專利名稱：電子元件的測(cè)試方法和電子元件測(cè)試裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于測(cè)試半導(dǎo)體集成電路器件等的各種電子元件(以下，簡(jiǎn)單地稱為IC)的電子元件測(cè)試裝置和電子元件的測(cè)試方法，特別是，涉及測(cè)試頭一側(cè)端子數(shù)即使少，也能使IC的同時(shí)測(cè)定數(shù)增加的電子元件測(cè)試方法和電子元件的測(cè)試裝置。
在稱為處理裝置(handler)的電子元件測(cè)試裝置中，把存放托架里的多個(gè)IC輸送到測(cè)試裝置內(nèi)，將各IC壓接到與測(cè)試頭連接的插座端子上，在測(cè)試裝置本體(tester)中進(jìn)行測(cè)試。并且，測(cè)試一結(jié)束就從測(cè)試工序送出各IC，就是轉(zhuǎn)載到與測(cè)試結(jié)果相應(yīng)的托架上，并按所謂合格或不合格的類別進(jìn)行分類。
在現(xiàn)有的處理裝置中，既有用于存放測(cè)試前的IC又有存放測(cè)試完成了的IC的托架(以下，也叫做用戶托架)和處理裝置內(nèi)循環(huán)輸送的托架(以下，叫做測(cè)試托架)不同形式的托架，這種的處理裝置，在測(cè)試前后，在用戶托架與測(cè)試托架之間進(jìn)行IC的轉(zhuǎn)載，使IC與插座的端子接觸，在進(jìn)行測(cè)試的測(cè)試工序中，IC被搭載于測(cè)試托架的狀態(tài)下向測(cè)試頭推壓。
要是用這樣的處理裝置，其處理速度或每單位時(shí)間的處理個(gè)數(shù)(叫做測(cè)試裝置的生產(chǎn)率)越多就越好，但如

圖14所示的那樣，對(duì)于IC的測(cè)試時(shí)間較長(zhǎng)的情況(例如，以存儲(chǔ)器IC居多)，大致與同時(shí)插入到測(cè)試頭插座里的IC個(gè)數(shù)，即同時(shí)測(cè)定數(shù)成比例。例如，如該圖所示，在測(cè)試時(shí)間長(zhǎng)的區(qū)域，相對(duì)于同時(shí)測(cè)定32個(gè)IC的處理裝置，同時(shí)測(cè)定64個(gè)IC的處理裝置則生產(chǎn)率就變成約2倍。因此，為了提高生產(chǎn)率，使IC的同時(shí)測(cè)定數(shù)增加，就可以了。
然而，為了使IC的同時(shí)測(cè)定數(shù)增加，也就必須與之相應(yīng)地增加測(cè)試頭一側(cè)的端子數(shù)，因而不可能原封不動(dòng)使用現(xiàn)有的測(cè)試頭。
圖13是典型地示出了測(cè)試工序中的測(cè)試頭端子與插座端子之間的連接關(guān)系圖，在現(xiàn)有的處理裝置中，對(duì)于一個(gè)IC(DUTDevice UnderTest，即測(cè)試下的器件)的驅(qū)動(dòng)器針和輸入輸出針，各自分開(kāi)設(shè)置在測(cè)試頭一側(cè)的端子。因此，在處理裝置一側(cè)可實(shí)施的IC同時(shí)測(cè)定數(shù)，因測(cè)試頭一側(cè)的端子數(shù)而受到限制，換句話說(shuō)，該測(cè)試頭一側(cè)的端子數(shù)劃定了處理裝置能同時(shí)測(cè)定數(shù)的界限。
本發(fā)明的目的在于提供一種即使測(cè)試頭一側(cè)的端子數(shù)數(shù)量少，也能增加IC的同時(shí)測(cè)定數(shù)的電子元件的測(cè)試方法和電子元件測(cè)試裝置。
(1-1)為了達(dá)到上述的目的，根據(jù)本發(fā)明的第1觀點(diǎn)，就是提供一種將測(cè)試信號(hào)輸入到要測(cè)試電子元件里，根據(jù)其響應(yīng)輸出信號(hào)，判斷上述電子元件好壞的電子元件的測(cè)試方法，該電子元件的測(cè)試方法具有對(duì)于由多個(gè)電子元件組成的電子元件群的上述各個(gè)電子元件，輸入共同的測(cè)試信號(hào)，根據(jù)其響應(yīng)信號(hào)，判斷供給該測(cè)試的上述電子元件群全體好壞的第一測(cè)試工序；以及，對(duì)于用上述第一測(cè)試工序被判斷為不合格的電子元件群的，各個(gè)被測(cè)試電子元件，分別輸入互相獨(dú)立的測(cè)試信號(hào)，根據(jù)其響應(yīng)信號(hào)，判斷供給該測(cè)試的上述每個(gè)電子元件好壞的第二測(cè)試工序。
在本發(fā)明中，第一測(cè)試工序里，對(duì)由多個(gè)電子元件組成的電子元件群，使用共同的測(cè)試信號(hào)實(shí)行測(cè)試來(lái)判斷該電子元件群全體的好壞。這時(shí)，既作為電子元件群全體，獲得正常的響應(yīng)輸出信號(hào)，又不限于它是不是共同的測(cè)試信號(hào)，可以說(shuō)構(gòu)成電子元件群的全部電子元件都是合格產(chǎn)品。
相反，作為電子元件群全體，在得到異常響應(yīng)輸出信號(hào)的情況下，不可能指定構(gòu)成該電子元件群的電子元件哪一個(gè)是合格的，哪一個(gè)不合格。因此，在本發(fā)明中，設(shè)置第二測(cè)試工序。
也就是，在第二測(cè)試工序中，對(duì)構(gòu)成通過(guò)第一測(cè)試工序被判斷為不合格的電子元件群的各個(gè)電子元件，不使用共同的測(cè)試信號(hào)，而分別輸入互相獨(dú)立的測(cè)試信號(hào)。而且，根據(jù)其響應(yīng)信號(hào)，判斷供給該測(cè)試的每個(gè)電子元件的好壞。據(jù)此，可以判斷被判定為不合格的電子元件群的，哪個(gè)電子元件是合格品的，哪個(gè)電子元件不合格品。
