柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括：所述柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)包括襯底、柵極結(jié)構(gòu)、與所述襯底電連接的第一焊盤、與所述柵極結(jié)構(gòu)電連接的第二焊盤，所述柵極結(jié)構(gòu)包括位于所述襯底上的柵氧化層和位于所述柵氧化層上的柵電極，其中，所述柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括一金屬熔絲，所述金屬熔絲設(shè)置于所述柵極結(jié)構(gòu)與第二焊盤之間。由于本實(shí)用新型提供的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)中包含有一金屬熔絲，所述金屬熔絲在柵氧化層完整性測(cè)試中，可于電壓擊穿時(shí)即時(shí)斷開，保護(hù)柵氧化層中的缺陷不被電流燒傷，保留缺陷的原有形貌，有利于后續(xù)對(duì)缺陷的分析。
【專利說(shuō)明】
柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]柵氧化層是半導(dǎo)體器件如MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)中的重要結(jié)構(gòu)，如果柵氧化層上存在缺陷將導(dǎo)致器件的可靠性下降。然而，在器件制造過(guò)程中，經(jīng)常會(huì)由于金屬污染或氧化膜局部變薄等因素而影響柵氧化層的質(zhì)量。因此，對(duì)柵氧化層的質(zhì)量的驗(yàn)證于半導(dǎo)體器件的制造過(guò)程中至關(guān)重要，其中，柵氧化層完整性測(cè)試(Gate OxideIntegrity G0I)就是驗(yàn)證柵氧化層的質(zhì)量的測(cè)試過(guò)程。為了實(shí)現(xiàn)柵氧化層完整性測(cè)試，需在器件中先形成用于測(cè)試的結(jié)構(gòu)(testkey)，即柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)，通過(guò)該柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)可達(dá)到對(duì)制作工藝的監(jiān)控及保證半導(dǎo)體器件的可靠性的目的。目前所采用的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)通常包括:襯底端子和柵極端子，所述襯底端子和所述柵極端子均與不同的焊盤連接。
[0003]介質(zhì)擊穿測(cè)試為柵氧化層完整性測(cè)試中的重要評(píng)估項(xiàng)目。目前介質(zhì)擊穿測(cè)試通常采用斜坡電壓法，斜坡電壓測(cè)試法為通過(guò)不斷增大通入柵極的電壓，同時(shí)量測(cè)不同電壓對(duì)應(yīng)的電流，直至該柵氧化層被擊穿，從而可確認(rèn)該柵氧化層的擊穿電壓。并將檢測(cè)得到的擊穿電壓與規(guī)格電壓進(jìn)行比對(duì)，當(dāng)測(cè)得的擊穿電壓大于規(guī)格電壓，則該柵氧化層的質(zhì)量合格；當(dāng)測(cè)得的擊穿電壓小于規(guī)格電壓時(shí)，則意味著該柵氧化層中可能存在缺陷。但是，如上所述，造成測(cè)試結(jié)果不合格的柵氧化層內(nèi)的缺陷的產(chǎn)生原因較為復(fù)雜，如金屬污染、氧化膜局部變薄或后段等離子體誘導(dǎo)損傷等，因此產(chǎn)生柵氧化層內(nèi)的缺陷的具體原因需根據(jù)缺陷的形貌或成分對(duì)缺陷進(jìn)行分析，進(jìn)而才能改善該缺陷的產(chǎn)生。然而，當(dāng)所述柵氧化層中存在有缺陷時(shí)，則于柵氧化層被擊穿后，所述缺陷位置會(huì)最先被擊穿，從而瞬間產(chǎn)生的大電流會(huì)燒傷所述缺陷的位置，導(dǎo)致無(wú)法辨認(rèn)該缺陷的原有的形貌，進(jìn)而導(dǎo)致對(duì)柵氧化層中的缺陷分析造成困難。
[0004]因此，如何保證在柵氧化層完整性測(cè)試時(shí)既可以實(shí)現(xiàn)對(duì)柵氧化層質(zhì)量的驗(yàn)證，同時(shí)又能夠不燒傷缺陷位置，從而可以完整地保留缺陷的原來(lái)形貌，益于后續(xù)的缺陷分析及改善，已成為一個(gè)至關(guān)重要的問題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的目的在于提供一種柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中于柵氧化層完整性測(cè)試時(shí)，在電壓擊穿后，無(wú)法保留柵氧化層中的缺陷的形貌，導(dǎo)致對(duì)缺陷的分析造成困難的問題。
[0006]為解決上述問題，本實(shí)用新型提供一種柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括襯底、柵極結(jié)構(gòu)、與所述襯底電連接的第一焊盤、與所述柵極結(jié)構(gòu)電連接的第二焊盤，所述柵極結(jié)構(gòu)包括位于所述襯底上的柵氧化層和位于所述柵氧化層上的柵電極，其特征在于:所述柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括金屬熔絲，所述金屬熔絲設(shè)置于所述柵極結(jié)構(gòu)與第二焊盤之間。
[0007]可選的，所述柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括襯底端子，所述襯底通過(guò)襯底端子與第一焊盤實(shí)現(xiàn)電連接，所述襯底端子包括第一導(dǎo)電插塞和與所述第一導(dǎo)電插塞連接的第一金屬，所述第一焊盤與第一金屬層電連接。
