本發(fā)明屬于電流偵測領域，具體涉及一種提升數字vr電流偵測精度的裝置及方法。

背景技術：

數字vr，數字電壓調節(jié)器。

服務器主板對性能要求很高，其中電源的高性能是主板高性能的基礎。開關電源的高性能體現在很多方面，比如輸出電壓的精度、輸出電流的精度、以及電路保護等方面等等。

以輸出電流的精度為例，此部分在cpu端的要求尤為重要，cpu會根據vr偵測的電流大小，來決定其工作的核數，頻率等，所以電流就與cpu的性能有了直接的聯系，如果電流偵測不準確，則直接影響cpu的表現，對于量產的主板來說，如果cpu的電流偵測不準，勢必導致主板的表現千差萬別，性能的一致性很差，所以電流偵測的精度是非常重要的。

目前數字vr所采用的電流偵測的方法主要有兩種，1、mosfet的導通阻抗rds（on）方式2、通過輸出電感的直流阻抗（dcr）的方式。由于mosfet直接由vr的廠商提供，其又集成在芯片中，通過集成電路內部的校準電路，以及ic出場校準已經可以達到比較高的精度，所以本發(fā)明所采用的是通過輸出電感的直流阻抗的方式提高電流偵測的精度。

針對上述電流偵測精度的重要性，提供一種提升數字vr電流偵測精度的裝置及方法，是非常有必要的。

技術實現要素：

本發(fā)明的目的在于，針對上述電流偵測精度的重要性，提供一種提升數字vr電流偵測精度的裝置及方法，以解決上述技術問題。

為實現上述目的，本發(fā)明給出以下技術方案：

一種提升數字vr電流偵測精度的裝置，包括數字vr芯片，電感，電阻，第一電容，第二電容，電子負載，顯示模塊；

數字vr芯片包括通信端，輸出電壓端，電流正調節(jié)端isence+，電流負調節(jié)端isence-；

電感包括電壓輸入端，電壓輸出端；

數字vr芯片的通信端連接顯示模塊，數字vr芯片的輸出電壓端連接電感的電壓輸入端和電阻的一端，電阻的另一端連接第一電容的正極和數字vr芯片的電流正調節(jié)端isence+，第一電容的負極連接電感的電壓輸出端、第二電容的正極、數字vr芯片的電流負調節(jié)端isence-和電子負載的一端，第二電容的負極連接電子負載的另一端并接地；

數字vr芯片包括電流寄存單元和補償寄存單元。

進一步地，顯示模塊與數字vr芯片通過系統(tǒng)管理總線smbus連接。

進一步地，顯示模塊包括計算機。

進一步地，一種使用上述裝置的提升數字vr電流偵測精度的方法，包括如下步驟：

步驟1.連接電子負載到裝置；

步驟2.數字vr芯片上電，使電感的電壓輸出端輸出電壓為vout；

步驟3.選定電子負載，使拉載直流電流值為i1；

步驟4.顯示模塊通過數據管理總線讀取電流寄存單元的值，與i1做比較；

步驟5.調整補償寄存單元，補償電流寄存單元與i1的差值，完成校準；

步驟6.保存補償寄存器的最終調整值。

進一步地，步驟6后還包括：

步驟7.再次斷電后上電，重復步驟2-4，確保補償寄存單元保存成功。

進一步地，拉載直流電流值i1為10a。

本發(fā)明的有益效果在于：

本發(fā)明通過在生產線生產主板完成后，增加一項校準的步驟，通過設定電子負載拉載值，與數字vr電流寄存器偵測到的電流值對比，誤差通過補償寄存器來消除，保證電流偵測的準確性，從而達到提升電流偵測精度的目的，使vr主板上的vr的電流偵測的一致性更好，保證主板性能的一致性。

此外，本發(fā)明設計原理可靠，結構簡單，具有非常廣泛的應用前景。

由此可見，本發(fā)明與現有技術相比，具有突出的實質性特點和顯著的進步，其實施的有益效果也是顯而易見的。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的裝置的連接示意圖；

圖2為本發(fā)明的方法流程圖；

圖3為本發(fā)明在產線生產主板的流程；

其中，1-數字vr芯片；1.1-補償寄存單元；1.2-電流寄存單元；1.3-數字vr芯片的通信端；1.4-數字vr芯片的輸出電壓端；1.5-數字vr芯片的電流正調節(jié)端isence+；1.6-數字vr芯片的電流負調節(jié)端isence-；2-電感；2.1-電感的電壓輸入端；2.2-電壓輸出端；3-電阻；4-第一電容；5-第二電容；6-電子負載；7-顯示模塊。

具體實施方式：

為使得本發(fā)明的目的、特征、優(yōu)點能夠更加的明顯和易懂，下面將結合本發(fā)明具體實施例中的附圖，對本發(fā)明中的技術方案進行清楚、完整地描述。

如圖1所示，本發(fā)明提供一種提升數字vr電流偵測精度的裝置，包括數字vr芯片1，電感2，電阻3，第一電容4，第二電容5，電子負載6，顯示模塊7；

數字vr芯片1包括通信端1.3，輸出電壓端1.4，電流正調節(jié)端isence+1.5，電流負調節(jié)端isence-1.6；

電感2包括電壓輸入端2.1，電壓輸出端2.2；

數字vr芯片1的通信端1.3連接顯示模塊7，數字vr芯片1的輸出電壓端1.4連接電感2的電壓輸入端2.1和電阻3的一端，電阻3的另一端連接第一電容4的正極和數字vr芯片1的電流正調節(jié)端isence+1.5，第一電容4的負極連接電感的2電壓輸出端2.2、第二電容5的正極、數字vr芯片1的電流負調節(jié)端isence-1.6和電子負載6的一端，第二電容5的負極連接電子負載6的另一端并接地；顯示模塊與數字vr芯片通過系統(tǒng)管理總線smbus連接；顯示模塊可采用計算機；

數字vr芯片1包括電流寄存單元1.1和補償寄存單元1.2。

當滿足：電感2的電感量/電感2的直流電阻值=電阻3的電阻值*第一電容4的電容量，則數字vr芯片1的電流正調節(jié)端isence+1.5與數字vr芯片的電流負調節(jié)端isence-1.6的電壓差就等于電感2的直流電阻兩端的電壓，數字vr再通過電感2的直流電阻兩端的電壓除以電感2的直流電阻值就得到通過電感2的電流，但是由于電感2的直流電阻自身的一致性所限，這個種電流偵測精度需要校準才能達到比較理想的效果，其中，電感2的直流電阻為線圈的阻值。

如圖2所示，一種使用上述裝置的提升數字vr電流偵測精度的方法，包括如下步驟：

步驟1.連接電子負載到裝置；

步驟2.數字vr芯片上電，使電感的電壓輸出端輸出電壓為vout；

步驟3.選定電子負載，使拉載直流電流值為10a；

步驟4.顯示模塊通過數據管理總線讀取電流寄存單元的值，與10a做比較；

步驟5.調整補償寄存單元，補償電流寄存單元與10a的差值，完成校準；

步驟6.保存補償寄存器的最終調整值；

步驟7.再次斷電后上電，重復步驟2-4，確保補償寄存單元保存成功。

如圖3所述為產線生產主板的一般流程，在test工站加入一項電流精度的校準過程。

本發(fā)明的實施例是說明性的，而非限定性的，上述實施例只是幫助理解本發(fā)明，因此本發(fā)明不限于具體實施方式中所述的實施例，凡是由本領域技術人員根據本發(fā)明的技術方案得出的其他的具體實施方式，同樣屬于本發(fā)明保護的范圍。