因此，使用一個(gè)測(cè)試頭一側(cè)的端子，可以同時(shí)測(cè)試多個(gè)電子元件，即使不增加測(cè)試頭的端子數(shù)，也能增加電子元件的同時(shí)測(cè)定數(shù)。
這樣的電子元件的測(cè)試方法，雖然對(duì)于電子元件群，不合格的判斷結(jié)果是以電子元件為單位個(gè)別地進(jìn)行測(cè)試也行，但在合格品比例較高的情況下就特別有效。
作為有關(guān)本發(fā)明的測(cè)試信號(hào)的種類，沒(méi)有特別限定，例如在存儲(chǔ)器系列IC中，除從驅(qū)動(dòng)器端子輸入的地址指定信號(hào)外，也包含從輸入端子輸入的輸入信號(hào)等內(nèi)容。
(1-2)在上述發(fā)明中，第二測(cè)試工序也可以在第一測(cè)試工序之后馬上實(shí)行，另外，也可以代之以在上述第一測(cè)試工序和第二測(cè)試工序之間，在上述第一測(cè)試工序包括把已判斷為不合格品的電子元件群進(jìn)行再排列的工序，和把再排列后的電子元件送到上述第二測(cè)試工序的工序。
(1-3)在上述發(fā)明中，在第一測(cè)試工序里，作為共同輸入的測(cè)試信號(hào)的輸入方式，沒(méi)有特別限定，例如對(duì)上述電子元件群的各個(gè)電子元件，從測(cè)試頭的共同端子，并行地進(jìn)行輸入。
并且，在第一測(cè)試工序里，不用作為共同輸入測(cè)試信號(hào)的輸入方式，而代之以對(duì)上述電子元件群的各個(gè)電子元件，從測(cè)試頭的共同端子有選擇性地進(jìn)行輸入。
就前者的輸入方式來(lái)說(shuō)，通過(guò)分離插座一側(cè)的端子電路(例如插座板)，故可以使用一個(gè)測(cè)試頭一側(cè)的端子，同時(shí)測(cè)試多個(gè)電子元件，就后者的輸入方式而言，由于分離插座一側(cè)的端子電路(例如操作臺(tái))，故可以使用一個(gè)測(cè)試頭一側(cè)的端子，同時(shí)測(cè)試多個(gè)電子元件。在哪一種方式中，也只變更插座一側(cè)與測(cè)試頭一側(cè)的一方，另一方可以照樣使用。
還有(1-4)，在上述第一測(cè)試工序的測(cè)試信號(hào)中，對(duì)上述電子元件群的各個(gè)電子元件，也可以包括互相獨(dú)立輸入的第2測(cè)試信號(hào)。
并且，在上述第一測(cè)試工序的響應(yīng)輸出信號(hào)中，也可以包括來(lái)自上述電子元件群的各個(gè)電子元件的互相獨(dú)立輸出的響應(yīng)輸出信號(hào)。
本發(fā)明的關(guān)鍵在于，通過(guò)將可能共同化的測(cè)試信號(hào)盡量共同化，并不增加測(cè)試頭一側(cè)的端子數(shù)，而能增加同時(shí)測(cè)定數(shù)，這意味著，不能共同化，例如即使在電子元件群的好壞判斷中，也不是將必須的測(cè)試信號(hào)進(jìn)行共同化的意思。
(1-5)在本發(fā)明的電子元件的測(cè)試方法中，在第一和第二測(cè)試工序里，同時(shí)被測(cè)試的電子元件數(shù)沒(méi)有特別限定，就是包括所有的數(shù)的意思。特別是，在上述第一測(cè)試工序里，對(duì)N個(gè)電子元件同時(shí)進(jìn)行測(cè)試，在上述第二測(cè)試工序里，對(duì)N/2個(gè)電子元件同時(shí)進(jìn)行測(cè)試則更為理想(但是N為自然數(shù))。例如在第一測(cè)試工序里，同時(shí)測(cè)定64個(gè)電子元件，而在第二測(cè)試工序里，同時(shí)測(cè)試32個(gè)電子元件。同樣，在第一測(cè)試工序里，同時(shí)測(cè)試128個(gè)、32個(gè)和16個(gè)電子元件的情況下，在第二測(cè)試工序里，同時(shí)測(cè)試64個(gè)、16個(gè)和8個(gè)電子元件，這個(gè)數(shù)取決于構(gòu)成一個(gè)電子元件群的電子元件數(shù)。
(2-1)為了達(dá)到上述目的，根據(jù)本發(fā)明的第2觀點(diǎn)，提供一種電子元件測(cè)試裝置，它具有一端與應(yīng)測(cè)試電子元件的端子連接，另一端與測(cè)試頭端子連接的IC插座，對(duì)上述測(cè)試頭的至少一個(gè)端子，設(shè)置有將至少二個(gè)IC插座的電子元件一側(cè)的端子分成并行的電路。
在本發(fā)明中，由于設(shè)置有對(duì)測(cè)試頭的至少一個(gè)端子，把至少二個(gè)IC插座的電子元件一側(cè)的端子分離成并行的電路，所以使用上述本發(fā)明的電子元件的測(cè)試方法進(jìn)行測(cè)試的話，即使不增加測(cè)試頭的端子數(shù)也能增加電子元件的同時(shí)測(cè)定數(shù)。
(2-2)對(duì)本發(fā)明的分離電路，沒(méi)有特別限定，設(shè)于上述IC插座一側(cè)也行?；蛘咴O(shè)于上述測(cè)試頭一側(cè)也行。將分離電路設(shè)于測(cè)試頭一側(cè)的情況下，將切換開(kāi)關(guān)設(shè)置在上述分離電路中是理想的。
在IC插座一側(cè)或測(cè)試頭一側(cè)的任一側(cè)上設(shè)置分離電路，也可以使用一個(gè)測(cè)試頭一側(cè)的端子，同時(shí)測(cè)試多個(gè)電子元件，在哪一側(cè)，也都是變更IC側(cè)和測(cè)試頭側(cè)的兩者之一方，而另一方可以照樣使用。
