本發(fā)明一般來(lái)說(shuō)涉及用于在晶片檢驗(yàn)期間確定定位于收集孔隙中的光學(xué)元件的配置的方法及系統(tǒng)。本發(fā)明還可包含在晶片檢驗(yàn)期間確定定位于照射孔隙中的互補(bǔ)光學(xué)元件的配置。

背景技術(shù)：

以下說(shuō)明及實(shí)例并不由于其包含于此章節(jié)中而被認(rèn)為是現(xiàn)有技術(shù)。

在半導(dǎo)體制造過(guò)程期間在各種步驟處使用檢驗(yàn)過(guò)程來(lái)檢測(cè)晶片上的缺陷以在制造過(guò)程中促進(jìn)較高合格率及因此較高利潤(rùn)。檢驗(yàn)一直是制作半導(dǎo)體裝置的重要部分。然而，隨著半導(dǎo)體裝置的尺寸減小，檢驗(yàn)對(duì)可接受半導(dǎo)體裝置的成功制造變得甚至更加重要，這是因?yàn)檩^小缺陷可導(dǎo)致裝置不合格。

許多檢驗(yàn)工具具有針對(duì)所述工具的許多光學(xué)元件的可調(diào)整參數(shù)。以此方式，可取決于正進(jìn)行檢驗(yàn)的晶片的類(lèi)型及所述晶片上的所關(guān)注缺陷(DOI)的特性而更改一個(gè)或多個(gè)光學(xué)元件(例如光源、偏光器、透鏡、檢測(cè)器及類(lèi)似物)的參數(shù)。舉例來(lái)說(shuō)，不同類(lèi)型的晶片可具有顯著不同特性，所述顯著不同特性可致使具有相同參數(shù)的相同工具以極其不同的方式對(duì)晶片進(jìn)行成像。另外，由于不同類(lèi)型的DOI可具有顯著不同特性，因此適合于檢測(cè)一種類(lèi)型的DOI的檢驗(yàn)系統(tǒng)參數(shù)可不適合于檢測(cè)另一類(lèi)型的DOI。此外，不同類(lèi)型的晶片可具有不同噪聲源，所述不同噪聲源可以不同方式干擾對(duì)晶片上的DOI的檢測(cè)。

晶片檢驗(yàn)工具的若干可調(diào)整參數(shù)(然而由于晶片檢驗(yàn)工具可用于檢驗(yàn)許多不同類(lèi)型的晶片及DOI而為有利的)意指當(dāng)設(shè)置晶片檢驗(yàn)配方時(shí)需要(或應(yīng)該)考慮大量不同的參數(shù)值組合(或者被稱為“模式”)。舉例來(lái)說(shuō)，為確保選擇可在檢驗(yàn)系統(tǒng)上獲得的最佳可能模式用于檢驗(yàn)配方中，應(yīng)考慮顯著數(shù)目種模式。否則，最佳可能模式經(jīng)評(píng)估且接著隨后經(jīng)挑選的概率可為相對(duì)低的。

因此，設(shè)置適合于晶片檢驗(yàn)的檢驗(yàn)過(guò)程配方為重要過(guò)程，通常必須針對(duì)將進(jìn)行檢驗(yàn)的每一不同類(lèi)型的晶片而重復(fù)所述過(guò)程。由此，已開(kāi)發(fā)用于設(shè)置晶片檢驗(yàn)配方的許多不同方法及系統(tǒng)以使配方設(shè)置較容易且較高效。然而，并非所有晶片檢驗(yàn)配方設(shè)置方法及系統(tǒng)均可用于所有類(lèi)型的光及/或所有類(lèi)型的檢驗(yàn)系統(tǒng)。舉例來(lái)說(shuō)，針對(duì)使用相干光的晶片檢驗(yàn)配方的設(shè)置而創(chuàng)建的系統(tǒng)及方法可不一定適合于使用非相干光的晶片檢驗(yàn)配方的設(shè)置。另外，用于優(yōu)化關(guān)于一種類(lèi)型的光(例如，非相干光)的照射的晶片檢驗(yàn)配方設(shè)置可不一定適合于優(yōu)化關(guān)于相同類(lèi)型的光的收集/檢測(cè)。

因此，開(kāi)發(fā)不具有上文所描述的缺點(diǎn)中的一者或多者的用于在晶片檢驗(yàn)期間確定定位于收集孔隙中的光學(xué)元件的配置的方法及系統(tǒng)將為有利的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

各種實(shí)施例的以下說(shuō)明不應(yīng)以任何方式被視為限制所附權(quán)利要求書(shū)的標(biāo)的物。

一個(gè)實(shí)施例涉及一種系統(tǒng)，所述系統(tǒng)經(jīng)配置以在晶片檢驗(yàn)期間確定定位于收集孔隙中的光學(xué)元件的配置。所述系統(tǒng)包含光源，所述光源經(jīng)配置以產(chǎn)生被引導(dǎo)到所述晶片的光。所述系統(tǒng)還包含定位于收集光瞳平面中的光學(xué)元件。所述光學(xué)元件包含一組收集孔隙。另外，所述系統(tǒng)包含檢測(cè)器，所述檢測(cè)器經(jīng)配置以在所述光學(xué)元件具有不同配置時(shí)，檢測(cè)通過(guò)所述光學(xué)元件的來(lái)自所述晶片的光，借此產(chǎn)生針對(duì)所述不同配置的不同圖像。所述不同配置中的至少一者僅包含所述組中的單個(gè)收集孔隙，且不同孔隙中的至少另一者包含所述組中的所述收集孔隙中的兩者。

所述系統(tǒng)進(jìn)一步包含計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)，所述計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)經(jīng)配置以用于依據(jù)所述不同圖像中的兩者或兩者以上建構(gòu)一個(gè)或多個(gè)額外圖像。用于產(chǎn)生所述一個(gè)或多個(gè)額外圖像中的任一者的所述兩個(gè)或兩個(gè)以上不同圖像并不僅包含針對(duì)所述組中的單個(gè)收集孔隙產(chǎn)生的所述不同圖像。所述計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)進(jìn)一步經(jīng)配置以用于確定所述不同圖像及所述一個(gè)或多個(gè)額外圖像的一個(gè)或多個(gè)特性、將所述不同圖像及所述一個(gè)或多個(gè)額外圖像的所述一個(gè)或多個(gè)特性進(jìn)行比較，及基于所述比較步驟的結(jié)果而選擇所述光學(xué)元件的所述不同或額外配置中的一者用于所述晶片的檢驗(yàn)?？扇绫疚闹兴枋龆M(jìn)一步配置所述系統(tǒng)。

另一實(shí)施例涉及一種非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體，所述非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體存儲(chǔ)可在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上執(zhí)行以用于執(zhí)行用于在晶片檢驗(yàn)期間確定定位于收集孔隙中的光學(xué)元件的配置的計(jì)算機(jī)實(shí)施的方法的程序指令。所述計(jì)算機(jī)實(shí)施的方法包含獲取晶片的不同圖像。所述不同圖像是通過(guò)以下操作產(chǎn)生：將由光源產(chǎn)生的光引導(dǎo)到所述晶片；及當(dāng)光學(xué)元件具有不同配置時(shí)，檢測(cè)通過(guò)所述光學(xué)元件的來(lái)自所述晶片的光，借此產(chǎn)生針對(duì)所述不同配置的所述不同圖像。如上文所描述而配置所述光學(xué)元件及所述不同配置。所述計(jì)算機(jī)實(shí)施的方法還包含由上文所描述的所述系統(tǒng)的計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)執(zhí)行的所述建構(gòu)、確定、比較及選擇。可如本文中所描述而進(jìn)一步配置所述計(jì)算機(jī)可讀媒體?？扇绫疚闹羞M(jìn)一步所描述而執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)實(shí)施的方法的步驟。另外，可為其執(zhí)行所述程序指令的所述計(jì)算機(jī)實(shí)施的方法可包含本文中所描述的任何其它方法的任何其它步驟。

另一實(shí)施例涉及一種用于在晶片檢驗(yàn)期間確定定位于收集孔隙中的光學(xué)元件的配置的方法。所述方法包含如上文所描述而執(zhí)行的引導(dǎo)及檢測(cè)步驟以產(chǎn)生不同圖像。所述方法還包含由上文所描述的系統(tǒng)的計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)執(zhí)行的建構(gòu)、確定、比較及選擇，在所述方法中所述操作由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行。

可如本文中進(jìn)一步所描述而執(zhí)行上文所描述的方法的步驟中的每一者。上文所描述的方法可包含本文中所描述的(若干)任何其它方法的(若干)任何其它步驟。上文所描述的方法可使用本文中所描述的系統(tǒng)中的任一者來(lái)執(zhí)行。

附圖說(shuō)明

在閱讀以下詳細(xì)說(shuō)明且在參考附圖后，本發(fā)明的其它目標(biāo)及優(yōu)點(diǎn)將即刻變得顯而易見(jiàn)，在附圖中：

圖1是圖解說(shuō)明如本文中所描述而配置的系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施例的側(cè)視圖的示意圖；

圖2到3是圖解說(shuō)明包含一組收集孔隙的光學(xué)元件的實(shí)施例的平面圖的示意圖；

圖4是圖解說(shuō)明在圖2中所展示的光學(xué)元件的不同配置的實(shí)施例及可使用不同配置而產(chǎn)生的不同圖像的實(shí)例的平面圖的示意圖；

圖5是圖解說(shuō)明在圖4中所展示的不同配置的一個(gè)實(shí)施例及通過(guò)此光學(xué)元件配置的光可如何在圖像平面處導(dǎo)致干擾的側(cè)視圖的示意圖；

圖6到7是圖解說(shuō)明在圖2中所展示的光學(xué)元件的不同配置的實(shí)施例的平面圖的示意圖；

圖8到9是圖解說(shuō)明照射孔隙的實(shí)施例及針對(duì)所述照射孔隙實(shí)施例而可定位于收集光瞳平面中的光學(xué)元件的平面圖的示意圖；

圖10是圖解說(shuō)明可包含于光學(xué)元件組中的一組規(guī)范離散孔隙的實(shí)施例的平面圖的示意圖；且

圖11是圖解說(shuō)明非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體的一個(gè)實(shí)施例的框圖，所述非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體包含可在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上執(zhí)行以用于執(zhí)行本文中所描述的計(jì)算機(jī)實(shí)施的方法實(shí)施例中的一者或多者的程序指令。

