本發(fā)明涉及一種電動汽車直流充電樁技術領域，尤其是指一種基于雙邊橋直流充電樁絕緣檢測電路及檢測方法。
背景技術：
電動汽車直流充電樁是一個復雜的機電一體化產(chǎn)品會涉及高壓電器絕緣問題。這些部件的工作條件比較惡劣，振動、酸堿氣體的腐蝕、溫度及濕度的變化，都有可能造成動力電纜及其他絕緣材料迅速老化甚至絕緣破損，使設備絕緣強度大大降低，引發(fā)絕緣事故。
絕緣事故的發(fā)生將直接影響繼電保護裝置的準確動作，進而發(fā)生誤動作，導致供電故障，造成用電安全與不必要的經(jīng)濟損失。因此，為了減少這種絕緣事故，必須有一個良好的絕緣監(jiān)測方法。絕緣監(jiān)測是為了能在平時更好地對直流供電系統(tǒng)進行監(jiān)測，能及時發(fā)現(xiàn)問題，檢測出設備的絕緣程度是否處于所要求的范圍內(nèi)，通過試驗檢測，掌握直流供電系統(tǒng)的絕緣情況，可保證系統(tǒng)及早發(fā)現(xiàn)缺陷，從而進行相應的維修與檢修。
為避免絕緣事故的發(fā)生，最有效的途徑是添加絕緣檢測保護電路，目前直流充電機的絕緣監(jiān)測技術有多種方式，但都存在一些缺點，如繼電器檢測方式靈敏度低，平衡電橋法在正負極絕緣同時降低時不能準確及時報警，注入交流信號法測量結(jié)果受系統(tǒng)的分布電容影響，分辨率低。與電力系統(tǒng)直流絕緣監(jiān)測不同的是，電動汽車直流系統(tǒng)電壓等級涵蓋的范圍寬，而且運行過程中電壓頻繁變化。
技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術中絕緣檢測保護電路存在靈敏度低、報警不及時，不能對電壓頻繁變化做出及時響應的缺陷，提供一種基于雙邊橋直流充電樁絕緣檢測電路及檢測方法。
本發(fā)明的目的是通過下述技術方案予以實現(xiàn)：
一種基于雙邊橋直流充電樁絕緣檢測電路，包括電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、光耦N1和光耦N2，電阻R1、電阻R2和電阻R3串聯(lián)在直流電源正極和地之間，電阻R3、電阻R4和電阻R5串聯(lián)在直流電源負極和地之間，光耦N1并聯(lián)在電阻R2的兩端，光耦N2并聯(lián)在電阻R4的兩端。
通過光耦的通斷可以改變直流電源正極和地之間的接地電阻以及直流電源負極和地之間的接地電阻，然后通過采集對地電壓到芯片，芯片可以計算出接地電阻值，根據(jù)計算的電阻值判斷雙邊橋直流充電樁是否處于正常的絕緣狀態(tài)。
一種基于雙邊橋直流充電樁絕緣檢測電路的檢測方法，包括以下步驟：
步驟1，將包含有光耦和接地電阻的檢測電路設置在被測點和大地之間，采集被測點的對地電壓；
步驟2，芯片控制光耦的通斷，改變接地電阻的阻值，然后再采集被測點的對地電壓，將被測點的對地電壓傳遞到芯片；
步驟3，芯片對采集到的對地電壓建立方程求解，計算實際的接地電阻的阻值。
作為一種優(yōu)選方案，步驟2和步驟3具體為：
設DC+與DC-對地的接地電阻分別為電阻Rx1與電阻Rx2，電阻Rx1與光耦N1配合，電阻Rx2與光耦N2配合，其中DC+和DC-分別表示直流電源正極和直流電源負極，在光耦N1和光耦N2都不導通的情況下電阻Rx1為R1+R2+R5；電阻Rx2為R3+R4+R6；
當芯片控制光耦N1導通，光耦N2不導通的的情況下，測試電阻R5與電阻R6兩端的電壓，設測得R5與R6兩端電壓分別為Ux1與Ux2，
由此電壓可推出DC+對地電壓為：
U1=Ux1*（R1+R5)/R5；
DC-對地電壓為：
U2=Ux2*（R3+R4+R6)/R6；
此時電阻Rx1為R1+R5；電阻Rx2為R3+R4+R6；