(2-3)在本發(fā)明中，更理想的是具有，將多個(gè)電子元件，同時(shí)分別與上述IC插座的電子元件一側(cè)端子連接，求出每個(gè)設(shè)有上述分離電路的IC插座群的測(cè)試結(jié)果，并對(duì)上述一個(gè)IC插座群，象成為一個(gè)電子元件一樣，再排列已被判斷為不合格品的群的電子元件的機(jī)構(gòu)(以下，叫做再檢測(cè)機(jī)構(gòu))。
在作為電子元件群的測(cè)試結(jié)束之后，因設(shè)有對(duì)被判斷為不合格的電子元件群，進(jìn)行再檢測(cè)的再檢測(cè)機(jī)構(gòu)，故可以自動(dòng)地進(jìn)行電子元件好壞的判斷。
(3)在本發(fā)明的電子元件的測(cè)試方法和電子元件測(cè)試裝置中，對(duì)構(gòu)成電子元件群的電子元件數(shù)，沒(méi)有特別限制，而是包括2以上的全部自然數(shù)。并且，雖然第一和第二測(cè)試工序中實(shí)行的電子元件的同時(shí)測(cè)試數(shù)為16個(gè)、32個(gè)、64個(gè)、128個(gè)等等，個(gè)數(shù)越大提高生產(chǎn)率越大這一點(diǎn)上可以說(shuō)是理想的，但不限于這些數(shù)字中某個(gè)，而是包括2以上的全部自然數(shù)的意思。
本發(fā)明的這些和其它目的以及特點(diǎn)，將參照各附圖，更詳細(xì)地說(shuō)明如下圖1表示本發(fā)明的電子元件測(cè)試裝置的實(shí)施方案的斜視圖；圖2是沿圖1的II-II線的剖面圖；圖3表示在圖1所示的電子元件測(cè)試裝置中電子元件的處理方法的示意圖；圖4表示在圖1所示的電子元件測(cè)試裝置中所用托架的分解斜視圖；圖5表示圖1的測(cè)試頭的詳細(xì)剖面圖；圖6是沿圖5的VI-VI線的剖面圖；圖7是為說(shuō)明本發(fā)明的測(cè)試方法(第一測(cè)試工序)的測(cè)試托架的平面圖；圖8是為說(shuō)明本發(fā)明的測(cè)試方法(第一測(cè)試工序)的測(cè)試頭和插座之間的連接關(guān)系示意圖；圖9是為說(shuō)明本發(fā)明的測(cè)試方法(第二測(cè)試工序)的測(cè)試托架的平面圖；圖10是為說(shuō)明本發(fā)明的測(cè)試方法(第二測(cè)試工序)的測(cè)試頭和插座之間的連接關(guān)系示意圖；圖11表示本發(fā)明的測(cè)試頭和插座之間的連接關(guān)系的另一個(gè)實(shí)施方案示意圖；圖12表示本發(fā)明測(cè)試方法的實(shí)施方案的流程圖；圖13表示現(xiàn)有電子元件測(cè)試裝置的測(cè)試頭和插座之間的連接關(guān)系示意圖；圖14是表示測(cè)試時(shí)間與生產(chǎn)率之間的關(guān)系曲線。
圖3是用于理解本實(shí)施例的電子元件測(cè)試裝置1中被測(cè)試IC的處理方法圖，實(shí)際上還有平面地示出在上下方向排列配置著的構(gòu)件部分。因此，該機(jī)械的(三維)構(gòu)造參照?qǐng)D1進(jìn)行說(shuō)明。
首先，參照這些圖1到圖3，概述本實(shí)施例的電子元件測(cè)試裝置的整體構(gòu)造。本實(shí)施例的電子元件測(cè)試裝置1，如該圖所示，由用于處理被測(cè)試IC的處理裝置1、與被測(cè)試IC電接觸的測(cè)試頭5、將測(cè)試信號(hào)送到該測(cè)試頭5，對(duì)被測(cè)試IC實(shí)行測(cè)試的測(cè)試器6構(gòu)成。
其中的處理裝置1由安裝測(cè)試頭5的倉(cāng)部100、以后貯存進(jìn)行測(cè)試的被測(cè)試IC，并將測(cè)試完成的IC進(jìn)行分類貯存的IC貯存部200、將被測(cè)試IC送入倉(cāng)部100的裝載部300以及在倉(cāng)部100將進(jìn)行測(cè)試后的IC進(jìn)行分類并取出來(lái)的卸載部400構(gòu)成。
另外，在以下的說(shuō)明中，舉例說(shuō)，用恒溫槽把溫度應(yīng)力施加到被測(cè)試IC上的，所謂盒式的處理裝置1來(lái)說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明不限定給被測(cè)試IC的溫度施加方式，而且也可以應(yīng)用于其他的處理裝置。
該電子元件測(cè)試裝置1，是在給IC以高溫或低溫的溫度應(yīng)力的狀態(tài)下，測(cè)試(檢測(cè))IC是不是確實(shí)地進(jìn)行工作，并根據(jù)該測(cè)試結(jié)果，對(duì)IC進(jìn)行分類的裝置，在加上這種溫度應(yīng)力狀態(tài)下的工作測(cè)試，從多個(gè)搭載成為測(cè)試對(duì)象的被測(cè)試IC的用戶托架KST上，將被測(cè)試IC轉(zhuǎn)載到輸送該電子元件測(cè)試裝置1內(nèi)的測(cè)試托架TST上。
在裝載部300，將該測(cè)試托架TST，送入裝載了被測(cè)試IC后的倉(cāng)部100中，并在搭載于該測(cè)試托架TST的狀態(tài)下，在倉(cāng)部100里測(cè)試各被測(cè)試IC。而且，測(cè)試完了的被測(cè)試IC運(yùn)出到卸載部400后，在該卸載部400里，將各被測(cè)試IC轉(zhuǎn)載到隨測(cè)試結(jié)果而定的用戶托架KST中。
倉(cāng)部100由將設(shè)定目標(biāo)的高溫或低溫的溫度應(yīng)力施加到已裝載于測(cè)試托架里的被測(cè)試IC上的恒溫槽(格狀容器)101、在該恒溫槽101中，使處于施加熱應(yīng)力狀態(tài)的被測(cè)試IC與測(cè)試頭接觸的測(cè)試盒102以及在測(cè)試盒102里從測(cè)試過(guò)的被測(cè)試IC上，除去所施加熱應(yīng)力的除熱槽(非格狀容器)103構(gòu)成。