雖然易于對(duì)本發(fā)明做出各種修改及替代形式，但其特定實(shí)施例是在圖式中以實(shí)例方式展示且將在本文中詳細(xì)描述。然而，應(yīng)理解，圖式及對(duì)其的詳細(xì)說(shuō)明并不打算將本發(fā)明限制于所揭示的特定形式，而是相反，本發(fā)明打算涵蓋歸屬于如由所附權(quán)利要求書(shū)所界定的本發(fā)明的精神及范圍內(nèi)的所有修改、等效形式及替代形式。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在轉(zhuǎn)到圖式，應(yīng)注意各圖并未按比例繪制。特定來(lái)說(shuō)，所述圖的元件中的一些元件的比例被大大放大以強(qiáng)調(diào)所述元件的特性。還應(yīng)注意，所述圖并未按相同比例繪制。已使用相同參考編號(hào)指示可類(lèi)似地配置的在一個(gè)以上圖中展示的元件。除非本文中另外提及，否則所描述及所展示的元件中的任一者可包含任何適合可商購(gòu)的元件。

一個(gè)實(shí)施例涉及一種系統(tǒng)，所述系統(tǒng)經(jīng)配置以在晶片檢驗(yàn)期間確定定位于收集孔隙中的光學(xué)元件的配置。如本文中將進(jìn)一步所描述，實(shí)施例可用于圖像重建以優(yōu)化收集孔隙及模式以借此增強(qiáng)缺陷檢測(cè)。舉例來(lái)說(shuō)，如本文中進(jìn)一步所描述，實(shí)施例提供用于通過(guò)找出收集阻擋孔隙或相差孔隙的最優(yōu)配置來(lái)增強(qiáng)并優(yōu)化缺陷檢測(cè)的系統(tǒng)及方法，所述收集阻擋孔隙或相差孔隙經(jīng)放置于檢驗(yàn)系統(tǒng)的收集光瞳平面中。產(chǎn)生較高敏感性的孔隙的配置(例如，形狀)可為本文中所描述的實(shí)施例的輸出，所述輸出可包含可如本文中進(jìn)一步所描述而執(zhí)行的圖像重建。所述實(shí)施例還可用于增加對(duì)所關(guān)注缺陷(DOI)的檢測(cè)率及/或同時(shí)減小對(duì)滋擾事件的檢測(cè)率。另外，本文中所描述的實(shí)施例提供用于測(cè)量缺陷的散射圖案及晶片檢驗(yàn)的噪聲的系統(tǒng)及方法。

系統(tǒng)包含光源，所述光源經(jīng)配置以產(chǎn)生被引導(dǎo)到晶片的光。舉例來(lái)說(shuō)，在圖1中所展示的系統(tǒng)的實(shí)施例中，系統(tǒng)包含光源100。在一個(gè)實(shí)施例中，由光源產(chǎn)生的光為非相干光。光源100可為非相干光源，其可包含此項(xiàng)技術(shù)中已知的任何此類(lèi)適合光源。在一個(gè)實(shí)例中，光源可為寬帶等離子(BBP)光源，其經(jīng)配置以產(chǎn)生處于一個(gè)或多個(gè)波長(zhǎng)的光。

如在圖1中所展示，來(lái)自光源的光可被引導(dǎo)到透鏡102，所述透鏡經(jīng)配置以將來(lái)自光源的光引導(dǎo)到系統(tǒng)的一個(gè)或多個(gè)其它元件。盡管透鏡102在圖1中展示為單個(gè)折射光學(xué)元件，但實(shí)際上透鏡102可為一個(gè)或多個(gè)折射光學(xué)元件及/或一個(gè)或多個(gè)反射光學(xué)元件。透鏡可包含此項(xiàng)技術(shù)中已知的任一或任何適合透鏡。

在一個(gè)實(shí)施例中，系統(tǒng)包含照射孔隙，所述照射孔隙定位于被引導(dǎo)到晶片的所產(chǎn)生光的路徑中。舉例來(lái)說(shuō)，如在圖1中所展示，系統(tǒng)可包含照射孔隙104，所述照射孔隙可包含可為(舉例來(lái)說(shuō))開(kāi)口或光阻擋元件的若干個(gè)元件106。照射孔隙可定位于照射傅里葉(Fourier)平面108中。

用于針對(duì)寬帶、非相干光源來(lái)優(yōu)化照射孔隙的方法及系統(tǒng)描述于在2014年12月4日公開(kāi)的頒予科爾欽(Kolchin)等人的第2014/0354983號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)案中，所述美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)案如同完全陳述于本文中一般而以引用方式并入。本文中所描述的實(shí)施例可如本公開(kāi)案中所描述而進(jìn)一步配置。以此方式，用于本文中所描述的實(shí)施例中的照射孔隙的配置可如所述公開(kāi)案中所描述地確定。盡管上文所參考公開(kāi)案描述用于優(yōu)化照射孔隙的方法及系統(tǒng)，但尚未建立用于優(yōu)化收集光路徑的孔隙形狀的系統(tǒng)性方法。由此，本文中進(jìn)一步所描述的收集孔隙優(yōu)化可與所述公開(kāi)案中描述的照射孔隙優(yōu)化方法組合以形成用于同時(shí)優(yōu)化收集孔隙及照射孔隙兩者的嚴(yán)密方法。

來(lái)自照射孔隙的光可由系統(tǒng)的一個(gè)或多個(gè)額外光學(xué)元件引導(dǎo)到晶片。舉例來(lái)說(shuō)，如在圖1中所展示，系統(tǒng)可包含分束器108，所述分束器經(jīng)配置以將光從照射孔隙104引導(dǎo)到物鏡110。分束器108可包含此項(xiàng)技術(shù)中已知的任何適合分束器，例如50/50分束器。物鏡110可包含此項(xiàng)技術(shù)中已知的任何適合折射及/或反射光學(xué)元件。物鏡110可經(jīng)配置以將光以任何適合入射角引導(dǎo)到晶片112，所述入射角可由照射孔隙及物鏡的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)而確定。在一些實(shí)例中，照射孔隙及物鏡可經(jīng)配置以用于晶片的定向泛光照射，在定向泛光照射中從特定方向照射晶片的相對(duì)大區(qū)域。物鏡110也可經(jīng)配置以收集從晶片散射及/或反射的光且引導(dǎo)所收集光向后穿過(guò)分束器108。以此方式，物鏡可配置為普通模式物鏡。

在另一實(shí)施例中，由光源產(chǎn)生的光為相干光(例如來(lái)自激光器)。在此實(shí)施例中，透鏡102可包含將經(jīng)準(zhǔn)直激光引導(dǎo)到光瞳平面108上的特定位置或從特定方向直接引導(dǎo)到晶片的光學(xué)元件。因此，此些實(shí)施例可不包含本文中所描述的照射孔隙。

系統(tǒng)還可包含載臺(tái)114，在檢驗(yàn)期間晶片112安置于所述載臺(tái)上。載臺(tái)可耦合到機(jī)械及/或機(jī)器人組合件(未展示)，所述組合件經(jīng)配置以移動(dòng)載臺(tái)(且因此移動(dòng)晶片)，使得在如本文中進(jìn)一步所描述而收集并檢測(cè)來(lái)自晶片的光時(shí)所述光可跨過(guò)晶片進(jìn)行掃描。

系統(tǒng)還包含定位于收集光瞳平面中的光學(xué)元件。舉例來(lái)說(shuō)，如在圖1中所展示，系統(tǒng)可包含定位于收集光瞳平面118中的光學(xué)元件116，使得由物鏡110收集且由分束器108發(fā)射的光被引導(dǎo)到光學(xué)元件116。所述光學(xué)元件包含一組收集孔隙。舉例來(lái)說(shuō)，所述光學(xué)元件可包含可如本文中進(jìn)一步所描述而配置的孔隙120。

本文中描述若干個(gè)不同光學(xué)元件配置且甚至更多光學(xué)元件配置為可能的以供用于晶片檢驗(yàn)系統(tǒng)中。然而，不管特定光學(xué)元件配置為何，光學(xué)元件的實(shí)施例中的每一者的共同點(diǎn)為其光的散射方向?yàn)殪`活的，允許所述光通過(guò)光學(xué)元件到達(dá)檢測(cè)器。如本文中將進(jìn)一步所描述，一些光學(xué)元件實(shí)施例可為靈活的，這是因?yàn)楣鈱W(xué)元件的不同組件可經(jīng)移到收集光瞳平面中或移出收集光瞳平面，且因此移出從由檢測(cè)器檢測(cè)到的來(lái)自晶片的光的路徑。然而，本文中所描述的光學(xué)元件也可或替代地通過(guò)允許改變開(kāi)口或光阻擋元件的大小、定向等或使得光學(xué)元件的不同組件可切換到收集光瞳平面中及切換出收集光瞳平面而為靈活的。系統(tǒng)可經(jīng)配置以使用任何適合元件(未展示)(例如一個(gè)或多個(gè)機(jī)械及/或機(jī)器人組合件)而以任何此類(lèi)方式改變光學(xué)元件配置。

盡管光學(xué)元件在本文中描述為僅使用機(jī)械構(gòu)件(例如，開(kāi)口或光阻擋元件)來(lái)將僅以選定散射角度散射的光發(fā)射到檢測(cè)器，但光學(xué)元件可以任何其它適合方式配置以選擇性地發(fā)射處于收集光瞳平面內(nèi)的不同位置的光。舉例來(lái)說(shuō)，光學(xué)元件可經(jīng)配置以通過(guò)折射、吸收、衍射、反射等選擇性地發(fā)射光。另外，盡管相對(duì)簡(jiǎn)單，但本文中描述機(jī)械光學(xué)元件，所述光學(xué)元件可包含其它光學(xué)元件，所述其它光學(xué)元件未必僅為基于機(jī)械的，例如電光調(diào)制器、液晶顯示器、微鏡陣列等，其僅可用于發(fā)射在收集光瞳平面的特定部分中的光。

在一個(gè)實(shí)施例中，收集孔隙包含三個(gè)或三個(gè)以上狹槽。三個(gè)或三個(gè)以上狹槽中的每一者沿第一維度跨越整個(gè)收集光瞳平面延伸，且所述組收集孔隙沿第二維度跨越整個(gè)收集光瞳平面延伸，所述第二維度垂直于所述第一維度。在圖2中展示光學(xué)元件的一個(gè)此實(shí)施例。如在此圖中所展示，光學(xué)元件200包含5個(gè)狹槽1、2、3、4及5。盡管在此圖中光學(xué)元件展示為包含5個(gè)狹槽，但光學(xué)元件也可包含任何其它適合數(shù)目個(gè)狹槽。所述狹槽中的每一者沿維度204跨越整個(gè)收集光瞳平面202延伸。換句話說(shuō)，所述狹槽中的每一者可具有覆蓋整個(gè)收集光瞳平面的長(zhǎng)度。另外，如在此圖中所展示，5個(gè)狹槽的組合跨越整個(gè)收集光瞳平面的維度206延伸，且維度204及206彼此垂直。以此方式，所述狹槽中的每一者的經(jīng)組合寬度可沿一個(gè)維度覆蓋整個(gè)收集光瞳平面。

