磁阻抗組件及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及被使用在感測地磁等的磁阻抗組件(Magneto-1mpedance element:適當稱為“MI組件”)及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在磁性傳感器也有霍爾組件或MR組件等，但是近年來，構(gòu)造或原理與以往的組件完全不同，小型且具有差異很大的高感度的MI組件大多作為地磁傳感器等而被使用在便攜式機器等。MI組件是若在非晶線等感磁體流通高頻的脈沖電流等時，利用表皮效應(yīng)，其阻抗與周圍的磁場起反應(yīng)而改變的磁阻抗效應(yīng)(稱為“MI效果”)。
[0003]利用MI組件所進行的磁性檢測有下列二種方式:直接測定阻抗的變化的方式、及將在磁敏線等感磁體所產(chǎn)生的磁通量的變化，以設(shè)在其周圍的檢測線圈(拾波線圈)來進行測定的方式。其中，關(guān)于后者的MI組件的記載在例如下述的專利文獻。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0005][專利文獻l]TO2010/097932號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]發(fā)明要解決的課題
[0007]專利文獻I提出一種MI組件，其具備有由形成在基板上的平面圖案、及在固定設(shè)在該平面圖案上的非晶線(磁敏線)的絕緣體上形成為山形的立體圖案所構(gòu)成的檢測線圈。藉此，相較于將在基板收納磁敏線的溝槽進行機械加工之時，可使檢測線圈更為安定地接近磁敏線，由于未將基板進行溝加工，因此除了基板的材質(zhì)選擇自由度或良率提升的效果以外，可達成MI組件全體小型化等。
[0008]但是，組件小型化的要求日益高度化。在具備有檢測線圈的MI組件中，為了一面達成更進一步的小型化，一面確保與以往技術(shù)為同等以上的輸出，必須進行將檢測線圈稠密地卷繞的精細間距化。接著，在專利文獻I的MI組件中，當達成更進一步的精細間距化時會產(chǎn)生如下所示的問題。
[0009]也即，在專利文獻I的MI組件中，是利用光微影來形成高低差成為數(shù)十ym的立體圖案。光微影原本即以不具高低差的平面圖案等的形成為前提。因此，利用光微影來高精細形成如前所述的立體圖案并不容易。此外，MI組件通常一次形成多數(shù)個在一塊基板上，因此進行阻劑涂布、曝光/顯影時的阻劑去除、導體鍍敷等各處理所被制造的制品容易在形狀產(chǎn)生不均，不易確保穩(wěn)定的質(zhì)量。尤其，若以專利文獻I的MI組件來提升精細間距化時，因其不均而容易在平面圖案與立體圖案相鄰接的接合部間發(fā)生短路。而且，在高低差大的立體圖案中，也會有因曝光/顯影所導致的阻劑去除狀態(tài)的不均而產(chǎn)生斷線的可能性。因此，在如專利文獻I所示的構(gòu)造中，難以提供以高次元兼顧今后要求日益嚴謹?shù)母咻敵龌?線圈匝數(shù)增加等)及小型化的MI組件。
[0010]本發(fā)明是鑒于如上所示的情形而研創(chuàng)的，目的在于提供可安定地形成經(jīng)精細間距化的檢測線圈，具備有可兼顧小型化及高輸出化的構(gòu)造的MI組件及其制造方法。
[0011]解決課題用的手段
[0012]本發(fā)明人為解決該課題而精心研宄，不斷進行嘗試后的結(jié)果是，創(chuàng)新地想到了利用朝基板的法線方向延伸的導體(連結(jié)部)來構(gòu)成形成在磁敏線周圍的檢測線圈的一部分的構(gòu)造。利用使該成果發(fā)展，以致完成后所述的本發(fā)明。
[0013]《磁阻抗組件》
[0014](I)本發(fā)明的磁阻抗組件(MI組件)具備有:基板；被配設(shè)在該基板上的磁敏線；周繞該磁敏線的檢測線圈；及固定該磁敏線及該檢測線圈的絕緣部，該磁阻抗組件的特征為:前述檢測線圈具有:由膜狀導體所構(gòu)成的第一配線部，其沿著前述基板的平坦面而形成，且與前述磁敏線呈交叉；由膜狀導體所構(gòu)成的第二配線部，其關(guān)于該磁敏線，形成在該第一配線部的相反側(cè)，且與該磁敏線呈交叉；及由柱狀導體或筒狀導體所構(gòu)成的連結(jié)部，其在該磁敏線的兩側(cè)被前述絕緣部所圍繞，朝該基板的法線方向延伸而將該第一配線部及該第二配線部的預定位置相鏈接。