在除熱槽103里，在用恒溫槽101施加高溫的情況下，通過(guò)送風(fēng)冷卻被測(cè)試IC，使之回復(fù)到室溫，并且在恒溫槽101，例如施加-30℃左右的低溫時(shí)，則用暖風(fēng)或加熱器等加熱被測(cè)試IC，大致上回復(fù)到不發(fā)生凝結(jié)露水的溫度為止。而且，把該除去熱的被測(cè)試IC送向卸載部400。
倉(cāng)部100如圖1所示，倉(cāng)部100的恒溫槽101和除熱槽103被配置成，使之比測(cè)試盒102更向上方突出。其中，測(cè)試托架TST，在裝載部300里裝載被測(cè)試IC，再被運(yùn)入恒溫槽101中。雖然附圖中已省略，但是在恒溫槽內(nèi)設(shè)有垂直輸送裝置，用該垂直輸送裝置，在測(cè)試盒102騰空前的期間，處于支撐多個(gè)測(cè)試托架TST的狀態(tài)下待機(jī)。而且，在待機(jī)過(guò)程中對(duì)被測(cè)試IC施加高溫或低溫的溫度應(yīng)力。
測(cè)試盒102內(nèi)，測(cè)試頭5配置在其中央，而IC插座510是這樣安置的，使得對(duì)于測(cè)試盒102內(nèi)靠向下面。而且，將測(cè)試托架TST運(yùn)送到這樣安裝的測(cè)試頭5的上邊，通過(guò)使多個(gè)被測(cè)試IC分別與多個(gè)IC插座510同時(shí)電接觸的辦法，進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試結(jié)束后的測(cè)試托架TST，在除熱槽103里除熱，讓IC的溫度回到室溫以后，排出到卸載部400。
并且，在裝載部300和卸載部400之間，如圖1所示，相對(duì)于基板105，在該基板105上邊，安裝著由輥式輸送器構(gòu)成的測(cè)試托架輸送裝置108。借助于設(shè)于該基板105上邊的測(cè)試托架輸送裝置108，把從除熱槽103排出的測(cè)試托架TST，通過(guò)裝載部300和卸載部400，送回恒溫槽101。
另外，在本實(shí)施例中，如圖4和圖7所示，在1個(gè)測(cè)試托架TST上，例如搭載有4行×16列(總計(jì)64個(gè))的被測(cè)試IC，對(duì)一度與測(cè)試頭5接觸的被測(cè)試IC，在第一次的測(cè)試時(shí)間里，同時(shí)測(cè)試64個(gè)IC(參照?qǐng)D7)，在再檢測(cè)模式時(shí)，則同時(shí)測(cè)試32個(gè)IC(參照?qǐng)D9)。關(guān)于該測(cè)定程序，以后再說(shuō)明。
將其測(cè)試的結(jié)果，存儲(chǔ)到測(cè)試托架TST上附有的例如識(shí)別序號(hào)，和測(cè)試托架內(nèi)部由所分配的被測(cè)試IC序號(hào)決定的地址里。還有，在本發(fā)明中，不限于按這種順序的測(cè)試方法，而按其他順序進(jìn)行測(cè)試也可以。
測(cè)試盒102中的測(cè)試托架TST和測(cè)試頭5的構(gòu)造如下。圖5是表示圖2的測(cè)試頭5的詳細(xì)剖面圖。圖6是沿圖5的VI-VI線的剖面圖。
本實(shí)施例的測(cè)試頭5，是在測(cè)試頭本體501的上部，通過(guò)接插件502a安裝基板502，并在該基板502的上部，沿Z軸方向，通過(guò)少許上下可動(dòng)的臺(tái)柱502b，設(shè)置跨距框架503。
在該跨距框架503的上部，介以插座板隔片504，設(shè)置插座板505，又在其上部，介以子插座板隔片513設(shè)置子插座板511。
而且，在基板502與插座板505之間，用多條同軸電纜進(jìn)行連接，在插座板505與子插座板511之間，用中繼線柱512進(jìn)行連接。
另外，圖5是朝向X軸方向看測(cè)試頭5時(shí)的剖面圖，在該圖中，只在Y軸方向示出2組插座板505和子插座板511，而實(shí)際4行×16列的測(cè)試頭5上，在Y軸方向設(shè)有4組插座板505和子插座板511。
并且，圖6是朝向Y軸方向看測(cè)試頭5時(shí)的剖面圖，在該圖中，只在X軸方向示出1組插座板505和子插座板511。而實(shí)際4行×16列的測(cè)試頭5上，在X軸方向設(shè)有8組插座板505和子插座板511。
在各個(gè)子插座板511的上部，根據(jù)IC插座510和需要，設(shè)置有插座導(dǎo)桿514。IC插座510具有與被測(cè)試IC的輸入輸出端子接觸的多個(gè)連接插針，并與子插座板511上面形成的接合面等連接。插座導(dǎo)柱514，是使被測(cè)試IC與IC插座510的連接插頭接觸的時(shí)候，用于對(duì)該被測(cè)試IC進(jìn)行定位，隨情況不同也可以省略。
IC貯存部200在IC貯存部200，設(shè)有貯存測(cè)試前的被測(cè)試IC的測(cè)試前IC貯存器201和根據(jù)測(cè)試結(jié)果貯存被測(cè)試IC的測(cè)試完成IC貯存器202。
測(cè)試前貯存器201和測(cè)試完成IC貯存器202，如圖1所示，由框狀的托架支承框203和從該托架支承框203的下部進(jìn)入可以向上部升降的升降器204構(gòu)成。在托架支承框203上，將用戶托架KST多個(gè)層疊起來(lái)進(jìn)行支承，層疊的用戶托架KST，借助于升降器204進(jìn)行上下移動(dòng)。
而且，然后層疊貯存進(jìn)行測(cè)試的被測(cè)試IC的用戶托架KST，保持在測(cè)試前貯存器201里；在測(cè)試貯存器202中，保持層疊適當(dāng)分類結(jié)束測(cè)試后的被測(cè)試IC的用戶托架KST。
