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      包括集成磁場(chǎng)傳感器的監(jiān)測(cè)單元的制作方法

      文檔序號(hào):39621379發(fā)布日期:2024-10-11 13:40閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

      技術(shù)特征:

      1.一種監(jiān)測(cè)單元,包括:

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的監(jiān)測(cè)單元,其中,所述集成磁場(chǎng)傳感器(1)具有平面形狀,限定至少一個(gè),特別是兩個(gè)主表面(9,10),其中所述主表面(9)布置在所述被感測(cè)元件(7)的前方。

      3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的監(jiān)測(cè)單元,其中,設(shè)有第二磁結(jié)構(gòu)(8),所述至少一個(gè)勵(lì)磁線圈(2)和所述至少一個(gè)傳感器線圈(3)設(shè)置在所述第一磁結(jié)構(gòu)(6)和所述第二磁結(jié)構(gòu)(8)之間。

      4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的監(jiān)測(cè)單元,其中,所述集成磁場(chǎng)傳感器(1)具有堆疊,所述堆疊包括至少一個(gè)電絕緣層結(jié)構(gòu)(17)和至少一個(gè)導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)(19),其中,所述至少一個(gè)勵(lì)磁線圈(2)和/或至少一個(gè)傳感器線圈(3)至少部分由所述至少一個(gè)導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)(19)形成,特別是由多個(gè)導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)(19)形成。

      5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的監(jiān)測(cè)單元,其中,所述至少一個(gè)勵(lì)磁線圈(2)和/或所述至少一個(gè)傳感器線圈(3)包括導(dǎo)電繞組(18),其特別是至少部分由多個(gè)導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)形成或在其上形成,所述多個(gè)導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)特別是2至6個(gè)導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)。

      6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的監(jiān)測(cè)單元,其中,所述集成磁場(chǎng)傳感器(1)與所述被感測(cè)元件(7)固定地關(guān)聯(lián),特別是所述集成磁場(chǎng)傳感器(1)與所述被感測(cè)元件(7)連接。

      7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的監(jiān)測(cè)單元,其中,所述集成磁場(chǎng)傳感器(1)與所述被感測(cè)元件(7)可移動(dòng)地相關(guān)聯(lián),反之亦然。

      8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的監(jiān)測(cè)單元,其中,所述被感測(cè)元件(7)能繞旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn)。

      9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的監(jiān)測(cè)單元,其中,所述集成磁場(chǎng)傳感器(1)設(shè)置在所述被感測(cè)元件(7)附近或適于放置在所述被感測(cè)元件(7)附近。

      10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的監(jiān)測(cè)單元,其中,所述至少一個(gè)勵(lì)磁線圈(2)和/或所述至少一個(gè)傳感器線圈(3)設(shè)置在或適于放置在與被感測(cè)元件(7)相距等于或小于20μm的距離處。

      11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的監(jiān)測(cè)單元,其中,所述被感測(cè)元件(7)至少部分由金屬材料制成和/或其中所述被感測(cè)元件(7)配置為允許電流通過(guò)所述元件。

      12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的監(jiān)測(cè)單元,其中,所述被感測(cè)元件(7)包括導(dǎo)電布線結(jié)構(gòu)。

      13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的監(jiān)測(cè)單元,其中,所述被感測(cè)元件(7)包括至少一個(gè)電絕緣層結(jié)構(gòu)和至少一個(gè)導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)的堆疊,其中,所述集成磁場(chǎng)傳感器(1)與所述至少一個(gè)導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)的至少一部分相關(guān)聯(lián)。

      14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的監(jiān)測(cè)單元,其中,所述集成磁場(chǎng)傳感器(1)至少部分集成在所述堆疊中。

      15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的監(jiān)測(cè)單元,其中,所述集成磁場(chǎng)傳感器(1)包括堆疊的至少一個(gè)導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)的至少一部分和/或電絕緣層結(jié)構(gòu)的至少一部分。

      16.根據(jù)權(quán)利要求1至15中任一項(xiàng)所述的監(jiān)測(cè)單元,其中,所述被感測(cè)元件(7)包括至少一個(gè)電子部件或由至少一個(gè)電子部件組成。