在另一實(shí)施例中，收集孔隙包含兩個(gè)或兩個(gè)以上組的狹槽。所述兩個(gè)或兩個(gè)以上組中的每一者中的狹槽沿第一維度跨越收集光瞳平面的僅一部分延伸，且所述兩個(gè)或兩個(gè)以上組的狹槽中的每一者沿第二維度跨越整個(gè)收集光瞳平面延伸，所述第二維度垂直于所述第一維度。在圖3中展示具有兩組狹槽的光學(xué)元件的一個(gè)此實(shí)施例。如在此圖中所展示，光學(xué)元件300包含10個(gè)狹槽1、2、3、4、5、6、7、8、9及10。狹槽1到5是在所述狹槽的一個(gè)組中，且狹槽6到10是在所述狹槽的另一組中。兩個(gè)組中的狹槽均沿第一維度304跨越收集光瞳平面302的僅一部分延伸。舉例來(lái)說(shuō)，如在圖3中所展示，所述組狹槽中的每一者沿維度304跨越收集光瞳平面延伸一半路程，且所述組狹槽的組合沿維度304跨越整個(gè)收集光瞳平面延伸。另外，盡管所述組狹槽中的每一者在圖3中展示為沿維度304跨越收集光瞳平面的一半延伸，但所述組狹槽可沿此維度跨越收集光瞳平面的任何其它部分延伸。如在圖3中進(jìn)一步展示，所述組狹槽中的每一者沿第二維度306跨越整個(gè)收集光瞳平面延伸，第二維度306垂直于維度304。以此方式，一組中的狹槽中的每一者的經(jīng)組合寬度可沿第二維度覆蓋整個(gè)收集光瞳平面。盡管所述組狹槽中的每一者在圖3中展示為包含5個(gè)狹槽，但所述組狹槽中的每一者可包含任何其它適合數(shù)目個(gè)狹槽。另外，盡管所述組狹槽在圖3中展示為包含相同數(shù)目個(gè)狹槽，但不同組狹槽可包含不同數(shù)目個(gè)狹槽。此外，盡管在所述兩個(gè)組中的狹槽在圖3中展示為使其長(zhǎng)度及寬度沿相同方向定向，但不同組中的狹槽可使其長(zhǎng)度及寬度沿不同方向(例如，垂直方向)定向。

在一個(gè)實(shí)施例中，收集孔隙為可通過(guò)將光學(xué)元件的一個(gè)或多個(gè)部分移出收集光瞳平面而在光學(xué)元件中形成的開(kāi)口。舉例來(lái)說(shuō)，在本文中所描述的一些實(shí)施例中，收集孔隙可為通過(guò)將一個(gè)或多個(gè)狹槽移出收集光瞳平面而形成的開(kāi)口。在額外實(shí)施例中，收集孔隙為可通過(guò)將光學(xué)元件的一個(gè)或多個(gè)部分移到收集光瞳平面中而在光學(xué)元件中形成的光阻擋區(qū)。舉例來(lái)說(shuō)，在本文中所描述的一些實(shí)施例中，收集孔隙可為通過(guò)將一個(gè)或多個(gè)狹槽移到收集光瞳平面中而形成的光阻擋區(qū)。光學(xué)元件的一個(gè)或多個(gè)部分可由系統(tǒng)或系統(tǒng)的元件(未展示)以任何適合方式移到收集光瞳平面中及移出收集光瞳平面。

在一些實(shí)施例中，一組收集孔隙包含收集孔隙的規(guī)則陣列。收集孔隙的規(guī)則陣列可為如在圖2中所展示的一維(1D)陣列或如在圖3中所展示的二維(2D)陣列。以此方式，收集孔隙可以柵格狀方式在收集光瞳平面內(nèi)定向。收集孔隙的此配置對(duì)于對(duì)散射到系統(tǒng)的整個(gè)散射半球內(nèi)的不同離散散射方向中的光進(jìn)行系統(tǒng)性成像且分析所述光可為有利的，此可如本文中進(jìn)一步所描述而執(zhí)行。

系統(tǒng)進(jìn)一步包含檢測(cè)器，所述檢測(cè)器經(jīng)配置以在光學(xué)元件具有不同配置時(shí)，檢測(cè)通過(guò)所述光學(xué)元件的來(lái)自晶片的光，借此產(chǎn)生針對(duì)不同配置的不同圖像。舉例來(lái)說(shuō)，如在圖1中所展示，系統(tǒng)可包含透鏡122，所述透鏡經(jīng)配置以對(duì)從光學(xué)元件116到檢測(cè)器124的光進(jìn)行成像。盡管透鏡122在圖1中展示為單個(gè)折射光學(xué)元件，但其可經(jīng)配置為一個(gè)或多個(gè)折射光學(xué)元件及/或一個(gè)或多個(gè)反射光學(xué)元件。檢測(cè)器124可包含任何適合成像檢測(cè)器，例如電荷耦合裝置(CCD)或時(shí)間延遲積分(TDI)相機(jī)。優(yōu)選地，在晶片載臺(tái)位置固定且相機(jī)圖像振動(dòng)相對(duì)小的情況下收集不同圖像及任何其它實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，使得可忽略不同孔隙之間的圖像不對(duì)準(zhǔn)。

不同圖像針對(duì)其所產(chǎn)生的光學(xué)元件的不同配置中的至少一者僅包含一組中的單個(gè)收集孔隙，且所述不同配置中的至少另一者包含所述組中的收集孔隙中的兩者。舉例來(lái)說(shuō)，如本文中更詳細(xì)地描述，本文中所描述的實(shí)施例經(jīng)配置以用于確定定位于晶片檢驗(yàn)系統(tǒng)的收集光瞳平面中的光學(xué)元件的最適合配置，且為以實(shí)驗(yàn)方式搜集足夠數(shù)據(jù)來(lái)作出此確定，除運(yùn)用收集光瞳平面中的單個(gè)開(kāi)口或光阻擋元件產(chǎn)生的圖像以外，還以實(shí)驗(yàn)方式收集運(yùn)用收集光瞳平面中的一個(gè)以上開(kāi)口或光阻擋元件產(chǎn)生的圖像以便準(zhǔn)確地測(cè)量以不同散射角度散射的光之間的相位關(guān)系。

在一個(gè)實(shí)施例中，不同配置包含一組中的收集孔隙的所有可能組合或所有可能對(duì)。舉例來(lái)說(shuō)，如本文中所描述而產(chǎn)生的一組圖像可含有針對(duì)所有可能的散射方向?qū)Φ南辔魂P(guān)系。本文中進(jìn)一步所描述針對(duì)本文中所描述的各種光學(xué)元件配置的所有可能的收集孔隙對(duì)及針對(duì)此些收集孔隙而產(chǎn)生的圖像。

系統(tǒng)進(jìn)一步包含計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)。舉例來(lái)說(shuō)，如在圖1中所展示，系統(tǒng)包含計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)126。計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)126經(jīng)配置以獲取由系統(tǒng)的檢測(cè)器產(chǎn)生的不同圖像。舉例來(lái)說(shuō)，可將由檢測(cè)器針對(duì)不同配置產(chǎn)生的不同圖像提供到計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)126。特定來(lái)說(shuō)，所述計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)可耦合到檢測(cè)器(例如，通過(guò)由圖1中的虛線展示的一個(gè)或多個(gè)發(fā)射媒體，所述發(fā)射媒體可包含此項(xiàng)技術(shù)中已知的任何適合發(fā)射媒體)，使得所述計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)可接收由檢測(cè)器產(chǎn)生的不同圖像。所述計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)可以任何其它適合方式耦合到檢測(cè)器。可如本文中所描述而進(jìn)一步配置計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)(例如，作為包含于計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)或系統(tǒng)中的處理器)。

計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)經(jīng)配置以用于依據(jù)不同圖像中的兩者或兩者以上建構(gòu)一個(gè)或多個(gè)額外圖像。用于產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)額外圖像中的任一者的兩個(gè)或兩個(gè)以上不同圖像并不僅包含針對(duì)一組中的單個(gè)收集孔隙而產(chǎn)生的不同圖像。舉例來(lái)說(shuō)，如本文中所描述而產(chǎn)生的所述組圖像(其可含有針對(duì)所有可能散射方向?qū)Φ南辔魂P(guān)系)可接著用于重建針對(duì)所有其它可能多孔(或多阻擋件)收集孔隙組合的缺失圖像。以此方式，本文中所描述的實(shí)施例可用于基于實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)重建所關(guān)注收集孔隙的圖像。

對(duì)于晶片檢驗(yàn)來(lái)說(shuō)，將DOI與晶片噪聲分離為關(guān)鍵的。對(duì)于暗場(chǎng)(DF)模式(其中鏡面反射被阻擋)，關(guān)鍵因素為缺陷及噪聲的散射方向或輪廓的不同。存在測(cè)量缺陷及晶片噪聲的散射圖案的數(shù)種方式。一種方式為通過(guò)對(duì)成像系統(tǒng)的收集光瞳進(jìn)行成像而直接測(cè)量散射強(qiáng)度。明顯優(yōu)點(diǎn)為測(cè)量是即時(shí)的事實(shí)及傅里葉域中的相對(duì)高分辨率的結(jié)果。因此，光瞳成像可用于測(cè)量來(lái)自相對(duì)大均勻結(jié)構(gòu)的噪聲散射的衍射級(jí)或光瞳特征。此技術(shù)的缺點(diǎn)為成像平面中的相對(duì)低分辨率，此將其限于測(cè)量圖案及噪聲散射。另外，此技術(shù)很容易受系統(tǒng)假象(例如重影(ghost)及光斑)的影響。