另外，由于這些測(cè)試前IC貯存器201和測(cè)試完成IC貯存器202構(gòu)造相同，所以可以根據(jù)需要，適當(dāng)設(shè)定測(cè)試前IC貯存器201和測(cè)試完成IC貯存器202之間的各自數(shù)量。在圖1和圖3所示的例子中，在測(cè)試前貯存器201中設(shè)有2個(gè)貯存器STK-B，而與之相鄰設(shè)有2個(gè)送向卸載部400的空貯存器STK-E，同時(shí)在測(cè)試完成IC貯存器202上設(shè)有8個(gè)貯存器STK-1、STK-2、---、STK-8，根據(jù)測(cè)試結(jié)果，被構(gòu)成為可以區(qū)分為最大8個(gè)分類并進(jìn)行貯存。即，除合格產(chǎn)品和不合格產(chǎn)品的不同之外，即使合格產(chǎn)品中，工作速度也有高速的、中速的、低速的產(chǎn)品，或者即使不合格產(chǎn)品中，也必須再測(cè)試進(jìn)行區(qū)分。
裝載部300上述的用戶托架KST被運(yùn)送到裝載部300，在該裝載部300里，在用戶托架KST中所裝載的被測(cè)試IC，轉(zhuǎn)載到已停留在裝載部300的測(cè)試托架TST上。
用作把被測(cè)試IC從用戶托架KST轉(zhuǎn)載到測(cè)試托架TST的IC輸送裝置，如圖1所示，采用具備有在基板105的上部架設(shè)有2條鋼軌301、用這2條鋼軌301可以來(lái)往于測(cè)試托架TST與用戶托架KST之間(設(shè)該方向?yàn)閅方向)的可靠動(dòng)臂302和用該可動(dòng)臂302支撐，沿可動(dòng)臂302可在X方向移動(dòng)的可動(dòng)頭303的X-Y輸送裝置304。
在該X-Y輸送裝置304的可動(dòng)頭303上邊，朝下安裝著吸附頭，這個(gè)吸附頭一邊吸引空氣一邊移動(dòng)，從用戶托架KST吸附被測(cè)試IC，把這一被測(cè)試IC轉(zhuǎn)載到測(cè)試托架TST上邊。這樣的吸附頭，對(duì)可動(dòng)頭303，例如大約安裝8個(gè)，一次可以把8個(gè)被測(cè)試IC轉(zhuǎn)載到測(cè)試托架TST上。
還有，在一般的用戶托架KST里，為了搭載被測(cè)試IC，形成了凹狀的凹槽處，形成比被測(cè)試IC形狀要大一些的形狀，因而在存放用戶托架KST狀態(tài)下的被測(cè)試IC的位置，具有較大的偏差。因此，要是在此狀態(tài)下，將被測(cè)試IC吸附到吸附頭上，直接輸送給測(cè)試托架TST的話，就難以正確地落入測(cè)試托架TST上形成的IC存放凹部里。
因此，本實(shí)施例的電子元件測(cè)試裝置1中，在用戶托架KST的設(shè)置位置與測(cè)試托架TST之間，設(shè)置有叫做預(yù)篩分器305的IC位置校正裝置。該預(yù)篩分裝置305，具有較深的凹部，其凹部的邊緣作成以傾斜面圍繞的形狀，因而一旦被吸附頭吸著的被測(cè)試IC落入該凹部中，就由傾斜面來(lái)校正被測(cè)試IC的落下位置。由此，8個(gè)被測(cè)試IC的相互位置正確固定，再用吸附頭吸著校正了位置的被測(cè)試IC，轉(zhuǎn)載到測(cè)試托架TST上，可將精度良好的被測(cè)試IC轉(zhuǎn)載到測(cè)試托架TST上形成的IC存放凹部。
如圖1所示，在裝載部300的基板上，開(kāi)設(shè)有一對(duì)窗口部306、306，將送往該裝載部300的用戶托架KST配置于靠近基板105的上面。并且，附圖上雖然略去，但在各個(gè)窗口部306上，設(shè)有用于保持送向該窗口部306的用戶托架KST的保持用萬(wàn)向接頭，而且用戶托架KST的上面，介以窗口306，將用戶托架KST保持在靠近基板105表面的位置。
并且，在各個(gè)窗口部306的下側(cè)，設(shè)有可使用戶托架升降的升降臺(tái)，在這里轉(zhuǎn)載測(cè)試前的被測(cè)試IC，并載著騰空后的用戶托架KST下降，把該空托架交給托架移送臂205的下側(cè)托架存放部。
卸載部400在卸載部400也設(shè)有跟設(shè)于裝載部300的X-Y輸送裝置同樣構(gòu)造的X-Y輸送裝置404、404，借助于該X-Y輸送裝置，將由卸載部400里運(yùn)出測(cè)試托架TST的測(cè)試完成的被測(cè)試IC，轉(zhuǎn)載到用戶托架里。
而且，在卸載部400的基板105上，的基板上開(kāi)設(shè)有兩對(duì)窗口部406、406，將送往該卸載部400的用戶托架KST配置在靠近基板105的上面。并且，在各個(gè)窗口部406上，也設(shè)有用于保持送向該窗口部406的用戶托架KST的保持用萬(wàn)向接頭，而且用戶托架KST的上面，介以窗口406，將用戶托架KST保持在靠近基板105表面的位置。在各個(gè)窗口部406的下側(cè)，設(shè)有可使用戶托架升降的升降臺(tái)，在這里轉(zhuǎn)載測(cè)試后的被測(cè)試IC，并載著裝滿用戶托架KST下降，把該裝滿托架交給托架移送臂205的下側(cè)托架存放部。
順便說(shuō)說(shuō)，在本實(shí)施例的電子元件測(cè)試裝置1中，可以區(qū)分的種類最多為8種，卸載部400的窗口部406上，最多只能配置4個(gè)用戶托架KST。而且，實(shí)時(shí)可區(qū)分的種類限于4類。一般地說(shuō)，把合格產(chǎn)品分類成高速響應(yīng)器件、中速響應(yīng)器件和低速響應(yīng)器件3個(gè)類別，加上不合格產(chǎn)品，用4個(gè)類別就滿足，但是，例如象必須再測(cè)試之類，有時(shí)也發(fā)生不屬于這些類別的種類。
