本發(fā)明涉及電路檢測領(lǐng)域，特別地，涉及一種大功率三相橋式驅(qū)動器用測試裝置。

背景技術(shù)：

大功率三相橋式驅(qū)動器的電路結(jié)構(gòu)主要包含兩個部分：MOSFET橋與控制電路。MOSFET橋包含6個對稱的MOSFET，控制電路包含芯片使能管腳、對6個MOSFET的使能控制管腳、過電流保護(hù)管腳等控制管腳。工作時，通過控制電路對6個MOSFET的交替控制實(shí)現(xiàn)MOSFET橋部分的三相特定輸出。該類器件測試時MOSFET橋部分需要工作在75V*10A的條件，要求設(shè)備有較強(qiáng)的多通道大功率驅(qū)動能力，而控制電路部分需要實(shí)現(xiàn)高精度的電流/電壓控制，因此實(shí)現(xiàn)整個驅(qū)動器的測試需要測試設(shè)備兼顧多通道大功率驅(qū)動能力與高精度測試能力，一般的測試設(shè)備很難達(dá)到要求。

針對現(xiàn)有技術(shù)中的測試設(shè)備無法驅(qū)動大功率三相橋式驅(qū)動器的問題，目前尚未有有效的解決方案。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提出一種大功率三相橋式驅(qū)動器用測試裝置，能夠驅(qū)動大功率三相橋式驅(qū)動器，對大功率三相橋式驅(qū)動器進(jìn)行正常的測試工作。

基于上述目的，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種大功率三相橋式驅(qū)動器用測試裝置，包括：

繼電器矩陣，繼電器矩陣連接至待測大功率三相橋式驅(qū)動器，用于選擇性的向待測大功率三相橋式驅(qū)動器輸出電壓與電流；

大功率浮地電源，大功率浮地電源連接至繼電器矩陣，用于通過繼電器矩陣的向待測大功率三相橋式驅(qū)動器輸出多通道的大功率電壓與電流。

其中，待測大功率三相橋式驅(qū)動器包括晶體管橋，繼電器矩陣連接至待測大功率三相橋式驅(qū)動器，為繼電器矩陣連接至待測大功率三相橋式驅(qū)動器的晶體管橋。

并且，繼電器矩陣包括多個繼電器，多個繼電器在繼電器矩陣中以矩陣形式結(jié)構(gòu)連接；繼電器矩陣選擇性的向待測大功率三相橋式驅(qū)動器輸出電壓與電流，為繼電器矩陣在外界對每個繼電器通斷情況的控制下，選擇性的向待測大功率三相橋式驅(qū)動器輸出電壓與電流。

并且，外界對每個繼電器通斷情況的控制為使用顯示查找表同時控制每個繼電器的通斷情況。

同時，繼電器矩陣中同一行的繼電器均連接至晶體管橋的同一位置。

并且，大功率浮地電源包括多個輸出端，繼電器矩陣中同一列的繼電器均連接至大功率浮地電源的同一端。

具體地，待測大功率三相橋式驅(qū)動器為MSK4300，大功率浮地電源為ETS364配置的HPU板；繼電器矩陣的尺寸為4列*10行，每個繼電器均連接至顯示查找表、電源、行向公共線與列向公共線；其中，10條行向公共線以每兩條為一組分別連接至晶體管橋的正極端、負(fù)極端、A相中間端、B相中間端、C相中間端；4條列向公共線分別連接至HPU板的HPU_HIGH_FORCE、HPU_HIGH_SENSE、HPU_LOW_FORCE與HPU_LOW_SENSE端。

從上面所述可以看出，本發(fā)明提供的技術(shù)方案通過使用大功率浮地電源提供多通道的大功率電壓與電流并在繼電器矩陣的控制下向大功率三相橋式驅(qū)動器供能的技術(shù)手段，使得測試裝置能夠驅(qū)動大功率三相橋式驅(qū)動器，對大功率三相橋式驅(qū)動器進(jìn)行正常的測試工作。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例的一種大功率三相橋式驅(qū)動器用測試裝置的結(jié)構(gòu)圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例的繼電器矩陣、HPU板與MSK4300在工作狀態(tài)下的各端口連接關(guān)系圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)一步進(jìn)行清楚、完整、詳細(xì)地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種大功率三相橋式驅(qū)動器用測試裝置。