      17.根據(jù)權(quán)利要求1至16中任一項(xiàng)所述的監(jiān)測(cè)單元,其中,所述被感測(cè)元件(7)包括至少一個(gè)腔室,特別是一個(gè)電池,其配置為電流可以從一個(gè)部分流到另一個(gè)部分,其中所述集成磁場(chǎng)傳感器(1)設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)腔室/電池上或其中或附近。

      18.一種使用根據(jù)權(quán)利要求1至17中任一項(xiàng)配置的單元監(jiān)測(cè)被感測(cè)元件(7)的方法,包括以下步驟:當(dāng)集成磁場(chǎng)傳感器(1)和被感測(cè)元件彼此關(guān)聯(lián)時(shí),通過(guò)根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)配置的集成磁場(chǎng)傳感器(1)測(cè)量磁場(chǎng)的至少一個(gè)分量,優(yōu)選地是傳感器被感測(cè)元件產(chǎn)生的場(chǎng)的變化。

      19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法,其中,所述第一磁結(jié)構(gòu)(6)和/或所述第二磁結(jié)構(gòu)被配置為在由電流供電時(shí)產(chǎn)生磁場(chǎng),所述方法包括在監(jiān)測(cè)所述被感測(cè)元件(7)時(shí)向所述第一磁結(jié)構(gòu)(6)和/或所述第二磁結(jié)構(gòu)供應(yīng)電流的步驟。

      20.一種集成磁場(chǎng)傳感器(1)用于監(jiān)測(cè)被感測(cè)元件(7)的用途,所述集成磁場(chǎng)傳感器(1)包括均設(shè)置在第一磁結(jié)構(gòu)(6)的一側(cè)上的至少一個(gè)勵(lì)磁線圈(2)和至少一個(gè)傳感器線圈(3),優(yōu)選多個(gè)傳感器線圈(3),所述被感測(cè)元件(7)適于改變集成磁場(chǎng)傳感器(1)的磁場(chǎng),其中集成磁場(chǎng)傳感器(1)和被感測(cè)元件(7)彼此關(guān)聯(lián),改變由集成磁場(chǎng)傳感器(1)提供的磁場(chǎng)。

      21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的用途,其中,所述被感測(cè)元件(7)包括金屬主體,特別是所述監(jiān)測(cè)包括對(duì)所述金屬主體中的缺陷的估計(jì)。

      22.根據(jù)權(quán)利要求20或21所述的用途,其中,所述被感測(cè)元件(7)包含在電/電子電池中。

      23.根據(jù)權(quán)利要求20至22中任一項(xiàng)所述的用途,其中,所述被感測(cè)元件(7)包括靠近所述集成磁場(chǎng)傳感器(1)移動(dòng)的主體。

      24.一種計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì),其中,包括用于監(jiān)測(cè)被感測(cè)元件(7)的計(jì)算機(jī)程序,該計(jì)算機(jī)程序在由一個(gè)或多個(gè)處理器執(zhí)行時(shí),適于執(zhí)行或控制根據(jù)權(quán)利要求18或19中任一項(xiàng)所述的方法。

      25.一種用于監(jiān)測(cè)被感測(cè)元件(7)的程序元件,該程序元件在由一個(gè)或多個(gè)處理器執(zhí)行時(shí),適于執(zhí)行或控制根據(jù)權(quán)利要求18或19中任一項(xiàng)所述的方法。


      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明涉及一種包括集成磁場(chǎng)傳感器的監(jiān)測(cè)單元。所述傳感器(1)包括至少一個(gè)勵(lì)磁線圈(2)和至少一個(gè)傳感器線圈(3)。兩個(gè)線圈(2,3)均設(shè)置在第一磁結(jié)構(gòu)(6)的一側(cè)。監(jiān)測(cè)單元還包括與所述集成磁場(chǎng)傳感器(1)關(guān)聯(lián)的被感測(cè)元件(7),所述被感測(cè)元件(7)適于改變集成磁場(chǎng)傳感器(1)的磁場(chǎng)。

      技術(shù)研發(fā)人員:G·舒爾茨,T·克里維克,J·施塔爾
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:AT&S奧地利科技及系統(tǒng)技術(shù)股份公司
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/10/10
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