[0008]可選的，所述柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括柵極端子，所述柵極結(jié)構(gòu)通過(guò)所述柵極端子與第二焊盤實(shí)現(xiàn)電連接，所述柵極端子包括第二導(dǎo)電插塞和與所述第二導(dǎo)電插塞連接的第二金屬層，所述第二焊盤與第二金屬層電連接。
[0009]可選的，所述第一金屬層、第二金屬層與金屬熔絲位于同一金屬層中。
[0010]可選的，所述金屬熔絲均為銅或鋁。
[0011 ]可選的，所述金屬熔絲為一長(zhǎng)條形結(jié)構(gòu)。
[0012]可選的，所述金屬熔絲包括至少一個(gè)第一金屬段和至少一個(gè)第二金屬段，所述第一金屬段和所述第二金屬段交替連接，所述第一金屬段的橫截面大于所述第二金屬段的橫截面積。
[0013]可選的，所述柵氧化層為二氧化硅，或者其它絕緣材料例如氮氧化硅、二氧化鉿等。
[0014]可選的，所述柵電極為多晶硅柵極或金屬柵極。
[0015]可選的，所述襯底上還設(shè)置有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)用于間隔所述襯底端子和所述柵極端子。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型提供的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)，具有以下有益效果:
[0017]由于本實(shí)用新型提供的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)中，于柵極端子和與所述柵極端子對(duì)應(yīng)的焊盤之間還連接有一金屬熔絲，所述金屬熔絲于電壓擊穿時(shí)，因?yàn)榱鹘?jīng)的大電流可即時(shí)斷開，保護(hù)柵氧化層中的缺陷不被大電流燒傷，從而保留了缺陷的原來(lái)形貌，有利于后續(xù)對(duì)缺陷的分析及改善。因此，本實(shí)用新型提供的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)即可達(dá)到對(duì)柵氧化層完整性測(cè)試的目的，又能夠保護(hù)柵氧化層中的缺陷的不被電流燒傷。
【附圖說(shuō)明】

[0018]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一中的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)的俯視圖；
[0019]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例一中的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0020]圖3a_圖3d為本實(shí)用新型實(shí)施例一中柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)的形成過(guò)程中的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖4為采用本實(shí)用新型實(shí)施例一的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行柵氧化層完整性測(cè)試的流程圖；
[0022]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例二中的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)的俯視圖；
[0023]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例二中的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型提出的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。
[0025]實(shí)施例一
[0026]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一中的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)的示意圖，圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例一中的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。如圖1和圖2所示，所述柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)包括襯底10、柵極結(jié)構(gòu)20、與所述襯底10電連接的第一焊盤13、與所述柵極結(jié)構(gòu)20電連接的第二焊盤23以及金屬熔絲24，所述柵極結(jié)構(gòu)20包括位于所述襯底10上的柵氧化層21和位于所述柵氧化層21上的柵電極22，所述金屬熔絲24設(shè)置于所述柵極結(jié)構(gòu)20與第二焊盤23之間。