來(lái)自相對(duì)小缺陷的光散射為相干過(guò)程，甚至在照射光源為非相干時(shí)也如此。缺陷光散射的相干過(guò)程以收集光瞳空間經(jīng)映射且收集孔隙形狀與照射光路徑的收集孔隙形狀相比經(jīng)優(yōu)化的方式導(dǎo)致主要區(qū)別。特定來(lái)說(shuō)，對(duì)于非相干光源來(lái)說(shuō)，不同照射方向?yàn)橄辔华?dú)立的。因此，照射光瞳空間的映射及照射孔隙優(yōu)化可用掃描針孔類(lèi)型孔隙的光瞳執(zhí)行。

在一個(gè)此實(shí)例中，單個(gè)掃描針孔孔隙可足以映射使用非相干光源的檢驗(yàn)系統(tǒng)上的照射光瞳空間。換句話說(shuō)，為確定最優(yōu)照射孔隙，可跨越光瞳掃描針孔且接著可通過(guò)將缺陷圖像映射為照射光瞳中的針孔位置的函數(shù)而形成缺陷信號(hào)的映射。舉例來(lái)說(shuō)，定位于傅里葉平面中的兩個(gè)不同(相互排斥)照射孔隙可用于單獨(dú)產(chǎn)生晶片上的缺陷的不同圖像。如果兩個(gè)照射孔隙同時(shí)用于圖像產(chǎn)生，那么所述兩個(gè)不同圖像可接著用于確定缺陷的圖像看起來(lái)的樣子。特定來(lái)說(shuō)，由于照射為非相干的，因此可將以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生的不同相互排斥照射孔隙的圖像加總以確定用兩個(gè)照射孔隙產(chǎn)生的圖像將看起來(lái)的樣子。換句話說(shuō)，針對(duì)與照射孔隙b相互排斥的照射孔隙a，使用兩個(gè)照射孔隙a及b產(chǎn)生的圖像的圖像強(qiáng)度可確定為：

I_ab(x,y)＝I_a+I_b

其中I_ab為使用兩個(gè)照射孔隙a及b產(chǎn)生的圖像的強(qiáng)度，I_a為僅使用照射孔隙a產(chǎn)生的圖像的強(qiáng)度，且I_b為僅使用照射孔隙b產(chǎn)生的圖像的強(qiáng)度。圖像強(qiáng)度經(jīng)表達(dá)為圖像內(nèi)位置x及y的函數(shù)。

由發(fā)明者進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)展示針對(duì)兩個(gè)不同、相互排斥照射孔隙而以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生的圖像與依據(jù)兩個(gè)不同圖像(每一照射孔隙以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生一個(gè)圖像)建構(gòu)的圖像之間的差別僅展示均勻噪聲。因此，從兩個(gè)不同、以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生的圖像建構(gòu)的針對(duì)兩個(gè)不同、相互排斥照射孔隙的圖像(每一照射孔隙一個(gè)圖像)提供對(duì)于對(duì)應(yīng)以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生的圖像將看起來(lái)的樣子的適合近似。

對(duì)于收集孔隙優(yōu)化來(lái)說(shuō)，由于缺陷沿不同方向散射的波之間的相對(duì)強(qiáng)干擾，因此收集光瞳空間的映射無(wú)法運(yùn)用僅單個(gè)掃描針孔類(lèi)型孔隙進(jìn)行。因此，應(yīng)另外使用更復(fù)雜孔隙配置(舉例來(lái)說(shuō)，雙孔或雙阻擋件類(lèi)型孔隙)以恰當(dāng)?shù)亟忉尣⑻崛〔煌⑸浞较蛑g的干擾項(xiàng)及相位關(guān)系且區(qū)分并映射收集光瞳空間中的光學(xué)缺陷響應(yīng)。

在一個(gè)此實(shí)例中，圖4展示針對(duì)在圖2中所展示的光學(xué)元件配置的兩個(gè)不同收集孔隙配置400及402。在配置400中，光學(xué)元件經(jīng)配置，使得光僅通過(guò)狹槽4。相比來(lái)說(shuō)，在配置402中，光學(xué)元件經(jīng)配置，使得光僅通過(guò)狹槽2。因此，如果運(yùn)用這兩個(gè)收集孔隙配置及非相干光而以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生的圖像可經(jīng)加總以確定在光學(xué)元件經(jīng)配置使得光通過(guò)狹槽2及4時(shí)所產(chǎn)生的圖像將看起來(lái)的樣子，那么將為有用的。

然而，即使照射源可產(chǎn)生非相干光，從缺陷散射的光也為保留相位的相干過(guò)程。因此，無(wú)法僅將運(yùn)用不同、相互排斥收集孔隙配置而以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生的圖像加總來(lái)確定原本使用不同收集孔隙配置中的兩者產(chǎn)生的圖像。舉例來(lái)說(shuō)，如在圖4中所展示，圖像404是針對(duì)缺陷使用收集孔隙配置400而以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生且圖像406是針對(duì)同一缺陷使用收集孔隙配置402而產(chǎn)生。然而，如由圖像408(其針對(duì)同一缺陷使用收集孔隙配置410而以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生，在收集孔隙配置410中，光學(xué)元件經(jīng)配置，使得光通過(guò)狹槽2及4兩者)所展示，圖像408并不顯現(xiàn)為等于圖像404與406的和。

圖像408并不顯現(xiàn)為等于圖像404與406的和的原因?yàn)榧词拐丈湓纯僧a(chǎn)生非相干光，來(lái)自缺陷的光也為保留相位的相干過(guò)程。此在圖5中示意性地展示。特定來(lái)說(shuō)，如在此圖中所展示，光源500可產(chǎn)生非相干光502，所述非相干光可被引導(dǎo)到晶片(圖5中未展示)上的缺陷504。從所述缺陷以不同散射方向散射的光(如在圖5中由光506、508、510及512所展示，其沿著不同傳播路徑行進(jìn))將具有不同電場(chǎng)向量或波E。因此，對(duì)應(yīng)于不同光路徑的不同電場(chǎng)向量或波之間將存在相對(duì)相位由此，從缺陷散射的光的電場(chǎng)向量(或波)及相位并不跨越整個(gè)收集光瞳平面為恒定的。因此，通過(guò)定位于收集光瞳平面中的光學(xué)元件的不同部分的光可包含由缺陷散射到不同方向中的光，其可具有相對(duì)強(qiáng)相位關(guān)系。因此，當(dāng)在檢測(cè)器的圖像平面上組合時(shí)，這些波可彼此干擾，借此導(dǎo)致由檢測(cè)器產(chǎn)生的圖像中的干擾條紋。換句話說(shuō)，圖像中的干擾條紋可為離開(kāi)收集光瞳平面中的光學(xué)元件的離散區(qū)段的波的相位差的結(jié)果。在圖5中所展示的實(shí)例中，定位于收集光瞳平面(圖5中未展示)中的光學(xué)元件514可經(jīng)配置，使得光通過(guò)狹槽2及4但不通過(guò)狹槽1、3及5。因此，離開(kāi)狹槽2的光516可具有電場(chǎng)向量E₂，且離開(kāi)狹槽4的光518可具有電場(chǎng)向量E₄。這兩個(gè)電場(chǎng)向量之間的相位關(guān)系phase_4,2可接著導(dǎo)致使用此收集光瞳配置產(chǎn)生的圖像520中的干擾條紋。因此，圖像520的圖像強(qiáng)度可表達(dá)為I₂₄(x,y)，其中

I₂₄(x,y)＝|E₄+E₂|²

＝|E₄|²+|E₂|²+2Re{E₄E^*₂}

其中2Re{E₄E^*₂}為干擾項(xiàng)2|E₄E₂|cos(phase_4,2)

其中E₄的振幅可從使用其中僅檢測(cè)到通過(guò)狹縫4的光的孔隙產(chǎn)生的圖像而以實(shí)驗(yàn)方式確定，E₂的振幅可從使用其中僅檢測(cè)到通過(guò)狹縫2的光的孔隙產(chǎn)生的圖像而以實(shí)驗(yàn)方式確定，且Re為復(fù)數(shù)的實(shí)部。由此，可執(zhí)行使用若干對(duì)離散開(kāi)口或光阻擋元件的測(cè)量以揭示散射到收集光瞳的不同部分中的光之間的相位關(guān)系?？山又褂盟鱿辔恍畔?lái)預(yù)測(cè)最佳收集孔隙及其對(duì)應(yīng)缺陷圖像。

此類(lèi)圖像建構(gòu)并不僅限于從經(jīng)散射光產(chǎn)生的暗場(chǎng)(DF)圖像。舉例來(lái)說(shuō)，此類(lèi)圖像建構(gòu)也可針對(duì)從經(jīng)反射光產(chǎn)生的明場(chǎng)(BF)圖像而執(zhí)行。特定來(lái)說(shuō)，為圖像內(nèi)的x、y位置的函數(shù)的圖像強(qiáng)度可使用以下函數(shù)針對(duì)使用在圖2中所展示的光學(xué)元件配置(其中所有狹縫均打開(kāi))產(chǎn)生的BF圖像而確定：

I(x,y)＝|E₅+E₄+E₃+E₂+E₁|²

＝忽略DF項(xiàng)＝

＝I₁₂+I₁₃+I₁₄+I₁₅-3*I₁

或一般來(lái)說(shuō)

I₁₂₃₄₅＝∑_k＝1...5I_k+∑_k,s＞k{I_ks-I_k-I_s}。

由發(fā)明者進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)展示經(jīng)重建BF圖像基本上較好地與以實(shí)驗(yàn)方式獲取的BF圖像匹配。

因此，類(lèi)似針對(duì)包含光通過(guò)的兩個(gè)或兩個(gè)以上開(kāi)口的收集孔隙配置的以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生的圖像的圖像無(wú)法僅依據(jù)針對(duì)開(kāi)口中的僅一者而以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生的圖像形成。由此，為將來(lái)自晶片的光映射于收集光瞳空間中，在欲評(píng)估開(kāi)口的組合時(shí)僅使用用單個(gè)收集孔隙開(kāi)口產(chǎn)生的圖像是不夠的。以此方式，為相對(duì)準(zhǔn)確地映射收集光瞳空間，應(yīng)以實(shí)驗(yàn)方式針對(duì)至少一些雙開(kāi)口(例如，狹縫)或光阻擋元件孔隙產(chǎn)生圖像，使得可相對(duì)準(zhǔn)確地產(chǎn)生經(jīng)重建圖像。不同對(duì)孔隙測(cè)量于是可揭示收集光瞳的不同部分之間的相位關(guān)系。