這樣以來(lái)，除配置于卸載部400的窗口部406上分配給4個(gè)用戶托架KST類別以外的類別中發(fā)生分類的被測(cè)試IC情況下，不是將1個(gè)用戶托架KST，由卸載部400退回IC貯存部200，而是要將貯存新產(chǎn)生類別的被測(cè)試IC的用戶托架KST轉(zhuǎn)送卸載部400，把該被測(cè)試IC貯存起來(lái)也行。
但是，若在分類作業(yè)的過(guò)程中進(jìn)行用戶托架KST的轉(zhuǎn)換，這時(shí)必須中斷分類作業(yè)，就有降低生產(chǎn)率的問(wèn)題。因而，本實(shí)施例的電子元件測(cè)試裝置1中，在卸載部400的測(cè)試托架TST與窗口部406之間設(shè)有緩沖部405，就是把很少產(chǎn)生的類別的被測(cè)試IC暫時(shí)保留在該緩沖部405里。
例如，使緩沖部405具有能貯存20～30個(gè)左右的被測(cè)試IC的容量，同時(shí)設(shè)有分別存儲(chǔ)在緩沖部405里貯存的各IC貯存位置的IC種類的存儲(chǔ)器，并將緩沖部405中暫時(shí)保留的被測(cè)試IC的類別和位置，存入各被測(cè)試IC的每個(gè)上。而且，在分類作業(yè)的間隔或緩沖部405充滿的時(shí)刻，從IC貯存部200中調(diào)用保留在緩沖部405中的被測(cè)試IC所屬類別的用戶托架KST，存放到該用戶托架KST里。這時(shí)，暫時(shí)保留在緩沖部405里的被測(cè)試IC，也有在多種類別范圍的情況，這個(gè)時(shí)候，在調(diào)用用戶托架KST之際，可以一次把多個(gè)用戶托架KST調(diào)出到卸載部400的窗口部406上。
托架移送臂205如圖1所示，在被測(cè)試IC貯存器201和測(cè)試完成IC貯存器202的上部，與基板105之間，在被測(cè)試IC貯存器201和測(cè)試完成IC貯存器202的排列方向的整個(gè)范圍內(nèi)，設(shè)置有可移動(dòng)的托架移送臂205。在本例中，在被測(cè)試IC貯存器201和測(cè)試完成貯存器202的正上方(不偏離Y軸方向)，分別設(shè)置裝載部300和卸載部400的窗口306、406，因而托架移送臂205也就只能變成在X軸和Z軸方向移動(dòng)。順便說(shuō)說(shuō)，借助于IC貯存部200與裝載部300或與卸載部400之間的位置關(guān)系，也可以在X軸、Y軸和Z軸方向，都能移動(dòng)托架移送臂205。
該托架移送臂205，配備有用于左右排列變成用戶托架的一對(duì)托架存放部，而且在裝載部300和卸載部400與被測(cè)試IC貯存器201和測(cè)試完成IC貯存器202之間，進(jìn)行用戶托架的移送。
其次，說(shuō)明在測(cè)試盒102中的測(cè)試順序。
另外，圖7和圖9是典型地示出了圖4所示的測(cè)試托架TST，圖8和圖10是示出了在圖7和圖9所示的多個(gè)被測(cè)試IC之中的一個(gè)電子元件群的示意圖。
首先，在將再檢測(cè)模式輸入處理裝置1的控制裝置后，實(shí)行第1次測(cè)試(圖12的步驟1～2)。在這一第1次測(cè)試中，如圖7所示，搭載于測(cè)試托架TST上的全部64個(gè)被測(cè)試IC，同時(shí)與各IC插座510壓接而進(jìn)行測(cè)試。
這時(shí)，在本實(shí)施例中，如圖7所示，對(duì)A1、A2、～、D15、D16的64個(gè)被測(cè)試IC，把相鄰的2個(gè)被測(cè)試IC作為一個(gè)電子元件群進(jìn)行處理。在該附圖的例子中，用實(shí)線隔開(kāi)的A1和A2、A3和A4、～成為同一電子元件群。圖8是表示在這樣處理的一個(gè)電子元件群中的測(cè)試頭5與IC插座510之間的端子的連接關(guān)系圖，圖7中，在顯示布線關(guān)系方面，方便縱向排列表現(xiàn)把互相橫向的被測(cè)試IC作為一個(gè)電子元件群的圖。
如圖8所示，構(gòu)成一個(gè)電子元件群的二個(gè)被測(cè)試IC(A1、A2)，同時(shí)壓接到同一插座板511上設(shè)置的二個(gè)各自IC插座510、510上。
這里，自測(cè)試頭5一側(cè)送往IC側(cè)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，從測(cè)試頭5側(cè)的一個(gè)驅(qū)動(dòng)器針520輸出，在插座板511的布線圖形上并行分路，通過(guò)連接插針，分別向二個(gè)IC(A1、A2)的驅(qū)動(dòng)器端子530輸入。并且，從測(cè)試頭5側(cè)向IC側(cè)送輸入信號(hào)，測(cè)試頭5一側(cè)的二個(gè)輸入信號(hào)針521分別輸出，通過(guò)插座板511的布線圖形和連接插針，分別向IC(A1、A2)的輸入端子531進(jìn)行輸入。輸入到這二個(gè)IC(A1、A2)的輸入輸出端子531、531的輸入信號(hào)，由同一輸入輸出端子531、531分別讀出，并向測(cè)試頭5側(cè)的二個(gè)輸出信號(hào)針522、522輸出，由此送往測(cè)試器6。
就將在該輸出信號(hào)針522、522檢出的輸出信號(hào)，與從輸入信號(hào)針521、521輸入的輸入信號(hào)進(jìn)行比較，若為存儲(chǔ)器系列的IC，就可判斷該地址中的功能是否正常工作。
這里，要是確定了構(gòu)成一個(gè)電子元件群的IC的至少有一個(gè)異常信號(hào)，就將這一電子元件群的全部IC分類到必須再檢測(cè)的類別里。即，在裝載部400轉(zhuǎn)載到用戶托架KST上之際，再轉(zhuǎn)載到再檢測(cè)用類別的用戶托架KST里去。