[0027]當(dāng)進(jìn)行柵氧化層完整性測(cè)試時(shí)，根據(jù)待測(cè)器件的電性特性，設(shè)定規(guī)格電壓及規(guī)格電流，其中規(guī)格電流小于等于柵氧化層被擊穿后產(chǎn)生的電流，當(dāng)流經(jīng)所述金屬熔絲24的電流大于所述規(guī)格電流時(shí)，金屬熔絲24可被燒斷。即當(dāng)施加于柵氧化層上的電壓大于所述柵氧化層的擊穿電壓時(shí)，柵氧化層被擊穿，則瞬間產(chǎn)生的大電流會(huì)優(yōu)選燒斷所述金屬熔絲24，從而使所述柵氧化層內(nèi)的缺陷不被燒傷。采用本實(shí)施例提供的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)即可檢測(cè)出柵氧化層的擊穿電壓，同時(shí)又使柵氧化層中的缺陷形貌完整保留而不被燒傷。
[0028]本實(shí)施例中，所述柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括一襯底端子，所述襯底10通過(guò)所述襯底端子與第一焊盤13實(shí)現(xiàn)電連接，所述襯底端子包括第一導(dǎo)電插塞15及與所述第一導(dǎo)電插塞15電連接的第一金屬層16，所述第一焊盤13與第一金屬層16電連接。
[0029]進(jìn)一步的，所述柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括柵極端子，與襯底端子類似，所述柵極結(jié)構(gòu)20通過(guò)所述柵極端子和金屬熔絲24與第二焊盤23實(shí)現(xiàn)電連接，所述柵極端子包括第二導(dǎo)電插塞25和與所述第二導(dǎo)電插塞25連接的第二金屬層26，所述第二焊盤23通過(guò)金屬熔絲24與第二金屬層26電連接。
[0030]優(yōu)選的，所述金屬熔絲24、第一金屬層16及第二金屬層26均為同一種金屬，且通過(guò)同一工藝形成，即所述金屬熔絲24、第一金屬層16及第二金屬層26形成于同一層中。例如，所述金屬熔絲24、第一金屬層16及第二金屬層26均為銅(Cu)或鋁(Al)。當(dāng)然，所述金屬恪絲24、第一金屬層16及第二金屬層26亦可由不同的金屬制成。
[0031]圖3a_圖3b為本實(shí)用新型實(shí)施例一中柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)的形成過(guò)程中的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032]首先，如圖3a所示，提供一襯底10，所述襯底10上形成有柵極結(jié)構(gòu)20(非柵極區(qū)域有高濃度離子注入及自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物形成)，并于所述襯底10上形成一圖形化的第一層間介質(zhì)層41。具體的，在所述襯底10上沉積一第一層間介質(zhì)層41，隨后在所述第一層間介質(zhì)層41上形成光刻膠，并對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影以使其圖形化，再以圖形化的光刻膠為掩膜蝕刻第一層間介質(zhì)層41，形成貫穿所述第一層間介質(zhì)層41的第一開口 151和第二開口 251，所述第一開口 151和第二開口 251的位置分別與襯底10和柵極結(jié)構(gòu)20的位置相對(duì)應(yīng)。
[0033]然后，如圖3b所示，于所述第一開口 151和第二開口 251中充填導(dǎo)電材料，例如金屬。具體的，可采用物理氣相沉積工藝(PVD)于所述襯底10上沉積一金屬層，并使用化學(xué)機(jī)械研磨工藝(CMP)去除第一層間介質(zhì)層41上方的金屬，從而形成第一導(dǎo)電插塞15和第二導(dǎo)電插塞25。
[0034]接著，參考圖3c所示，在所述第一層間介質(zhì)層41上方形成一圖形化的第二層間介質(zhì)層42。具體的，在沉積有第二層間介質(zhì)層42的襯底10上旋涂光刻膠，并對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影以使其圖形化，再以圖形化的光刻膠為掩膜蝕刻第二層間介質(zhì)層42，進(jìn)而在所述第一導(dǎo)電插塞15的上方形成第一凹槽161，在所述第二導(dǎo)電插塞25的上方形成第二凹槽261，另外還形成與第二凹槽261連通的第三凹槽241，所述第三凹槽241位置即為后續(xù)形成金屬熔絲24的位置，因此所述第三凹槽241的形狀根據(jù)實(shí)際形成的金屬熔絲的具體形狀而設(shè)定。本實(shí)施例中，所述金屬熔絲24為長(zhǎng)條形結(jié)構(gòu)。
[0035]接下來(lái)，如圖3d所示，在所述第二層間介質(zhì)層42上以及所述第一凹槽161、第二凹槽261、第三凹槽241中形成金屬層；
[0036]最后，如圖2所示，利用化學(xué)機(jī)械研磨工藝(CMP)去除所述第二層間介質(zhì)層42上方的金屬層，以形成柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)。
[0037]以下，以采用本實(shí)施例提供的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行介質(zhì)擊穿測(cè)試為例，進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)用新型的有益效果。目前介質(zhì)擊穿測(cè)試通常采用斜坡電壓法，斜坡電壓測(cè)試法為通過(guò)不斷增大通入柵極的電壓，同時(shí)量測(cè)不同電壓對(duì)應(yīng)的電流，直至該柵氧化層被擊穿，從而可確認(rèn)該柵氧化層的擊穿電壓。并將檢測(cè)得到的擊穿電壓與規(guī)格電壓進(jìn)行比對(duì)，當(dāng)測(cè)得的擊穿電壓大于規(guī)格電壓，則該柵氧化層的質(zhì)量合格；當(dāng)測(cè)得的擊穿電壓小于規(guī)格電壓時(shí)，則意味著該柵氧化層中可能存在缺陷。