如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提供的大功率三相橋式驅(qū)動器用測試裝置包括：

繼電器矩陣1，繼電器矩陣1連接至待測大功率三相橋式驅(qū)動器0，用于選擇性的向待測大功率三相橋式驅(qū)動器0輸出電壓與電流；

大功率浮地電源2，大功率浮地電源2連接至繼電器矩陣1，用于通過繼電器矩陣1的向待測大功率三相橋式驅(qū)動器0輸出多通道的大功率電壓與電流。

其中，待測大功率三相橋式驅(qū)動器0包括晶體管橋，繼電器矩陣1連接至待測大功率三相橋式驅(qū)動器0，為繼電器矩陣1連接至待測大功率三相橋式驅(qū)動器0的晶體管橋。

并且，繼電器矩陣1包括多個繼電器，多個繼電器在繼電器矩陣1中以矩陣形式結(jié)構(gòu)連接；繼電器矩陣1選擇性的向待測大功率三相橋式驅(qū)動器0輸出電壓與電流，為繼電器矩陣1在外界對每個繼電器通斷情況的控制下，選擇性的向待測大功率三相橋式驅(qū)動器0輸出電壓與電流。

并且，外界對每個繼電器通斷情況的控制為使用顯示查找表同時控制每個繼電器的通斷情況。

同時，繼電器矩陣1中同一行的繼電器均連接至晶體管橋的同一位置。

并且，大功率浮地電源2包括多個輸出端，繼電器矩陣1中同一列的繼電器均連接至大功率浮地電源2的同一端。

圖2示出的是一個具體實(shí)施例。如圖2所示，待測大功率三相橋式驅(qū)動器0為MSK4300，大功率浮地電源2為ETS364配置的HPU板；繼電器矩陣1的尺寸為4列*10行，每個繼電器均連接至顯示查找表、電源、行向公共線與列向公共線；其中，10條行向公共線以每兩條為一組分別連接至晶體管橋的正極端、負(fù)極端、A相中間端、B相中間端、C相中間端；4條列向公共線分別連接至HPU板的HPU_HIGH_FORCE、HPU_HIGH_SENSE、HPU_LOW_FORCE與HPU_LOW_SENSE端。

ETS364的功率源使用了浮地技術(shù)，標(biāo)準(zhǔn)配置下配置了一路大功率浮地源HPU，MSK4300的MOSFET橋部分需要工作在75V@10A的條件下測試，HPU在功率方面能夠滿足需求，HPU包含4個用戶管腳：HPU_HIGH_FORCE(HPU板卡的HIGH端的FORCE管腳)、HPU_HIGH_SENSE(HPU板卡的LOW端SENSE管腳)、HPU_LOW_FORCE(HPU板卡的LOW端的FORCE管腳)以及HPU_LOW_SENSE(HPU板卡的LOW端的SENSE管腳)。MSK4300的MOSFET橋由6個對稱的MOSFET構(gòu)成，分別為AH、AL、BH、BL、CH、CL，主要測試參數(shù)有DS擊穿電壓、DS漏流、DS導(dǎo)通電阻、正向壓降等，測試時需要按照特定方向在AH、AL、BH、BL、CH、CL的兩端分別施加激勵。由于驅(qū)動電流較大，需要采用KELVIN的連接方式，每個管腳分為FORCE管腳與SENSE管腳。因此，本發(fā)明設(shè)計(jì)了一個10×4的繼電器矩陣，通過軟件“LUT(查找表)”的方式實(shí)現(xiàn)了對繼電器矩陣的控制實(shí)現(xiàn)特定參數(shù)測試的硬件連接。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了一種基于通用混合信號測試系統(tǒng)ETS364的MSK4300大功率三相橋式驅(qū)動器的測試裝置，設(shè)計(jì)了Relay-Matrix(繼電器矩陣)，利用ETS364的單通道大功率源對MSK4300的6個MOSFET的異步測試，同時通過AWG(任意波形發(fā)生器)同步測試法實(shí)現(xiàn)了對控制模塊的閾值測量。借助于本發(fā)明的上述技術(shù)方案，通過使用大功率浮地電源提供多通道的大功率電壓與電流并在繼電器矩陣的控制下向大功率三相橋式驅(qū)動器供能的技術(shù)手段，使得測試裝置能夠驅(qū)動大功率三相橋式驅(qū)動器，對大功率三相橋式驅(qū)動器進(jìn)行正常的測試工作；同時，實(shí)現(xiàn)了利用單通道大功率源對6個MOSFET的正反向參數(shù)的異步測試，節(jié)省了硬件資源，提升了測試的靈活性與可靠性。

所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。