位置的狀態(tài)下，形成檢測線圈或絕緣部。如上所示的線材導(dǎo)件可以是有別于MI組件的構(gòu)成要素(檢測線圈或絕緣部)或它們的制造工程而另外設(shè)置者，也可為利用它們的構(gòu)成要素或制造工程而設(shè)者。以下說明如上所示的線材導(dǎo)件的具體例。
[0073](2)首先，將有別于MI組件的構(gòu)成要素而另外設(shè)置專用的線材導(dǎo)件，將磁敏線保持在所希望位置的例顯示于圖6A及圖6B。圖6A是將I個MI組件I放大的圖，圖6B是顯示配列多數(shù)在同一基板11上的分割前的MI組件I。在本例中，利用事前形成在MI組件I的兩側(cè)的溝31m、32m，非晶線12被正確配置、保持在所希望位置。其中，溝31m、32m利用上述光微影鄰接配置的絕緣樹脂制的樹脂導(dǎo)件31a、31b、及樹脂導(dǎo)件32a、32b所形成。
[0074](3)接著，將利用利用MI組件的構(gòu)成要素的線材導(dǎo)件，將磁敏線保持在所希望位置的例子放大顯示于圖7。在本例中，利用在為了形成MI組件I的柱133、134而設(shè)的通孔用的絕緣樹脂層41所形成的朝長邊方向延伸的溝41m，非晶線12被正確地配置、保持在所希望位置。此時，由于不需要將上述樹脂導(dǎo)件等線材導(dǎo)件另外設(shè)置在MI組件的外部，因此可在同一基板上更加接近配置分割前的MI組件。結(jié)果，可使平均每一塊基板可制造的MI組件個數(shù)增加，且可有效活用(良率提升)基板。此外，將基板切斷來取得多個MI組件時，若在該切斷線(參照圖6A、圖6B的2點鏈線)上沒有樹脂導(dǎo)件等樹脂層時，可設(shè)定基板(硅、陶瓷等)所特化的切斷條件，而可進(jìn)行有效率的切斷。
[0075](4)此外，也可利用被調(diào)整成所希望間隔的柱(連結(jié)部)，來取代上述成為通孔的樹脂層(絕緣部)。例如，若為MI組件2的情形，也可利用更為接近非晶線12的內(nèi)側(cè)中柱233b、234b(參照圖4)來作為線材導(dǎo)件。此時，由于作為導(dǎo)體的柱與非晶線必須絕緣，因此若在磁敏線使用經(jīng)絕緣被覆的非晶線，則較為理想。
[0076](5)此外，在形成柱時等，也可在MI組件的外部或內(nèi)部，有別于構(gòu)成檢測線圈的柱，另外形成成為線材導(dǎo)件的導(dǎo)柱。以一例而言，將在MI組件2的外部形成比MI組件2的內(nèi)側(cè)中柱233b、234b更為狹窄的間隔的導(dǎo)柱51a、51b、52a、52b的情形顯示于圖8。此時，非晶線12是利用由導(dǎo)柱51a、51b所形成的溝51m、及由導(dǎo)柱52a、52b所形成的溝52m而被配置、保持在所希望位置。如上所示利用將間隔比內(nèi)側(cè)中柱233b、234b更為狹窄的導(dǎo)柱51a、51b、52a、52b形成為線材導(dǎo)件，與將內(nèi)側(cè)中柱233b、234b形成為線材導(dǎo)件時不同，也可使用未經(jīng)絕緣被覆的磁敏線。
[0077]其中，如上所示的導(dǎo)柱與構(gòu)成檢測線圈的柱同樣地利用銅鍍敷等所形成，因此設(shè)在MI組件內(nèi)時，形成為與構(gòu)成檢測線圈的下線圈、上線圈、柱不相接觸的形態(tài)(直徑、高度)或配置即可。順帶一提，導(dǎo)柱即使如圖8所示設(shè)在MI組件的外部，也可形成地比前述由絕緣樹脂所構(gòu)成的樹脂導(dǎo)件(參照圖6A、圖6B)還小，因此幾乎不會發(fā)生基板的材料良率降低或切斷性降低等。
[0078]符號說明
[0079]1、2:MI 組件
[0080]11:基板
[0081]12:非晶線(磁敏線)
[0082]13、23:檢測線圈
[0083]14、24:絕緣樹脂體(絕緣部)
【主權(quán)項】
1.一種磁阻抗組件，具備: 基板； 被配設(shè)在該基板上的磁敏線； 周繞該磁敏線的檢測線圈；及 固定該磁敏線及該檢測線圈的絕緣部， 該磁阻抗組件的特征在于: 前述檢測線圈具有: 由膜狀導(dǎo)體所構(gòu)成的第一配線部，其沿著前述基板的平坦面而形成，且與前述磁敏線呈交叉； 由膜狀導(dǎo)體所構(gòu)成的第二配線部，其關(guān)于該磁敏線，形成在該第一配線部的相反側(cè)，且與該磁敏線呈交叉；及 由柱狀導(dǎo)體或筒狀導(dǎo)體所構(gòu)成的連結(jié)部，其在該磁敏線的兩側(cè)被前述絕緣部所圍繞，朝該基板的法線方向延伸而將該第一配線部及該第二配線部的預(yù)定位置相鏈接。