[0015](2)在本發(fā)明的MI組件中，周繞磁敏線的檢測線圈由:第一配線部、第二配線部、及將它們的預定位置相鏈接的鏈接部所構(gòu)成。其中連結(jié)部朝配設(shè)磁敏線的基板的法線方向延伸，主要負責檢測線圈的高低差。如上所示的連結(jié)部與以往的立體圖案等不同，由于僅在基板的法線方向延伸，因此可精度較佳地形成。反言之，不僅形成在平坦基板上的第一配線部，連第二配線部也設(shè)置連結(jié)部，藉此可在大致平面的面上利用光微影來精細形成。因此，尤其抑制第二配線部的制造不均，即使進行縮幅或間距縮短，也可以安定的質(zhì)量制造MI組件，可輕易達成檢測線圈的精細間距化。如此一來，利用本發(fā)明，無須大型化，也可輕易增加檢測線圈的匝數(shù)，可高次元兼顧MI組件的高輸出化及小型化。
[0016]《磁阻抗組件的制造方法》
[0017]本發(fā)明的MI組件制造方法不受限制，例如可利用如下所示的本發(fā)明的制造方法而得。也即，本發(fā)明的磁阻抗組件的制造方法具備有:基板；被配設(shè)在該基板上的磁敏線；周繞該磁敏線的檢測線圈；及固定該磁敏線及該檢測線圈的絕緣部的磁阻抗組件的制造方法，其特征為具備有:第一配線層形成工程，其在前述基板的平坦面上，形成可與前述磁敏線呈交叉的成為由膜狀導體所構(gòu)成的第一配線部的第一配線層；中間層形成工程，其在該第一配線層上形成中間層，該中間層具有:前述絕緣部；及將位于該磁敏線的兩側(cè)的該絕緣部朝該基板的法線方向貫穿的由柱狀導體或筒狀導體所構(gòu)成的連結(jié)部；及第二配線層形成工程，其在該中間層上形成與該磁敏線呈交叉的成為由膜狀導體所構(gòu)成的第二配線部的第二配線層，該第一配線部與該第二配線部的預定位置在該鏈接部相連結(jié)而構(gòu)成前述檢測線圈。
[0018]《其他》
[0019]本發(fā)明不僅掌握作為MI組件，也可掌握作為使用該MI組件的磁阻抗傳感器。例如，本發(fā)明也可為由上述MI組件、將脈沖電流通電至前述磁敏線的脈沖振蕩電路、及檢測在前述檢測線圈所產(chǎn)生的電壓變化的檢測電路(包含訊號處理電路等)等所構(gòu)成的磁阻抗傳感器(MI傳感器)。其中，關(guān)于MI傳感器的各電路的詳細內(nèi)容由于被記載在前述專利文獻等，因此在本說明書中省略其說明。
【附圖說明】
[0020]圖1是第一實施例的MI組件的平面圖。
[0021]圖2是圖1中所示的A-A剖面圖。
[0022]圖3是顯示該MI組件的上線圈(第二配線部)側(cè)的部分放大圖。
[0023]圖4是第二實施例的MI組件的剖面圖。
[0024]圖5是顯示該MI組件的上線圈(第二配線部)側(cè)的部分放大圖。
[0025]圖6A是顯示利用設(shè)在MI組件的外側(cè)的線材導件，來保持非晶線的樣子的放大圖。
[0026]圖6B是顯示將該MI組件分割前的基板的平面圖。
[0027]圖7是顯示利用設(shè)置通孔的絕緣層來保持非晶線的樣子的放大圖。
[0028]圖8是顯示利用導柱保持非晶線的樣子的放大圖。
【具體實施方式】
[0029]本說明書中所說明的內(nèi)容不僅適用本發(fā)明的MI組件，也適當適用于其制造方法。有關(guān)制造方法的構(gòu)成要素若理解為方法界定產(chǎn)物權(quán)利要求(product-by-process claim)，則也可形成為有關(guān)物的構(gòu)成要素。在上述本發(fā)明的構(gòu)成要素可附加由本說明書中任意選擇的一個或二個以上的構(gòu)成要素。任何實施形態(tài)為最佳與否，依對象、要求性能等而異。
[0030]《檢測線圈》
[0031]本發(fā)明的檢測線圈如上所述以連結(jié)部來連結(jié)第一配線部與第二配線部的各個的預定位置，藉此形成為周繞磁敏線的連續(xù)性的線圈。與連結(jié)部相連接的第一配線部或第二配線部的預定位置只要形成檢測線圈即可，但是通常為第一配線部或第二配線部的端部近傍。
[0032](I)配線部
[0033]第一配線部通常由構(gòu)成沿著基板的平坦面所形成的(第一)配線圖案的膜狀導體所構(gòu)成。因此，第一配線部與基板的平坦面呈平行，但是覆蓋該第一配線部的絕緣部上或絕緣部中所形成的第二配線部并不一定限于由與基板的平坦面呈大致平行且平面的(第