在針對(duì)所有開(kāi)口對(duì)測(cè)量強(qiáng)度及干擾項(xiàng)的情況下，便可針對(duì)所有可能的孔隙組合重建DOI圖像。圖6展示在圖2中所展示的光學(xué)元件的所有配置，其中圖像可以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生，使得將可獲得用于圖像重建可能需要的所有圖像。在圖6中所展示的狹縫組合包含可用于獲取缺陷圖像的所有單狹縫孔隙及雙狹縫孔隙。特定來(lái)說(shuō)，如在圖6中所展示的第一行配置中所展示，所述配置可包含每一單個(gè)狹縫孔隙(其中檢測(cè)到僅通過(guò)單個(gè)狹縫的光)各一個(gè)配置。如在此圖的第二行中所展示，用于以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生圖像的配置可包含不同狹縫對(duì)，其中任何一對(duì)中的狹縫在光學(xué)元件中彼此鄰近。另外，如在此圖的第三行中所展示，用于以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生圖像的配置還可包含額外狹縫對(duì)，其中任何一對(duì)中的狹縫由另一狹縫彼此間隔。此外，如在此圖的第四行中所展示，用于以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生圖像的配置可包含其中任何一對(duì)中的狹縫由兩個(gè)狹縫彼此間隔的狹縫對(duì)。如在此圖的底部行中所進(jìn)一步展示，用于以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生圖像的配置還可包含其中狹縫由三個(gè)狹縫彼此間隔的一對(duì)狹縫。

因此，在圖6中所展示的單個(gè)狹縫及雙狹縫組合包含所有可能的狹縫對(duì)，且因此包含用以重建可由此光學(xué)元件產(chǎn)生的任何圖像將需要的所有可能的狹縫組合。以此方式，使用僅15個(gè)不同光學(xué)元件配置(即，針對(duì)N＝5個(gè)狹縫，單個(gè)狹縫及狹縫對(duì)的總數(shù)目將為N(N+1)/2＝15，然而針對(duì)此光學(xué)元件的孔隙配置的總數(shù)目將為2^N-1＝31)而以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生的圖像可用于重建可能考慮到的任何其它圖像。以此方式，針對(duì)任何一個(gè)光學(xué)元件配置，將可獲得以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生或以電子方式重建的圖像以供由本文中所描述的實(shí)施例使用。

另外，如本文中進(jìn)一步所描述，可根據(jù)不同收集光瞳平面配置而考慮不同照射孔隙配置以借此確定最佳照射孔隙及收集孔隙配置。如果是這樣的話，那么即使欲考慮顯著數(shù)目個(gè)照射孔隙配置(例如，20)，物理孔隙組合的總數(shù)目也可為相對(duì)大的(例如，15個(gè)收集孔隙*20個(gè)照射孔隙＝300個(gè)照射/收集孔隙組合)。然而，由于圖像可針對(duì)每一組合相對(duì)快速地(例如，每圖像小于1秒)產(chǎn)生，因此針對(duì)所有組合以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生圖像可花費(fèi)小于5分鐘。另外，圖像可針對(duì)許多但并非所有照射孔隙而以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生或重建。此外，針對(duì)每一照射孔隙配置，圖像可針對(duì)每一收集孔隙配置而以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生。然而，與收集孔隙不同，照射孔隙的不同組合不需要在數(shù)據(jù)收集期間用于以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生圖像。而是，在后處理期間，圖像可針對(duì)照射孔隙的相關(guān)組合而組合(加總)，如本文中進(jìn)一步所描述。

即使替代圖2中所展示的光學(xué)元件配置而使用圖3中所展示的光學(xué)元件配置，借此使收集光瞳中的取樣點(diǎn)加倍，可相對(duì)快速且容易地獲取用以針對(duì)上文所描述的相同數(shù)目個(gè)照射孔隙的每一可能組合且針對(duì)每一可能光學(xué)元件配置而重建圖像所需要的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。舉例來(lái)說(shuō)，在圖3中所展示的光學(xué)元件配置具有55個(gè)雙狹縫孔隙及單狹縫孔隙組合。因此，針對(duì)20個(gè)照射孔隙，其中圖像可以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生以便能夠重建任何其它圖像的物理孔隙組合的總數(shù)目可為20×55或1100個(gè)照射孔隙/收集孔隙配置。由于圖像可針對(duì)此大量配置相對(duì)快速地產(chǎn)生，因此本文中所描述的實(shí)施例可在合理的時(shí)間量?jī)?nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)每一可能照射孔隙/收集孔隙組合的評(píng)估。

因此，如上文所描述，可通過(guò)依據(jù)單狹縫孔隙及雙狹縫孔隙圖像而建構(gòu)針對(duì)多狹縫孔隙的圖像來(lái)執(zhí)行圖像重建。在圖7中展示可重建此圖像的多狹縫孔隙的一個(gè)實(shí)施例。特定來(lái)說(shuō)，在多狹縫孔隙700中，孔隙經(jīng)配置，使得光通過(guò)狹縫2、4及5但被狹縫1及3阻擋。此圖像的強(qiáng)度可以數(shù)學(xué)方式表達(dá)為圖像內(nèi)的x、y位置的函數(shù)，如下：

I₂₄₅(x,y)＝|E₅+E₄+E₂|²

＝|E₅|²+|E₄|²+|E₂|²+

2Re{E₅E^*₄}+2Re{E₅E^*₂}+2Re{E₄E^*₂}

其中|E₅|²可以實(shí)驗(yàn)方式確定為使用其中僅檢測(cè)到通過(guò)狹縫5的光的孔隙而產(chǎn)生的圖像，|E₄|²可以實(shí)驗(yàn)方式確定為使用其中僅檢測(cè)到通過(guò)狹縫4的光的孔隙而產(chǎn)生的圖像，且|E₂|²可以實(shí)驗(yàn)方式確定為使用其中僅檢測(cè)到通過(guò)狹縫2的光的孔隙而產(chǎn)生的圖像。Re{E₅E^*₄}可依據(jù)以下各項(xiàng)確定：使用其中檢測(cè)到通過(guò)狹縫4及5兩者的光的孔隙而產(chǎn)生的圖像、使用其中僅檢測(cè)到通過(guò)狹縫5的光的孔隙而產(chǎn)生的圖像，及使用其中僅檢測(cè)到通過(guò)狹縫4的光的孔隙而產(chǎn)生的圖像。Re{E₅E*₂}可依據(jù)以下各項(xiàng)確定：使用其中檢測(cè)到通過(guò)狹縫2及5兩者的光的孔隙而產(chǎn)生的圖像、使用其中僅檢測(cè)到通過(guò)狹縫2的光的孔隙而產(chǎn)生的圖像，及使用其中檢測(cè)到通過(guò)狹縫5的光的孔隙而產(chǎn)生的圖像。Re{E₄E^*₂}可依據(jù)以下各項(xiàng)確定：使用其中檢測(cè)到通過(guò)狹縫4及2兩者的光的孔隙而產(chǎn)生的圖像、使用其中僅檢測(cè)到通過(guò)狹縫4的光的孔隙而產(chǎn)生的圖像，及使用其中檢測(cè)到通過(guò)狹縫2的光的孔隙而產(chǎn)生的圖像。

計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)也經(jīng)配置以用于確定不同圖像及一個(gè)或多個(gè)額外圖像的一個(gè)或多個(gè)特性且將不同圖像及一個(gè)或多個(gè)額外圖像的一個(gè)或多個(gè)特性進(jìn)行比較。所述一個(gè)或多個(gè)特性可包含不同圖像及額外圖像的任何適合特性且優(yōu)選地與可使用所述圖像執(zhí)行的缺陷檢測(cè)有關(guān)。舉例來(lái)說(shuō)，所述一個(gè)或多個(gè)特性可包含信號(hào)、噪聲、信噪比、信號(hào)減噪聲或其某一組合。以此方式，計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)可經(jīng)配置以基于經(jīng)重建圖像以及任何以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生的圖像而分析孔隙的光學(xué)響應(yīng)。

在一些實(shí)施例中，可通過(guò)對(duì)圖像執(zhí)行某一缺陷檢測(cè)方法及/或算法且接著確定在圖像中檢測(cè)到的任何缺陷的特性而確定不同圖像及額外圖像的一個(gè)或多個(gè)特性。計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)可經(jīng)配置以使用任何適合缺陷檢測(cè)方法及/或算法而以任何適合方式檢測(cè)圖像中的缺陷。舉例來(lái)說(shuō)，可將不同圖像及額外圖像與閾值進(jìn)行比較，且可將具有高于閾值的值的圖像的部分中的任一者識(shí)別為潛在缺陷而不具有高于閾值的值的圖像的部分可不經(jīng)識(shí)別為對(duì)應(yīng)于潛在缺陷。與閾值進(jìn)行比較的不同圖像及額外圖像的值可包含(舉例來(lái)說(shuō))圖像中的像素的強(qiáng)度?？梢匀魏芜m合方式確定閾值的適當(dāng)值(例如，確定為圖像中的所預(yù)期噪聲的某一倍數(shù))。然而，許多其它缺陷檢測(cè)方法及/或算法為可能的且可(可能)結(jié)合晶片及/或晶片上的DOI的特性基于圖像的特性選擇及/或確定與圖像一起使用的方法及/或算法。一旦在圖像中檢測(cè)到缺陷，便可如本文中所描述而確定所述圖像的特性。

計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)進(jìn)一步經(jīng)配置以用于選擇光學(xué)元件的不同或額外配置中的一者以供基于比較的結(jié)果來(lái)檢驗(yàn)晶片。不同配置可為其中以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生圖像的配置，且額外配置可為對(duì)應(yīng)于額外經(jīng)重建圖像的配置。以此方式，本文中所描述的針對(duì)收集孔隙及模式優(yōu)化的系統(tǒng)(其可稱為“散射與相位映射器”)可包含安裝于光學(xué)系統(tǒng)的收集路徑中的一組特殊孔隙、用以支持這些孔隙的數(shù)據(jù)獲取組件及用于后處理圖像重建的計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)。“散射與相位映射器”孔隙組可包含但不限于所有單孔及所有雙孔孔隙。所述孔可在收集光瞳空間中的柵格上界定。