2.如權(quán)利要求1所述的磁阻抗組件，其特征在于， 前述第二配線部相對前述基板的平坦面形成為大致平行。
3.如權(quán)利要求1或2所述的磁阻抗組件，其特征在于， 前述絕緣部由以下部件所構(gòu)成:形成在前述第一配線部上的第一絕緣部；形成在該第一絕緣部上且埋設(shè)前述磁敏線的中間絕緣部；及形成在該中間絕緣部上的第二絕緣部，前述連結(jié)部由以下部件所構(gòu)成:將該第一絕緣部朝前述基板的法線方向貫穿且與該第一配線部的預(yù)定位置相連的第一連結(jié)部；在該磁敏線的兩側(cè)，將該中間絕緣部朝該基板的法線方向貫穿且與該第一連結(jié)部相連的中間連結(jié)部；及將該第二絕緣部朝該基板的法線方向貫穿且與該中間連結(jié)部相連，并且與前述第二配線部的預(yù)定位置相連的第二連結(jié)部，前述中間連結(jié)部比前述第一連結(jié)部或前述第二連結(jié)部為更粗。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的磁阻抗組件，其特征在于， 前述連結(jié)部與前述磁敏線的間隙，在沿著該磁敏線的延伸方向的相鄰間隙之間彼此不相同。
5.一種磁阻抗組件的制造方法，具備:基板；被配設(shè)在該基板上的磁敏線；周繞該磁敏線的檢測線圈；及固定該磁敏線及該檢測線圈的絕緣部的磁阻抗組件， 磁阻抗組件的制造方法的特征在于，具備: 第一配線層形成工程，其在前述基板的平坦面上，形成可與前述磁敏線呈交叉的成為由膜狀導(dǎo)體所構(gòu)成的第一配線部的第一配線層； 中間層形成工程，其在該第一配線層上形成中間層，該中間層具有:前述絕緣部；及將位于該磁敏線的兩側(cè)的該絕緣部朝該基板的法線方向貫穿的由柱狀導(dǎo)體或筒狀導(dǎo)體所構(gòu)成的連結(jié)部?’及 第二配線層形成工程，其在該中間層上形成與該磁敏線呈交叉的成為由膜狀導(dǎo)體所構(gòu)成的第二配線部的第二配線層， 該第一配線部與該第二配線部的預(yù)定位置在該鏈接部相連結(jié)而構(gòu)成前述檢測線圈。
6.如權(quán)利要求5所述的磁阻抗組件的制造方法，其特征在于， 前述中間層形成工程是由以下步驟所構(gòu)成: 第一絕緣層形成工程，其在前述第一配線層上形成成為第一絕緣部的第一絕緣層； 鏈接部形成工程，其形成:將該第一絕緣層朝前述基板的法線方向貫穿且與前述第一配線部的預(yù)定位置相連的第一連結(jié)部；及與該第一連結(jié)部相連，在該磁敏線的兩側(cè)朝該基板的法線方向延伸的中間連結(jié)部；及與該中間連結(jié)部相連，朝該基板的法線方向延伸而可與前述第二配線部的預(yù)定位置相連的第二連結(jié)部； 中間絕緣層形成工程，其在該第一絕緣層上形成埋設(shè)前述磁敏線的成為中間絕緣部的中間絕緣層；及 第二絕緣層形成工程，其在該中間絕緣層上形成圍繞該第二連結(jié)部的成為第二絕緣部的第二絕緣層， 利用該第一絕緣層、該中間絕緣層、及該第二絕緣層，構(gòu)成前述絕緣部， 利用該第一連結(jié)部、該中間連結(jié)部、及該第二連結(jié)部，構(gòu)成前述連結(jié)部。
【專利摘要】提供可兼顧高輸出化及小型化的磁阻抗組件(MI組件)。本發(fā)明的MI組件的特征為：周繞被配設(shè)在基板(11)上的磁敏線(12)的檢測線圈(13)由以下部件構(gòu)成：沿著基板的平坦面而形成，與磁敏線呈交叉的由膜狀導(dǎo)體所構(gòu)成的第一配線部(131)；關(guān)于磁敏線，形成在第一配線部的相反側(cè)，且與磁敏線呈交叉的由膜狀導(dǎo)體所構(gòu)成的第二配線部(132)；及在磁敏線的兩側(cè)被絕緣部所圍繞，朝基板的法線方向延伸而將第一配線部及第二配線部的預(yù)定位置相鏈接的由柱狀導(dǎo)體或筒狀導(dǎo)體所構(gòu)成的連結(jié)部(133、134)。利用設(shè)置如上所示的連結(jié)部，可形成精細(xì)的配線部，可達(dá)成檢測線圈的精細(xì)間距化進(jìn)而兼顧MI組件的高輸出化及小型化。
【IPC分類】G01R33-02
【公開號】CN104704382
【申請?zhí)枴緾N201380051180
【發(fā)明人】西畑克彥, 伊藤秀信, 內(nèi)藤憲和, 松川久常
【申請人】愛知制鋼株式會社
【公開日】2015年6月10日
【申請日】2013年9月3日
【公告號】EP2908150A1, US20150262748, WO2014054371A1