[0038]圖4為采用本實(shí)用新型實(shí)施例一的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行柵氧化層完整性測(cè)試的流程圖，圖中以斜坡電壓法為例。需要說(shuō)明的是，根據(jù)待測(cè)器件的尺寸和具體工藝，測(cè)試過(guò)程中用于判斷結(jié)果是否合格的規(guī)格電流和規(guī)格電壓有較大的差異，因此本實(shí)施中并沒有對(duì)其數(shù)值做過(guò)多的涉及。請(qǐng)參考圖4，并結(jié)合圖2所示，本實(shí)施例的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)的測(cè)試過(guò)程包括:
[0039]SI，于柵氧化層上施加逐步增大的電壓，并檢測(cè)出與電壓值對(duì)應(yīng)的電流值，具體的，在與襯底端子對(duì)應(yīng)的第一焊盤13和與柵極端子對(duì)應(yīng)的第二焊盤23之間連接一測(cè)試機(jī)，測(cè)試機(jī)于第二焊盤23上施加逐步增大的電壓，與此同時(shí)，所述測(cè)試機(jī)可實(shí)時(shí)檢測(cè)出不同電壓反饋回的電流值。由于所述第一焊盤13連接于所述襯底10，所述第二焊盤23連接于所述柵極結(jié)構(gòu)20，因此，本步驟實(shí)質(zhì)是通過(guò)第一焊盤13和第二焊盤23對(duì)柵氧化層施加逐步增大的電壓；
[0040]S2，判斷電流值是否大于規(guī)格電流，如果檢測(cè)到的電流值小于規(guī)格電流，則繼續(xù)執(zhí)行步驟SI;若檢測(cè)到的電流值大于所述規(guī)格電流，則執(zhí)行步驟三S3;
[0041]S3，金屬熔絲24優(yōu)先斷開，當(dāng)通過(guò)柵氧化層21的電流大于預(yù)設(shè)定的規(guī)格電流時(shí)，SP所述柵氧化層21擊穿時(shí)，產(chǎn)生的大電流優(yōu)選燒斷金屬熔絲24;
[0042]S4，判斷擊穿電壓是否大于規(guī)格電壓，其中，金屬熔絲24斷開時(shí)的電流值所對(duì)應(yīng)的電壓值即是擊穿電壓，如果擊穿電壓大于規(guī)格電壓，表明所述柵氧化層中沒有缺陷，則執(zhí)行步驟S5，將結(jié)果標(biāo)記為合格;若是金屬熔絲24斷開時(shí)的電壓值小于規(guī)格電壓，則表明柵氧化層中可能存在缺陷，則執(zhí)行步驟S6，將結(jié)果標(biāo)記為不合格，并可根據(jù)保留下的缺陷的形貌對(duì)所述缺陷進(jìn)行分析。
[0043]實(shí)施例二
[0044]本實(shí)施例中的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)是在體式(Bulk)柵氧化層測(cè)試結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上進(jìn)行該進(jìn)而得出的，圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例二的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例二的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0045]如圖5與圖6所示，所述柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)包括:襯底100、柵極結(jié)構(gòu)200、與所述襯底100電連接的第一焊盤130、與所述柵極結(jié)構(gòu)200電連接的第二焊盤230以及金屬熔絲240，所述金屬熔絲240設(shè)置于所述柵極結(jié)構(gòu)200與第二焊盤230之間。其中，所述柵極結(jié)構(gòu)200包括位于所述襯底100上的柵氧化層210和位于所述柵氧化層210上的柵電極220，優(yōu)選的，所述柵氧化層210為二氧化硅，所述柵電極220為多晶硅柵極或金屬柵極。
[0046]與實(shí)施例一類似，本實(shí)施例中的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)也包括一襯底端子，所述襯底100通過(guò)所述襯底端子與第一焊盤130實(shí)現(xiàn)電連接，所述襯底端子包括多個(gè)第一導(dǎo)電插塞150及與所述第一導(dǎo)電插塞150電連接的第一金屬層160，所述第一焊盤130與第一金屬層160電連接。
[0047]進(jìn)一步的，本實(shí)施例中的所述柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括柵極端子，所述柵極結(jié)構(gòu)200通過(guò)所述柵極端子與第二焊盤230實(shí)現(xiàn)電連接，所述柵極端子包括多個(gè)第二導(dǎo)電插塞250和與所述第二導(dǎo)電插塞250連接的第二金屬層260，所述第二焊盤230與第二金屬層260電連接。
[0048]優(yōu)選的，本實(shí)施例中的金屬熔絲240具有一鏈狀結(jié)構(gòu)，所述鏈狀結(jié)構(gòu)包括第一金屬段240a和第二金屬段240b，并且所述第一金屬段240a的寬度Dl大于所述第二金屬段240b的寬度D2，所述第一金屬段240a與所述第二金屬段240b交替連接。當(dāng)大電流流經(jīng)這種寬度大小交替連接的鏈狀結(jié)構(gòu)時(shí)，所述具有較小寬度的第二金屬段240b易被燒斷，有利于金屬熔絲240在較短的時(shí)間內(nèi)斷開電路。