在一個(gè)實(shí)施例中，選擇包含選擇產(chǎn)生用于使對(duì)晶片上的DOI的檢測(cè)最大化的一個(gè)或多個(gè)特性的最佳值的不同或額外配置中的一者。舉例來(lái)說(shuō)，所述一個(gè)或多個(gè)特性可為晶片上的一個(gè)或多個(gè)DOI的信噪比。如果在晶片上存在待檢測(cè)的多個(gè)DOI，那么所述一個(gè)或多個(gè)特性可為一個(gè)以上DOI的信噪比的平均值。于是，可選擇對(duì)應(yīng)于DOI的最高信噪比或多個(gè)DOI的最高平均信噪比的孔隙配置?？梢灶?lèi)似方式使用本文中所描述的其它特性。由此，可通過(guò)本文中所描述的實(shí)施例容易地識(shí)別具有將實(shí)現(xiàn)最佳(最大)DOI檢測(cè)的特性的圖像。對(duì)應(yīng)于那些圖像的孔隙配置可接著經(jīng)選擇以供在晶片檢驗(yàn)配方中使用。

在另一實(shí)施例中，選擇包含選擇產(chǎn)生用于使對(duì)晶片上的滋擾缺陷的檢測(cè)最小化的一個(gè)或多個(gè)特性的最佳值的不同或額外配置中的一者。如同本文中所使用的術(shù)語(yǔ)的“滋擾缺陷”通常是指在晶片上檢測(cè)到的實(shí)際上并非缺陷的事件(例如，但僅為噪聲)或?yàn)橛脩舨⒉辉谝獾娜毕?例如，不影響半導(dǎo)體制造的合格率的非DOI)。在一個(gè)實(shí)例中，一個(gè)或多個(gè)特性可為圖像中的噪聲或平均噪聲級(jí)且于是可選擇在圖像中產(chǎn)生最低噪聲或平均噪聲級(jí)的配置。在另一實(shí)例中，可如上文所描述使用圖像執(zhí)行缺陷檢測(cè)且于是可選擇對(duì)應(yīng)于最低滋擾捕獲速率的配置以供在晶片檢驗(yàn)中使用。此外，選擇供在晶片檢驗(yàn)系統(tǒng)中使用的配置可基于哪一(些)配置提供最佳DOI捕獲以及最佳滋擾抑制而執(zhí)行。

在一個(gè)實(shí)施例中，針對(duì)晶片上的預(yù)定缺陷位置而產(chǎn)生不同圖像。舉例來(lái)說(shuō)，收集孔隙優(yōu)化可包含針對(duì)晶片上的預(yù)選定缺陷位置的數(shù)據(jù)收集?？梢匀魏芜m合方式預(yù)選定缺陷位置。在一些實(shí)例中，可針對(duì)具有位于晶片上的一個(gè)或多個(gè)已知缺陷的晶片而執(zhí)行本文中所描述的圖像產(chǎn)生，使得可相對(duì)于特定缺陷評(píng)估光學(xué)元件配置。

在另一實(shí)施例中，以針對(duì)系統(tǒng)的光源、檢測(cè)器及任何其它光學(xué)元件的預(yù)定參數(shù)而產(chǎn)生不同圖像。在額外實(shí)施例中，以針對(duì)系統(tǒng)的光源、檢測(cè)器及任何其它光學(xué)元件中的至少一者的不同參數(shù)而產(chǎn)生不同圖像，借此產(chǎn)生針對(duì)不同配置及不同參數(shù)的不同圖像，且選擇包含基于比較的結(jié)果而選擇光學(xué)元件的不同或額外配置中的一者與用于晶片的檢驗(yàn)的不同參數(shù)中的一者或多者的一個(gè)組合。舉例來(lái)說(shuō)，收集孔隙優(yōu)化可包含針對(duì)預(yù)選定照射孔隙、光譜帶、偏振狀態(tài)及焦點(diǎn)偏移的數(shù)據(jù)收集，其中收集到具有“散射與相位映射器”孔隙組的一組圖像。接著，針對(duì)每一經(jīng)重建圖像及每一預(yù)選定照射孔隙、光譜、輸入及輸出偏振狀態(tài)以及焦點(diǎn)偏移，可計(jì)算一個(gè)或多個(gè)特性，例如本文中所描述的一個(gè)或多個(gè)特性?？山又x擇模式(由針對(duì)參數(shù)的一組值定義)，例如給出個(gè)別缺陷或缺陷群組(舉例來(lái)說(shuō)，DOI)的最高信噪比或信號(hào)減噪聲的模式或者給出DOI群組與滋擾缺陷之間的最大信噪比分離的模式。以此方式，本文中所描述的實(shí)施例可用于找出用于晶片檢驗(yàn)的最佳模式，除孔隙形狀以外，所述最佳模式還可包含光譜帶、焦點(diǎn)偏移以及輸入及輸出偏振的組合以使缺陷信號(hào)或信噪比最大化。由此，模式選擇(孔隙、光譜帶、焦點(diǎn)偏移、輸入及輸出偏振等)可基于依據(jù)經(jīng)重建圖像以及本文中所描述的其它以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生的圖像計(jì)算的特性而執(zhí)行。另外，本文中所描述的模式選擇可經(jīng)執(zhí)行以基于依據(jù)經(jīng)重建圖像以及本文中所描述的其它以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生的圖像計(jì)算的信噪比值同時(shí)增加DOI的捕獲速率且抑制滋擾的捕獲速率。

以此方式選擇模式的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)為實(shí)施簡(jiǎn)便性及快速計(jì)算速度。本文中所描述的實(shí)施例的另一優(yōu)點(diǎn)為其可用于改進(jìn)包含BF及/或DF工具的晶片檢驗(yàn)工具的敏感性。所述實(shí)施例還可用于顯著地簡(jiǎn)化并減少形成針對(duì)特定DOI的晶片檢驗(yàn)配方所花費(fèi)的時(shí)間。

在一些實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)經(jīng)配置以用于基于不同圖像而確定從晶片以不同方向散射的光之間的相移，且基于所確定相移而確定在晶片的檢驗(yàn)期間供在所述系統(tǒng)中使用的相襯濾波器的一個(gè)或多個(gè)參數(shù)。舉例來(lái)說(shuō)，本文中所描述的實(shí)施例可用于基于實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)明確地提取不同散射方向之間的相移(或不同散射方向的相位關(guān)系)。特定來(lái)說(shuō)，由于在通過(guò)本文中所描述的實(shí)施例以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生并重建的圖像中可見(jiàn)干擾條紋，因此可使用干擾條紋來(lái)確定關(guān)于經(jīng)允許通過(guò)對(duì)應(yīng)于圖像的不同光學(xué)元件配置的不同散射方向之間的相移的信息。此相位信息可接著經(jīng)應(yīng)用以設(shè)計(jì)使缺陷信號(hào)最大化的相襯濾波器。此相襯濾波器可接著定位于收集光路徑的光瞳平面中且可作為光瞳平面中的收集孔隙的替換或結(jié)合所述收集孔隙而使用。舉例來(lái)說(shuō)，在圖1中所展示的光學(xué)元件116可經(jīng)配置為此相襯濾波器。因此，本文中所描述的實(shí)施例可用于確定相移及孔隙形狀兩者。

上文所描述的實(shí)施例可經(jīng)配置用于測(cè)量光瞳映射的缺陷及晶片噪聲的散射圖案的額外實(shí)施例。此技術(shù)的本質(zhì)是進(jìn)行一系列圖像平面測(cè)量同時(shí)使傅里葉平面參數(shù)變化。收集傅里葉平面可與在圖1中所展示的系統(tǒng)實(shí)施例中的收集光瞳平面118相同。在一個(gè)實(shí)施例中，系統(tǒng)經(jīng)配置以通過(guò)跨越收集光瞳平面步進(jìn)方形孔隙而致使光學(xué)元件具有不同配置。舉例來(lái)說(shuō)，可跨越收集傅里葉平面步進(jìn)方形孔隙同時(shí)使用成像相機(jī)來(lái)記錄所得圖像。隨后，可使用所測(cè)量圖像中的缺陷響應(yīng)來(lái)重建散射圖案。此技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)為圖像平面中的相對(duì)高分辨率，此允許測(cè)量個(gè)別缺陷或結(jié)構(gòu)的光學(xué)響應(yīng)。為測(cè)量缺陷散射，通常將阻擋鏡面反射。

在一些實(shí)施例中，通過(guò)跨越照射光瞳平面步進(jìn)方形孔隙開(kāi)口而以針對(duì)照射孔隙的不同參數(shù)產(chǎn)生不同圖像。舉例來(lái)說(shuō)，最簡(jiǎn)單的方法為照射驅(qū)動(dòng)的光瞳映射器，其中一次打開(kāi)一個(gè)照射方向且在收集傅里葉平面中使用阻擋件來(lái)僅拒絕鏡面反射。此實(shí)施例具有相對(duì)高NA成像的優(yōu)點(diǎn)，且其可用于確定簡(jiǎn)單或經(jīng)抑制圖案中的缺陷及噪聲的照射方向的偏好。

在一個(gè)此實(shí)例中，圖8展示可定位于收集傅里葉平面中的照射孔隙800及光學(xué)元件802。以此方式，照射孔隙800可替代圖1中所展示的系統(tǒng)的照射孔隙104而使用。另外，收集傅里葉平面可與收集光瞳平面相同。因此，光學(xué)元件802可定位于圖1中所展示的系統(tǒng)的平面118中，借此替換光學(xué)元件116。如在圖8中所展示，照射孔隙可經(jīng)配置以具有由柵格806界定的一組方形孔隙804?？梢淮未蜷_(kāi)一個(gè)所述方形孔隙且可針對(duì)所打開(kāi)的每一方形孔隙而產(chǎn)生圖像。以此方式，物鏡內(nèi)的一次一個(gè)NA區(qū)域可用于晶片的照射。另外，光學(xué)元件802包含由柵格812界定的一組方形孔隙810。如在圖8中所展示，照射孔隙及光學(xué)元件的方形孔隙具有1:1對(duì)應(yīng)，從而意味著其方形孔隙是在相同柵格上界定，但由于系統(tǒng)的光學(xué)配置(例如，收集光瞳平面相對(duì)于照射光瞳平面的旋轉(zhuǎn)、收集與照射之間的放大率的差別等)兩組方形孔隙之間可存在定向、大小等的差別。然而，如在圖8中所展示，方形孔隙覆蓋其相應(yīng)整個(gè)照射孔隙及光學(xué)元件且可因此用于將缺陷及晶片響應(yīng)映射到不同照射及散射方向。