由上述可得方程(1):；
同理當芯片控制光耦N1不導通，光耦N2導通的的情況下，測試R5與R6兩端的電壓，設測得R5與R6兩端電壓分別為Ux3與Ux4，
由此電壓可推出DC+對地電壓為：
U3=Ux3*（R1+R2+R5)/R5；
DC-對地電壓為：
U4=Ux4*（R3+R6)/R6；
此時電阻Rx1為R1+R2+R5；電阻Rx2為R3+R6；
由上述可得方程(2):
對方程（1）與方程（2）求解，即可得到電阻Rx1與電阻Rx2的具體阻值，即DC+與DC-對地的接地電阻。
作為一種優(yōu)選方案，在步驟2中，采集被測點的對地電壓后對電壓信號通過運算放大器進行放大處理，然后再傳遞到芯片。
作為一種優(yōu)選方案，在步驟2中，對地電壓傳遞到智能芯片的傳遞方式是通過線性光耦傳遞。
本發(fā)明的有益效果是，基于雙邊橋直流充電樁絕緣檢測電路及檢測方法的接地電阻的計算通過芯片完成，準確性較高，適合在電動汽車直流充電樁上應用。且本發(fā)明結(jié)構簡單、實用性強、易于實現(xiàn)。
附圖說明
圖1是本發(fā)明的檢測電路的電路圖。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明進一步描述。
實施例：一種基于雙邊橋直流充電樁絕緣檢測電路，如圖所示，包括電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、光耦N1和光耦N2，電阻R1、電阻R2和電阻R3串聯(lián)在直流電源正極和地之間，電阻R3、電阻R4和電阻R5串聯(lián)在直流電源負極和地之間，光耦N1并聯(lián)在電阻R2的兩端，光耦N2并聯(lián)在電阻R4的兩端。
一種基于雙邊橋直流充電樁絕緣檢測電路的檢測方法，包括以下步驟：
步驟1，將包含有光耦和接地電阻的檢測電路設置在被測點和大地之間，采集被測點的對地電壓；
步驟2，芯片控制光耦的通斷，改變接地電阻的阻值，然后再采集被測點的對地電壓，采集被測點的對地電壓后對電壓信號通過運算放大器進行放大處理，然后再通過線性光耦傳遞到芯片；
步驟3，芯片對采集到的對地電壓建立方程求解，計算實際的接地電阻的阻值。
所述的步驟2和步驟3具體為：
設DC+與DC-對地的接地電阻分別為電阻Rx1與電阻Rx2，電阻Rx1與光耦N1配合，電阻Rx2與光耦N2配合，其中DC+和DC-分別表示直流電源正極和直流電源負極，在光耦N1和光耦N2都不導通的情況下電阻Rx1為R1+R2+R5；電阻Rx2為R3+R4+R6；
當芯片控制光耦N1導通，光耦N2不導通的的情況下，測試電阻R5與電阻R6兩端的電壓，設測得R5與R6兩端電壓分別為Ux1與Ux2，
由此電壓可推出DC+對地電壓為：
U1=Ux1*（R1+R5)/R5；
DC-對地電壓為：
U2=Ux2*（R3+R4+R6)/R6；
此時電阻Rx1為R1+R5；電阻Rx2為R3+R4+R6；
由上述可得方程(1):；
同理當芯片控制光耦N1不導通，光耦N2導通的的情況下，測試R5與R6兩端的電壓，設測得R5與R6兩端電壓分別為Ux3與Ux4，
由此電壓可推出DC+對地電壓為：
U3=Ux3*（R1+R2+R5)/R5；
DC-對地電壓為：
U4=Ux4*（R3+R6)/R6；
此時電阻Rx1為R1+R2+R5；電阻Rx2為R3+R6；
由上述可得方程(2):
對方程（1）與方程（2）求解，即可得到電阻Rx1與電阻Rx2的具體阻值，即DC+與DC-對地的接地電阻。
通過光耦的通斷可以改變直流電源正極和地之間的接地電阻以及直流電源負極和地之間的接地電阻，然后通過采集對地電壓到芯片，芯片可以計算出接地電阻值，根據(jù)計算的電阻值判斷雙邊橋直流充電樁是否處于正常的絕緣狀態(tài)。