也就是，在本實(shí)施例中，在一個(gè)插座板511上配置有二個(gè)IC，并將這些驅(qū)動(dòng)信號(hào)共用，因而輸出信號(hào)正常的情況下，可以斷定二個(gè)IC都是合格的IC，而在輸出信號(hào)為異常的情況下，就不可能斷定哪一個(gè)IC(A1、A2)為不合格的IC。
因此，正當(dāng)把上述的二個(gè)IC作為一個(gè)電子元件群進(jìn)行第一次測(cè)試的時(shí)候，輸出信號(hào)發(fā)生異常信號(hào)的情況下，兩個(gè)IC(A1、A2)也都作為必須再檢測(cè)IC進(jìn)行分類。而且，在全部被測(cè)試IC的測(cè)試結(jié)束后，進(jìn)入圖12的步驟3，實(shí)行再檢測(cè)(步驟5)。另外，要是再檢測(cè)的次數(shù)為規(guī)定的次數(shù)N以上，就不進(jìn)行規(guī)定數(shù)以上的再檢測(cè)，并結(jié)束處理。
在再檢測(cè)工序中，將搭載必須進(jìn)行再檢測(cè)的被測(cè)試IC的用戶托架KST輸送到裝載部300，把這些被測(cè)試IC搭載到如圖9所示的測(cè)試托架TST上。即，在第一次測(cè)試中，把被測(cè)試IC搭載到所有的凹槽里，而在再檢測(cè)中，就需要判斷上述二個(gè)IC(A1、A2)的哪一個(gè)IC是否為不合格產(chǎn)品，因而把一個(gè)IC推壓向共用驅(qū)動(dòng)器針520的一個(gè)插座板511上的方式，搭載到測(cè)試托架TST上。
而且，如圖10所示，由于只把一個(gè)IC(這里是A1)推壓向一個(gè)插座板511上，所以對(duì)一個(gè)IC(A1)輸出由驅(qū)動(dòng)器針520來(lái)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，不論輸入信號(hào)或輸出信號(hào)都對(duì)一個(gè)IC(A1)進(jìn)行存取，就可以判斷哪一個(gè)IC是合格或不合格。而且，把結(jié)束再檢測(cè)后的IC分到與該結(jié)果相應(yīng)的類別中。
這樣，在本實(shí)施例的電子元件測(cè)試裝置中，就可以在二個(gè)IC插座板上共同使用一個(gè)驅(qū)動(dòng)器針520，因而即使不增加測(cè)試頭5側(cè)的端子數(shù)，也可增加IC的同時(shí)測(cè)定數(shù)。特別是近年來(lái)的IC，隨著制造的質(zhì)量管理顯著提高，合格率也高，因而二個(gè)IC的任何一個(gè)為不合格的概率也極其之低。
而且，根據(jù)本實(shí)施例的測(cè)試方法，與現(xiàn)有的方法相比，看起來(lái)好象，因必須再檢測(cè)部分，故乍一看測(cè)試次數(shù)增加，但實(shí)際上必須再檢測(cè)的IC數(shù)量極其之少，相反使同時(shí)測(cè)定數(shù)增加的部分就是提高生產(chǎn)率。
另外，以上說(shuō)明的實(shí)施例是為了更容易理解本發(fā)明而進(jìn)行記述的，而不是用于來(lái)限定本發(fā)明。而且，上述實(shí)施例中公開(kāi)的各個(gè)要點(diǎn)，也包括屬于本發(fā)明技術(shù)范圍內(nèi)的全部設(shè)計(jì)變更或等同物的內(nèi)容。
例如，在使測(cè)試頭5一側(cè)的驅(qū)動(dòng)器針520共用化之際，在上述實(shí)施例中如圖8所示，使布線排列在插座板511一側(cè)，但是本發(fā)明不僅僅限于此，也可以構(gòu)成如圖11所示的布線。即，在圖11，對(duì)于測(cè)試頭5一側(cè)的一個(gè)驅(qū)動(dòng)器針520，在測(cè)試頭5一側(cè)通過(guò)設(shè)置轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)523進(jìn)行分路，而對(duì)于插座板511，以一對(duì)一進(jìn)行驅(qū)動(dòng)信號(hào)線連線。而且向一個(gè)IC(A1)輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)的時(shí)候，把測(cè)試頭5的轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)523轉(zhuǎn)換到IC(A1)一側(cè)，而且向另一個(gè)IC(A2)輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)的時(shí)候，把該轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)換向IC(A2)側(cè)。
這樣以來(lái)，由于可以把一個(gè)驅(qū)動(dòng)器針520共同使用于二個(gè)IC插座510上，所以即使不增加測(cè)試頭5的端子數(shù)，也能使IC的同時(shí)測(cè)定數(shù)增加。
另外，在上述實(shí)施例中，在第一測(cè)試工序，將有必要再檢測(cè)的電子元件群(A1、A2)，從測(cè)試盒102送向卸載部400，一旦再檢測(cè)被分到必要的類別之后，就再?gòu)难b載部300送往測(cè)試盒102，在這里進(jìn)行作為第二測(cè)試工序的再檢測(cè)程序，而且在本發(fā)明的測(cè)試方法中，有關(guān)第一測(cè)試工序中有必要再檢測(cè)的電子元件群，也可以在該位置上直接實(shí)施第二測(cè)試工序的再檢測(cè)。
