檢測碲化物半導體探測器內(nèi)建電場的裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種檢測碲化物半導體探測器內(nèi)建電場的裝置，包括鹵鎢燈、980nm濾波片、透鏡、碲化物半導體探測器、三維平移臺、起偏器、檢偏器、物鏡和相機，所述碲化物半導體探測器橫放在所述三維平移臺上，所述碲化物半導體探測器上設(shè)有直流電壓表，所述三維控制平臺和相機均通過數(shù)據(jù)線連接有電腦，所述鹵鎢燈上設(shè)有開關(guān)。本實用新型可以根據(jù)相機上所接收到的光強與碲化物半導體探測器的內(nèi)建電場強度的平方成正比，來研究碲化物半導體探測器的電場分布，進一步的得到空間電荷的分布，從而來研究碲化物半導體探測器內(nèi)部的缺陷。
【專利說明】檢測碲化物半導體探測器內(nèi)建電場的裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實用新型涉及一種檢測碲化物半導體探測器內(nèi)建電場的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]檢測碲化物半導體探測器由于外加電場作用下，在探測器工作中很難獲得實際電場的作用，而在探測器工作中，假設(shè)是勻強電場，其實內(nèi)部的電場是非線性的，從而引起了碲化物半導體探測器的收集效率和能量分辨率收到影響。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型的目的是提供一種檢測碲化物半導體探測器內(nèi)建電場的裝置。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采取的技術(shù)方案為:一種檢測碲化物半導體探測器內(nèi)建電場的裝置，包括鹵鎢燈、980nm濾波片、透鏡、碲化物半導體探測器、三維平移臺、起偏器、檢偏器、物鏡和相機，所述碲化物半導體探測器橫放在所述三維平移臺上，所述碲化物半導體探測器上設(shè)有直流電壓表，所述三維控制平臺和相機均通過數(shù)據(jù)線連接有電腦，所述鹵鎢燈上設(shè)有開關(guān)，所述相機為紅外相機。
[0005]所述鹵鎢燈為低能量鹵鎢燈。
[0006]其中，所述齒鎢燈、980nm濾波片、碲化物半導體探測器、起偏器、檢偏器、無連接關(guān)系，所述物鏡和相機相連。
[0007]其中，本實用新型應用了泡克耳斯效應(Pockels)，泡克耳斯效應(Pockels):偏振光沿著處在外電場內(nèi)的壓電晶體的光軸傳播時發(fā)生雙折射現(xiàn)象，且兩個主折射率之差與外電場強度平方成正比，這種電光效應即為泡克耳斯效應。其原理是:某些晶體在外加電場方向與入射光傳播方向垂直時，在施加電場時，電場將改變晶體的各向異性的性質(zhì)，產(chǎn)生感應雙折射。
[0008]本實用新型由于雙折射的產(chǎn)生，導致光在不同振動方向上的折射率不同。因為折射率決定了光在介質(zhì)中的傳播速度，導致了光程差從而引起了相位差，從而改變了光的偏振狀態(tài)。本實用新型可以根據(jù)相機上所接收到的光強與碲化物半導體探測器的內(nèi)建電場強度的平方成正比，來研究碲化物半導體探測器的電場分布，進一步的得到空間電荷的分布，從而來研究碲化物半導體探測器內(nèi)部的缺陷。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0010]為了使本實用新型的目的及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合實例對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。[0011]如圖1所示，本實用新型的一種檢測碲化物半導體探測器內(nèi)建電場的裝置，包括鹵鎢燈l、980nm濾波片9、透鏡10、碲化物半導體探測器4、三維平移臺5、起偏器8、檢偏器
6、物鏡2和相機7，所述碲化物半導體探測器4橫放在所述三維平移臺5上，所述碲化物半導體探測器4上設(shè)有直流電壓表，所述三維控制平臺5和相機7均通過數(shù)據(jù)線連接有電腦3，所述鹵鎢燈I上設(shè)有開關(guān)，所述相機7為紅外相機。
[0012]所述鹵鎢燈為低能量鹵鎢燈。
[0013]本裝置的原理是:透過紅外濾光片所產(chǎn)生的紅外光，通過起偏器后，照射于兩端加有電壓的碲化物半導體探測器上。隨后再讓投射光通過于起偏器偏振方向垂直的檢偏器。由于碲化物半導體探測器上所發(fā)生的Pockels效應，使得位于檢偏器后的相機能接收到光。
[0014]相機上所接收到的光強與碲化物半導體探測器的內(nèi)建電場強度的平方成正比。
【權(quán)利要求】
1.一種檢測碲化物半導體探測器內(nèi)建電場的裝置，其特征在于，包括鹵鎢燈(I)、980nm濾波片(9)、透鏡(10)、碲化物半導體探測器(4)、三維平移臺(5)、起偏器(8)、檢偏器(6)、物鏡(2)和相機(7)，所述碲化物半導體探測器(4)橫放在所述三維平移臺(5)上，所述碲化物半導體探測器(4)上設(shè)有直流電壓表，所述三維控制平臺(5)和相機(7)均通過數(shù)據(jù)線連接有電腦(3)，所述鹵鎢燈(I)上設(shè)有開關(guān)，所述相機(7)為紅外相機。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種檢測碲化物半導體探測器內(nèi)建電場的裝置，其特征在于，所述鹵鎢燈(I)為低能量鹵鎢燈。
【文檔編號】G01N21/23GK203824901SQ201420262603
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年5月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月18日
【發(fā)明者】羅翔祥, 介萬奇, 查鋼強, 王濤, 徐亞東, 谷亞旭, 席守智, 張文瓏 申請人:西北工業(yè)大學