁場(chǎng)干擾被屏蔽構(gòu)件151屏蔽。屏蔽構(gòu)件151的材料 可以優(yōu)選地為具有高磁導(dǎo)率的鐵磁材料，并且屏蔽構(gòu)件151的外徑可以優(yōu)選地等于或大于 由第二磁體160形成的圓的外徑以用于有效屏蔽。
[0058] 參照?qǐng)D1，與第二磁體160的上側(cè)相結(jié)合的屏蔽構(gòu)件151可以朝向第二磁體160的 內(nèi)徑側(cè)延伸。即，屏蔽構(gòu)件151可以呈與第二磁體160的上側(cè)和內(nèi)徑側(cè)相結(jié)合的L形。
[0059] 屏蔽構(gòu)件151和第二磁體160可以通過(guò)鑲嵌模而固定。另一方面，屏蔽構(gòu)件151 和第二磁體160可以通過(guò)粘合而固定。
[0060] 同時(shí)，參照?qǐng)D6,屏蔽構(gòu)件151的厚度d2與由第二磁體160發(fā)射的磁通量小成正 t匕，并且和在定子120與屏蔽構(gòu)件151之間的距離dl成反比。
[0061] 因此，對(duì)磁場(chǎng)干擾進(jìn)行屏蔽的屏蔽構(gòu)件151的厚度d2可以基于定子120與屏蔽構(gòu) 件151之間的距離dl以及由第二磁體160發(fā)射的磁通量（j5來(lái)確定，如在下列等式1中所 /Jn〇
[0062] 在此，屏蔽構(gòu)件151的厚度d2可以優(yōu)選地為至少0. 2mm以便確保最小的剛度。
[0063] 【等式1】

【權(quán)利要求】
1. 一種轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器，包括： 轉(zhuǎn)子，所述轉(zhuǎn)子隨第一軸轉(zhuǎn)動(dòng)，所述第一軸為輸入軸和輸出軸中的一者，所述轉(zhuǎn)子在其 外周表面上具有第一磁體； 定子，所述定子設(shè)置在所述第一磁體的外側(cè)上并且隨第二軸轉(zhuǎn)動(dòng)，所述第二軸為所述 輸入軸和所述輸出軸中的另一者； 屏蔽件，所述屏蔽件設(shè)置在所述定子的下側(cè)上并且隨所述第二軸轉(zhuǎn)動(dòng)；以及 第二磁體，所述第二磁體與所述屏蔽件的下側(cè)相結(jié)合并且隨所述第二軸轉(zhuǎn)動(dòng)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器，其中，所述屏蔽件包括： 環(huán)形的屏蔽構(gòu)件，所述環(huán)形的屏蔽構(gòu)件具有與所述第二磁體相結(jié)合的下側(cè)；以及 支承件，所述支承件從所述屏蔽構(gòu)件的下側(cè)突出并且支承所述第二磁體。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器，其中，所述屏蔽構(gòu)件的外徑等于或大于由 所述第二磁體形成的圓的外徑。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器，其中，所述屏蔽構(gòu)件具有0. 2_或更大的厚 度。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器，其中，所述屏蔽構(gòu)件延伸至所述第二磁體 的內(nèi)徑側(cè)或外徑側(cè)中的至少一者。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器，其中，所述支承件包括： 第一支承鉤部，所述第一支承鉤部呈環(huán)形并且支承所述第二磁體的所述內(nèi)徑側(cè)；以及 至少一個(gè)第二鉤部，所述至少一個(gè)第二鉤部從所述第一支承鉤部突出以支承所述第二 磁體的兩側(cè)中的至少一側(cè)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器，還包括固定單元， 所述固定單元設(shè)置在所述屏蔽構(gòu)件上并且與所述定子相結(jié)合。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器，其中，所述固定單元包括至少一個(gè)聯(lián)接突 出部，所述至少一個(gè)聯(lián)接突出部固定地插入至形成在所述定子的下側(cè)上的聯(lián)接凹槽中。
9. 一種轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器，包括： 轉(zhuǎn)子，所述轉(zhuǎn)子隨第一軸轉(zhuǎn)動(dòng)并且在所述轉(zhuǎn)子的外周表面上具有第一磁體，所述第一 軸為輸入軸和輸出軸中的一者； 齒部，所述齒部設(shè)置成與所述第一磁體的外側(cè)間隔開(kāi)； 模制構(gòu)件，所述模制構(gòu)件插入至所述齒部中以固定所述齒部，所述模制構(gòu)件具有與保 持器的外周表面相結(jié)合的下側(cè)并且具有形成在所述模制構(gòu)件的下表面上的環(huán)形的凹槽；以 及 設(shè)置在所述凹槽中的第二磁體， 其中，在所述凹槽與所述第二磁體的上表面之間設(shè)置有環(huán)形的屏蔽構(gòu)件。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的轉(zhuǎn)矩轉(zhuǎn)位傳感器，其中，所述屏蔽構(gòu)件在所述凹槽與所述第 二磁體的外徑側(cè)之間延伸。
【文檔編號(hào)】G01P3/44GK104515635SQ201410504792
【公開(kāi)日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2014年9月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月27日
【發(fā)明者】李昌煥 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司