權(quán)利要求
1.一種將測(cè)試信號(hào)輸入到要測(cè)試的電子元件里，根據(jù)其響應(yīng)輸出信號(hào)，判斷所述電子元件好壞的電子元件的測(cè)試方法，該電子元件的測(cè)試方法具有對(duì)于由多個(gè)電子元件組成的電子元件群的所述各個(gè)電子元件，輸入共同的測(cè)試信號(hào)，根據(jù)其響應(yīng)信號(hào)，判斷供給該測(cè)試的所述電子元件群全體好壞的第一測(cè)試工序；以及對(duì)于用所述第一測(cè)試工序判斷為不合格的電子元件群的各個(gè)測(cè)試電子元件，分別輸入互相獨(dú)立的測(cè)試信號(hào)，根據(jù)其響應(yīng)信號(hào)，判斷供給該測(cè)試的所述每個(gè)電子元件好壞的第二測(cè)試工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件的測(cè)試方法，其特征是在所述第一測(cè)試工序和所述第二測(cè)試工序之間，在所述第一測(cè)試工序具有把已判斷為不合格的電子元件群進(jìn)行再排列的工序，和把再排列后的電子元件送到所述第二測(cè)試工序的工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件的測(cè)試方法，其特征是，所述第二測(cè)試工序，緊接著所述第一測(cè)試工序之后實(shí)行。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件的測(cè)試方法，其特征是，上述第一測(cè)試工序的測(cè)試信號(hào)，對(duì)于所述電子元件群的各個(gè)電子元件，是從測(cè)試頭的共同端子并行輸入。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件的測(cè)試方法，其特征是，上述第一測(cè)試工序的測(cè)試信號(hào)，對(duì)于所述電子元件群的各個(gè)電子元件，是從測(cè)試頭的共同端子有選擇性地輸入。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的電子元件的測(cè)試方法，其特征是，所述第一測(cè)試工序的測(cè)試信號(hào)，包括對(duì)于所述電子元件群的各個(gè)電子元件，互相獨(dú)立輸入的第二測(cè)試信號(hào)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元件的測(cè)試方法，其特征是，在所述第一測(cè)試工序里，對(duì)N個(gè)(但是N為自然數(shù))電子元件同時(shí)進(jìn)行測(cè)試，在所述第二測(cè)試工序里，對(duì)N/2個(gè)電子元件同時(shí)進(jìn)行測(cè)試。
8.一種電子元件測(cè)試裝置，它具有一端與要測(cè)試電子元件的端子連接，另一端與測(cè)試頭端子連接的IC插座，其特征是，對(duì)所述測(cè)試頭的至少一個(gè)端子，具有將至少二個(gè)IC插座的電子元件一側(cè)的端子，分離成并行的電路。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子元件測(cè)試裝置，其特征是，所述分離電路，設(shè)置在所述IC插座一側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子元件測(cè)試裝置，其特征是，所述分離電路，設(shè)置在所述測(cè)試頭一側(cè)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子元件測(cè)試裝置，其特征是，所述分離電路中設(shè)置有轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)。
12.根據(jù)權(quán)利要求8～10任一項(xiàng)所述的電子元件測(cè)試裝置，其特征是，還具有將多個(gè)電子元件分別同時(shí)連接到所述IC插座的電子元件一側(cè)端子上，求出設(shè)有所述分離電路的IC插座群的測(cè)試結(jié)果，并將被判定為不合格群的電子元件進(jìn)行再排列，以便對(duì)所述一個(gè)IC插座群就成為一個(gè)電子元件的機(jī)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明是一種將測(cè)試信號(hào)輸入到要測(cè)試的電子元件里,根據(jù)其響應(yīng)輸出信號(hào),判斷電子元件好壞的電子元件的測(cè)試方法,在第一測(cè)試?yán)?對(duì)多個(gè)電子元件組成的電子元件群的各電子元件A1、A2,輸入共同的測(cè)試信號(hào),根據(jù)其響應(yīng)信號(hào),判斷該測(cè)試的電子元件群全體好壞。在第二測(cè)試(再檢測(cè))里,對(duì)于由第一測(cè)試工序判斷為不合格的各測(cè)試電子元件,分別輸入互相獨(dú)立的測(cè)試信號(hào),根據(jù)其響應(yīng)信號(hào),判斷該測(cè)試的單個(gè)電子元件A1、A2的好壞。
文檔編號(hào)G01R31/28GK1245899SQ9911794
公開(kāi)日2000年3月1日 申請(qǐng)日期1999年8月20日 優(yōu)先權(quán)日1998年8月20日
發(fā)明者小林義仁 申請(qǐng)人:株式會(huì)社愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試