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      一種微波探測(cè)系統(tǒng)及方法與流程

      文檔序號(hào):12590994閱讀:來源:國(guó)知局

      技術(shù)特征:

      1.一種微波探測(cè)系統(tǒng),其特征在于包括多鐵異質(zhì)結(jié)和硅基共面波導(dǎo),所述硅基共面波導(dǎo)上設(shè)置多鐵異質(zhì)結(jié)。

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種微波探測(cè)系統(tǒng),其特征在于所述多鐵異質(zhì)結(jié)為鐵磁金屬薄膜和鐵電單晶進(jìn)行層狀復(fù)合而成的多鐵異質(zhì)結(jié)。

      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述微波探測(cè)系統(tǒng)的探測(cè)方法,其特征在于包括如下步驟:

      對(duì)微波探測(cè)系統(tǒng)施加外電場(chǎng)E,并進(jìn)行電場(chǎng)控制調(diào)節(jié)標(biāo)定,建立外電場(chǎng)E與共振頻率的一一對(duì)應(yīng)關(guān)系f(E)=γ(H0+kE),其中H0為外加靜磁場(chǎng)強(qiáng)度,γ為電子旋磁比,E為外電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度,k為線性系數(shù),然后對(duì)微波探測(cè)系統(tǒng)施加未知微波;

      獲取微波頻率的步驟,對(duì)已施加未知微波的微波探測(cè)系統(tǒng)進(jìn)行電場(chǎng)掃描,獲得出現(xiàn)微波功率吸收峰處的電場(chǎng)強(qiáng)度E1,根據(jù)外電場(chǎng)E與共振頻率的對(duì)應(yīng)關(guān)系f(E1)=γ(H0+k E1),獲得被探測(cè)微波的頻率f(E1);

      獲取微波方向的步驟,對(duì)已施加未知微波的微波探測(cè)系統(tǒng)進(jìn)行電場(chǎng)掃描,獲得出現(xiàn)微波功率吸收峰處的電場(chǎng)強(qiáng)度E1,構(gòu)建外電場(chǎng)E與共振頻率的關(guān)系f(E1)=γ(H0+kE)sinθ,θ為未知微波入射方向與總磁場(chǎng)H方向的夾角,即獲得微波方向;

      獲取微波相位的步驟,對(duì)已施加未知微波的微波探測(cè)系統(tǒng)進(jìn)行電阻測(cè)量,所述電阻測(cè)量為測(cè)量鐵磁薄膜的電阻;獲得電阻的相位變化,微波相位與電阻變化相位一致,即獲得微波相位。

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