[0049]繼續(xù)參考圖5和圖6所示，所述襯底100上還可以設(shè)置有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)(STI)300，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)300用于間隔所述襯底端子和所述柵極端子，從而可消除寄生晶體管，使柵氧化層可承受更大的擊穿電壓。
[0050]較佳的，如圖5所示，本實(shí)用新型提供的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括用于引出源極的源極端子500以及用于引出漏極的漏極端子600。在測(cè)試過(guò)程中，為了避免柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)中的各種寄生節(jié)點(diǎn)，可通過(guò)引入源極端子和漏極端子以獲得準(zhǔn)確的擊穿電壓。
[0051]綜上所述，本實(shí)用新型提供的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)能夠在完成柵氧化層完整性測(cè)試的基礎(chǔ)上，保留了柵氧化層中的缺陷的原來(lái)形貌，便于后續(xù)對(duì)缺陷的分析。需要說(shuō)明的是，雖然本實(shí)用新型提供的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)中增加了一金屬熔絲，金屬熔絲帶有一定的阻值，但是金屬熔絲上的阻值較小，對(duì)測(cè)試結(jié)果并不會(huì)造成明顯的影響。
[0052]本實(shí)用新型中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說(shuō)明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見即可。
[0053]上述描述僅是對(duì)本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的描述，并非對(duì)本實(shí)用新型范圍的任何限定，本實(shí)用新型領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾，均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)，所述柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)包括襯底、柵極結(jié)構(gòu)、與所述襯底電連接的第一焊盤、與所述柵極結(jié)構(gòu)電連接的第二焊盤，所述柵極結(jié)構(gòu)包括位于所述襯底上的柵氧化層和位于所述柵氧化層上的柵電極，其特征在于:所述柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括金屬熔絲，所述金屬熔絲設(shè)置于所述柵極結(jié)構(gòu)與第二焊盤之間。2.如權(quán)利要求1所述的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括襯底端子，所述襯底通過(guò)襯底端子與第一焊盤實(shí)現(xiàn)電連接，所述襯底端子包括第一導(dǎo)電插塞和與所述第一導(dǎo)電插塞連接的第一金屬，所述第一焊盤與第一金屬層電連接。3.如權(quán)利要求2所述的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)還包括柵極端子，所述柵極結(jié)構(gòu)通過(guò)所述柵極端子與第二焊盤實(shí)現(xiàn)電連接，所述柵極端子包括第二導(dǎo)電插塞和與所述第二導(dǎo)電插塞連接的第二金屬層，所述第二焊盤與第二金屬層電連接。4.如權(quán)利要求3所述的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述第一金屬層、第二金屬層與金屬熔絲位于同一金屬層中。5.權(quán)利要求1所述的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬熔絲為銅或鋁。6.如權(quán)利要求1所述的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬熔絲為一長(zhǎng)條形結(jié)構(gòu)。7.如權(quán)利要求1所述的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬熔絲包括至少一個(gè)第一金屬段和至少一個(gè)第二金屬段，所述第一金屬段和所述第二金屬段交替連接，所述第一金屬段的寬度大于所述第二金屬段的寬度。8.如權(quán)利要求1所述的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述柵氧化層為二氧化硅、氮氧化硅或二氧化鉿。9.如權(quán)利要求1所述的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述柵電極為多晶硅柵極或金屬柵極。10.如權(quán)利要求3所述的柵氧化層完整性測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述襯底上還設(shè)置有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)用于間隔所述襯底端子和柵極端子。
【文檔編號(hào)】G01R31/26GK205720547SQ201620541909
【公開日】2016年11月23日
【申請(qǐng)日】2016年6月2日
【發(fā)明人】袁芳, 張冠, 董燕
【申請(qǐng)人】中芯國(guó)際集成電路制造（天津）有限公司, 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司