在一個(gè)此實(shí)施例中，通過(guò)基于方形孔隙開(kāi)口跨越照射光瞳平面的步進(jìn)而跨越收集光瞳平面步進(jìn)單個(gè)光阻擋元件來(lái)形成光學(xué)元件的不同配置，以借此阻擋由于以針對(duì)照射孔隙的不同參數(shù)而照射晶片所致的來(lái)自晶片的鏡面反射光。在圖8中所展示的實(shí)例中，照射孔隙中的方形孔隙808被打開(kāi)(借此允許來(lái)自光源的光對(duì)晶片(圖8中未展示)進(jìn)行照射)，同時(shí)其余方形孔隙被關(guān)閉。因此，為阻擋由于照射僅穿過(guò)方形孔隙808所致來(lái)自晶片的鏡面反射，收集光瞳平面中的光學(xué)元件的方形孔隙814可關(guān)閉同時(shí)光學(xué)元件的所有其它孔隙保持打開(kāi)。當(dāng)照射孔隙被改變使得照射被引導(dǎo)穿過(guò)不同方形孔隙時(shí)，光學(xué)元件中所關(guān)閉的方形孔隙可相應(yīng)地改變，使得可阻擋由于不同照射角度所致的鏡面反射。以此方式，照射孔隙及光學(xué)元件的方形孔隙均可跨越其對(duì)應(yīng)光瞳平面而步進(jìn)，使得可獨(dú)立地測(cè)量來(lái)自每一可能照射方向的所有經(jīng)散射光。因此，圖8中所展示的實(shí)施例可用于僅照射散射映射器，這是因?yàn)獒槍?duì)每一不同照射方向收集并檢測(cè)沿所有散射方向散射的光。

在一個(gè)此實(shí)施例中，通過(guò)基于方形孔隙開(kāi)口跨越照射光瞳平面的步進(jìn)而將一個(gè)或多個(gè)額外光阻擋元件放置于收集光瞳平面中來(lái)形成光學(xué)元件的不同配置，以借此阻擋由于以針對(duì)照射孔隙的不同參數(shù)而照射晶片所致的來(lái)自晶片的光的衍射級(jí)。在光瞳映射器的此實(shí)施例中，可使用額外傅里葉濾波器來(lái)抑制收集光瞳中的衍射級(jí)。舉例來(lái)說(shuō)，在圖9中所展示的實(shí)施例中，當(dāng)方形孔隙808正用于照射時(shí)，方形孔隙814可定位于收集光瞳平面中以阻擋鏡面反射且額外方形孔隙900可定位于所述收集光瞳平面中以阻擋由于運(yùn)用方形孔隙808照射所致的來(lái)自晶片的光的衍射級(jí)。

取決于形成于晶片上的結(jié)構(gòu)，光學(xué)元件802的方形孔隙810中的一者或多者可用于阻擋光的衍射級(jí)。針對(duì)僅具有一個(gè)或兩個(gè)傅里葉級(jí)的陣列結(jié)構(gòu)，可跨越收集光瞳移動(dòng)一阻擋件或多個(gè)阻擋件來(lái)抑制衍射級(jí)。針對(duì)更復(fù)雜結(jié)構(gòu)(例如分頁(yè)或柵格狀邏輯)，曼哈頓阻擋器(Manhattan blocker)(例如，可用于抑制2D圖案的布置成正交柵格的一組規(guī)則間隔桿或以0級(jí)(鏡面)為中心的十字，其用于阻擋來(lái)自直線圖案的初級(jí)衍射級(jí)，所述直線圖案顯現(xiàn)為類(lèi)似于曼哈頓的柵格狀街道及街區(qū)圖案)可用于抑制沿x或y方向的多個(gè)衍射級(jí)。以此方式，當(dāng)用于照射的方形孔隙改變時(shí)，用于收集光瞳平面中以阻擋鏡面反射及光的衍射級(jí)的方形孔隙可改變。因此，由于經(jīng)依序引導(dǎo)到晶片的來(lái)自離散照射角度的照射，因此此配置可僅用于測(cè)量經(jīng)散射光。先前所描述的光瞳成像可與此技術(shù)一起使用以輔助衍射級(jí)阻擋。

在另一此類(lèi)實(shí)施例中，當(dāng)照射孔隙具有針對(duì)照射孔隙的一組不同參數(shù)時(shí)，通過(guò)跨越收集光瞳平面步進(jìn)一個(gè)或多個(gè)額外光阻擋元件而以光學(xué)元件的不同配置產(chǎn)生不同圖像。舉例來(lái)說(shuō)，在光瞳映射器的另一實(shí)施例中，可獨(dú)立地測(cè)量照射及收集。特定來(lái)說(shuō)，照射及收集傅里葉平面特征可彼此獨(dú)立。為測(cè)量此些特征，可跨越收集光瞳步進(jìn)除鏡面阻擋器以外的阻擋件，同時(shí)使用成像相機(jī)來(lái)記錄所得圖像。接著可針對(duì)每一照射方向重復(fù)此過(guò)程，且可使用所測(cè)量圖像來(lái)重建缺陷散射圖案。

舉例來(lái)說(shuō)，在圖9中所展示的實(shí)施例中，當(dāng)方形孔隙808正用于照射時(shí)，方形孔隙814可定位于收集光瞳平面中以阻擋鏡面反射且額外方形孔隙900可在方形孔隙808繼續(xù)用于照射時(shí)圍繞收集光瞳平面移動(dòng)。換句話說(shuō)，被打開(kāi)用于照射的方形孔隙的位置可在額外收集阻擋件跨越收集光瞳步進(jìn)時(shí)(如由箭頭902所展示)保持恒定。以此方式，額外阻擋件可圍繞收集移動(dòng)同時(shí)用于照射的照射角度的子組保持恒定。由此，本文中所描述的實(shí)施例提供可用于獨(dú)立地測(cè)量照射及收集的光瞳映射器。

由于照射及收集傅里葉平面特征可彼此獨(dú)立，因此此些實(shí)施例可為尤其有用的。舉例來(lái)說(shuō)，晶片檢驗(yàn)的挑戰(zhàn)中的一者為將缺陷與周?chē)鷫旱剐缘脑肼暦蛛x。模擬展示可用于此分離的性質(zhì)中的一者為針對(duì)各種缺陷或噪聲類(lèi)型不同的散射分布。舉例來(lái)說(shuō)，表面粗糙度噪聲可優(yōu)先呈現(xiàn)前向散射，而突出類(lèi)型缺陷可優(yōu)先呈現(xiàn)后向散射。此差別可由阻擋前向散射的收集孔隙利用借此減少噪聲影響。

在另一實(shí)例中，不同類(lèi)型的粗糙度可呈現(xiàn)不同類(lèi)型的散射。舉例來(lái)說(shuō)，在硅襯底上的兩種不同材料(硅及二氧化硅)的20nm設(shè)計(jì)規(guī)則線空間陣列上用不同統(tǒng)計(jì)參數(shù)模擬三種類(lèi)型的粗糙度(線邊緣粗糙度(LER)、線寬度粗糙度(LWR)及表面粗糙度(SUR))。接著針對(duì)不同相干照射方向計(jì)算收集光瞳平面上的光分布。這些模擬及計(jì)算展示粗糙度誘發(fā)的散射為強(qiáng)方向相依的。舉例來(lái)說(shuō)，LWR散射對(duì)于沿著針對(duì)硅線空間陣列的線的偏振的照射弱得多。相比來(lái)說(shuō)，表面粗糙度散射表現(xiàn)不同。對(duì)于二氧化硅線空間陣列，難以辨別任何類(lèi)型的粗糙度的任何偏振偏好。在所關(guān)注的統(tǒng)計(jì)參數(shù)范圍內(nèi)，LER均方根(RMS)僅改變散射強(qiáng)度但不改變散射分布圖案，而LER相關(guān)長(zhǎng)度影響散射強(qiáng)度及散射圖案兩者。因此，關(guān)于此類(lèi)散射強(qiáng)度及圖案的信息可如本文中所描述而測(cè)量以借此確定將抑制圖像中盡可能多的粗糙度相關(guān)噪聲的收集光瞳平面配置。抑制此及其它噪聲源將實(shí)現(xiàn)通過(guò)經(jīng)增強(qiáng)缺陷信號(hào)(或信噪比)對(duì)DOI的更好檢測(cè)。

盡管上文關(guān)于方形孔隙描述一些實(shí)施例，但上文所描述的實(shí)施例也可關(guān)于本文中所描述的其它照射孔隙及光學(xué)元件配置中的任一者而實(shí)施。舉例來(lái)說(shuō)，在一些實(shí)施例中，以針對(duì)照射孔隙的不同參數(shù)而產(chǎn)生不同圖像，所述照射孔隙可如本文中進(jìn)一步所描述而變化。

在一個(gè)此實(shí)施例中，基于針對(duì)照射孔隙的不同參數(shù)而確定光學(xué)元件的不同配置，以借此阻擋由于以針對(duì)照射孔隙的不同參數(shù)照射晶片所致的來(lái)自晶片的鏡面反射光。本文中所描述的光學(xué)元件配置中的任一者可經(jīng)確定且變化以阻擋由于不同照射參數(shù)所致的鏡面反射光。在一些此類(lèi)實(shí)施例中，基于針對(duì)照射孔隙的不同參數(shù)而確定光學(xué)元件的不同配置，以借此阻擋由于以針對(duì)照射孔隙的不同參數(shù)照射晶片所致的來(lái)自晶片的光的衍射級(jí)。本文中所描述的光學(xué)元件配置中的任一者可經(jīng)確定且變化以阻擋由于不同照射參數(shù)所致的鏡面衍射光。

在另一此實(shí)施例中，當(dāng)照射孔隙具有針對(duì)照射孔隙的一組不同參數(shù)時(shí)，以光學(xué)元件的不同配置而產(chǎn)生不同圖像。舉例來(lái)說(shuō)，本文中所描述的光學(xué)元件配置中的任一者可變化，使得可針對(duì)不同收集光瞳平面配置及相同照射光瞳平面配置而以實(shí)驗(yàn)方式產(chǎn)生不同圖像。

由于傅里葉空間中的光瞳映射器分辨率限于跨越光瞳的離散步進(jìn)或測(cè)量的數(shù)目，因此坐標(biāo)系的挑選非常重要。舉例來(lái)說(shuō)，在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)光學(xué)元件將在晶片的檢驗(yàn)期間執(zhí)行傅里葉濾波時(shí)，在笛卡爾(Cartesian)坐標(biāo)系中確定光學(xué)元件的不同配置。特定來(lái)說(shuō)，對(duì)于傅里葉濾波，笛卡爾坐標(biāo)系可為優(yōu)選的。在額外實(shí)施例中，當(dāng)計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)經(jīng)配置以用于映射不同圖像中的缺陷散射時(shí)，在極坐標(biāo)系中確定光學(xué)元件的不同配置。舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)于映射缺陷散射，極坐標(biāo)可為更適合的。

在一些實(shí)施例中，光學(xué)元件的不同配置對(duì)應(yīng)于收集光瞳平面中的開(kāi)口或光阻擋元件的不同位置及/或大小。舉例來(lái)說(shuō)，先前實(shí)施例的變化為收集傅里葉平面中可用于獨(dú)立地測(cè)量照射及收集的具有可變位置及大小的狹縫或開(kāi)口。替代阻擋特定散射方向，其將打開(kāi)收集傅里葉空間的離散部分，借此允許測(cè)量散射行為。

如本文中所描述的測(cè)量散射圖案的目標(biāo)通常為用于檢測(cè)DOI且抑制噪聲的孔隙或一組孔隙。因此，靈活孔隙機(jī)構(gòu)對(duì)于及時(shí)地實(shí)施所推薦的孔隙組可為合意的。此靈活機(jī)構(gòu)的一個(gè)實(shí)施例為可沿x及/或y方向移動(dòng)的一組輪及滑塊。通過(guò)將基本形狀放置于此些滑塊上且將此些滑塊組合，可配置所要孔隙。在一些實(shí)施例中，所述組收集孔隙包含一組規(guī)范離散孔隙。舉例來(lái)說(shuō)，靈活孔隙機(jī)構(gòu)的另一實(shí)施例為可用于收集基本類(lèi)型的散射(舉例來(lái)說(shuō)，前向散射或后向散射)的一組規(guī)范離散孔隙。

圖10圖解說(shuō)明此類(lèi)孔隙的一個(gè)實(shí)施例。舉例來(lái)說(shuō)，如在圖10中所展示，一組規(guī)范孔隙可包含孔隙1000、1002、1004、1006及1008。取決于照射的方向，孔隙1000及1002可用于測(cè)量前向或后向散射，而孔隙1004及1006可用于測(cè)量照射平面的不同側(cè)上的側(cè)向散射。另外，如果系統(tǒng)還包含用以更改收集光瞳平面中的孔隙的位置的機(jī)構(gòu)(例如本文中進(jìn)一步所描述的機(jī)構(gòu))，那么一組規(guī)范孔隙可包含僅一個(gè)此孔隙。所述組規(guī)范孔隙還可包含其它孔隙形狀，例如在圖10中所展示的圓形孔隙1008。再次地，如果圓形孔隙為靈活的，那么系統(tǒng)可更改收集光瞳平面中的圓形孔隙的位置及/或大小，使得可在收集光瞳平面中測(cè)量到不同方向的散射。

本文中所描述的系統(tǒng)實(shí)施例中的每一者可根據(jù)本文中所描述的任何其它實(shí)施例進(jìn)一步經(jīng)配置。另外，本文中所描述的系統(tǒng)實(shí)施例中的每一者可經(jīng)配置以執(zhí)行本文中所描述的方法實(shí)施例中的一者或多者。

另一實(shí)施例涉及一種非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體，所述非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體存儲(chǔ)可在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)上執(zhí)行以用于執(zhí)行用于在晶片檢驗(yàn)期間確定定位于收集孔隙中的光學(xué)元件的配置的計(jì)算機(jī)實(shí)施的方法的程序指令。在圖11中展示一個(gè)此實(shí)施例。舉例來(lái)說(shuō)，如在圖11中所展示，計(jì)算機(jī)可讀媒體1100存儲(chǔ)程序指令1102，所述程序指令可在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1104上執(zhí)行以用于執(zhí)行包含獲取晶片的不同圖像的計(jì)算機(jī)實(shí)施的方法。

以此方式，本文中所描述的實(shí)施例可在可由兩個(gè)不同系統(tǒng)或方法執(zhí)行的兩個(gè)不同階段中實(shí)施。舉例來(lái)說(shuō)，一個(gè)系統(tǒng)或方法可經(jīng)配置以執(zhí)行數(shù)據(jù)獲取階段，其中針對(duì)用于實(shí)驗(yàn)圖像產(chǎn)生的選定照射孔隙及所述組收集孔隙收集缺陷圖像。另一系統(tǒng)或方法可經(jīng)配置以執(zhí)行數(shù)據(jù)后處理階段，所述數(shù)據(jù)后處理階段可以軟件封裝的形式實(shí)施，基于輸入數(shù)據(jù)提供模式推薦。

不同圖像是通過(guò)以下操作產(chǎn)生：將由光源產(chǎn)生的光引導(dǎo)到晶片；及當(dāng)光學(xué)元件具有不同配置時(shí)，檢測(cè)通過(guò)所述光學(xué)元件的來(lái)自所述晶片的光，借此產(chǎn)生針對(duì)所述不同配置的不同圖像。光學(xué)元件及不同配置可包含本文中所描述的光學(xué)元件及不同配置中的任一者?？扇绫疚闹兴枋龆M(jìn)一步執(zhí)行引導(dǎo)光及檢測(cè)光。光源可包含本文中所描述的任何光源。計(jì)算機(jī)實(shí)施的方法還包含建構(gòu)一個(gè)或多個(gè)額外圖像、確定一個(gè)或多個(gè)特性、將所述一個(gè)或多個(gè)特性進(jìn)行比較及選擇不同或額外配置中的一者，所述方法可如本文中進(jìn)一步所描述而執(zhí)行。計(jì)算機(jī)實(shí)施的方法可包含本文中所描述的任何其它方法的任何其它步驟。

實(shí)施例如本文中所描述的那些方法的方法的程序指令1102可存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)可讀媒體1100上。所述計(jì)算機(jī)可讀媒體可為例如磁盤(pán)或光盤(pán)或磁帶的存儲(chǔ)媒體，或此項(xiàng)領(lǐng)域中已知的任何其它適合的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體。

可以包含基于程序的技術(shù)、基于組件的技術(shù)及/或面向?qū)ο蟮募夹g(shù)以及其它技術(shù)的各種方式中的任一者來(lái)實(shí)施程序指令。舉例來(lái)說(shuō)，可視需要使用Matlab、Visual Basic、ActiveX控件、C、C++對(duì)象、C#、JavaBeans、Microsoft基礎(chǔ)類(lèi)別(“MFC”)或者其它技術(shù)或方法來(lái)實(shí)施所述程序指令。

計(jì)算機(jī)系統(tǒng)1104可呈現(xiàn)各種形式，包含個(gè)人計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、大型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、工作站、系統(tǒng)計(jì)算機(jī)、圖像計(jì)算機(jī)、可編程圖像計(jì)算機(jī)、并行處理器或此項(xiàng)技術(shù)中已知的任何其它裝置。一般來(lái)說(shuō)，術(shù)語(yǔ)“計(jì)算機(jī)系統(tǒng)”可經(jīng)廣泛定義以囊括具有執(zhí)行來(lái)自存儲(chǔ)器媒體的指令的一個(gè)或多個(gè)處理器的任何裝置。

額外實(shí)施例涉及一種用于在晶片檢驗(yàn)期間確定定位于收集孔隙中的光學(xué)元件的配置的方法。所述方法包含將由光源產(chǎn)生的光引導(dǎo)到晶片。所述光源可如本文中所描述而配置。所述方法還包含在光學(xué)元件具有不同配置時(shí)，檢測(cè)通過(guò)光學(xué)元件的來(lái)自晶片的光，借此產(chǎn)生針對(duì)不同配置的不同圖像。所述光學(xué)元件可包含本文中所描述的光學(xué)元件中的任一者。所述不同配置可包含本文中所描述的配置中的任一者。

所述方法還包含依據(jù)不同圖像中的兩者或兩者以上建構(gòu)一個(gè)或多個(gè)額外圖像。用于產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)額外圖像中的任一者的所述兩個(gè)或兩個(gè)以上不同圖像并不僅包含針對(duì)一組中的單個(gè)收集孔隙產(chǎn)生的不同圖像。所述方法進(jìn)一步包含確定不同圖像及一個(gè)或多個(gè)額外圖像的一個(gè)或多個(gè)特性。另外，所述方法包含將不同圖像及一個(gè)或多個(gè)額外圖像的一個(gè)或多個(gè)特性進(jìn)行比較。所述方法還包含基于比較步驟的結(jié)果而選擇光學(xué)元件的不同或額外配置中的一者用于晶片的檢驗(yàn)。由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)執(zhí)行建構(gòu)、確定、比較及選擇步驟，所述計(jì)算機(jī)系統(tǒng)可經(jīng)配置為本文中所描述的計(jì)算機(jī)子系統(tǒng)或系統(tǒng)中的任一者。

可如本文中進(jìn)一步所描述而執(zhí)行上文所描述的方法的步驟中的每一者。上文所描述的方法可包含本文中所描述的(若干)任何其它方法的(若干)任何其它步驟。上文所描述的方法可使用本文中所描述的系統(tǒng)中的任一者來(lái)執(zhí)行。

本文中所描述的方法還可包含將所述方法中的任一者的步驟中的任一者的結(jié)果存儲(chǔ)于計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)媒體中。所述結(jié)果可包含本文中所描述的結(jié)果中的任一者且可以此項(xiàng)技術(shù)中已知的任何方式存儲(chǔ)。存儲(chǔ)媒體可包含此項(xiàng)技術(shù)中已知的任何適合存儲(chǔ)媒體。在已存儲(chǔ)所述結(jié)果之后，所述結(jié)果可在存儲(chǔ)媒體中存取且如本文中所描述而使用、經(jīng)格式化以顯示給用戶、由另一軟件模塊、方法或系統(tǒng)使用等。

鑒于此說(shuō)明，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將明了本發(fā)明的各種方面的進(jìn)一步修改及替代實(shí)施例。舉例來(lái)說(shuō)，提供用于在晶片檢驗(yàn)期間確定定位于收集孔隙中的光學(xué)元件的配置的方法及系統(tǒng)。因此，此說(shuō)明應(yīng)視為僅為說(shuō)明性的，且為出于教示所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員實(shí)施本發(fā)明的一般方式的目的。應(yīng)理解，本文中所展示及所描述的本發(fā)明的形式應(yīng)視為目前優(yōu)選的實(shí)施例。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員在受益于本發(fā)明的此說(shuō)明之后將全部明了，元件及材料可替代本文中所圖解說(shuō)明及所描述的那些元件及材料，部件及過(guò)程可顛倒，且本發(fā)明的一些特征可獨(dú)立地利用?？稍诓槐畴x如所附權(quán)利要求書(shū)中所描述的本發(fā)明的精神及范圍的情況下對(duì)本文中所描述的元件做出改變。